CS200782B1 - Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu - Google Patents

Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu Download PDF

Info

Publication number
CS200782B1
CS200782B1 CS460678A CS460678A CS200782B1 CS 200782 B1 CS200782 B1 CS 200782B1 CS 460678 A CS460678 A CS 460678A CS 460678 A CS460678 A CS 460678A CS 200782 B1 CS200782 B1 CS 200782B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
solution
layer
epitaxial layer
wiper
epitax
Prior art date
Application number
CS460678A
Other languages
English (en)
Inventor
Jan Venkrbec
Jiri Rudolf
Emil Sirucek
Josef Sedlacek
Frantisek Hertl
Dusan Nohavica
Original Assignee
Jan Venkrbec
Jiri Rudolf
Emil Sirucek
Josef Sedlacek
Frantisek Hertl
Dusan Nohavica
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Venkrbec, Jiri Rudolf, Emil Sirucek, Josef Sedlacek, Frantisek Hertl, Dusan Nohavica filed Critical Jan Venkrbec
Priority to CS460678A priority Critical patent/CS200782B1/cs
Publication of CS200782B1 publication Critical patent/CS200782B1/cs

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Vynález se týká zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivých nebo magnetických materiálů.
Při přípravě monokrystalických vrstev polovedivých nebo magnetických materiálů metodou kapalné epitaxe se používá několik způsobů ukončení růstu epitaxní vrstvy. Nejjednoduěěí je oddělání substrátu a roztoku, z něhož probíhá krystalizace vrstvy. Na povrchu substrátu většinou ulpí kapénky roztoku, což má vliv na kvalitu povrchu. Během pomalého ochlazování dochází v místě kapének k nekontrolovatelnému růstu epitaxní vrstvičky. Složení roztoku se ovšem přitom rychle mění a s ním i složení povrchové vrstvičky. Navíc vrstva nemá dokonale rovinný povrch. Proto ee v některých případech přerušuje růst po oddálení substrátu a roztoku poměrně rychlým ochlazením. Tím ale může dojít k tepelným pnutím a ke vzniku nežádoucích defektů. Proto se někdy kapénky řoztoku odstraňují některým z následujících způsobů.
U metody s ponořováním substrátu do roztoku se přerušuje růst vytažením destičky z roztoku. -Přitom mohou ulpět na povrchu epitaxní vrstvy kapénky roztoku, ale přivádějí-li se na držák destičky vibrace, kapénky se dokonale odstraní.
V případě tak zvaného kazetového nebo šoupátkového uspořádání se růst přerušuje mechanickým setřením rozpouštědla z povrchu epitaxní vrstvy, to však může způsobit mechanické poškození vrstvy.
^alším možným způsobem je odstraňování kapének odstředivou silou při rotaci, běžně se
782
200 782 však nepoužívá, nebol klade velké nároky na příslušné zařízení.
Pro průmyslové využití jsou tedy v podstatě vhodné pouze dva způsoby, a to vytahováni destičky z roztoku za působeni vibrací a štírárií šoupátkem.
Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu zařízení na stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivých nebo magnetických materiálů. Jeho podstata spočívá v tom, že stěrač, upravený ve stejné rovině jako povrch epitaxní vrstvy, je opatřen žlábkem, propojeným s přívodním kanálkem, upraveným v táhle, do zásobníku přerušovacího roztoku, přičemž kolem hlavice stěrače 1 je umístěna objímka a topné vinutí.
Řešení podle vynálezu přispívá k lepšímu přerušení růstu epitaxní vrstvy pootočí speciálního stěrače, který umožňuje přívod rozpouštědla - přerušovacího roztoku.
Podstatnou výhodou je skutečnost, že k přerušení růstového procesu dochází zředěním zbytků roztoku nacházejícího se na substrátu a dále, že se snižuje možnost mechanického poškození epitaxní vrstvy. Spojením stěrače se zařízením pro vytváření monokryetalických vrstev polovodivých nebo magnetických materiálů, kde před stíráním dojde k oddálení držáků s destičkami, se získá možnost odstraňovat roztok i v případě krystalizace z tenké vrstvy roztoku. Je to tedy i stírání kapének vhodné pro stacionární metodu. Kromě toho stěrač ve spojení s výše uvedeným zařízením dává možnost nanášet na destičku vrstvu roztoku před počátkem růstu a tím vytvářet velkoplošnou epitaxi.
Zařízení podlé vynálezu je dále popsáno na příkladu provedení podle připojeného výkresu, na němž značí obr. 1 nárys stíracího zařízení a obr. 2 půdorys stíracího zařízení.
Stěrač 1 je proveden ve spojení se zařízením pro vytváření monokryetalických vrstev polovodivých nebo magnetických materiálů. Celé zařízení je umístěno v křemenné trubici 2 kolmé na osu držáků 10 destiček 11. Vlastní stěrač 1 zhotovený například z grafitu, křemene nebo keramiky mé v hlavici vytvořen žlébek 7, do něhož ústí přívodní kanálek 8 pro přívod rozpouštědla. Na přívodní kanálek navazuje duté táhlo 3, zajištující jednak přívod rozpouštědla do zařízení, jednak mechanický pohyb stěrače 1. Stěrač 1 je veden při pohybu vodicím válcem 2. Aby hlavice stěrače 1 měla při stírání stejnou teplotu jako destička 11 s epitaxní vrstvou, je vyhřívána topným vinutím 4 a teplo je přiváděno přes objímku 2· Její teplota se snímá termočlánkem 6.
Stírací hrana stěrače 1 je ve stejné rovině jako povrch epitaxní vrstvy. Za touto hranou je téměř v celé šíři stěrače žlábek 8 a je zaplněn rozpouštědlem, které ee dodává přívodním kanálkem 2, ústícím do žlábku 8. Při ukončení růstu přejede stěrač 1, vyhřátý na stejnou teplotu, jako mé substrát, přes povrch narostlé epitaxní vrstvy. Přitom se přední hranou setře přebytek roztoku a zároveň se dostane zbytek roztoku v té chvíli ještě nasyceného na povrchu epitaxní vrstvy do kontaktu e přerušovacím roztokem, jež může být tvořen i čistým rozpouštědlem. Reztok se tedy značně zředí a na povrchu epitaxní vrstvy zůstane tenká vrstva zředěného roztoku. S tímto jevem je samozřejmě spojeno rozpouštění epitaxní vrstvy, tomu ovšem zabráníme ochlazením na teplotu blízkou křivce likvidu. Zbytek rozpouštědla z povrchu epitaxní vrstvy lze bez potíží odstranit selektivním leptadlem.

