CS196016B1 - Způsob přípravy veími čistého germania - Google Patents
Způsob přípravy veími čistého germania Download PDFInfo
- Publication number
- CS196016B1 CS196016B1 CS597477A CS597477A CS196016B1 CS 196016 B1 CS196016 B1 CS 196016B1 CS 597477 A CS597477 A CS 597477A CS 597477 A CS597477 A CS 597477A CS 196016 B1 CS196016 B1 CS 196016B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- germanium
- nuclear
- purity
- pure germanium
- preparing high
- Prior art date
Links
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 17
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000011403 purification operation Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Předmětem vynálezu je způsob přípravy monokrystalů velmi čistého germania s koncentrací nečistot 7¾ - Na/ nižší než 5.1010 at/cm3, při kterém se germanium výchozího stupně čistoty vystaví působení pole jaderných částic, čímž dojde k jaderným reakcím a jaderné kompenzaci, zejména k přeměně boru na lithium.
Dosavadní způsoby získávání velmi čistého germania spočívají v opakovaném Čiátění germania bu3 pásmovým tavením, nebo opakovaným tažením monokrystalů podle Czchralského anebo kombinací obou metod.
Největším problémem při pásmovém čištění nebo při tažení monokrystalů je nutnost maximálně omezit znečišíování germania, a to nejen nečistotami, které se uvolňují z nádoby, ve které je roztavené germanium, aí už je to křemenný nebo grafitový kelímek, křemenná nebo grafitová lodička nebo jejich kombinace, ale také z okolí nádoby, např. ze stěn tažicího zařízení, z grafitového topného tělesa, z teplotních ekranů apod.
Dochází tedy ke stavu, že ná jedné straně je třeba opakovaně germanium teplotně zpracovávat např. pásmovým tažením nebo tažením monokrystalu anebo kombinací obou způsobů, aby se zvýšila jeho čistota, na druhé straně je třeba germanium chránit přesto př» zněČišíováním, jehož nebezpečí plyne z každé nové operace. Tím se efektivnost přípravy monokrystalů velmi čistého germania podstatně snižuje.
196 016
198 018 ' ?
Nevýhody dosavadních způsobů se odstraňuji způsobem podle vynálezu, pří kterém se germanium výchozího stupně Čistoty-vystaví působení pole jaderných částic, které vyvolají ve výchozím materiálu jaderné reakce a jadernou kompenzaci. Jaderné reakce tím způsobí změnu znečištění, například boru na lithium, které nelze obvyklou technologií dosáhnout bu3 vůbec, nebo jen velice obtížně. Způsobem podle vynálezu se naproti tomu při podstatně nižší pracnosti a časové náročnosti dosáhne vysokého stupně homogenizace, která umožní přípravu homogenních krystalů velmi Čistého germania. Tak se dosahuje pomocí jaderných reakcí a jaderné kompenzace, popřípadě v kombinaci s technologiemi dosud používanými, v kratším čase podstatně vyššího technického účinku.
Příklad :
Koncentrace boru v polykrystaliokém výchozím germaniu je 5.10^ at/cm\ Po dvaceti Čisticích operacích pásmovým tavením nebo tažením podle Czochralského dojde ke snížeaí koncentrace boru na 5·10^θ at/cm^. Aby se koncentrace snížila dále na méně než ΙΟ^θ at/cm\ je třeba dalších dvaceti Čisticích operací. Stejného účinku dosáhneme při použití reakce B1® /n,«< / Li? a germanium čistoty s méně než 10^° obdržíme již při prgním &
tažení. Obdobným způsobem lze odstranit další prvky, kterými je výchozí germanium zneČištěno.
Claims (1)
- PREDMET VYNÁLEZUZpůsob přípravy monokrystalů velmi čistého germania s možností dosáhnout stupně čistoty, vyjádřené koncentrací znečišťujících atomů pod ΙΟ^θ at/cn?, vyznačený tím, žm před vytažením monokrystalů germania se germanium výchozího stupně Čistoty vystaví působení pole jaderných Částic, například v ozařovacím kanálu jaderného reaktoru, Čímž se vyvolají ve výchozím materiálu jaderné reakce /n,^v / a/nebo /n,Z / a/nebo /p,«r/a jaderné kmmpenzace, přičemž se přemění nečistoty, například na lithium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS597477A CS196016B1 (cs) | 1977-09-14 | 1977-09-14 | Způsob přípravy veími čistého germania |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS597477A CS196016B1 (cs) | 1977-09-14 | 1977-09-14 | Způsob přípravy veími čistého germania |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS196016B1 true CS196016B1 (cs) | 1980-02-29 |
Family
ID=5405745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS597477A CS196016B1 (cs) | 1977-09-14 | 1977-09-14 | Způsob přípravy veími čistého germania |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS196016B1 (cs) |
-
1977
- 1977-09-14 CS CS597477A patent/CS196016B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1061688A (en) | Silicon crystals and process for their preparation | |
| GB889058A (en) | Improvements in or relating to the production of crystals | |
| JP3497355B2 (ja) | シリコンの精製方法 | |
| Garrett et al. | The czochralski growth of LiBO2 and Li2B4O7 | |
| Medcalf et al. | High‐Pressure, High‐Temperature Growth of Cadmium Sulfide Crystals | |
| Finch et al. | Single‐Crystal Growth of Thorium Dioxide from Lithium Ditungstate Solvent | |
| CS196016B1 (cs) | Způsob přípravy veími čistého germania | |
| Chani et al. | Growth of mixed crystals of the KTiOPO4 (KTP) family | |
| Hunt et al. | Purification of metallurgical-grade silicon to solar-grade quality | |
| GB803830A (en) | Semiconductor comprising silicon and method of making it | |
| Plaskett et al. | The Preparation and Properties of Large, Solution Grown GaP Crystals | |
| Blank et al. | The growth of single crystals of lead sulphide in silica gels at ambient temperatures-preliminary characterization and effect of various organic compounds as sulphide ion donors | |
| US3671330A (en) | Removal of acceptor impurities from high purity germanium | |
| O'CONNOR et al. | Gel Growth of Crystalline Cuprous Chloride | |
| JPH04132695A (ja) | アルミナ系高融点酸化物単結晶の製造方法 | |
| Komatsu et al. | The growth and characterization of lithium tetraborate single crystal | |
| Finch et al. | High-temperature solution growth of single-crystal neptunium dioxide | |
| Kuriyama | Bridgman growth of lithium indium alloy single crystals | |
| Bass et al. | Pulling of gallium phosphide crystals by liquid encapsulation | |
| Trykozko | On the ternary compound MgSiP2 grown from antimony solution | |
| Vogt et al. | Production of well defined chemically pure single crystals of rare-earth and actinide compounds for solid state research | |
| JP2787995B2 (ja) | 四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 | |
| Roth et al. | Purification and crystal growth of LiY0. 5Er0. 5F4 crystals | |
| Caillat et al. | Investigation of the antimony-rich part of the Ru-Sb system | |
| Boublikova | Preparation of High-Purity Germanium |