CS200782B1 - Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu - Google Patents
Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu Download PDFInfo
- Publication number
- CS200782B1 CS200782B1 CS460678A CS460678A CS200782B1 CS 200782 B1 CS200782 B1 CS 200782B1 CS 460678 A CS460678 A CS 460678A CS 460678 A CS460678 A CS 460678A CS 200782 B1 CS200782 B1 CS 200782B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- solution
- layer
- epitaxial layer
- wiper
- epitax
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Vynález se týká zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivých nebo magnetických materiálů.
Při přípravě monokrystalických vrstev polovedivých nebo magnetických materiálů metodou kapalné epitaxe se používá několik způsobů ukončení růstu epitaxní vrstvy. Nejjednoduěěí je oddělání substrátu a roztoku, z něhož probíhá krystalizace vrstvy. Na povrchu substrátu většinou ulpí kapénky roztoku, což má vliv na kvalitu povrchu. Během pomalého ochlazování dochází v místě kapének k nekontrolovatelnému růstu epitaxní vrstvičky. Složení roztoku se ovšem přitom rychle mění a s ním i složení povrchové vrstvičky. Navíc vrstva nemá dokonale rovinný povrch. Proto ee v některých případech přerušuje růst po oddálení substrátu a roztoku poměrně rychlým ochlazením. Tím ale může dojít k tepelným pnutím a ke vzniku nežádoucích defektů. Proto se někdy kapénky řoztoku odstraňují některým z následujících způsobů.
U metody s ponořováním substrátu do roztoku se přerušuje růst vytažením destičky z roztoku. -Přitom mohou ulpět na povrchu epitaxní vrstvy kapénky roztoku, ale přivádějí-li se na držák destičky vibrace, kapénky se dokonale odstraní.
V případě tak zvaného kazetového nebo šoupátkového uspořádání se růst přerušuje mechanickým setřením rozpouštědla z povrchu epitaxní vrstvy, to však může způsobit mechanické poškození vrstvy.
^alším možným způsobem je odstraňování kapének odstředivou silou při rotaci, běžně se
782
200 782 však nepoužívá, nebol klade velké nároky na příslušné zařízení.
Pro průmyslové využití jsou tedy v podstatě vhodné pouze dva způsoby, a to vytahováni destičky z roztoku za působeni vibrací a štírárií šoupátkem.
Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu zařízení na stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivých nebo magnetických materiálů. Jeho podstata spočívá v tom, že stěrač, upravený ve stejné rovině jako povrch epitaxní vrstvy, je opatřen žlábkem, propojeným s přívodním kanálkem, upraveným v táhle, do zásobníku přerušovacího roztoku, přičemž kolem hlavice stěrače 1 je umístěna objímka a topné vinutí.
Řešení podle vynálezu přispívá k lepšímu přerušení růstu epitaxní vrstvy pootočí speciálního stěrače, který umožňuje přívod rozpouštědla - přerušovacího roztoku.
Podstatnou výhodou je skutečnost, že k přerušení růstového procesu dochází zředěním zbytků roztoku nacházejícího se na substrátu a dále, že se snižuje možnost mechanického poškození epitaxní vrstvy. Spojením stěrače se zařízením pro vytváření monokryetalických vrstev polovodivých nebo magnetických materiálů, kde před stíráním dojde k oddálení držáků s destičkami, se získá možnost odstraňovat roztok i v případě krystalizace z tenké vrstvy roztoku. Je to tedy i stírání kapének vhodné pro stacionární metodu. Kromě toho stěrač ve spojení s výše uvedeným zařízením dává možnost nanášet na destičku vrstvu roztoku před počátkem růstu a tím vytvářet velkoplošnou epitaxi.
Zařízení podlé vynálezu je dále popsáno na příkladu provedení podle připojeného výkresu, na němž značí obr. 1 nárys stíracího zařízení a obr. 2 půdorys stíracího zařízení.
