CS195676B2 - Method of making the electrographic film - Google Patents
Method of making the electrographic film Download PDFInfo
- Publication number
- CS195676B2 CS195676B2 CS74222A CS22274A CS195676B2 CS 195676 B2 CS195676 B2 CS 195676B2 CS 74222 A CS74222 A CS 74222A CS 22274 A CS22274 A CS 22274A CS 195676 B2 CS195676 B2 CS 195676B2
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- discharge
- anode
- dark
- electrophotographic
- layer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 11
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 abstract 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 16
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 2,4,5-trithia-1,3-diarsabicyclo[1.1.1]pentane Chemical compound S1[As]2S[As]1S2 UKUVVAMSXXBMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001085205 Prenanthella exigua Species 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000001850 reproductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneindium Chemical compound [In]=S GKCNVZWZCYIBPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
Vynález se týká způsobu výroby elektrofotografického filmu. Jsou známé elektrofotograflcké filmy, skládající se ze 3 vrstev materiálů, přičemž spodní vrstva, tj. podložka, je s výhodou vytvořena z transparentního plastického materiálu, horní vrstva je tvořena tenkou vrstvou fotovodlvého materiálu a střední vrstva je tvořena tenkou vrstvou ohmického materiálu, schopného vést elektrický proud.The invention relates to a method for producing an electrophotographic film. Electrophotographic films are known, consisting of 3 layers of materials, wherein the backsheet, i.e. the backing, is preferably formed of a transparent plastic material, the topsheet is a thin layer of photoconductive material and the middle layer is a thin layer of ohmic material capable of conducting electrical current.
Uvedené elektřofotografické filmy se s výhodou vyrábí pokovováním rozprašováním. Takové filmy však mají pro některá specifická použití nedostatečné vlastnosti, zejména nedostatečnou citlivost a gradaci.Said electrophotographic films are preferably produced by sputtering. However, such films have inadequate properties, particularly sensitivity and gradation, for some specific applications.
Tyto nedostatky jsou odstraněny způsobem výroby elektrofotografického filmu, zahrnujícího podložku a nanesený fotovodivý krystalický povlak, podle vynálezu, přičemž nanesení uvedeného povlaku se provádí rozprašováním v rozprašovací komoře pomocí plasmy, vytvořené mezi terčem fotovodivého materiálu, který má být nanesen, a anodou nesoucí podložku, kde plasma zahrnuje tmavý prostor mezi plasmou a anodou, přičemž se rozprašování provádí až do okamžiku, kdy je krystalická vrstva uvedeného materiálu nanesena na podložce, jehož podstata spočívá v tom, že se mezi plasmou a anodou vytvoří dostatečný tmavý prostor spojením katody s vysokofrekvenčním výstupem vysokofrekvenčního generátoru a udržováním anody na, nebo pod potenciálem země, čímž še během nanášení vytvoří negativní předpětí. ·.· úThese drawbacks are overcome by a method of making an electrophotographic film comprising a substrate and a coated photoconductive crystalline coating according to the invention, wherein said coating is carried out by spraying in a spray chamber with a plasma formed between a target of the photoconductive material to be deposited and the plasma comprises a dark space between the plasma and the anode, and the sputtering is carried out until a crystalline layer of said material is deposited on the substrate, which consists in providing a sufficient dark space between the plasma and the anode by connecting the cathode with the high-frequency output and maintaining the anode at or below ground potential, thereby creating a negative bias during application. Ú
Při způsobu podle vynálezu se jako fotovodivého materiálu s výhodou použije sirníku kademnatého. Během nanášení še s výhodou zavádí do rozprašovací komory sirovodík.In the process according to the invention, cadmium sulphide is preferably used as the photoconductive material. During application, it is advantageous to introduce hydrogen sulfide into the spray chamber.
V podstatě všechna uvedená zlepšení vyplývají z jediného stupně způsobu výroby uvedeného elektrofotografického filmu. Tímto způsobem jé použití předpětí při vysokofrekvenčním nanášení rozprašováním fůtovodivé vrstvy. Řezultující vrstva je velmi hutná a i její další rozhodující vlastnosti jsou lepší než vlastnosti vrstev připravených dosud známými postupy. Tohoto předpětí se dosáhne elektrickým zapojením obvodu přenášejícího vysokofrekvenční napětí к rozprašujícímu zařízení způsobem podle vynálezu, jehož bližší, a detailnější popis je uveden v další části popisu.Essentially, all said improvements result from a single stage of the process for producing said electrophotographic film. In this way, the biasing of the high-frequency spray coating of the conductive layer is applied. The resulting layer is very dense and its other decisive properties are better than those of the layers prepared by the known methods. This preload is achieved by electrical connection of the circuit transmitting the high-frequency voltage to the spray device according to the method of the invention, the more detailed and detailed description of which is given below.
Vlastnosti elektrografického filmu, připraveného způsobem podle vynálézu, tj. zejména citlivost á ^radáce, jsou Lepší než vlastnosti dosud známých elektrofotografických filmů.The properties of the electrographic film prepared according to the invention, in particular the sensitivity of the radar, are superior to those of the prior art electrophotographic films.
V další části popisu budou popsána výhodná provedení způsobu podle vynálezuPreferred embodiments of the method of the invention will be described in the following
195876195876
195678 fprmou příkladů provedení, a to s odkazy na připojené obrázky, kde obr. 1 představuje schematické zobrazení transparentního elektrofotografického filmu, přičemž obrázek 1, slouží pouze k výkladu známého stavu techniky; obr. 2 ilustruje rovněž známý stav, techniky a znázorňuje nabíjení a vybíjení typické xerografické desky, přičemž v levé . spodní části zobrazeného grafu se však nachází obdélník který představuje plochu grafu zvětšenou na obrázku 3; obr. 3 představuje graf obdobný gráfu z obrázku 2, avšak tento graf zobrazuje nabíjení a vybíjení elektrofotografickéhó filmu zhotoveného zlepšeným způsobem podle vynálezu; obr. 4 představuje graf, ukazující spektrální odezvu tenkého filmového povlaku sirníku kademnatého, zhotoveného způsobem podle vynálezu, ve srovnání se spektrální odezvou fotovodivé vrstvy sirníku kademnatého, nanesenou rozprašováním dosavadní metodou; obr. 5 představuje zjednodušené elektrické schéma obvodu zařízení pro nanášení rozprašováním, kterým se dosáhne výše uvedeného předpětí, přičemž se tohoto zařízení používá k nanášení zlepšeného fotovodivého povlaku podle vynálezu; obr. 6 představuje částečný řez elektrofotografičkým filmem podle vynálezu, ukazující vybíjení uvedeného filmu.FIG. 1 is a schematic representation of a transparent electrophotographic film, wherein FIG. 1 is only for the purpose of explaining the prior art; FIG. 2 also illustrates the prior art and shows the charging and discharging of a typical xerographic plate, with the left. however, at the bottom of the graph shown is a rectangle that represents the graph area enlarged in Figure 3; Fig. 3 is a graph similar to that of Fig. 2, but illustrates the charging and discharging of an electrophotographic film produced by the improved method of the invention; Fig. 4 is a graph showing the spectral response of the cadmium sulfide thin film coating produced by the method of the invention, compared to the spectral response of the cadmium sulfide photoconductive layer deposited by the spray method of the prior art; Fig. 5 is a simplified electrical circuit diagram of the spray application device to achieve the aforementioned preload, which device is used to apply the improved photoconductive coating of the invention; Fig. 6 is a partial cross-sectional view of the electrophotographic film of the invention showing the discharge of said film.
Elektrofotografický film 10, zobrazený na obrázku 1, je tvořen podložkou 16 z organického polymeru, která je transparentní a má tloušťku zlomku milimetru. Tato' podložka 16 je ohebná a stabilní. Po jejím odplynění a normalizaci se tato podložka 16 umístí do zařízení pro nanášení rozprašováním, kde se na ni nanese ohmická vrstva 14 kysličníku india o tloušťce 3.10~2 až 5.10~2 μπι. ' .The electrophotographic film 10 shown in Figure 1 consists of an organic polymer backing 16 that is transparent and has a fraction of a millimeter thickness. This washer 16 is flexible and stable. After degassing and normalizing, the washer 16 is placed in a sputtering device where an ohmic indium oxide layer 14 having a thickness of 3.10 ~ 2 to 5.10 ~ 2 μπι is applied thereto. '.
Rezultující sestava se potom umístí do komory pro nanášení rozprašováním, kde se na ohmickou vrstvu 14 nanese ultračistý sirník kademnatý, o čistotě přibližně 99,9998 ' procent, k vytvoření fotovodivé vrstvy 12, která je přibližně 3.10_1 pm silná.The resulting assembly is then placed in a chamber for sputtering, wherein the ohmic layer 14 is applied ultrapure cadmium sulfide with a purity of about 99.9998 'percent to form the photoconductive layer 12 which is approximately 3.10 micron thick _1.
Způsob nanášení rozprašováním a podmínky nanášení fotovodivé vrstvy 12 jsou známé, avšak zde_se toto nanášení provádí za použití předpětí, přičemž příslušný obvod je zobrazen na obrázku 5. V malém, poloexperimentálním zařízení činí . obvykle vysokofrekvenční příkon, dodávaný generátorem 260, 200 W; potenciál vůči zemi je roven 2 kV a předpětí činí 100 V. Použitá frekvence je 13,5 mHz. Terčík 266 ultračistého sirníku kademnatého byl připraven slisováním za horka '-a' slinováním; jeho průměr činí 15 centimetrů.The method of spraying and the conditions for applying the photoconductive layer 12 are known, but here they are applied using biasing, the circuit being shown in Figure 5 in a small, semi-experimental device. usually high frequency power supplied by generator 260, 200 W; the ground potential is 2 kV and the bias voltage is 100 V. The frequency used is 13.5 mHz. Target 266 of the ultra-pure cadmium sulfide was prepared by hot pressing '-a' by sintering; its diameter is 15 centimeters.
