CS202722B1 - Planary semiconductor diode pin - Google Patents
Planary semiconductor diode pin Download PDFInfo
- Publication number
- CS202722B1 CS202722B1 CS227478A CS227478A CS202722B1 CS 202722 B1 CS202722 B1 CS 202722B1 CS 227478 A CS227478 A CS 227478A CS 227478 A CS227478 A CS 227478A CS 202722 B1 CS202722 B1 CS 202722B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- glass
- layer
- chip
- contact
- diode
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004577 thatch Substances 0.000 description 2
- 208000002874 Acne Vulgaris Diseases 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 206010000496 acne Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
í“K,0’“.T?íi POPIS VYNÁLEZU
REPUBLIKA
<19> K AUTORSKÉMU OSVEDČENIU
(6I) (23) Výstavná priorita(22) Přihlášené 07 04 78 (21) PV 2274-78 202 722 OD (Bl) (5I) Int. Cl. H Ol L 21/04
ÚŘAD PRO VYNÁLEZY
A OBJEVY (40) Zverejnené 30 05 80(45) V vdané 01 09 83 (75)
Autor vynálezu ALAKŠA STANISLAV ing. MANCEL MILAN ing., PIEŠŤANYVAŠKO EDUARD ing. <54) Planámy polovodičový čip diody 1
Vynález sa týká planárneho polovodičového čipu diody, pokrytého ochrannou vrstvoubezalkalického olovnatého skla pri vhodnéj štruktúre vlastného planárneho polovodičovéhočipu diody.
Pri sériovej výrobě polovodičových diod sa s výhodou používá tzv. hromadného zatavo-vania planárnych polovodičových čipov do skleněných púzdier s dvojdielnymi prívodmiz plástového drotu, čiže do púzdier typu DO 35, DO 41 apod. Vlastný čip je stlačený medzivalčekami dvojdielnych prívodov z plástového drotu, na ktoré je navlečená skleněná trubič-ka. Táto zoetava je umiestnená v dutině grafitovej došky - masky. Po nahriatí grafitovejmasky elektrickým prúdom na teplotu 650 až 750 °C nastane stavenie sklenného púzdras prívodmi, čiže dojde k hermetickému uzatvoreniu čipu a tým k vytvořeniu vlastněj diody.Podía velkosti zatavovacej grafitovej masky možno zatavit niekolko sto kusov diod v jed-nom zatavovaeom cykle. NajvačSím problémom pri využití výhod hromadného zatavovania býváodolnost čipu diody voči vysokým teplotám pri zatavovaní, pri ktorých dochádza k uvoíňo-vaniu alkalických zložiek zo skla púzdra, ktoré sa usadia na povrchu čipu diody a sposo-bujú degradáciu elektrických parametrov čipu, najma závěrného napatia. Pre hromadné zata-vovanie sa robí úprava čipu diody tzv. pasivácia .čipu nanesením ochrannej vrstvy. Ochran-ná vrstva bývá najčastejSie vytvořená z čistého bezalkalického olovnatého skla. Sklennávrstva musí byt súvislá, od čoho závisí jej ochranný účinok. 202 722 2 202 722
ZvýSenie ochranného účinku pasivačnej sklennej vrstvy a jej snadnéjSiu realizácinrieěi usporiadanie Struktúry planámeho polovodičového čipu diody pódia vynálezu, ktorývyužívá získaný poznatek, že k degradačným účinkem dochádza najma v oblasti obvodu PNpřechodu. Na obvode PN přechodu vystupuje rozhranie vlastného přechodu na povrch čipu,je toto rozhranie chráněné vrstvou kyeličníka křemičitého spravidla o hrúbke 500 až800 nm. Pri zatavovaní sa zo skla púzdra uvolňujú alkalické zložky, najma sodík, ktorýreaguje s kysličníkovou vrstvou. Ionty sodíka vytvárajú v kysličníkovej vrstvě elektrickýnáboj, ktorého pole nepriaznivo posobí v oblasti obvodu PN přechodu pod kysličníkovouvrstvou, takže nastáva značné znlženie závěrného napatia diody. Pře dosiahnutie pasivácieplanámeho polovodičového čipu diody je nutné chránil vlastný obvod PN přechodu voči al-káliam vrstvou bezalkalického olovnatého skla, alebo obvod PN přechodu prekryt kontaktom,ktorý sa po obvode staví spiekaním s vrstvou pasivačného skla, ktoré zároveň po stavenís kysličníkovou vrstvou hermeticky uzavrie rozhranie kontakt - kysličnlková vrstva a takzamedzí vniku alkalických zložiek do oblasti obvodu PN přechodu pri zatavovaní.
