CS205863B1 - Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením - Google Patents

Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením Download PDF

Info

Publication number
CS205863B1
CS205863B1 CS209079A CS209079A CS205863B1 CS 205863 B1 CS205863 B1 CS 205863B1 CS 209079 A CS209079 A CS 209079A CS 209079 A CS209079 A CS 209079A CS 205863 B1 CS205863 B1 CS 205863B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
plastic carrier
lead
chip
thermally
conductive material
Prior art date
Application number
CS209079A
Other languages
English (en)
Inventor
Jaroslav Zurek
Original Assignee
Jaroslav Zurek
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jaroslav Zurek filed Critical Jaroslav Zurek
Priority to CS209079A priority Critical patent/CS205863B1/cs
Publication of CS205863B1 publication Critical patent/CS205863B1/cs

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Vynález se týká vsazovací součástky na pomocném plastovém nosiči vytvořené z konvenčního čipu polovodiče propojeného volnými vodiči se souborem vývodů umožňující zvětšení výkonového zatížení součástky při montáži do hybridního integrovaného obvodu.
Zhotovení hybridních integrovaných obvodů podle přesných požadavků zákazníka vyžaduje použít součástek, u kterých jsou předem známy elektrické vlastnosti a/nebo které lze v průběhu výrobních operaci změřit. Pasivní části hybridního integrovaného obvodu tvořené Vodivou sítí spojů, resistory, kondenzátory, izolačními vrstvami lze poměrně dohře měřit a jejich vlastnosti se obvykle při montážních operacích nemění. Podobný požadavek je kladen i na polovodičové vsazovací součástky, u kterých je potenciálně větší nebezpečí změny elektrických vlastností jak při montáži do hybridního integrovaného obvodu, tak horším odvodem tepla při provozu. Proto v minulosti byly vyvinuty vsazovací součástky lišící se konstrukčně svou strukturou i upravenými vývody a dnes známé jako čip s nosníkovými vývody, lícní čip, čip v miniaturním keramickém nebo plastovém pouzdru, čip na plastovém transportním nosiči s upravenými výstupními elektrodami z čipu nebo upravenými výstupky na plastovém' nosiči obecně známé jako technologie TAB (Tápe Automated Bonding). Technologie TAB splňuje požadavky zvětšeného výkonového zatížení vsazovací součástky i automatizovaného měření a montáže do hybridního integrovaného obvodu, na druhé straně vyžaduje konstrukční úpravy jednotlivých čipů včetně souboru vývodů a nelze ji použít zcela obecně pro libovolný typ pasivní nebo aktivní vsazovací součástky hybridního integrovaného obvodu. Uvedené nedostatky jsou odstraněny konstrukcí vsazovací součástky podle vynálezu.
Předmětem vynálezu je vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením, vytvořená jako koncepční čip, připojená na chladič v sestavě souboru vývodů integrálně spojený s transportním plastovým nosičem a propojeňý se souborem vývodů volnými vodiči, vyznačená tím, že pod připojeným čipem je v plastovém nosiči okénko vyplněné tepelně a elektricky vodivým materiálem tvořícím spojení mezi čipem a podložkou hybridního integrovaného obvodu, přičemž soubor vývodů je připojen k vodivé síti hybridního integrovaného obvodu hromadným svářením případně pájením.
Vsazovací součástka konstruovaná podle vynálezu je znázorněna v jedné variantě na obr. 1 a v druhé variantě na obr. 2.
Konvenční čip polovodiče 1 vyráběný v neomezeném sortimentu typů jako konstrukčně nej jednodušší provedení polovodičové součástky je připojen na chladič 11 v souboru vývodů 3 integrálně spojených s transportním plastovým nosičem 4. Elektrody čipu polovodiče 1 jsou propojeny volnými vodiči 2 se souborem vývodů 3 a celek takto vzniklé vsazovací součástky je povrchově chráněn ochrannou vrstvou 5. V transportním plastovém nósiiči 4 pod připojeným čipem 1 je vytvořeno volné okénko 6, které je vyplněno tepelně a elektricky vodivým materiálem. Tepelně a elektricky vodivý materiál je hutný kov, například měď, nikl, kovar, ocel případně pájka cín, olovo nebo cín, olovo, stříbro. . V další alternativě může být tepelně a elektricky vodivým materiálem termosetlcká látka s plnidlem například zlata, stříbra, niklu, železa, wolframu, molybdenu, tantalu, olova, cínu.
Vsazovací součástka je připojena k podložce 9 hybridního Integrovaného obvodu tepelně a elektricky vodivým materiálem 7, soubor vývodů 3 k vodivé síti 8 hybridního integrovaného obvodu hromadným pájením nebo svářením v místě 10. Jiná varianta pro zvětšení výkonové zatížitelnosti vsazovací součástky na pomocném plastovém: nosiči je znázorněna na obr. 3, kde chladič v sestavě souboru vývodů na plastovém nosiči má tvar misky 13, ve které je namontován čip polovodiče připojený výše popsaným způsobem.