Uzemněný . kryt 278 obklopuje terčík 266 ze všech stran s výjimkou povrchu, který je přivrácen, k anodě 268;· uvedený kryt 278 je od uvedeného terčíku 268 vzdálen 0,6 cm. Podložka 16, která leží na anodě 268, se nachází ve vzdálenosti 3,8 cm od terčíku 26^ίϊ. Anoda se udržuje na teplotě 155 °C. Pracovní atmosféra je tvořena argonem nejvyššího stupně čistoty, zředěným 15 ppm čistého' plynného sirovodíku k získání tlaku 1,33 Pa. Kromě obvyklého tmavého prostotu 282 mezi plasmou 280 a terčíkem 268, díky kterému nedochází přes malou vzdálenost krytu 278 od uvedeného terčíku k depozici terčíkového materiálu na povrch krytu, je zde jasněviditelný ještě druhý tmavý prostor 284 mezi plasmou 280 a anodou 268. Nanášení slrníku kademnatého se provádí rychlostí v rozmezí od asi 6.10 nebo 7.10 , pm za se. kundu do rychlosti o něco vyšších než k jakým^ dochází při použití větších zařízení, majících větší terče a snad i několik terčů, pohybujících se vzhledem k anodě.Grounded. the cover 278 surrounds the target 266 on all sides except for the surface facing the anode 268, said cover 278 being 0.6 cm from said target 268. The pad 16, which lies on the anode 268, is located 3.8 cm from the target 26 °. The anode is maintained at 155 ° C. The working atmosphere consists of argon of the highest degree of purity, diluted with 15 ppm of pure hydrogen sulfide gas to obtain a pressure of 1.33 Pa. In addition to the usual dark space 282 between the plasma 280 and the target 268, which prevents the target material from depositing on the surface of the cover over a small distance of the cover 278 from said target, a second dark space 284 between the plasma 280 and the anode 268 is clearly visible. performed at speeds ranging from about 6.10 or 7.10 pm per se. a speed slightly higher than that of larger devices having larger targets and perhaps several targets moving relative to the anode.
Při vlastním provádění uvedeného způsobu se tlak v komoře pro nanášení rozprašováním nejdříve sníží na 1,33.10 Pa a dále se nastaví na 7,98 Pa připuštěním plynného argonu a sirovodíku. Posledně uvedený plyn slouží k dosažení vlastní stechiometrie, přičemž rovněž představuje požadovaný plyn k vyrovnání tlaku par síry, který je menší než tlak kadmiových par. Tím se zabrání rozkladu sirníku kademnatého. Finální nanášecí tlak činí 0,931 až 1,99 Pa.In carrying out the process, the pressure in the spraying chamber is first reduced to 1.33 Pa and further adjusted to 7.98 Pa by admitting argon gas and hydrogen sulfide. The latter gas serves to achieve intrinsic stoichiometry and also represents the desired gas to equalize the vapor pressure of the sulfur, which is less than the cadmium vapor pressure. This prevents decomposition of cadmium sulphide. The final deposition pressure is 0.931 to 1.99 Pa.
Předpěťový obvod, zobrazený na obrázku 5, se liší od konvenčních vysokofrekvenčních obvodů pro nanášení rozprašováním. Při konvenčním způsobu je katoda nebo terčík připojena, popřípadě připojen, k vysokofrekvenčnímu výstupu vysokofrekvenčního generátoru obvykle přes přizpůsobovací obvod a anoda nebo člen pro nesení podložky je připojena, popřípadě připojen na zem (uzemněn). Vysokofrekvenční energie ionizuje argon, který se zavádí do komory, přičemž se mezi terčíkem a anodou vytvoří plasma. Těsně u povrchu terčíku vznikne tmavý prostor poměrně malé velikosti. Atomy terčového materiálu jsou v důsledku dopadu iontů argonu na povrch terče vyráženy z terče a hnány skrze plasmu a dále dopadají na prvek, který leží na anodě. Atomy terčového materiálu neulpí na ničem, co se nachází v uvedeném tmavém prostoru, tedy ani na vnitřním povrchu uvedeného krytu.The bias circuit shown in Figure 5 differs from conventional high frequency spray application circuits. In a conventional method, the cathode or target is connected to, or connected to, the RF output of the RF generator, typically through an adaptation circuit, and the anode or pad support member is connected or grounded. The high-frequency energy ionizes argon, which is introduced into the chamber, creating plasma between the target and the anode. A dark space of relatively small size will form close to the surface of the target. The atoms of the target material, due to the impact of argon ions on the target surface, are ejected from the target and propelled through the plasma and further impact the element lying on the anode. The atoms of the target material do not adhere to anything that is located in said dark space, i.e. neither on the inner surface of said housing.
Potom, co byla podložka 16 umístěna na anodu, ukládají se vysrážené částice nebo atomy, a. to buď samotné, nebo snad' po reakci s dalšími prvky zaváděnými do komory a tvořícími plasmu,~na podložku.After the substrate 16 has been placed on the anode, precipitated particles or atoms are deposited, either alone or perhaps after reaction with other elements introduced into the chamber and forming the plasma, onto the substrate.
Vysokofrekvenční generátor 260, zobrazený na obrázku 5, je připojen k přizpůsobovacímu obvodu a plasmového generátoru 262 prostřednictvím přenosového vedení 264. Přizpůsobovací obvod 262 může být umístěn v těsné blízkosti tlakové komory, která zahrnuje terč anodu 268 a kryt 278/· Přizpůsobovací obvod zahrnuje induktor L a laditelný sériový kondenzátor Cl, zapojené ve vysokonápěťovém vedení 270, přičemž· výr stupni připojení k terčíku 266 a do komory je zprostředkováno vysokonápěfovým výstupem 272, ·tvořeným libovolným vhodným elektrickým spojovacím členem.The high-frequency generator 260 shown in Figure 5 is coupled to the adaptation circuit and the plasma generator 262 via transmission line 264. The adaptation circuit 262 may be located in close proximity to a pressure chamber that includes the anode target 268 and the housing 278. and a tunable series capacitor C1 connected in the high voltage line 270, wherein the step of connecting to the target 266 and into the chamber is mediated by the high voltage output 272 formed by any suitable electrical coupler.
Paralelní (bočníkový) kondenzátor C2 je rovněž laditelný -a jeho vývod s .potenciálem blížícím se . potenciálu země, . avšak vyšším než tento - potenciál,· je připojen vedením 274 k · anodě- -268. Výstup 276 má takto okamžité napětí, které- se . liší od- země vzhledem ke katodě nebo k terči 266 o určité napětí. V provozním zařízení, použitém k získání výše uvedeného povlaku sirníku . kademnatého, - je 'toto - napětí asi 200. voltů. Vysokonapěťový .výstup· 272 má napětí asi 2 kilovolty. - Kryt 278 má tvar čepičky obklopující terčík 266; tento kryt je uzemněn. - Laditelný kondenzátor C3 je- připojen k výstupu 276. .a - k zemi, a je tedy ve skutečnosti připojen ke krytu 278. Kondenzátory C2 a C3 mají proměnlivou reakci,- umožňující nastavení dělení napětí mezí - terčíkem 266, anodou 268 a krytem 278.The parallel (shunt) capacitor C2 is also tunable with its potential approaching. the potential of the country,. but above this potential, it is connected via line 274 to the anode -268. Thus, the output 276 has an instantaneous voltage that is. the ground differs from the cathode or target 266 by a certain voltage. In the process equipment used to obtain the above-mentioned sulfide coating. cadmium, - this is - a voltage of about 200 volts. The high voltage output · 272 has a voltage of about 2 kilovolts. The cover 278 has a cap shape surrounding the target 266; this cover is grounded. - Tunable capacitor C3 is connected to output 276.a - to ground, and is thus in fact connected to housing 278. Capacitors C2 and C3 have a variable response, - allowing adjustment of voltage divisions between target 266, anode 268 and housing 278 .
Jak již bylo uvedeno, jsou mezi terčem 266 a - anodou 268 - na opačných stranách plasmy 280- dva tmavé prostory, a to konvenční tmavý prostor 282 a druhý tmavý prostor - 284, který vznikne jestliže se použije předpě-ťového zapojení.As already mentioned, there are two dark spaces between the target 266 and the anode 268 on opposite sides of the plasma 280, a conventional dark space 282 and a second dark space - 284, which occurs when a biasing circuit is used.
Nanášením rozprašováním za použití předpětí se - dosáhne velmi hutného povlaku rozprašovaného materiálu, a -to z důvodů, které nejsou zcela objasněny. Nicméně se předpokládá, že uvedených vlastností povlaku se dosáhne v důsledku jevů, vysvětlitelných jednou nebo několika následujícími teoriemi:Spray application using preloading results in a very dense coating of the material to be sprayed, for reasons not fully understood. However, it is believed that these coating properties are achieved due to phenomena explained by one or more of the following theories:
a) mikrokrystaly jsou ukládány v oriento- vaném uspořádání, protože· působí jako dipóly; ' '·' ·(a) the microcrystals are deposited in an oriented arrangement because they act as dipoles; '' · '·
b) těžké ionty - z - -plasmy jsou - přitahovány předpětím,. v důsledku - čehož bombardují povlak, který již - byl deponován; .·.b) heavy ions - from - the - plasma are - attracted by bias. as a result of which they bombard a coating that has already been deposited; . ·.