Stěrač 1 je proveden ve spojení se zařízením pro vytváření monokryetalických vrstev polovodivých nebo magnetických materiálů. Celé zařízení je umístěno v křemenné trubici 2 kolmé na osu držáků 10 destiček 11. Vlastní stěrač 1 zhotovený například z grafitu, křemene nebo keramiky mé v hlavici vytvořen žlébek 7, do něhož ústí přívodní kanálek 8 pro přívod rozpouštědla. Na přívodní kanálek navazuje duté táhlo 3, zajištující jednak přívod rozpouštědla do zařízení, jednak mechanický pohyb stěrače 1. Stěrač 1 je veden při pohybu vodicím válcem 2. Aby hlavice stěrače 1 měla při stírání stejnou teplotu jako destička 11 s epitaxní vrstvou, je vyhřívána topným vinutím 4 a teplo je přiváděno přes objímku 2· Její teplota se snímá termočlánkem 6.
Stírací hrana stěrače 1 je ve stejné rovině jako povrch epitaxní vrstvy. Za touto hranou je téměř v celé šíři stěrače žlábek 8 a je zaplněn rozpouštědlem, které ee dodává přívodním kanálkem 2, ústícím do žlábku 8. Při ukončení růstu přejede stěrač 1, vyhřátý na stejnou teplotu, jako mé substrát, přes povrch narostlé epitaxní vrstvy. Přitom se přední hranou setře přebytek roztoku a zároveň se dostane zbytek roztoku v té chvíli ještě nasyceného na povrchu epitaxní vrstvy do kontaktu e přerušovacím roztokem, jež může být tvořen i čistým rozpouštědlem. Reztok se tedy značně zředí a na povrchu epitaxní vrstvy zůstane tenká vrstva zředěného roztoku. S tímto jevem je samozřejmě spojeno rozpouštění epitaxní vrstvy, tomu ovšem zabráníme ochlazením na teplotu blízkou křivce likvidu. Zbytek rozpouštědla z povrchu epitaxní vrstvy lze bez potíží odstranit selektivním leptadlem.
Claims (1)
- Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivých materiálů, vyznačená tím, že stěrač /1/, upravený ve stejná rovině jako povrch epitaxní vrstvy, je opatřen žlábkem /7/, propojeným β přívodním kanálkem /8/, upraveným v táhle /3/ do zásobníku přerušovacího roztoku, přičemž kolem hlavice stěrače /1/ je umístěna objímka /5/ a topná vinutí /4/.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS460678A CS200782B1 (cs) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS460678A CS200782B1 (cs) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS200782B1 true CS200782B1 (cs) | 1980-09-15 |
Family
ID=5389214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS460678A CS200782B1 (cs) | 1978-07-10 | 1978-07-10 | Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS200782B1 (cs) |
-
1978
- 1978-07-10 CS CS460678A patent/CS200782B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1208525A (en) | Process for the manufacture of coarsely crystalline to monocrystalline sheets of semiconductor material | |
| CA1193521A (en) | Methods and apparatus for melt growth of crystalline semiconductor sheets | |
| Barrett et al. | Growth of wide, flat crystals of silicon web | |
| US3453352A (en) | Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon | |
| CS200782B1 (cs) | Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu | |
| US4299648A (en) | Method and apparatus for drawing monocrystalline ribbon from a melt | |
| KR19990078057A (ko) | 실리콘 단결정 및 그 제조방법 | |
| KR20120088787A (ko) | 반도체 물질 제품의 제조방법 | |
| US3977934A (en) | Silicon manufacture | |
| US4273608A (en) | Method of forming a sheet of single crystal semiconductor material | |
| US4273609A (en) | Rinse melt for LPE crystals | |
| JPH0438517Y2 (cs) | ||
| JPS61202411A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JP3304592B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長膜研磨用の貼付け治具およびそれを用いた研磨方法 | |
| SU146049A1 (ru) | Способ создани электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида инди | |
| JP2008536793A (ja) | 薄型半導体リボンの成長方法 | |
| KR102171768B1 (ko) | 금속 소재 제조장치 및 그 방법 | |
| IT9020559A1 (it) | Materiale a forma di foglio per la ceratura di sci | |
| Dutartre et al. | Thick films of monocrystalline silicon on SiO2 obtained via embedding SiO2 stripes in bulk silicon | |
| JPS599912A (ja) | 液相結晶成長法 | |
| SU16496A1 (ru) | Способ покрывани молибденовой и вольфрамовой проволоки платиной | |
| JPS61251114A (ja) | 単結晶シリコン膜の製造方法 | |
| JPH05318743A (ja) | ノズル板の表面処理方法 | |
| JPH05279169A (ja) | 単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ | |
| JPS5886716A (ja) | 単結晶半導体膜形成法 |