CS204875B1 - Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky a zařízení k provádění tohoto způsobu - Google Patents
Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky a zařízení k provádění tohoto způsobu Download PDFInfo
- Publication number
- CS204875B1 CS204875B1 CS914378A CS914378A CS204875B1 CS 204875 B1 CS204875 B1 CS 204875B1 CS 914378 A CS914378 A CS 914378A CS 914378 A CS914378 A CS 914378A CS 204875 B1 CS204875 B1 CS 204875B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- reaction
- plasma
- discharge tube
- acceleration
- executing
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky (například s pouzdry integrovaných obvodů) a zařízení k provádění tohoto způsobu, využívané v diagnostice poškození integrovaných obvodů.
Mikroelektronické obvody jsou po svém dokončení zalévány epoxidovými pryskyřicemi, kte ré chrání elementy obvodu jak před mechanickým poškozením, tak před korozivními vlivy okolního prostředí. Nerozebíratelnost takového konstrukčního uspořádání je překážkou při analýze závad těchto integrovaných obvodů. Proto také vyvstal v technické praxi požadavek odstra nění epoxidového pouzdra, aniž by došlo k poškození jak elektronických prvků, tak jejich spojů.
Nejméně vhodný způsob odstranění pouzdra integrovaného obvodu je mechanický, při kterém dochází současně k mechanickému poškození součástek vlastního integrovaného obvodu. Mnohem častěji se používá chemický způsob odstranění pouzdra integrovaného obvodu,ale spoje i vlastni elementy obvodu bývají napadány agresivním prostředím. Proto se přešlo v poslední době k využití specifického působení ionizovaného plynu na pevné látky, s kterými přichází do styku (Wilson D. D., Beal J. R., XVth Annual Proceedings Reliability Physics 1978, str. 82 Las Vegas, Nevada). Využívá se zejména termodynamicky nerovnovážného stavu částečně ionizovaných plynů.
Vlastní plazma je vytvářeno průtokem elektrického proudu plynným prostředím, čímž vzni ká řada aktivních částic, které způsobují požadované chemické změny. Ionizací, disociacl a excitací kromě nabitých částic vznikají i nové neutrální částice jak v základním, tak excitovaném stavu, které pak mohou vytvářet nebo rozrušovat chemické vazby i při nízkých teplotách.
Dosavadní používané způsoby vedly vždy ke zvýšení teploty pevné látky, takže použitelná koncentrace aktivních částic byla velmi nízká a omezená tepelnou odolností měřeného vzorku. Nízká teplota je nutná proto, aby nedošlo k narušení elektrických prvků a spojů vlastního integrovaného obvodu. Při práci za nízkých teplot je celý postup rozpouzdřování zdlouhavý a produktivita práce velmi nízká.
Výše uvedené nedostatky dosavadních postupů jsou odstraněny způsobem urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se zvýši příkon elektrické energie do reakčního prostoru a současně se jeho stěny, a tím i pevná látka ochladí tak, aby teplota pevné látky nepřesáhla předem stanovenou mez. Podstata zařízení podle vynálezu spočívá v tom, že se skládá z výbojové trubice, opatřené přívodem a odvodem reakčního plynu a elektrodami pro přívod energie do systému, přičemž výbojová trubice je opatřena chladicím pláštěm.
Zvýšením příkonu dodávané elektrické energie se současně zvýší energie jednotlivých částic, jejich počet a tím i hustota plazmatu. Současným chlazením stěn reakčního prostoru dochází i ke snížení teploty vlastního vzorku, což umožňuje opět zvýšit příkon energie a tím i hustotu plazmatu. Tímto zvýšením dochází k rychlejšímu odstranění pouzdra integrovaného obvodu, aniž by došlo k destrukci vlastního integrovaného obvodu a jeho elektrických spojů. Současně s přiváděním elektrické energie se přivádí do reakčního prostoru plyn, nejlépe kyslík, který odvádí zplodiny reakce plazmatu s povrchem pevné látky.
Vynález je dále objasněn na obr. ,1, kde je znázorněno konkrétní provedení vynálezu,a na obr. 2, kde je porovnána rychlost ubývání pouzdra pro různou koncentraci aktivních částic.
Na obr. 1 je konkrétní provedení výbojové trubice £, které je opatřena přívodem a odvodem reakčního plynu 2, 6, dodávaného do reakčního systému a elektrodami £, £ pro přívod elektrické energie. Výbojová trubice £ je dále opatřena chladicím pláštěm J, s přívodem a odvodem chladicí kapaliny 2, 8 (nejlépe vody). Vzorek pevné látky g se vkládá do střední části reakčního prostoru výbojové trubice £, přičemž jednoho p-n přechodu vkládaného vzorku je využito pro měření teploty vzorku pomocí měřiče 10.