- - c) nabité atomy - zaplňují prohlubně v povrchu namísto toho, aby rozptylovaly veškerou svojí energii při přímém nárazu;- (c) charged atoms - fill the depressions in the surface instead of dissipating all of their energy in a direct impact;
d) ukládaným- atomům - je v druhém tmavém prostoru 284 udělována tepelná energie; . .d) deposited atoms - thermal energy is provided in the second dark space 284; . .
e) - - fázové posunutí, ke kterému - dochází - v důsledku předpětí, uděluje deponovaným -atomům větší, energii- než - normálně.e) - - the phase displacement that - occurs - due to the pre-stressing, imparts to the deposited-atoms more, energy - than - normally.
Je - třeba poznamenat, že - uvedená teorie nikterak - neomezuje vlastní - rozsah - vynálezu. · . - .It should be noted that this theory does not in any way limit the intrinsic scope of the invention. ·. -.
Graf na obrázku '2 ilustruje charakteristiky typické - xerografické desky, kterou je možné -zahrnout do známého stavu techniky. Použitým - elektrofotografickým. filmem je vrstva amorfního selenu na kovovém bubnu nebo vrstva - směsi kysličníku - zinečnatého a pryskyřice, nanesená - na vodivém papíru. Tloušťka - těchto - povlaků činí - - . zpravidla 20 až 160 μτη. · . První zóna (temná zóna). A - trvá přibližně první dvě - sekundy celkového reprodukčního cyklu·. Konec této první - zóny A je na grafu vymezen svislicí 30; uvedená první zóna A zahrnuje dvě části, přičemž - první část B (temná nabíjecí část) je - ukončena po uplynutí 1,4- sekundy a je na grafu vymezena svislicí 32 -a druhá část C (temná vybíjecí část) - tvoří zbytek uvedené první zóny - A.'- E?The graph in Figure 2 illustrates the characteristics of a typical xerographic plate that can be included in the prior art. Used - electrophotographic. the film is a layer of amorphous selenium on a metal drum or a layer - a mixture of zinc oxide and resin, deposited - on conductive paper. The thickness of these coatings is -. usually 20 to 160 μτη. ·. First zone (dark zone). A - lasts approximately the first two seconds of the total reproductive cycle. The end of this first zone A is delineated by a vertical line 30 in the graph; said first zone A comprises two parts, wherein - the first part B (dark charging part) is - terminated after 1.4 seconds and is delineated by the vertical line 32 - and the second part C (dark discharge part) - forms the remainder of said first zone - A .'- E?
lektrostatický člen se v temnu nabije během první části B- - pomocí vysokonapěťové korány, přičemž stoupne povrchový potenciál fatovodivé - vrstvy 12 - na maximální - potenciál 36 (nad 500 V). Tato hodnota - představuje potenciál při stavu nasycení 38, kdy .unikání náboje s povrchu fotovodivé vrstvy - 12 je v rovnováze s --přiváděným nábojem na tento povrch, to znamená, žé při této - hodnotě maximálního potenciálu 36 náboj z povrchu- uniká stejnou rychlostí, jakou je - náboj- na povrch přiváděn. V okamžiku, označeném na grafu svislicí 32, se nabíjení přeruší a elektrony, představující náboj nacházející se na povrchu, začínají - mít tendenci být odváděny prostřednictvím vodivého členu, který - je v kontaktu s - opačným povrchem fotovodivé vrstvy.The electrostatic element is charged in the dark during the first part of B- by means of the high-voltage koran, while the surface potential of the fat-conducting layer 12 rises to the maximum potential 36 (above 500 V). This value represents the potential at saturation state 38 where the charge leakage from the surface of the photoconductive layer 12 is in equilibrium with the applied charge to the surface, i.e. at this maximum potential value of 36 the charge from the surface escapes at the same rate such as - the charge-to the surface being fed. At the moment indicated by the vertical line 32, the charging is interrupted and the electrons representing the charge on the surface begin to - tend to be dissipated by a conductive member that - is in contact with - the opposite surface of the photoconductive layer.
-Na obrázku 1 je zobrazen elektrofotografický člen 10 nabíjený korónou produkovanou v místě 21 - prostřednictvím zdroje - 20, připojeného- k vodivé, tj. ohmické vrstvě 14 v místě 18. Náboj; který- se takto vytvoří - na -povrchu fotovodivé vrstvy- 12 nebo v, tenké vrstvě pod uvedeným- povrchem, se vybíjí- v . důsledku toho, že se elektrony pohybují směrem - k vrstvě 14. To je obecný princip, na kterém je - založen způsob práce libovolného elektrostatického členu. Náboj se tedy přivádí na -povrch fotovodivé vrstvy 12 potud, pokud je tento povrch schopen náboj přijímat, přičemž -tento náboj- se na uvedeném -povrchu udrží - - potud, pokud je fotovodivá vrstva 12 nevodivá. - - Fotovodivá vrstva . - 12 elektrofoto-grafického filmu 10 má velmi - vysoký měrný odpor v - temnu, a to- řádově asi - ohm. cm, v důsledku čehož nedochází k rychlému vybití - - fotovodivé- vrstvy 12 v temnu. Na druhé straně ztrácí dosavadní elektrostatické členy svůj náboj rychleji v temnu, a to je zobrazeno na obrázku 2 vybíjecí křivkou 40 (ještě v temnu) v druhé - části C první zóny A. Tato vybíjecí křivka 40 - končí po uplynutí druhé sekundy. K uvedenému - vybíjení v temnu -dochází - tedy dokonce ještě - před - tím' než - dojde k vlastnímu použití - elektrostatického členu. .··..·.Figure 1 shows a corona-charged electrophotographic member 10 produced at 21 by a source 20 connected to a conductive, i.e., ohmic layer 14 at 18. which is thus formed on the surface of the photoconductive layer 12 or in a thin layer below said surface is discharged. as a result of the electrons moving toward - the layer 14. This is the general principle upon which the operation of any electrostatic member is based. Accordingly, the charge is applied to the surface of the photoconductive layer 12 as long as the surface is capable of receiving charge, and this charge is maintained on the surface as long as the photoconductive layer 12 is nonconductive. - - Photoconductive layer. 12 of the electrophotographic film 10 has a very high resistivity in the dark, and in the order of about ohm. cm, which does not result in rapid discharge of the photoconductive layer 12 in the dark. On the other hand, the prior art electrostatic elements lose their charge faster in the dark, and this is shown in Figure 2 by the discharge curve 40 (still in the dark) in the second part C of the first zone A. This discharge curve 40 ends after the second second. This - discharging in the dark - occurs - even before - before the actual use - of the electrostatic element occurs. . ·· .. ·.
'- Jestliže zůstane elektrostatický člen v temnu - i nadále, - potom -vybíjecí křivka - 40- pokračuje v klesání podél přerušované křivky 42. Průběh - vybíjecí křivky 40 a - křivky 42 je známý a charakterizuje vybíjení elektrostatického členu za temna. ,If the electrostatic member remains in the dark, then the discharge curve 40 continues to descend along the interrupted curve 42. The course of the discharge curve 40 and the curve 42 is known and characterizes the discharge of the electrostatic member in the dark. ,
Časový rozsah stupnice - grafu na - obrázku 2 - je - roven asi 4 -sekundám. Sklon vybíjecí křivky 40 a křivky- 42 je - poměrně mírný; při vlastním použití elektrostatického- členu (při jeho expozici) je však - pokles, - daný - vybíjením fotovodivé vrstvy 12, - rychlý. Elektrostatický člen přijímá- náboj - v- první části B první zóny A poměrně pomalu, jak - je to- zobrazeno na obrázku 2 - nabíjecí křivkou 34.The time scale of the graph in Figure 2 is about 4 seconds. The slope of the discharge curve 40 and the curve 42 is relatively moderate; however, in the actual use of the electrostatic element (upon its exposure), the decrease, given by the discharge of the photoconductive layer 12, is rapid. The electrostatic charge-receiving member - in the first portion B of the first zone A - is relatively slow, as shown in Figure 2, by the charging curve 34.
Druhá zóna (expoziční zóna) - - E se - nachází v časovém - úseku, vymezeném - 2,3 až 3,3 sekundy; během této druhé zóny E- se elektrofotografický; film - 10- - obrazově - exponuje.The second zone (exposure zone) - - E is - within the time period defined by - 2.3 to 3.3 seconds; electrophotographic during this second zone E-; film - 10- - pictorial - exposes.
Konec této - - zóny je - vymezen svislicí 44.- Bě?The end of this - - zone is - delimited by a vertical line 44.- Wh?