Claims (1)

  1. Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivých materiálů, vyznačená tím, že stěrač /1/, upravený ve stejná rovině jako povrch epitaxní vrstvy, je opatřen žlábkem /7/, propojeným β přívodním kanálkem /8/, upraveným v táhle /3/ do zásobníku přerušovacího roztoku, přičemž kolem hlavice stěrače /1/ je umístěna objímka /5/ a topná vinutí /4/.
CS460678A 1978-07-10 1978-07-10 Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu CS200782B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS460678A CS200782B1 (cs) 1978-07-10 1978-07-10 Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS460678A CS200782B1 (cs) 1978-07-10 1978-07-10 Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS200782B1 true CS200782B1 (cs) 1980-09-15

Family

ID=5389214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS460678A CS200782B1 (cs) 1978-07-10 1978-07-10 Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS200782B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1208525A (en) Process for the manufacture of coarsely crystalline to monocrystalline sheets of semiconductor material
CA1193521A (en) Methods and apparatus for melt growth of crystalline semiconductor sheets
Barrett et al. Growth of wide, flat crystals of silicon web
US3453352A (en) Method and apparatus for producing crystalline semiconductor ribbon
CS200782B1 (cs) Zařízení ke stírání roztoku z povrchu epitaxní vrstvy polovodivích materiálu
US4299648A (en) Method and apparatus for drawing monocrystalline ribbon from a melt
KR19990078057A (ko) 실리콘 단결정 및 그 제조방법
KR20120088787A (ko) 반도체 물질 제품의 제조방법
US3977934A (en) Silicon manufacture
US4273608A (en) Method of forming a sheet of single crystal semiconductor material
US4273609A (en) Rinse melt for LPE crystals
JPH0438517Y2 (cs)
JPS61202411A (ja) 液相エピタキシヤル成長法
JP3304592B2 (ja) 液相エピタキシャル成長膜研磨用の貼付け治具およびそれを用いた研磨方法
SU146049A1 (ru) Способ создани электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида инди
JP2008536793A (ja) 薄型半導体リボンの成長方法
KR102171768B1 (ko) 금속 소재 제조장치 및 그 방법
IT9020559A1 (it) Materiale a forma di foglio per la ceratura di sci
Dutartre et al. Thick films of monocrystalline silicon on SiO2 obtained via embedding SiO2 stripes in bulk silicon
JPS599912A (ja) 液相結晶成長法
SU16496A1 (ru) Способ покрывани молибденовой и вольфрамовой проволоки платиной
JPS61251114A (ja) 単結晶シリコン膜の製造方法
JPH05318743A (ja) ノズル板の表面処理方法
JPH05279169A (ja) 単結晶引き上げ用黒鉛ルツボ
JPS5886716A (ja) 単結晶半導体膜形成法