CS200897B1 - Způsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů - Google Patents
Způsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů Download PDFInfo
- Publication number
- CS200897B1 CS200897B1 CS787278A CS787278A CS200897B1 CS 200897 B1 CS200897 B1 CS 200897B1 CS 787278 A CS787278 A CS 787278A CS 787278 A CS787278 A CS 787278A CS 200897 B1 CS200897 B1 CS 200897B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- bridges
- gold
- integrated circuits
- production
- resist mask
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 7
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical group [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000416536 Euproctis pseudoconspersa Species 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů, přičemž můstek slouží k izolačnímu křížení vodivých cest a je vytvořen ze zlata po odleptání pomocné mezivrstvy.
Při výrobě hybridních integrovaných obvodů vyšší složitosti je často nutno používat izolačního křížení vodivých cest. Jednou z výhodných a často používaných metod je vytváření vzdušných můstků ze zlata. Tyto můstky se zhotovují fotolitografickými postupy a galvanickým nanášením jednotlivých vrstev do rezistové masky s následným chemickým leptáním.
Dosud známý způsob vytváření vzdušných můstků se vyznačuje tím, že motivy zlatých můstků se vytvářejí galvanickým nanášením zlatých vrstev do rezistové masky na pomocné mezivrstvě galvanicky nanesené mědi. Tato měděná pomocná mezivrstva se v poslední technologické operaci odleptá a tím vznikne pod zlatou vrstvou požadovaná vzduchová mezera. Měděná pomocná mezivrstva se nanáší buď galvanicky na celou plochu použité podložky a v ní se přes rezistovou masku vyleptají otvory umožňující připojení zlatých můstků k předem vytvořené kontaktové struktuře, nebo naopak se tato měděná pomocná mezivrstva nanáší přes rezistovou masku s příslušným motivem těchto otvorů. Hlavní nevýhodou tohoto jinak dobrého, dosud známého způsobu vytváření vzdušných můstků je problematické leptá200 897
200 007
- 2 ní měděné pomocné raezivrstvy. Je nutno leptat vrstvu mědi tlustou několik desítek /um do vzdálenosti desetin milimetru. Doba leptání trvá řádově stovky minut. Používaná leptadla přitom napadají i některá z ostatních vrstev daného hybridního integrovaného obvodu, například napařenou mezivrstvu paládia pod zlatém, používanou jako difusní bariéra, i jiné vrstvy, popřípadě i podložku.
Uvedená nevýhoda se odstraní způsobem vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů u galvanicky nanášených vrstev zlata s využitím fotolitografických postupů, přičemž izolační vzduchová mezera pod můstky se vytvoří pomocí kovové pomocné mezivrstvy, nanesené předem s požadovaným tvarem motivů, která se po nanesení zlatých můstků odleptá, jehož podstata spočívá v tom, že se jako pomocná mezivrstva galvanicky nanese vrstva zinku nebo zirkonia, která se po nanesení zlatých můstků odstraní leptadly selektivně působícími jen na tuto pomocnou mezivrstvu, například leptadly na základě roztoku kyseliny sírová.
Výhodou tohoto způsobu je podstatně lepší selektivita leptadel, působíoích jen na pomocnou mezivrstvu zinku nebo zirkonia, čímž se odstraní zmetkovitost hybridních integrovaných obvodů, způsobené nerušením ostatních vrstev. Přitom se značně sníží doba potřebná k odleptání pomocné mezivrstvy, řádově ze stovek na desítky minut.
Vynález bude dále blíže vysvětlen na dvou příkladech.
Příklad 1
Na podložce tenkovrstvého obvodu jsou předem vytvořeny motivy spojů a kontaktů daného hybridního obvodu, zhotovené na bázi vakuově napařeného sendviče titan/-/paladium/-/zlato.
Přes tyto motivy se na celou plochu podložky nanese vakuovým napařováním kotvící vrstva niklu v tloušťce odpovídající plošnému odporu 20 ohmů.
Na kotvící vrstvu niklu se galvanicky nanese pomocná mezivrstva zinku v tloušíoe 30 až 50 ^aa,
V pomocné mezivrstvě zinku se přes rezistovou masku vyleptají otvory v místech připojení budoucích můstků ke kontaktům tenkovrstvýoh spojů.
Zhotoví se rezistová maska s otvory tvaru můstků, jejichž šířka je 0,3 mm. Do této rezistové masky se galvanicky nanese vrstva zlata tloušťky 25 až 30 pan.
Rezistová maska se smyje a pomocná mezivrstva zinku se odleptává po dobu 30 minut vodným 10% roztokem kyseliny sírové za vizuální kontroly. Následuje oplach demineralizovanou vodou, osušení a elektrická měření.
