CS211094B1 - Paměťový obvod se dvěma výstupy - Google Patents
Paměťový obvod se dvěma výstupy Download PDFInfo
- Publication number
- CS211094B1 CS211094B1 CS653478A CS653478A CS211094B1 CS 211094 B1 CS211094 B1 CS 211094B1 CS 653478 A CS653478 A CS 653478A CS 653478 A CS653478 A CS 653478A CS 211094 B1 CS211094 B1 CS 211094B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- anode
- terminal
- thyristor
- diode
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Devices For Supply Of Signal Current (AREA)
Abstract
Vynález se týká oboru telekomunikace. Vynález řeší pamětový obvod se dvěma výstupy, s nulovým odběrem energie za klidu, sestavený z diskrétních součástek. Podstatou vynálezu, pamětového obvodu se dvěma výstupy, je bistabilní obvod složený z tranzistoru PNP a tyristoru, spojenými odporovou zpětnou vazbou. Obvod překlápí z klidového stavu záporným impulsem přivedeným na vstupní zapínací svorku. Zpět do klidového stavu se uvádí kladným impulsem, přivedeným na vstupní vypínací svorku. První výstupní svorkou je kolektor tranzistoru a anoda tyristoru je druhou výstupní svorkou. Obvod je možno využívat v telekomunikacích (u přenášeěů dálkové volby), při dálkovém ovládání výrobních procesů apod.
Description
Vynález se týká pamětového obvodu se dvěma výstupy, sestaveného ze sériového zapojení ovládacího tranzistoru typu PNP a tyristoru.
Dosud známá zapojení využívají dvojici tranzistorů zapojenou jako bistabilní klopný obvod. V tomto zapojení bistabilního klopného obvodu je vždy jeden z tranzistorů ve vodivém stavu, což znamená trvalý odběr energie.
Nevýhoda uvedeného zapojení - trvalý odběr energie - vystupuje do popředí v telefonních ústřednách, kde se žádá minimální spotřeba elektrické energie vzhledem k trvalému stavu připravenosti.
Výše uvedený nedostatek odstraňuje pamělový obvod podle vynálezu, jehož podstatou je, že kolektor tranzistoru je spojen s anodou první oddělovací diody, jejíž katoda je připojena přes zatěžovací odpor na anodu tyristoru a řídicí elektroda tyristoru je napájena přes první vazební odpor z kolektoru tranzistoru. Báze tranzistoru je připojena na anodu ochranné diody, která je svojí katodou připojena přes druhý vazební odpor na anodu tyristoru a na anodu druhé oddělovací diody, jež má svoji katodu spojenu s ochranným odporem, jehož druhý vývod je připojen ne vstupní zapínací svorku.
Vstupní vypínací svorka je připojena na anodu třeti oddělovací diody, jež je svojí katodou připojena na nabíjecí odpor, který má svůj druhý vývod spojen se zápornou svorkou zdroje a na první vývod vypínacího kondenzátoru, jehož druhý vývod je připojen na katodu nabíjecí diody. Tato nabíjecí dioda je svoji anodou spojena s kolektorem tranzistoru. Druhý vývod vypínacího kondenzátoru je rovněž připojen na anodu vypínači diody, jež je svoji katodou připojena do společného bodu první oddělovací diody a ochranné diody.
První výstupní svorka je připojena na kolektor tranzistoru a druhá výstupní svorka je připojena na anodu tyristoru.
Řešeným pamělovým obvodem se sníží spotřeba energie za klidu na nulovou hodnotu.
Z výstupu, který je připojen na anodu tyristoru je možno odebírat podstatně větší proud než z uváděného zapojení s tranzistory.
Na připojeném výkresu na obr. 1 je znázorněno známé zapojení bistabilního obvodu s tranzistory. Na obr. 2 je znázorněno zapojení podle vynálezu.
Na obr. 2 je za klidu uzavřen tranzistor 15 i tyristor 23. Na první výstupní svorce 26 a na druhé výstupní svorce 27 není napětí. Přivedením záporného pulsu na vstupní zapínací svorku 29 přes ochranný odpor 12. druhou oddělovací diodu 13 a ochrannou diodu 14 do báze tranzistoru 15 se tento otevírá. Z kolektoru tranzistoru 15 je přes první vazební odpor 22 napájena řídicí elektroda tyristoru 23 a tím dojde k sepnutí tyristoru 2J. Toto je ustálený stav, nebol báze tranzistoru 15 je nadále napájena z anody tyristoru 23 přes druhý vazební odpor 16 a ochrannou diodu 14. Na první výstupní svorce 26 je kladné napětí, na druhé výstupní svorce 27 napětí záporné.