19'58 7 8 hem . této zóny způsobují fotony, dopadající na povrch· fotovodlvé vrstvy, s povrchu elektrofotografického členu. Nejsvětlejší místa. polohy produkují maximální počet fotonů, které· po dopadu na eléktrofotografický film 10 způsobí nejintenzívnější vybíjení podél vybíjecí, křivky 48, která je .o sobě známá jako křivka vybíjení za. světla·, zatímco na absolutně tmavých místech podlohy nedochází k průniku a potom k dopadu žádných fotonů. Na· Odpovídajících, místech povrchu elektrofotografického členu dochází tedy k vybíjení podél křivky 42. Je.. . třeba si všimnout, že vybíjecí křivka. 46 není nikterak strmá, a že vybití není úplné; zbývá zde zbytkový náboj 48. To odpovídá potenciálu asi 35 V, který je typický pro známé elektrofotografické filmy. ·19'58 7 8 hem. This zone is caused by photons striking the surface of the photoconductive layer with the surface of the electrophotographic member. Lightest places. positions produce a maximum number of photons which upon impact on the electrophotographic film 10 cause the most intense discharge along the discharge curve 48, which is known as the discharge curve beyond. light, while there are no photons in absolutely dark places on the substrate. Thus, at corresponding locations of the surface of the electrophotographic member, discharge occurs along curve 42. It is. It should be noted that the discharge curve. 46 is not steep and that the discharge is not complete; there remains a residual charge 48. This corresponds to a potential of about 35 V, which is typical of known electrophotographic films. ·
Mezilehlé počty fotonů, produkované různě sytými stíny reprodukované podlohy, způsobí vybíjení za světla podél vybíjecích křivek 46‘,' 46“, 46‘“, přičemž každé z -..těchto vybíjení podél uvedených křivek se okamžitě přeruší v okamžiku, kdy je expozice ukončena (závěrka se uzavře), a dále dochází k vybíjení, zbývajícího náboje podél- vybíjecích křivek 42‘, 42“, 42‘“ za temna. Tyto křivky se nachází ve třetí zóně F grafu na obrázku 5, která začíná v místě, vymezeném svislicí 44 a končí v místě označeném svislicí 50.The intermediate numbers of photons produced by the differently saturated shadows of the reproduced substrate cause light discharges along the discharge curves 46 ',' 46 ', 46' ', each of which discharges along said curves immediately being interrupted when the exposure is complete. (shutter closes) and discharges the remaining charge along the discharge curves 42 ', 42 ", 42'" in the dark. These curves are located in the third zone F of the graph in Figure 5, which begins at the point defined by the vertical line 44 and ends at the point indicated by the vertical line 50.
. ..Tato třetí' (tónovací) zóna F trvá pó dobu asi jedné sekundy. V této třetí zóně F je již expozice ukončena a latentní obraz, který, vznikne po expozici a který je v časovém okamžiku vymezeném svislicí 44 zcela vyvolán, se podrobí účinku částic tónovacího pigmentu. V této třetí zóně F musí být dostatek času, který je potřebný k relativnímu pohybu elektrofotografického členu a částic tónovacího pigmentu směrem k sobě a k přilnutí uvedených částic tónovacího, pigmentu na povrch elektrofotografického členu. Navíc musí. být náboj na povrchu elektrofotografického členu tvořený nábojem, který na povrchu zbyl v důsledku temna nebo částečného temna, dostatečně veliký, aby způsobil přilnutí částic tónovacího pigmentu k povrchu elektrofotografického členu.. Částice tónovacího pigmentu musí zase lnout k povrchu až do okamžiku, kdy jsou, k tomuto povrchu přitaveny nebo kdy jsou přeneseny na jiný povrch, k čemuž dochází v čase za svislicí 50.. This third (tinting) zone F lasts for about one second. In this third zone F, the exposure is already complete and the latent image which is formed after exposure and which is fully developed at the time defined by the vertical line 44 is subjected to the tinting pigment particles. There must be sufficient time in this third zone F to move relative to the electrophotographic member and tinted pigment particles towards each other and to adhere said tinted pigment particles to the surface of the electrophotographic member. In addition, they must. the charge on the surface of the electrophotographic member formed by the charge remaining on the surface due to the dark or partial darkness is large enough to cause the tinting pigment particles to adhere to the surface of the electrophotographic member. to this surface are fused or transferred to another surface, which occurs after the vertical 50.
Je třeba si všimnout, že zbytkový náboj 48 způsobí přilnutí částic tónovacího pigmentu dokonce i v případě, kdy na povrch elektrofotografického členu dopadá velmi jasné světlo. V důsledku toho je téměř nemožné získat v konečném obrazu bílé plochy. Podobně křivka 42 vybíjení za temna, v místě vymezeném svislicí 50, poměrně rychle klesá z maximálního potenciálu 36, takže je rovněž obtížné získat správně vybarvené černé plochy. Šedá stupnice mezi těmito dvěma extrémy nemá rovněž fotografickou kvalitu.It should be noted that the residual charge 48 causes the tinting pigment particles to adhere, even when very bright light falls on the surface of the electrophotographic member. As a result, it is almost impossible to obtain white areas in the final image. Similarly, the dark discharge curve 42, at the point delimited by the perpendicular 50, decreases relatively quickly from the maximum potential 36, so that it is also difficult to obtain properly colored black areas. The gray scale between these two extremes is also not photographic.
Další nevýhodou známých elektrofotografických filmů je fotovodivostní setrvačnost.Another disadvantage of known electrophotographic films is the photoconductivity inertia.
Tento jev je charakteristický tím, že když se v okamžiku daném Svislicí - 44 přeruší expozice, pokračuje vybíjení ještě určitý . okamžik jako při. expozici. Tento jev'; probíhá s různou intenzitou v závislosti na typu použitého materiálu. Uvedený efekt je graficky ilustrován pozvolnou extrapolací vybíjecích křivek 46‘, 46“, 46‘“ do třetí zóny F dříve' než tyto křivky dostanou typický charakter vybíjení za temna. Jak bude později ukázáno, povlaky zhotovené způsobem podle vynálezu tuto setrvačnost nevykazují. Odpovídající přechod z vybíjení . za světla do vybíjení za temna je ostrý a rychlý. To umožňuje krátkou expozici a dosažení vysoké rozlišovací schopnosti. ;This phenomenon is characterized by the fact that when the exposure is interrupted at the moment given by Vertical-44, the discharge continues to be certain. moment like that. exposure. This phenomenon '; it proceeds with different intensity depending on the type of material used. This effect is graphically illustrated by the gradual extrapolation of the 46 ‘, 46,, 46‘ vybí discharge curves to the third zone F before these curves have the typical dark discharge pattern. As will be shown later, the coatings produced by the process according to the invention do not exhibit this inertia. Appropriate discharge from discharge. the light into the dark discharge is sharp and fast. This allows short exposure and high resolution. ;
Zařízení pro přitavení obrazu vytvořeného částicemi tónovacího pigmentu k povrchu elektrofotografického členu nebo pro přenesení tohoto obrazu je. známé.. V případě přitavení se eléktrofotografický člen vede skrze tónovací lázeň, která se , při provozU zařízení vyčerpává, takže se obraz stává stále světlejším. Kapalina se odpařuje nebo ýýsušujé z členu během přitavení. V případě přenosu obrazu se buben přitiskne proti listu .přenosového papíru a obraz sek papíru přitaví, zatímco se buben obrousí kartáčem a úplně vybije Jasným Světlem v případě potřeby, aby byl připraven pro zhotovení dalšího obrazu. · ...The apparatus for fusing or transmitting the image formed by the pigment pigment particles to the surface of the electrophotographic member is. In the case of fusing, the electrophotographic element is passed through a tinting bath, which is depleted during operation of the device, so that the image becomes lighter. The liquid evaporates or purges from the member during fusion. In the case of image transmission, the drum is pressed against the transfer paper sheet and the image of the paper is fused while the drum is abraded with a brush and completely discharged by Bright Light, if necessary, to be ready for the next image. · ...
' Eléktrofotografický film 16 podle vynálezu se nabije a exponuje způsobem, který jé i'lustrován na obrázku 3. Z obrázku 3 je patrné, že zobrazená napětí jsou podstatně nižší než napětí zobrazená na obrázku 2, a že pokud jde o tloušťku fotovodivého povlaku, je intenzita pole na jednotku tloušťky mnohém vyšší než v případě dosavadních fotovodivých vrstev. V případě fotovodivé vrsty podle... vynálezu má uvedená intenzita hodnotu přibližně rovnou 106 voltů na centimetr, Zlepšení, kterého se dosáhne nanášením rozprašováním za použití předpětí, je nejlépe patrné srovnáním obrázků 2 a 3. ...···.;The electrophotographic film 16 of the invention is charged and exposed in the manner illustrated in Figure 3. It can be seen from Figure 3 that the displayed voltages are substantially lower than the ones shown in Figure 2 and that, in terms of the thickness of the photoconductive coating, the field strength per unit thickness is much higher than in the prior art photoconductive layers. In the case of the photoconductive layer according to the invention, said intensity is approximately equal to 10 6 volts per centimeter.
Před provedením vlastního , , srovnání . . je třeba připomenout malý obdélník G v levé spodní části grafu ná obrázku 2. Tento obdélník je na obrázku 3 vynesen přibližně ve stejném měřítku jako na obrázku 2, pokud jde o stupnice na osách x a y. Rozsah napětí na ose obrázku 3 je pouhým zlomkem rozsahu napětí na obrázku 2. Přerušovaná čára 52, protínající, osu napětí u hodnoty 50 voltů, představuje na obrázku hladinu šumu v systémech, jejichž funkce je ilustrována tímto grafem, takže je zřejmé, že všechny děje, ke kterým dochází při použití fotovodivého filmu podle vynálezu, probíhají při napětích, která jsou pro aplikaci o sobě známých elektrofotografických filmů prakticky nepoužl· telná.Before making your own,, comparison. . the small rectangle G at the bottom left of the graph in Figure 2 should be recalled. This rectangle is plotted in Figure 3 at approximately the same scale as in Figure 2 with respect to the scales on the x and y axes. The voltage range on the axis of Figure 3 is just a fraction of the voltage range in Figure 2. The dashed line 52 intersecting the voltage axis at 50 volts represents the noise level in the systems whose function is illustrated by this graph, so it is clear that all the processes which occur when using the photoconductive film according to the invention, occur at voltages which are practically unusable for the application of the electrophotographic films known per se.
V systému podle vynálezu není žádný Šum,.There is no noise in the system according to the invention.
