CS207065B1 - Iontově sensitivnx elektronické čidlo pro stanovení aktivity iontů - Google Patents
Iontově sensitivnx elektronické čidlo pro stanovení aktivity iontů Download PDFInfo
- Publication number
- CS207065B1 CS207065B1 CS758879A CS758879A CS207065B1 CS 207065 B1 CS207065 B1 CS 207065B1 CS 758879 A CS758879 A CS 758879A CS 758879 A CS758879 A CS 758879A CS 207065 B1 CS207065 B1 CS 207065B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- activity
- ionts
- iont
- determination
- electronic sensor
- Prior art date
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000840 electrochemical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
Vynález se týká iontově sensitivního elektronického čidla pro stanovení aktivity iontů.
V posledních letech se v řadě oborů objevují přístroje využívající elektronických prvků k miniaturizaci zařízení, ke zlepšení jeho funkce a pod. Tento trend se projevuje i v zařízeních pro aplikaci elektroanalytiekých metod, v oblasti iontově sensitivníoh čidel,
V roce 1972 ukázal Bergveld D.: IEE Trans. BME - 19, 342 (1972) teoretickou možnost aplikace transistorů, zejména transistorů řízených elektrickým polem. V dalším období byla sledována přímo možnost aplikace se selektivními membránami, jak uvádí Žemel J. N.: Anal, Chem., 47. (2), 255A (1975) nebo Moss S.D., Janata J., Johnson 0. C.í Anal. Chem., 42, (8), 2238 (1978). Problematiku čidel tohoto typu a aplikace membrán typu solide statě popsal dále Buck R. P., Hackelman D. E.: Anal. Chem., 42» U4)» 2315 (1977). Všechny tyto systémy aplikují citlivou vrstvu membrány přímo na oxidovou vrstvu transistoru řízeného elektrickým polem, tj. po jeho úpravě a odstranění jeho kovové vrstvy.
Předložený vynález iontově sensitivního elektronického čidla pro stanovení aktivity iontů umožňuje přímou aplikaci transistoru řízeného elektrickým polem bez jakéhokoli nutného zásahu do tohoto elektronického prvku, což je výrobně značně výhodnější.
Podstata vynálezu pak spočívá v tom, že aktivní iontově sensitivní membrána opatře207065
207 005 ná vrstvou stříbra je vodivá spojena s kovovou vrstvou řídíoí elektrody transistoru řízeného elektrickým polem a je opatřena zkratovaoím zařízením.
Zkratovací zařízení je zařazeno proto, že tranzistory tohoto typu mohou vykazovat časem posun potenoiálu a zkratovací zařízení upravené v čidle umožňuje tento drift anulovat, V dalším je popsáno ve spojení s připojeným schematickým výkresem ve svislém řezu jedno z možných konkrétních provedení iontové seneitivního elektronického čidla pro stanovování chloridových iontů.
Na výkrese je znázorněno pouzdro 2 z epoxidové pryskyřice, v němžje na jeho spodní části zalita vrstva 1 chloridu stříbrného, například ve formě monokrystalu, na ní upravená vrstva 2 stříbra, k ní připojený vodivý spoj 2» spojující kovovou vrstvu £ řídíoí elektrody transistoru řízeného elektrickým polem s připojeným emitorem 2 a kolektorem 6.
Dále jev pouzdru 2 upravena skleněná kapilára 8, zasahující k vrstvě 2 stříbra a kapilárou procházející zkratovací zařízení
Výsledky měření tohoto čidla jsou uvedeny v připojené tabulce I. K měření byly použity standardní roztoky, užívané pro příslušný typ iontově selektivní elektrody. Sídlo podle vynálezu umožňovalo měření v roztocích o objemu menším než 1 ml, neboř rozměry čidla činily 0 3 mm a délka 10 mm. Jako referentní elektroda byla při měření použita nasycená kalomelová elektroda.