Vypnutí obvodu se uskuteční přivedením kladného napětí na vstupní vypínací svorku 28 a odtud dále přes třetí oddělovací diodu 25 na vývod vypínacího kondenzátoru 18. Jelikož vypínací kondenzátor 18 byl nabit přes nabíjecí odpor 24 a nabíjecí diodu 12, objeví se na anodě vypínací diody 17 kladné napětí rovnající se součtu napětí nabitého vypínacího kondenzátoru 18 a napětí na vstupní svorce 28. Vypínací doba 17 se otevře a dojde k vybíjení vypínacího kondenzátoru 18. Ochranná dioda 14 se uzavírá a přerušuje proud do báze tranzistoru 15. Pamětový obvod se vrátí do klidového stavu.
Zapojení podle vynálezu je možno použít v telefonní technice např. u přenašečů dálkové volby s impulsní signalizací při vyhodnocování vstupu do meziměstkého napojení a podobně.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUPaměťový obvod se dvěma výstupy, sestavený ze sériového zapojení ovládacího tranzistoru typu PNP a tyristoru, vyznačený tím, že kolektor tranzistoru (15) je spojen s anodou první oddělovací diody (20), jejíž katoda je připojena přes zatěžovací odpor (21) na anodu tyristoru (23) a řídicí elektroda tyristoru (23) je napájena přes první vazební odpor (22) z kolektoru tranzistoru (15), jehož báze je připojena na anodu ochranné diody (14), která Je svoji katodou připojena přes druhý vazební odpor (16) na anodu tyristoru (23) a na anodu druhé oddělovací diody (13), jež mé svoji katodu spojenu s, ochranným odporem (12), jehož druhý vývod je připojen na vstupní zapínací svorku (29) a vstupní vypínací svorka (28) je připojena na anodu třetí oddělovací diody (25), jež je svojí katodou připojena na nabíjecí odpor (24), který má svůj druhý vývod spojen se zápornou svorkou zdroje a na první vývod vypínacího kondenzátoru (18), jehož druhý vývod je připojen na katodu nabíjecí diody (19), která je svoji anodou spojena s kolektorem tranzistoru (15) a týž druhý vývod vypínacího kondenzátoru (18) je připojen na anodu vypínací diody (17), jež je svoji katodou připojena do společného bodu první oddělovací diody (13) a ochranné diody (14), pak první výstupní svorka (26) je připojena na kolektor tranzistoru (15) a druhá výstupní svorka (27) je připojena na anodu tyristoru (23).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS653478A CS211094B1 (cs) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | Paměťový obvod se dvěma výstupy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS653478A CS211094B1 (cs) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | Paměťový obvod se dvěma výstupy |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS211094B1 true CS211094B1 (cs) | 1982-01-29 |
Family
ID=5412601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS653478A CS211094B1 (cs) | 1978-10-09 | 1978-10-09 | Paměťový obvod se dvěma výstupy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS211094B1 (cs) |
-
1978
- 1978-10-09 CS CS653478A patent/CS211094B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69306185D1 (de) | Stand-By-Speiseschaltung | |
| CS211094B1 (cs) | Paměťový obvod se dvěma výstupy | |
| JPS54126454A (en) | Switching circuit | |
| GB1407246A (en) | High voltage switching systems | |
| AU566128B2 (en) | Sample and hold circuit | |
| JPS6441319A (en) | Semiconductor relay | |
| JPS54148358A (en) | Diode gate circuit | |
| GB907656A (en) | Tunnel diode logic circuit | |
| SU687597A1 (ru) | Коммутатор | |
| SU1148111A1 (ru) | Переключатель | |
| IE792475L (en) | Switching circuit | |
| SU515283A1 (ru) | Устройство дл коммутации электрических цепей | |
| JPS5546606A (en) | Transistor switching circuit | |
| JPH0290721A (ja) | 光結合型リレー回路 | |
| SU1169162A1 (ru) | Транзисторный ключ | |
| JP2757438B2 (ja) | 光結合型リレー回路 | |
| JPS5769932A (en) | Current switching type logical circuit | |
| SU1046781A1 (ru) | Устройство дл управлени индуктивной нагрузкой посто нного тока | |
| SU1200352A1 (ru) | Реле времени | |
| JPS5683129A (en) | Diode switch | |
| JPH0575417A (ja) | 半導体リレー回路 | |
| JPS5684033A (en) | Gate circuit of gate turn-off thyristor | |
| JPS54159159A (en) | Semiconductor switch circuit | |
| JPS56132019A (en) | High-voltage pulse circuit | |
| JPS5567234A (en) | Analogue switching circuit |