Claims (3)

  1. PREDMET VYNALEZU
    1. Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením vytvořená jako. konvenční čip, připojená na '' chladič v sestavě soůboru vývodů integrálně spojený s transportním plastovým nosičem a propojený se souborem vývodů volnými vodiči, vyznačená tím, že pod připojeným čipem (1) je v plastovém nosiči (4) okénko (6) vyplněné tepelně a elektricky vodivým materiálem tvořícím spojení mezi čipem (1) a podložkou (9) hybridního integrovaného obvodu, přičemž soubor vývodů (3) je připojen k vodivé síti hybridního integrovaného obvodu (8) hromadným svářením případně pájením.
  2. 2. Vsazovací součástka podle bodu 1, vyznačená: tím, že tepelně a elektrický vodivý materiál v okénku plastového nosiče je hutný kov, například měď, nikl, kovar, ocel, případně pájl^á cín-olovo, nebo cín-olovo-stříbro.
  3. 3. Vsazovací součástka podle bodu 1, vyznačená tím, že tepelně a elektricky vodivý ' materiál je termosetlcká látka s plnidlem zlata, stříbra, niklu, železa, wolframu, molybdenu, tantalu, olova, cínu.
CS209079A 1979-03-29 1979-03-29 Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením CS205863B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS209079A CS205863B1 (cs) 1979-03-29 1979-03-29 Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS209079A CS205863B1 (cs) 1979-03-29 1979-03-29 Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS205863B1 true CS205863B1 (cs) 1981-05-29

Family

ID=5356975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS209079A CS205863B1 (cs) 1979-03-29 1979-03-29 Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS205863B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4763188A (en) Packaging system for multiple semiconductor devices
US4941033A (en) Semiconductor integrated circuit device
US5942795A (en) Leaded substrate carrier for integrated circuit device and leaded substrate carrier device assembly
EP0117111B1 (en) Semiconductor device assembly
US4296456A (en) Electronic package for high density integrated circuits
US5521429A (en) Surface-mount flat package semiconductor device
US6538313B1 (en) IC package with integral substrate capacitor
US4783697A (en) Leadless chip carrier for RF power transistors or the like
JP2592308B2 (ja) 半導体パッケージ及びそれを用いたコンピュータ
KR100628286B1 (ko) 캐노피형 캐리어를 구비한 전자 모듈
EP0498412A1 (en) Semiconductor device including a package having a plurality of bumps arranged in a grid form as external terminals
US20050011672A1 (en) Overmolded MCM with increased surface mount component reliability
US7342300B2 (en) Integrated circuit incorporating wire bond inductance
GB2035701A (en) Flat package for integrated circuit devices
KR920001691A (ko) 제로 전력 ic 모듈
US20050173796A1 (en) Microelectronic assembly having array including passive elements and interconnects
IE53953B1 (en) Packages for enclosing semiconductor elements
US6115255A (en) Hybrid high-power integrated circuit
US4910584A (en) Semiconductor device
EP0031240B1 (en) An electrical component comprising semiconductor chips
US4731700A (en) Semiconductor connection and crossover apparatus
US6198166B1 (en) Power semiconductor mounting package containing ball grid array
US7102211B2 (en) Semiconductor device and hybrid integrated circuit device
KR100675030B1 (ko) 집적 회로 패키지
CS205863B1 (cs) Vsazovací součástka na plastovém nosiči se zvětšeným výkonovým zatížením