Rovněž je třeba si povšimnout toho, že ''případě použití elektrofotografického filmu podle vynálezu, ilustrovaného na obrázku 3, dochází ke. kompletnímu vytónování elektro195676 statického · obrazu, ještě předtím ' než ' u fotovodivého členu podle · známého stavu techni- ky dojde k dosažení ' jeho ' maximálního náboje, exponování a· tónování. —· ····It should also be noted that the electrophotographic film of the invention illustrated in Figure 3 is used. the full-screening of the electro195676 still image before the photoconductor element of the prior art achieves its maximum charge, exposure and tinting. - · ····
Obrázek 3 ilustruje funkce ' a charakteristiky foto vodivé · vrstvy ' typického elektrofotográfického filmu, který byl· Zhotoven způ- . sobem · -podle vynálezu, a který je· -použit- popsaným způsobem.Figure 3 illustrates the functions and characteristics of the photo conductive layer of a typical electrophotographic film that has been produced. According to the invention, it is used as described above.
Tloušťka povlaku, jeho · fotoélektrický výtěžek a poměr mezi charakteristikami · vybíjení za temna a za světla rezultují · ve velké· diferenci v · rozsahu času a · napětí, zobrazeného· · na grafu z obrázku· 3,· když ' se provede srovnání · š · obdobnými kvantitami fotovodjvé vrstvy typického elektrofotografického členu podle známého stavu techniky, · ilustrovaného na obrázku 2. Trvání jednotlivých · funkcí · je podstatně kratší.The thickness of the coating, its photoelectric yield and the ratio between the dark and light discharge characteristics result in a large difference in the time and voltage ranges shown in the graph of Figure 3 when the comparison is made Similar quantities of the photoconductor layer of a typical prior art electrophotographic member illustrated in Figure 2. The duration of the individual functions is considerably shorter.
Při použití, elektrofotografického · filmu ' podle vynálezu · se předpokládá, že se fotovodivá vrstva rychle nabije · na napětí, které je vyšší · než napětí odpovídající stavu nasycení.· Napětí 204 při stavu nasycení zobrazené na obrázku 3, je jen o málo menší než 40 voltů. Toto napětí je typické · pro lotovodivý povlak,· tvořený · sirníkeni kademnatým. Během prvních 300 milisekund vystoupí rezultující povrchový náboj z nuly na asi 52 V.Using the "electrophotographic film" of the invention, it is assumed that the photoconductive layer rapidly charges to a voltage that is higher than the voltage corresponding to the saturation state. · The voltage 204 at the saturation state shown in Figure 3 is only slightly less than 40 volts. This voltage is typical of the · lotion-conducting coating, · consisting of · cadmium sulfide. In the first 300 milliseconds, the resulting surface charge will rise from zero to about 52 V.
Nabíjecí · křivka 200 je v ' · podstatě lineární a · dosahuje ' svého · maxima . 202, které se nachází nad stavem · nasycení 204. Z maxima 202, ve · kterém má fotovodivá vrstva maximální náboj, · klesá potom povrchový potenciál filmu rychlostí, která ' je závislá na množství světla, kterému 'je film ' vystaven, · je-li nějakému světlu vystaven vůbec. Jestliže po dosažení maxima 202 se · film nachází v úplné temnotě, potom · sleduje povrchový poten ciál charakteristickou vybíjecí křivku · vybíjení za temná, danou pro použitý film a pro výchozí maximum 202. Vybíjecí křivka· za temna ' ' se skládá · ze ' dvou · sekcí; počáteční sekce · 206 je ve srovnání se zbývající sekcí 208 poměrně strmá.The charging curve 200 is substantially linear and reaches its maximum. 202, which is above the state of saturation 204. From the maximum 202 at which the photoconductive layer has a maximum charge, the surface potential of the film decreases at a rate which is' dependent on the amount of light to which the film is exposed. when exposed to any light at all. If, after reaching a maximum of 202, the film is in complete darkness, then the surface potential follows a characteristic discharge curve for the dark film given for the film used and a default maximum of 202. The discharge curve for the dark consists of two · Sections; the initial section · 206 is relatively steep compared to the remaining section 208.
Počáteční sekce 206 představuje ' vybití povrchového potenciálu· z napětí, kterého se dosáhne v okamžiku ukončení nabíjení, na napětí stavu nasycení 204. Toto vybití probíhá poměrně rychle vzhledem k tomu, 'že · na povrch fotovodivého povlaku byl přiveden náboj, který uvedený povrch není · schopen udržet po delší · - časový interval; nicméně jé třeba zdůraznit, že náboj je zadržen lépe než obvyklým elektrofotografickým filmem, jehož příklad je- popsán ve spojení s obrázkem 2. · · .The initial section 206 represents the discharge of the surface potential from the voltage reached at the time of charging to the saturation state 204. This discharge is relatively rapid because the surface of the photoconductive coating has been charged with a charge that is not · Able to hold for longer · - time interval; however, it should be emphasized that the charge is retained better than a conventional electrophotographic film, an example of which is described in connection with Figure 2.
Když se dosáhne stavu nasycení 204, to znamená, když počáteční ' sekce 206 vybíjecí křivky dosáhne bodu 210, uplyne pouze 600 milisekund. Při použití fotovodivé vrstvy, získané způsobem podle vynálezu, · probíhají jednotlivé děj.e celkového cyklu velmi.' rychle jak bude ještě vysvětleno.When the saturation state 204 is reached, that is, when the initial discharge curve section 206 reaches point 210, only 600 milliseconds elapse. When using the photoconductive layer obtained by the process according to the invention, the individual processes of the overall cycle are very large. quickly as will be explained.
Po- · dosažení stavu nasycení 204 se · sklon vybíjecí křivky za temna zmírní . a · vybíjení za · temna · od · tohoto okamžiku probíhá · menší rychlostí, jak je to pátrné- z obrázku 3. · Jestliže · tedy nabitý elektrofotógrafický film · není · vůbec osvětlen, · potom ' sleduje povrchový potenciál vybíjecí křivku, tvořenou · počáteční sekcí '206' a zbývající· sekcí 208.When the saturation state 204 is reached, the slope of the discharge curve diminishes in the dark. and · dark discharges · from now on, proceed at a slower rate as shown in Figure 3. · if the charged electrophotographic film is not illuminated at all, then it follows the surface potential of the discharge curve formed by the initial section '206' and the remaining section 208.
Křivka vybíjení · za světla · má · · rovněž ' dvě sekce, avšak její průběh není závislý; na stavu · nasycení 204,' protože extrémně vysoká \ rychlost vybíjení za světla · způsobuje · velmi rychlý· pokles povrchového --potenciálu· na hodnotu, · která se ·· nachází pod · .stavem nasycení ·204.'To · ·se .. děje ·· v.důsledku· · významné charakteristiky elektrofotografického filmu podle · vynálezu, tj. · v · důsledku · velkého fotovodivého · výtěžku. · Je-li · elektrofotógrafický film kompletně ·' osvětlen , · jasným-.'světlem,· potom · · během· 30 milisekund klesne ' · povrchové napětí podél·, křivky 212, která · je prakticky přímá, · do ohybu 214, - který · se nachází právě nad nulovým napětím. Napětí · se ' · potom· asymptoticky blíží · k nule · podél · křivky 216.,' Ve většině případů, · · je uvedená křivka 216 tak blízko ' · nule, že je ' prakticky nemožné změnit · hodnotu zbytkového potenciálu.The light discharge curve also has two sections, but its course is not dependent; at the saturation state 204 because the extremely high light discharge rate causes a very rapid drop in the surface potential to a value below the saturation state of 204. That is. This is due to the significant characteristics of the electrophotographic film of the invention, i.e. due to the high photoconductive yield. If the electrophotographic film is completely illuminated, with bright light, then the surface tension decreases within 30 milliseconds along the curve 212, which is practically straight, to a bend of 214, which is located just above zero voltage. The voltage then approaches asymptotically to zero along curve 216. In most cases, curve 216 is so close to zero that it is practically impossible to change the residual potential value.
Hustota · náboje, 'a · tedy i optická hustota, které by bylo ' dosaženo· při účinném tónování, je · maximální · v maximu · 202 -á minimální v ohybu 214.The charge density, and hence the optical density that would be achieved by effective tinting, is the maximum at the maximum of 202 and the minimum at the bend of 214.
Jelikož se elektrofotógrafický film podle vynálezu · exponuje přes obrazovou · podlohu, a jelikož ' tedy na · · něho v různých místech dopadá různé množství světla, bude · · vybíjení · v těchto · různých místech sledovat vybíjecí křivky, nacházející · se · někde mezi křivkami vybíjení za úplného temna a za jasného světla; tři · takové ' · křivky jsou zobrazeny na obrázku 3. Celková expozice · · -elektrofotografického filmu v příkladu · ilustrovaném na obrázku 3 trvá · · 30' milisekund, ' přičemž ' k · expozici' dochází 'mezi 0,3 a 0,33 · sekundy. . Je třeba poznamenat, že expozice · začíná bezprostředně potom, co bylo dosaženo· maxima · 202,. přičemž tato hodnota může ' být zvolena ve shodě s · množstvím světla, pravděpodobně poskytnutým podlohou, která má být reprodukována. ' Pro nízký světelný · průměr · by ' měl být povrchový náboj pokud možno vysoký k· dosažení co největšího. . rozdílu ' mezi ' vybíjením ' za· temna · a vybíjením za ' světla.· Pro · vysoký světelný průměr není zapotřebí tak' vysokého· povrchového náboje jako v předcházejícím případě.Since the electrophotographic film of the present invention is exposed over an image substrate, and therefore different amounts of light are incident at different locations, the discharge at these different locations will follow the discharge curves located somewhere between the curves discharge in complete darkness and bright light; three such curves are shown in Figure 3. The total exposure of the electrophotographic film in the example illustrated in Figure 3 lasts for 30 milliseconds with the exposure occurring between 0.3 and 0.33 · Seconds. . It should be noted that exposure · begins immediately after the maximum · 202 has been reached. this value may be selected in accordance with the amount of light likely provided by the substrate to be reproduced. For a low luminous diameter, the surface charge should be as high as possible to achieve maximum. . The difference between 'dark discharge' and 'light discharge.' Because of the high light diameter, not so 'high' surface charge is required as in the previous case.