Příklad 2
Na podložce tenkovrstvého obvodu je předem vytvořena pasivní část s rezistory nitridu tantalu Ta2N s plošným odporem 60 ohm a dále kontakty a spoje z napařeného send200 8
- 3 viče titan/-/paládium/-/zlato. Tyto spoje tvoří též přívody k budoucím vzdušným můstkům*
Přes tyto motivy se na celou plochu podložky nanese vakuovým napařováním kotvící vrstva niklu s plošným odporem 20 ohmů.
Na niklovou kotvící vrstvu se nanese rezistová maska tak, že zakrývá kontaktní místa budoucích připojení můstků k motivu tenkovrstvých spojů.
Do této fotorezistové masky se galvanicky nanese pomocná mezivrstva zinku v tlouší oe 30 až 50yum. Zbytky rezistové masky se smyjí.
Zhotoví se nová rezistová maska s otvory tvaru můstků o šířce 0,3 mm. Do této rezistové masky se galvanicky nanese vrstva zlata tlouštky 25 až 30 ^jm.
Rezistová maska se smyje a pomocná mezivrstva zinku se odleptá v 20% roztoku kyseliny octové. Následuje oplach demineralizovanou vodou, osušení a elektrické měření.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních, integrovaných obvodů u galvanicky nanášených vrstev zlata s využitím fotolitografických postupů, to jest nanesením zlatých vrstev do motivů příslušných otvorů vytvořených v rezistové masce, přičemž izolační vzduchová mezera pod můstky vytvoří se za pomoci kovové mezivrstvy, nanesené předem s požadovaným tvarem motivů, která se po nanesení zlatých můstků odleptá, vyznačený tím, že jako pomocná mezivrstva se galvanicky nanese vrstva zinku nebo zirkonia, která se po nanesení zlatých můstků odstraní leptadly selektivně působícími jen na tuto pomocnou mezivrstvu, například leptadly na základě roztoku kyseliny sírové.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS787278A CS200897B1 (cs) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Způsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS787278A CS200897B1 (cs) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Způsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200897B1 true CS200897B1 (cs) | 1980-10-31 |
Family
ID=5428608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS787278A CS200897B1 (cs) | 1978-11-30 | 1978-11-30 | Způsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200897B1 (cs) |
-
1978
- 1978-11-30 CS CS787278A patent/CS200897B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4016050A (en) | Conduction system for thin film and hybrid integrated circuits | |
| US5116463A (en) | Detecting completion of electroless via fill | |
| US20070202693A1 (en) | Method of and Apparatus for Forming Three-Dimensional Structures Integral With Semiconductor Based Circuitry | |
| CA1090477A (en) | Method of forming conductive tracks on a semiconductor device | |
| JPH06318672A (ja) | 薄膜コンデンサの形成方法、薄膜コンデンサの製造方法、薄膜バイパスコンデンサの製造方法および薄膜コンデンサ | |
| JPH0213411B2 (cs) | ||
| US4964947A (en) | Method of manufacturing double-sided wiring substrate | |
| EP0016251B1 (de) | Elektronische Dünnschichtschaltung und deren Herstellungsverfahren | |
| US6077727A (en) | Method for manufacturing lead frame | |
| US4925525A (en) | Process for producing a printed circuit board | |
| CS200897B1 (cs) | Způsob vytváření vzdušných můstků při výrobě hybridních integrovaných obvodů | |
| US3485665A (en) | Selective chemical deposition of thin-film interconnections and contacts | |
| US4176016A (en) | Forming electrically insulating layers by sputter deposition | |
| US4873565A (en) | Method and apparatus for providing interconnection between metallization layers on semiconductor devices | |
| US6808641B2 (en) | Method of wiring formation and method for manufacturing electronic components | |
| JP2530088B2 (ja) | 半導体チップ間の電気的接続方法 | |
| JPS58501649A (ja) | 電子薄膜回路及びその製法 | |
| KR100704521B1 (ko) | 전기주조 금속화 | |
| RU2398369C1 (ru) | Способ изготовления микроплат с многоуровневой тонкопленочной коммутацией | |
| JPS6038024B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5247204A (en) | Semiconductor device having multilayer interconnection structure | |
| US3554876A (en) | Process for etching and electro plating a printed circuit | |
| KR0155826B1 (ko) | 전기 도금법을 이용한 금속배선 방법 및 그 배선 장치 | |
| KR100530737B1 (ko) | 멀티 칩 모듈 기판 제조공정에서 전기 도금에 의한 금속배선 제조 방법 | |
| JPH09270355A (ja) | 電子部品及びその製造方法 |