Na obr. 2 jsou znázorněny rychlosti ubývání polymeru při nižší hustotě aktivních částic v nechlazené trubici (křivka 1) a při vysoké hustotě částic a současném chlazení výbojové trubice (křivka 2). Porovnáním obou křivek je možno zjistit, že rychlost odstranění pouzdra integrovaného obvodu vzroste proti nechlazené trubici cca 20x. Vynález je déle dokumentován na příkladu provedení.
Příklad 1
Ďo výbojové trubice, znázorněné na obr. 1 a opatřené přívodními elektrodami a chladicím pláštěm, byl vložen vzorek zapouzdřeného integrovaného obvodu, u kterého jeden p-n přechod sloužil současně k měření teploty integrovaného obvodu. K vytvořeni vysokofrekvenčního pole bylo použito vf generátoru, pracujícího na frekvenci 4 MHz s maximálním výkonem 200 W. Zplodiny reakoe pouzdra s plazmatem byly odnášeny kyslíkem, který byl do trubice zaváděn pod tlakem 133 Pa.
Uvedeného způsobu je možno použít i k odstranění polymerové vrstvy v předem předurčené oblasti za použití příslušné masky (například silikonové vazelíny), která nereaguje s plazmatem.
Claims (3)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky, vyznačený tím, že se zvýši příkon elektrické energie do reakčního prostoru a současně se jeho stěny, a tím i pevná látka ochladí tak, aby její teplota nepřesáhla předem stanovenou mez.
- 2. Zařízeni pro provádění způsobu podle bodu 1, vyznačené tím, že se skládá z výbojové trubice (1), opatřené přívodem a odvodem reakčního plynu (2, 6) a elektrodami (4, 5) pro přívod energie do systému, přičemž výbojová trubice (1) je opatřena chladicím pláštěm (3).
- 3. Zařízeni podle bodu 2, vyznačené tím, že do střední části výbojové trubice (1) je vložen vzorek (9), jehož jeden p-n přechod je spojen s měřičem teploty (10).2 listy výkresů
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS914378A CS204875B1 (cs) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS914378A CS204875B1 (cs) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS204875B1 true CS204875B1 (cs) | 1981-04-30 |
Family
ID=5442713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS914378A CS204875B1 (cs) | 1978-12-29 | 1978-12-29 | Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky a zařízení k provádění tohoto způsobu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS204875B1 (cs) |
-
1978
- 1978-12-29 CS CS914378A patent/CS204875B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI815911B (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| Van Brunt | Physics and chemistry of partial discharge and corona. Recent advances and future challenges | |
| US4316791A (en) | Device for chemical dry etching of integrated circuits | |
| JP6832858B2 (ja) | 非熱ソフトプラズマ洗浄 | |
| WO2001099145A1 (en) | A method for fault identification in a plasma process | |
| EP0467391B1 (en) | Plasma apparatus, and method and system for extracting electrical signal of member to which high-frequency-wave is applied | |
| CS204875B1 (cs) | Způsob urychlení reakce plazmatu s povrchem pevné látky a zařízení k provádění tohoto způsobu | |
| EP0063273B1 (en) | Discharge system for plasma processing | |
| EP1366209A1 (en) | Processing materials inside an atmospheric-pressure radiofrequency nonthermal plasma discharge | |
| JP7101096B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| EP0441154A2 (en) | Apparatus and method for self induced repair of circuit shorts and near-shorts | |
| JPH07220895A (ja) | 大気圧グロ−放電用電極及び該電極を使用したプラズマ処理方法 | |
| WO2004025275A1 (fr) | Procede d'analyse des proprietes physiques et/ou chimiques de la couche de surface d'un corps solide (et variantes) | |
| Misium | Macroscopic modeling of oxygen plasmas | |
| O’Connor et al. | Development of a real time monitor and multivariate method for long term diagnostics of atmospheric pressure dielectric barrier discharges: Application to He, He/N2, and He/O2 discharges | |
| KR100203401B1 (ko) | 반도체 제조장비 세정장치 | |
| Meyyappan | Analysis of a magnetron electronegative rf discharge | |
| CN114667441A (zh) | 样品转移管线加热系统和样品转移方法 | |
| Yang et al. | Step responses of radio-frequency capacitively coupled discharges | |
| JP2624807B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| Varghese et al. | Numerical analysis and simulation of micro-EDM plasma in de-ionised water | |
| Fischl et al. | Etching of tungsten and tungsten silicide films by chlorine atoms | |
| Mullan et al. | Plasma parameter characterization of a tandem multicusp ion source operating in H2 and D2 | |
| Flamm | Overview of equipment | |
| Li et al. | Experimental study of microwave plasma MHD accelerators |