Výšé uvedené tři křivky vybíjení za ' světla, ilustrující vybíjení tří míst na které · dopadlo odlišné · množství světla, představují · tři · od-, lišné situace. vybíjení povrchového potenciálu. · Na první místo dopadlo nejvíce světia, ávšak nikoliv zase tak · mnoho, jako · v případě · expozice 'maximálně jasným světlem, · přičemž vybíjení povrchového' . náboje · v ' · tomto. · místě probíhá podél ' křivky 217 během expozice a potom se toto místo· pó 0,33 · sekundy opět nachází v temnu. V ohybu · ' 218 úbytek potenciálu začne být · ' rovnoběžný ' · s křivkou ·208 rozpadu · za 'temna. Pokles napětí· bude tedy v · tomto · případě probíhat · po11The above three discharge light curves, illustrating the discharge of the three locations affected by different amounts of light, represent three different situations. discharge of surface potential. · Most light fell on the first place, but not as much as in the case of · exposure 'with the most bright light, while surface discharge'. charges in this. The site runs along curve 217 during exposure and then the site is again in the dark for about 0.33 seconds. In the bend · '218 the potential loss becomes'' parallel '' with the curve · 208 of decay · beyond the 'dark'. Thus, the voltage drop will occur in this case po11
195678 dle křivky 222, Celá křivka poklesu napětí v místě, které bylo ze všech třech míst osvětleno nejjasnějším světlem, je tedy tvořena křivkami 217 a 222.195678 according to curve 222, The whole voltage drop curve at a location that was illuminated by the brightest light of all three places is thus formed by curves 217 and 222.
Obdobně bude pokles napětí v místě, které bylo exponováno, méně intenzívním světlem, probíhat nejprve podle strmé křivky 224, charakterizující vybíjení fotovodivého povlaku v uvedeném,místě za-světla; v ohybu 226 dochází ke zlomu vybíjecí křivky a dále má vybíjení charakter vybíjení za temna, přičemž toto vybíjení probíhá podél křivky 230 nacházející se pod hladinou 228. Pokud j,de o pokles napětí v místě fotovodivévrstvy, které. bylo ze všech uvedených míst exponováno nejslabším světlem, probíhá uvedený pokles napětí nejprve podél křivky 232 až do ohybu 234 nacházejícího se na úrovni. napětí 238. Část vybíjecí křivky 208 za temna, probíhající pod uvedenou úrovní napětí, je zobrazena vpravo od bodu 238. Tato část křivky 288 může být potom posunuta do leva к bodu 234, přičemž potom znamená pokračování poklesu napětí při vybíjení uvedeného třetího místa fotovodivého povlaku elektrofotografického filmu; tato část křivky je označena vztahovou značkou 240. Křivky 206 a 208 jsou křivkami, podle kterých probíhá vybíjení fQtovodivé vrstvy v případě, že tato vrstva není vůbec osvětlena.Similarly, the voltage drop at a location that has been exposed to less intense light will initially follow a steep curve 224 characterizing the discharge of the photoconductive coating at that location of light; at the bend 226, the discharge curve breaks, and furthermore, the discharge has the character of a dark discharge, which discharges along a curve 230 located below the surface 228. If there is a drop in voltage at the photoconductive layer that is. of all of the above locations, the weakest light is exposed, said voltage drop occurs first along curve 232 up to bend 234 at level. The portion of the curve 208 in the dark extending below said voltage level is shown to the right of point 238. This portion of curve 288 may then be shifted to the left of point 234, thereby continuing to decrease the voltage while discharging said third location of the photoconductive coating. electrophotographic film; this part of the curve is indicated by 240. Curves 206 and 208 are curves according to which discharge of the conducting layer occurs when the layer is not illuminated at all.
Jak je to patrné z obrázku 3, může být s tónováním započato bezprostředně po ukončení expozice, tj„ po uplynutí 0,33 sekundy od započetí nabíjení, přičemž toto tónování může trvat až asi do jedné sekundy od začátku nabíjení. Tento čas je omezen rychlostí mechanického pohybu částic tónovacího pigmentu směrem к povrchu elektrofotografického filmu a schopností uvedených částic tónovacího pigmentu к povrchu uvedeného elektrofotografického filmu, v důsledku přitažlivé síly zbytkového náboje.As can be seen from Figure 3, tinting can begin immediately after the expiration of the exposure, i.e. "after 0.33 seconds have elapsed since the charging has begun, which tinting can last up to about one second from the start of charging. This time is limited by the speed of mechanical movement of the tinting pigment particles toward the surface of the electrophotographic film and the ability of said tinting pigment particles to the surface of the electrophotographic film, due to the attractive residual charge force.
Rezultující optické hustoty jsou určeny množstvím zbytkového náboje, a tedy v důsledku toho množstvím přilnutého tónovacího pigmentu; za výše uvedených podmínek může být dosaženo například následujících optických hodnot: v místě osvětleném nejjasnějším světlem, jehož vybíjení je dáno křivkami 212 a 216 poklesu náboje za světla, je -dosaženo optické hustoty 0,001 jednotky; у místě, jehož vybíjení je dáno křivkami 217 a 222 poklesu náboje za světla, je dosaženo optické hustoty 1,0; v místě, jehož vybíjení je dáno křivkami 224 a 230 poklesu náboje za světla, je dosaženo optické hustoty 1,5 a v místě, jehož vybíjení je dáno křivkami 232 a 240 poklesu náboje za světla je dosaženo optické hustoty 2,0. V místech fotovodlvé vrstvy, které nebyly vůbec osvětleny, a ve kterých probíhá vybíjení pódél Křivek 206 a 208 vybíjení za temna, se dosáhne optické hustoty 2,5.The resulting optical densities are determined by the amount of residual charge and hence the amount of tinted pigment adhered; under the above conditions, for example, the following optical values may be obtained: at an area illuminated by the brightest light, the discharge of which is given by the light charge curves 212 and 216, an optical density of 0.001 units is reached; an optical density density of 1.0 is achieved at the point where the discharge is determined by the charge-drop curves 217 and 222; an optical density of 1.5 is reached at the point where the discharge is determined by the light charge curves 224 and 230, and an optical density at the point where the discharge is determined by the light charge curves 232 and 240, the optical density is 2.0. An optical density of 2.5 is achieved at the points of the photoconductive layer, which were not illuminated at all, and in which discharge in the dark of discharge curves 206 and 208 takes place.
Aby bylo srovnání mezi grafy, zobrazenými na obrázcích 2 a 3 úplné, je třeba poznamenat, že u elektrofotografického členu podle vynálezu není žádné zbytkové napětí, jak je. to patrné z obrázku 3. V důsledku toho jsou místa, fotovodivého povlaku; která byla osvětlena jasným světlem, bez náboje; tato místa jsou po nanesení tónovacího pigmentu prosta tohoto pigmentu a představují jasně bílá místa reprodukce. Rovněž pokles ríáboje během tónování činí nejvýše jeden nebo dva volty a napětí povrchu fotovodlvé vrstvy v daném místě je tedy během tónování v podstatě zachováno na hodnotě, které bylo dosaženo bezprostředně po expozici; v důsledku toho se v místech, jejichž vybíjení je dáno křivkou 208 vybíjení za temna, zadrží dostatečný náboj к vytvoření dokonale sytých míst po nanesení tónovacího pigmentu. Průběh vybíjení na místech, která byla exponována světlem; jehož intenzita se nachází někde mezi nulovou světelnou intenzitou a maximálně jasným světlem, je mírně klesající, což dává plynulou šedou stupnici, a tedy 1 extrémně vysokou kvalitu vytvořeného obrazu. Anisotropie fotovodivého povlaku je taková, že dosažená rozlišovací schopnost se vyrovná rozlišovací schopnosti většiny jemnozrnných fotografických filmů nebo jí dokonce předčí, Při použití elektrofotografického členu podle vynálezu bylo dosaženo rozlišení 1000 čar na milimetr.In order to make the comparison between the graphs shown in Figures 2 and 3 complete, it should be noted that there is no residual voltage as it is in the electrophotographic element of the invention. This can be seen from Figure 3. As a result, there are locations of the photoconductive coating; which was illuminated by bright light, without charge; they are devoid of pigment after application of the tinting pigment and represent bright white reproduction areas. Also, the drop in the charge during tinting is at most one or two volts, and the surface tension of the photoconductor layer at a given location is thus substantially maintained during tinting at the value immediately after exposure; as a result, at the locations whose discharge is given by the dark discharge curve 208, sufficient charge is retained to create perfectly saturated locations upon application of the tinting pigment. The course of discharge in places that have been exposed to light; whose intensity is somewhere between zero light intensity and maximum bright light, it is slightly decreasing, giving a smooth gray scale and thus 1 extremely high image quality. The anisotropy of the photoconductive coating is such that the resolution obtained is equal to or even superior to that of most fine-grained photographic films. A 1000 lines per millimeter resolution has been achieved using the electrophotographic member of the invention.