Tabulka I
| aktivita chloridových iontů (mol.I-·1·) | E (mV) | ZE (mV) |
| ío-1 | 10- | 58 |
| 10“2 | 68 | 60 |
| 103 | 128 | 62 |
| > 10“4 | 190 | 38 |
| 10”5 | 228 | |
| Bylo zhotoveno čidlo podle vynálezu .pro stanovování aktivity bromidovýoh iontů. | ||
| Rozdíl byl v tom, že místo vrstvy chloridu stříbrného brfla v | tomto případě upravena | |
| vrstva bromidu stříbrného. Naměřené hodnoty jsou uvedeny na | připojené tabulce II. | |
| Tabulka II | ||
| aktivita bromidovýoh iontů (mol.I- 1) | E (mV) | ZE (mV) |
| 10-1 | 0 | * 60 |
| 10“2 | 60 | 60 |
| 103 | 120 | 60 |
| 10“4 | 180 | 58 |
| 105 | 238 |
O 7 Ο Β
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUIontově aenaitivní elektronické Sídlo pro stanovení aktivity iontů, vyznačené tím,Se aktivní iontově sensitivní membrána, opatřená vrstvou (2) stříbra je vodivě spojena s kovovou vrstvou (4) řídící elektrody transistoru řízeného elektrickým polem a jeopatře na zkratovacím zařízením (7).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS758879A CS207065B1 (cs) | 1979-11-07 | 1979-11-07 | Iontově sensitivnx elektronické čidlo pro stanovení aktivity iontů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS758879A CS207065B1 (cs) | 1979-11-07 | 1979-11-07 | Iontově sensitivnx elektronické čidlo pro stanovení aktivity iontů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS207065B1 true CS207065B1 (cs) | 1981-07-31 |
Family
ID=5425343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS758879A CS207065B1 (cs) | 1979-11-07 | 1979-11-07 | Iontově sensitivnx elektronické čidlo pro stanovení aktivity iontů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS207065B1 (cs) |
-
1979
- 1979-11-07 CS CS758879A patent/CS207065B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4256561A (en) | Electrochemical measuring electrode | |
| US9011670B2 (en) | Three-dimensional metal ion sensor arrays on printed circuit boards | |
| Comte et al. | A field effect transistor as a solid-state reference electrode | |
| US7323091B1 (en) | Multimode electrochemical sensing array | |
| US5250168A (en) | Integrated ion sensor | |
| Van den Vlekkert et al. | Multi-ion sensing system based on glass-encapsulated pH-ISFETs and a pseudo-REFET | |
| US4814060A (en) | Ion selective electrodes and method of making such electrodes | |
| US5385659A (en) | Reference electrode | |
| CS207065B1 (cs) | Iontově sensitivnx elektronické čidlo pro stanovení aktivity iontů | |
| Dybko et al. | Miniaturized back-side contact transducer for potentiometric sensors | |
| JPH03131749A (ja) | 水素ガスセンサ | |
| JPS61176846A (ja) | イオン濃度測定方法 | |
| JPH0266442A (ja) | 溶液中のイオン活性度測定用の電気化学電池及びその使用法 | |
| JPH0365866B2 (cs) | ||
| JPS59206756A (ja) | 参照電極を一体化したｆｅｔ化学センサ− | |
| JPH04363651A (ja) | 集積化イオンセンサ | |
| EP0241991A2 (en) | Field effect transistor having a membrane overlying the gate insulator | |
| KR102316693B1 (ko) | 튜브형 기준 전극과 isfet를 포함하는 센서 | |
| Hidouri et al. | High sensitive and selective hydrogen phosphate ISFET based on polyvinyl chloride membrane | |
| Yu et al. | Development of long term stable multiple-ion-selective sensors for agriculture and aquaculture applications | |
| JP2526689B2 (ja) | 半導体センサおよびその駆動方法 | |
| GB2162997A (en) | A fluoride ion sensitive field effect transistor | |
| JPS62851A (ja) | イオン濃度の測定方法 | |
| JP2549311B2 (ja) | イオンセンサ | |
| Bos et al. | The ion-sensitive field effect transistor in rapid acid-base titrations |