Vhodným usporiadaním štruktúry so zaměřením na ochranu obvodu PN přechodu sa dosahu»je priaznivejSích podmienok a zvýSeného účinku pri pasivácii čipov, keá u čipov s velkouplochou PN přechodu vytvoří sa kontakt tak, aby obvod kontaktu bol blízko obvodu PN pře-chodu, kým u čipov s malou plochou PN přechodu kontakt prekrýva obvod PN přechodu po ee-lom obvode. V prvom případe po vytvoření sklennej pasivačnej vrstvy nastane stavenie tej-to s kontaktom po celom jeho obvode a zároveň k staveniu kysličníkovou vrstvou a pokrytiaobvodu PN přechodu, v druhom případe nastane stavenie sklennej pasivačnej vrstvy s kon-taktom po celom jeho obvode a zároveň k staveniu s kysličníkovou vrstvou, čím sa herme-ticky uzavrie styk kontakt - kyeličníková vrstva a tým aj obvod PN přechodu, ktorý sa na-chádza pod kontaktom.
Na priloženom výkrese na obr. 1 je znázorněný rez čipom planámej polovodičovej dio-dy, zhotovený podía vynálezu, kde v křemíkovéj doStičke ]. je vytvořený PN přechod 2» 101ktorému je připojený kontakt J, tento prekrýva obvod PN přechodu £· Kontakt 2 je po celomobvode stavený sklennou pasivačnou ochrannou vrstvou £, ktorá zároveň je stavená s kys-ličníkovou vrstvou 2. Na obr. 2 je znázorněné použitie čipu, kde stavením dvojdielnychprívodov z plástového drotu 2 so sklennou trubičkou púzdra g. sa vytvoří dioda.
Planámou technológiou sa na kremíkovej doske vytvoria mnohonásobné čipy diod.
Po vytvoření kontaktov galvanickým nanáSaním striebra, robí sa pasivácia čipov nanesenímsklennej vrstvy z čistého bezalkalického olovnatého skla. Sklo sa nanáža na kremlkovúdošku s vytvořenými čipmi diod vo formě jemného práSku sedimentáciou z roztoku, katafore-ticky apod. Z vrstvy naneseného práSku sa vytvoří vlastná tenká ochranná vrstva sklaspiekaním pri teplote 750 až 800 °C v inertnej atmosféře. Po rozčlenění kremíkovej doškyna jednotlivé čipy získáme čip znázorněný na obr. 1, vytvořený podlá vynálezu. Taktoupravený čip diody možno zatavit do sklenného púzdra v inertnej atmosféře pri teplote 650až 750 °C bez zhorSenia elektrických parametrov čipu a tak vytvořit diodu znázomenú naobr. 2.
Claims (2)
1. Planámy polovodičový čip diody, ktorý je pokrytý ochrannou vrstvou bezalkaliekéhoolovnatého skla, vyznačujúci sa tým, že ochranná vrstva (4), ktorá je stavená spiekaním s kontaktem (3) po celom jeho obvode, pokrývá celý obvoa PN přechodu (5).
2. Planámy polovodičový čip diody podlá bodu 1, vyznačujúci sa tým, že kontakt (3) prekrýva celý obvod PN přechodu (5)· 2 výkresy
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS227478A CS202722B1 (en) | 1978-04-07 | 1978-04-07 | Planary semiconductor diode pin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS227478A CS202722B1 (en) | 1978-04-07 | 1978-04-07 | Planary semiconductor diode pin |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS202722B1 true CS202722B1 (en) | 1981-01-30 |
Family
ID=5359377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS227478A CS202722B1 (en) | 1978-04-07 | 1978-04-07 | Planary semiconductor diode pin |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS202722B1 (cs) |
-
1978
- 1978-04-07 CS CS227478A patent/CS202722B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5034800A (en) | Hollow plastic package for semiconductor devices | |
| GB2083283A (en) | Resin molded type semiconductor device | |
| US3392312A (en) | Glass encapsulated electronic devices | |
| KR19980032241A (ko) | 집적 회로 장치 및 그의 패시베이션 방법 | |
| JPS59123248A (ja) | 半導体容器 | |
| JPWO2013168236A1 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| US4265685A (en) | Utilizing simultaneous masking and diffusion of peripheral substrate areas | |
| US3725743A (en) | Multilayer wiring structure | |
| US3639975A (en) | Glass encapsulated semiconductor device fabrication process | |
| CS202722B1 (en) | Planary semiconductor diode pin | |
| KR20210038956A (ko) | 웨이퍼 레벨 시스템 패키지 방법 및 패키지 구조 | |
| JPS5445570A (en) | Manufacture for semiconductor element | |
| US20060071309A1 (en) | Semiconductor device | |
| GB874713A (en) | Improvements in or relating to electrical components and processes for the manufacture thereof | |
| JPS5629335A (en) | Semicondutor device | |
| JPS5694764A (en) | Protection method of semiconductor device | |
| JPS5718353A (en) | Semiconductor device | |
| US3772077A (en) | Semiconductor devices | |
| HU188360B (en) | Method for the electric,mechanical and chemical protection of the surface ofthe semiconductor devices | |
| EP0082224B1 (en) | Semiconductor device passivated with glass material | |
| JPS54136186A (en) | Semiconductor device | |
| JPS63128733A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6314481A (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
| JPS6453433A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS5645056A (en) | Manufacture of semiconductor device |