. Nabíjení podle nabíjecí křivky 200 na povrchový potenciál vyšší než nasycené napětí 204 budě použito za světelných podmínek, při kterých je žádoucí, aby elektrofotografický film s fotovodivou vrstvou podle vynálezu měl maximální citlivost. К tomu dochází v případech, kdy je к dispozici pro exponování minimální světlo. Pro lepší světelné podmínky není zapotřebí nabíjet fotovodivý povlak tak vysoko a nabíjení, probíhající podél nabíjecí křivky 200, se zastaví již při dosažení nižších potenciálů, které jsou často nižší než nasycené napětí. Pro všechny elektrofotografické členy je typické, že při nižších povrchových nábojích je zapotřebí delších tónovacích časů к zajištění optimál, .ní přilnavosti tónovacího pigmentu. Tónovací časy mohou být zkráceny elektrostatickou projekcí tónovacího pigmentu na nabitý povrch foto vodivé vrstvy, za použití stejnosměrných potenciálů mezi zdrojem částic tónovacího pigmentu a uvedeným povrchem.. Charging according to the charging curve 200 to a surface potential higher than the saturated voltage 204 will be used under lighting conditions in which it is desirable that the electrophotographic film with the photoconductive layer of the invention has maximum sensitivity. This occurs when there is minimal light available for exposure. For better lighting conditions, it is not necessary to charge the photoconductive coating so high and the charging running along the charging curve 200 stops even when lower potentials, often lower than the saturated voltage, are reached. It is typical of all electrophotographic elements that, at lower surface charges, longer tinting times are required to ensure optimum adhesion of the tinting pigment. The tinting times may be shortened by electrostatically projecting the tinting pigment onto the charged surface of the photo conductive layer, using DC potentials between the tinting pigment particle source and said surface.
Důležitou charakteristikou foťovodivé vrstvy podle vynálezu, patrnou z grafu na obrázku“3, je strmost vybíjecích křivek 232, 224, 217 a 212, která znamená velmi rychlé vybíjení fotovodlvé vrstvy při jejím exponování; ostrost ohybů 234, 226, 218 a 214 znamená, že po ukončení expozice dochází к okamžitému přerušení vybíjení, probíhajícího podle charakteristické křivky vybíjení za světla, а к okamžitému přechodu na vybíjení, probíhající podle charakteristické křivky vybíjení za temna. Jestliže se fotovodivá vrstva exponuje maximálně jasným světlem na nulový povrchový potenciál, znamená to, že se získá čistě bílé pozadí, přičemž mezi tímto pozadím a nejsytějším místem se vzhle19 5-67 6 dem k · výše uvedeným · charakteristikám fotovodívé vrstvy podle!· vynálezu · dosáhne plynulé šedé stupnice polostínů. Poměrné malá · strmost . křivek.206,; 240, 230 a . 222 vybíjení za temna znamená schopnost zadržet .náboj, · což poskytuje čas . nezbytný ,k tónování elektrostatického, obrazu á ke kontrole · tónovaného obrazu.An important characteristic of the photoconductive layer of the invention seen in the graph in Figure 3 is the steepness of the discharge curves 232, 224, 217, and 212, which means very rapid discharge of the photoconductive layer when exposed; The sharpness of the bends 234, 226, 218, and 214 means that, at the end of exposure, the discharge is immediately interrupted according to the characteristic light discharge curve and the instantaneous transition to discharge is based on the characteristic dark discharge curve. If the photoconductive layer is exposed to maximum bright light at zero surface potential, this means that a pure white background is obtained, with the abovementioned characteristics of the photoconductive layer according to the invention between this background and the most saturated point. reaches a smooth gray scale of penumbra. Relatively small · steepness. křivek.206 ,; 240, 230 and. 222 discharging in the dark means the ability to retain charge, which provides time. necessary to tint the electrostatic image and to control the tinted image.
Graf na · obrázku 4 ilustruje spektrální odezvu verš, · propustnost o . sobě známé vrstvy sirníku kademnatého a fotovodivé vrstvy 12 podle vynálezu. Na vertikální ose. je vynesena propustnost y · procentech [od.. nuly, do 100 % ] · a na horizontální · ose je vynesena vlnová délka v μτη. Viditelná část .spektra , je na uvedeném grafu vymezena svislicemi 250 a 252. Křivka 254 znamená odezvu fotovbdlvé vrstvy sirníku kademnatého, nanesenou zplešeným způsobem podle vynálezu; tloušťka tohoto povlaku, měřená interferpmetrickou metodou, je 0,4120 μτη. Křivka 258 ilustruje odezvu o sobě známé.vrstvy sirníku kademnatého, nanesené konvenční metodou nanášením rozprašováním. Tloušťka tohoto povlaku je asi · 0,5 um.. Je třeba poznamenat; že fotovodlvá vrstva podle vynálezu j.e · zcela . automaticky panchromatická, zatímco fotovodivá vrstva podle známého stavu . techniky panchromatická výlučně není. Navíc dosavadní fotovodlvá vrstva sirníku kademnatého nemá některé nezbytné vlastnosti, zejména akceptibilitu náboje, fotovodivý výtěžek, · vysokou odolnost, které jsou nutné pro výše popsané použití. .The graph in Figure 4 illustrates the spectral response of the verse. the cadmium sulfide layers and the photoconductive layer 12 according to the invention known per se. On the vertical axis. the transmittance y · percent [from .. zero to 100%] is plotted · and the wavelength in μτη is plotted on the horizontal axis. The visible portion of the spectrum is delineated by the vertical lines 250 and 252 in the above graph. Curve 254 represents the response of the photovoltaic cadmium sulfide layer deposited in the composite manner of the invention; the thickness of this coating, measured by the interferpmetric method, is 0,4120 μτη. Curve 258 illustrates the response of the cadmium sulfide layer known per se, deposited by the conventional spray coating method. The thickness of this coating is about · 0.5 µm. The photovoltaic layer according to the invention is completely. automatically panchromatic, while the photoconductive layer of the prior art. technique is not exclusively panchromatic. In addition, the prior art photo-cadmium sulfide layer does not have some of the necessary properties, in particular charge acceptability, photoconductive yield, and the high resistance required for the above-described use. .
Vysoký fotovodivý výtěžek fotovodivé, vrstvy 12· umožňuje zjednodušený způsob vybíjení uvedené vrstvy, který bude ilustrován s odkazy na obrázek 6. Elektrofotografieký film 10 má .· podložku ·16, ohmickou vrstvu 14 kysličníku india a fótovodivou vrstvu 12. vV daném případě není zapotřebí vytvořit spojení typu, který. je ilustrován jako · spojení 18 na obrázku 1., , Není již zapotřebí vytvořit na kraji filmu výstup tvořený -proužkem obnažené ohmické vrstvy, zhotoveného maskováním · odpovídajícího proužku ohmické vrstvy při nanášení fotovodivé vrstvy; namísto toho mohou být okraje filmu úplně jednoduše seříznuté tak, jak k tomu dochází při odstřižení elektrofotografického filmu 10 z pásu vystupujícího z komory pro nanášení rozprašováním. Pro názornější pochopení jsou rozměry filmu, stejně jako,v případě filmu na obrázku 1, přehnaně zvětšeny. Jak je to patrné z obrázku 6, je v přímém kontaktu s fotovodivou vrstvou 12, a to s jejím povrchem 28, kovový rámeček 70, který je uzemněn. Jestliže fotovodivá vrstva není nabita, potom odpor mezi rámečkem 70 a ohmickou , vrstvou 14 je extremně vysoký. Za těchto podmínek je fotovodivá vrstva 12 dobrým izolátorem. Jestliže se fotovodivá , vrstva 12 nabije, jsou izolační · vlastnosti této vrstvy za temna ještě znamenité, protože její měrný odpor za tmy je řádově roven 1012 ohm. . cm. · V důsledku toho ještě nedochází k prakticky žádnému elektrickému spojení mezi rámečkem 70 a. ohmickou vrstvou 14, tak '' · · К .. ' ' že mezi těmito prvky nedochází · k · průtoku · proudu. Jakmile sp však povrch 28 obrazově · exponuje, · stává se fotovodivá vrstva · 12 vysoce:, vodivou, · takže jestliže · je uvedená vrstva, v 'bllzkosti · rámečku 70 a · je současně osvětlená, .'dochází k · elektrickému spojení ohmické · vrstvy · 14 · a „rámečku 70 prostřednictvím fotovodivé · vrstvy. 12. Takto se tedy může dosáhnout požadovaného .vybití. . .The high photoconductive yield of the photoconductive layer 12 allows for a simplified method of discharging said layer, which will be illustrated with reference to Figure 6. The electrophotographic film 10 has a substrate 16, an ohmic indium oxide layer 14 and a photoconductive layer 12. v create a connection type that. It is illustrated as the connection 18 in Figure 1. instead, the edges of the film can be simply cut off as it happens when cutting the electrophotographic film 10 from the strip exiting the spray application chamber. For better understanding, the dimensions of the film, as well as, in the case of the film of Figure 1, are exaggerated. As can be seen from Figure 6, the metal frame 70, which is grounded, is in direct contact with the photoconductive layer 12 and its surface 28. If the photoconductive layer is not charged, then the resistance between the frame 70 and the ohmic layer 14 is extremely high. Under these conditions, the photoconductive layer 12 is a good insulator. If the photoconductive layer 12 is charged, the insulating properties of this layer in the dark are still outstanding because its resistivity in the dark is of the order of 1012 ohms. . cm. As a result, there is practically no electrical connection between the frame 70 and the ohmic layer 14, so that there is no current flow between these elements. However, once the surface 28 is visually exposed, the photoconductive layer 12 becomes highly conductive, so that if said layer is close to the frame 70 and is simultaneously illuminated, the ohmic electrical connection occurs. and the frame 70 through the photoconductive layer. 12. Thus, the desired discharge can be achieved. . .
