CS210087B1 - Termistory z polovodivého vanádo-fosfátovéhó Skla s prímesou kysličníka meSnatého - Google Patents
Termistory z polovodivého vanádo-fosfátovéhó Skla s prímesou kysličníka meSnatého Download PDFInfo
- Publication number
- CS210087B1 CS210087B1 CS735379A CS735379A CS210087B1 CS 210087 B1 CS210087 B1 CS 210087B1 CS 735379 A CS735379 A CS 735379A CS 735379 A CS735379 A CS 735379A CS 210087 B1 CS210087 B1 CS 210087B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- thermistors
- vanadium
- oxide
- weight percent
- semiconducting
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
Vynález sa týká zloženia termistorov so záporným teplotným koeficientom odporu.
Termistory sú polovodičové súčiastky, kterých základnou fyzikálnou vlaatnosťou je zá-vislost odporu na vlastnej teplote. Priebeh závislosti R = f(T) mĎže byť vyjádřený vzťahom R = Ro exp (-B (T^1 - T-1)) kde B je materiálová konštanta vmalom rozsahu teplĎt nezávislá ne teplote. Hodnota kon-štanty B termistorov B = 3 000 až 5 000 K.
Termistory se vyrábajú technológiou kovověj keramiky spekaním predformovaných zmesíkysličníkov mengánu, niklu, kobaltu, médi, železa, uránu, titánu a pod. Formujú sa dorĎznych tvarov, napr. perličiek, tyčiniek, diskov, medzikruží, fólií a pod. s rĎzne nane-senými elektrodami, ktoré sú bu3 vnútri alebo na povrchu hmoty termistore.
Nevýhodou tejto technologie je nutnosť použitia plastifikátora v zmesi kysličníkovkovov při formovaní termistore před jeho spekaním.
Podstata termistorov z polovodivého vanádo-fosfátového skla s prímesou kysličníkameSnatého spočívá v tom, že obsahujú 20 až 25 hmotnostných percent kysličníka fosforečné-ho, 60 až 75 hmotnostných percent kysličníka vanadičného a 1 až 20 hmotnostných percentkysličníka meSnatého. Výhodou zloženia termistorov zo skla podTa vynálezu je, že umožňuje spfisob výroby,pri ktorom sa ušetří použitie plastifikátora a odpadá technologická operácia spekania kys-ličníkovej keramiky.
Na pripojenom výkrese je graficky znázorněná závislost odporu termistore od teploty.
Termistory sa vyrábajú priamo nanášením taveniny tohto skla v oxidačnej atmosféře,napr. na vzduchu medzi dve elektrody. Napr. perličkové termistory sa mĎžu vyrábať namoče-ním dvoch drótov, ktoré tvoria zároveň elektrody i přívody termistore do taveniny tohtoskla; zložitejšie tvary termistorov sa mĎžu odlievať do formy a pod. Příklad 1
Perličkový termistor vyrobený namočením měděných elektrod priemeru 0,1 mm vo vzájom-nej vzdialenosti 0,2 mm do taveniny polovodivého skla zloženia 71,30 hmotnostných percentkysličníka vanadičného, 23,76 hmotnostného percenta kysličníka fosforečného a 4,94 hmot-nostného percenta kysličníka meSnatého mal hodnoty konštánt RQ = 7,53 · 10^ ohmova B = 4 136 K. Závislost R = (f)T tohto termistore je na výkrese - křivka a.
V Příklad 2
Perličkový termistor vyrobený ako v příklade 1 zo skla zloženia 67,93 hmotnostnéhopercenta kysličníka vanadičného, 22,65 hmotnostných percent kysličníka fosforečného a9,42 hmotnostného percenta kysličníka meSnatého mal hodnoty konštánt Ro = 5,18 . 10^ ohmova B = 4 734 K. Závislost R = lf)T tohto termistore je na výkrese - křivka b.
Claims (1)
- 2 Příklad 3 Perličkový termistor vyrobený ako v příklade 1 20 skle zloženia 62,08 hmotnostnéhopercenta kysličníka vanadičného, 20,70 hmotnostného percenta kysličníka fosforečnéhoa 17 ,22 hmotnostného percenta kysličníka me3natého mal hodnoty konštánt RQ = 3,80 . 10^ohmov a B = 4 633 K. Závislost R = (f)T je na výkrese - křivka c. PREDMET VYNÁLEZU Termistory z polovodivého vanádo-fosfátového skla s prímesou kysličníka meSnatéhovyznačujúce sa tým, že obsahujú 20 až 25 hmotnostných percent kysličníka fosforečného,60 až 75 hmotnostných percent kysličníka vanadičného a 1 až 20 hmotnostných percent kysličníka meánatého. 1 výkres
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS735379A CS210087B1 (sk) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Termistory z polovodivého vanádo-fosfátovéhó Skla s prímesou kysličníka meSnatého |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS735379A CS210087B1 (sk) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Termistory z polovodivého vanádo-fosfátovéhó Skla s prímesou kysličníka meSnatého |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS210087B1 true CS210087B1 (sk) | 1982-01-29 |
Family
ID=5422518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS735379A CS210087B1 (sk) | 1979-10-29 | 1979-10-29 | Termistory z polovodivého vanádo-fosfátovéhó Skla s prímesou kysličníka meSnatého |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS210087B1 (cs) |
-
1979
- 1979-10-29 CS CS735379A patent/CS210087B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2019331C (en) | Thermistor and method of making the same | |
| DE60210522T2 (de) | Thermistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| US2720573A (en) | Thermistor disks | |
| US2425032A (en) | Enamel for resistors | |
| US3252831A (en) | Electrical resistor and method of producing the same | |
| US2992959A (en) | Production of shaped bodies from heat resistant oxidation proof materials | |
| US2937354A (en) | Thermally-sensitive resistor | |
| US4213113A (en) | Electrical resistor element and method of manufacturing the same | |
| US4326187A (en) | Voltage non-linear resistor | |
| DE3050177T1 (cs) | ||
| CS210087B1 (sk) | Termistory z polovodivého vanádo-fosfátovéhó Skla s prímesou kysličníka meSnatého | |
| JPH02249203A (ja) | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト | |
| EP0262975A3 (en) | Thick-film copper conductor inks | |
| US3408311A (en) | Thermistor compositions and thermistors made therefrom | |
| US2282944A (en) | Resistance composition and method of making it | |
| US5160912A (en) | Thermistor | |
| JPH04150001A (ja) | サーミスタ素子 | |
| JPS6054761B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| US4269898A (en) | Resistance material | |
| US3275572A (en) | Refractory composition and electrical resistance made therefrom | |
| DE2326896B2 (de) | Spannungsabhaengiges widerstandselement | |
| KR100475213B1 (ko) | 고신뢰성 유리 도포형 칩 ntc 서미스터 및 그 제조 방법 | |
| JPS61181187A (ja) | 厚膜回路の製造方法 | |
| US4155064A (en) | Electrical resistor element | |
| DE2165520C3 (de) | Verfahren zum Erhöhen der Spannungsund Isolationsfestigkeit von Ferritmagnetec und Anwendung dieses Verfahrens zur Herstellung eines Schutzgasrelais |