. V případě potřeby · může mít · optický .sy. stém zařízení .některé prostředky k · zajištění toho, aby fotovodivá vrstva 12 v blízkosti rámečku 70 nebyla ve tmě během expozice nebo byla osvětlena maximem světla k · dovršení vybíjecího cyklu. Samotná fotovodivá vrstva nemusí být nanesena ha podložku, ;· která je tenká, průhledná a ohebná. Lze ji například · nanést na skléňěnou podložku á připravit skleněné diapozitivy nebo skleněné elektrofotográfické členy. Rovněž· může být na-nášena přímo na kovové · disky nebo válce a · podobně, pro záznamové a · paměťové účely. Rovněž ji může být použito při výrobě obvodových · prvků aktivovaných světlem a podobně. Jedním z nejdůležitějších použití však je náhrada za fotografické filmy; bez jejich typických nevýhod. Materiál, ze· kterého je zhotoven elektrofo'tografický film podle vynálezu, · může mít zlepšený výtěžek, a to dokonce do stupně vyššího než se dosáhne · nanášením rozprašováním za· · použití předpětí a to pečlivým dotováním. Jako dotační složku lze použít měď; nicméně může být použito i · jiných · dotačních složek, jako například jodovodíku.. If necessary, it can have an optical .sy. Some means to ensure that the photoconductive layer 12 near the frame 70 is not in the dark during exposure or is illuminated by a maximum of light to complete the discharge cycle. The photoconductive layer alone need not be applied to a substrate that is thin, transparent, and flexible. For example, it can be applied to a glass substrate and glass slides or glass electrophoretic members can be prepared. It can also be applied directly to metal discs or cylinders and the like for recording and storage purposes. It can also be used in the manufacture of light-activated peripheral elements and the like. However, one of the most important uses is the replacement for photographic films; without their typical disadvantages. The material from which the electrophoretic film of the invention is made can have an improved yield, even to a degree higher than that achieved by spraying with biasing, by careful doping. Copper can be used as a subsidy component; however, other dopant components such as hydrogen iodide may also be used.
Mezi · chemikálie, které jsou vhodné pře použití jako materiál fotovodivé vrstvy, lze zahrnout podvodný · sirník zinku a india · (ZnlnzSá), sirník arzenitý (AS2S3),' selenid zinečnatý (ZnSé),.Among the chemicals that are suitable for use as the photoconductive layer material are zinc and indium sulfide (ZnS2), arsenic sulfide (AS2S3), zinc selenide (ZnSe).
telurid zinečnatý (ZnTe),· selenid kademnatý (CdSe),.zinc telluride (ZnTe), cadmium selenide (CdSe) ,.
telurid kademnatý (CdTe), . arsenid galnatý (GaAs),.cadmium telluride (CdTe),. gallium arsenide (GaAs).
. sirník antimonitý (SbzSs).. antimony sulfide (SbzSs).
Rovněž může · být použito i jiných vhodných materiálů a jejich směsí. V každém případě jde o sloučeniny, které jsou známé jako fotovodiče. Předpokládá se, že všechny uvedené materiály budou aplikovatelné vysokofrek. venčním rozprašováním, za použití předpě tí · k dosažení - · popsaných výsledků, i když snad nikoliv tak dobrých jako za použití sirníku kademnatého. Tyto sloučeniny· mohou být dosti snadno testovány tím, že se z nich zhotoví · terče a/nebo se zavedou chemikálie do komory pro nanášení rozprašováním jako plyny nebo se nechají sublimovat. Přitom je třeba dbát krajní opatrnosti při zajištění toho, aby · vnitřek komory a všechny jeho vnitřní prvky byly úzkostlivě · čisté, a aby při výrobě terčů bylo postupováno · s krajní pečlivostí. Jestliže je přítomno byť i několik ppm ..nečistot, může, se dosáhnout velmi nepříznivých výsledků.Other suitable materials and mixtures thereof may also be used. In any case, they are compounds known as photoconductors. It is contemplated that all of the above materials will be applicable to high frequency. by external spraying, using preloads to achieve the described results, although perhaps not as good as using cadmium sulfide. These compounds can be fairly easily tested by making targets and / or introducing chemicals into the spray chamber as gases or allowing them to sublime. In doing so, extreme care must be taken to ensure that · the interior of the chamber and all its internal elements are meticulously clean and that the targets are manufactured with extreme care. If even a few ppm of impurities are present, very unfavorable results can be obtained.
195 67 В195 67 В
Claims (4)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US37818073A | 1973-07-11 | 1973-07-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS195676B2 true CS195676B2 (en) | 1980-02-29 |
Family
ID=23492074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS74222A CS195676B2 (en) | 1973-07-11 | 1974-01-14 | Method of making the electrographic film |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| AR (1) | AR200750A1 (en) |
| AT (1) | AT350898B (en) |
| BE (1) | BE808273R (en) |
| CA (1) | CA1021185A (en) |
| CH (1) | CH596578A5 (en) |
| CS (1) | CS195676B2 (en) |
| DK (1) | DK661373A (en) |
| ES (1) | ES425676A1 (en) |
| FI (1) | FI374373A7 (en) |
| FR (1) | FR2237227A2 (en) |
| HU (1) | HU174902B (en) |
| IE (1) | IE40612B1 (en) |
| IL (1) | IL43826A (en) |
| IT (1) | IT1046489B (en) |
| NL (1) | NL182514C (en) |
| SE (1) | SE407472B (en) |
| ZA (1) | ZA739201B (en) |
-
1973
- 1973-12-04 ZA ZA739201A patent/ZA739201B/en unknown
- 1973-12-05 FR FR7343455A patent/FR2237227A2/en active Granted
- 1973-12-05 FI FI3743/73A patent/FI374373A7/fi unknown
- 1973-12-05 BE BE138564A patent/BE808273R/en active
- 1973-12-05 NL NLAANVRAGE7316643,A patent/NL182514C/en not_active IP Right Cessation
- 1973-12-06 AR AR251398A patent/AR200750A1/en active
- 1973-12-06 DK DK661373A patent/DK661373A/da not_active Application Discontinuation
- 1973-12-06 CA CA187,532A patent/CA1021185A/en not_active Expired
- 1973-12-06 CH CH1709073A patent/CH596578A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-12-06 IE IE2214/73A patent/IE40612B1/en unknown
- 1973-12-06 SE SE7316464A patent/SE407472B/en unknown
- 1973-12-06 IT IT54145/73A patent/IT1046489B/en active
- 1973-12-16 IL IL43826A patent/IL43826A/en unknown
-
1974
- 1974-01-10 HU HU74CO296A patent/HU174902B/en unknown
- 1974-01-14 CS CS74222A patent/CS195676B2/en unknown
- 1974-04-25 ES ES425676A patent/ES425676A1/en not_active Expired
- 1974-07-10 AT AT569074A patent/AT350898B/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL43826A (en) | 1978-01-31 |
| IE40612B1 (en) | 1979-07-18 |
| ZA739201B (en) | 1974-10-30 |
| AR200750A1 (en) | 1974-12-13 |
| NL182514C (en) | 1988-03-16 |
| CA1021185A (en) | 1977-11-22 |
| AT350898B (en) | 1979-06-25 |
| ES425676A1 (en) | 1976-12-16 |
| CH596578A5 (en) | 1978-03-15 |
| SE407472B (en) | 1979-03-26 |
| FI374373A7 (en) | 1975-01-12 |
| BE808273R (en) | 1974-06-05 |
| ATA569074A (en) | 1978-11-15 |
| DK661373A (en) | 1975-02-24 |
| SE7316464L (en) | 1975-01-13 |
| FR2237227A2 (en) | 1975-02-07 |
| HU174902B (en) | 1980-04-28 |
| IT1046489B (en) | 1980-06-30 |
| NL182514B (en) | 1987-10-16 |
| IE40612L (en) | 1975-01-11 |
| FR2237227B2 (en) | 1982-03-19 |
| NL7316643A (en) | 1975-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4378417A (en) | Electrophotographic member with α-Si layers | |
| CA1152801A (en) | Electrophotographic member including a layer of amorphous silicon containing hydrogen | |
| US4025339A (en) | Electrophotographic film, method of making the same and photoconductive coating used therewith | |
| US2687484A (en) | Photoconductive target | |
| US4365013A (en) | Electrophotographic member | |
| US2976144A (en) | Electrophotography | |
| DE2821478A1 (en) | IMAGE CHARGE RELAXATION IN ELECTROPHORETIC DISPLAYS | |
| US4513073A (en) | Layered photoconductive element | |
| US4170475A (en) | High speed electrophotographic method | |
| US4202937A (en) | Electrophotographic photosensitive member having no fatigue effect | |
| CS195676B2 (en) | Method of making the electrographic film | |
| US4518671A (en) | Electrophotographic photosensitive Se or Se alloy doped with oxygen | |
| JPS609261B2 (en) | Electrophotographic film article and method for manufacturing the same | |
| US4242433A (en) | High speed electrophotographic medium | |
| US4152747A (en) | Ionization promoting electrode and method for increasing ionization efficiency | |
| US5345093A (en) | Graded bandgap semiconductor device for real-time imaging | |
| US3020432A (en) | Photoconductive device | |
| DE2360909C3 (en) | Process for the production of an electrophotographic recording material | |
| US4010031A (en) | Electrophotographic system | |
| US4092160A (en) | Ion modulator having bias electrode for regulating control fields | |
| GB1570460A (en) | Multilayer photoactivated switch | |
| FR2539522A1 (en) | PHOTOCONDUCTIVE ELEMENT | |
| JPS6194054A (en) | Photoconductive member | |
| US4155640A (en) | High speed electrophotographic imaging system | |
| JPS5863943A (en) | Electrophotographic receptor |