CN85205673U - 半导体钾离子传感器 - Google Patents
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Abstract
半导体钾离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头,它是由Mos管、敏感膜、电极杆组成,其特征是敏感膜用双冠醚组成,Mos管引出的探头接口处,用硅橡胶密封,能专一性的测定待测液钾离子活度。该电极具有性能稳定、灵敏度高等优点。
Description
本发明属于一种电化学分析仪器。
目前国内无半导体钾离子传感器,国外,现有的半导体钾离子传感器是由MOS管、敏感膜、电极杆组成。其技术特征是MOS管的栅极上直接涂复敏感膜,由于封装技术不完全,电极测试时MOS管与待测液直接接触,电极性能不稳定,电极重现性差,电极寿命短。
本发明的任务是研制出一种全固态的半导体钾离子传感器,具有体积小,响应速度快、重现性好、寿命长、测试液少等特点。
为了达到上述目的,本发明需解决的技术方案是在MOS管栅极上引出一根铂丝,然后用乙醇和乙醚反复处理铂丝表面,再用10-30mg双冠醚,加6m15%四氢呋喃PVC粉溶液和19滴邻苯二甲酸二丁酯配制成透明溶液,涂复在铂丝上形成一层敏感膜,MOS管与铂丝的接口处用硅橡胶封闭,整个MOS管和铂丝又与塑料电极杆呈可折卸式组装,将涂有敏感膜的铂丝暴露在空气中,该电极的技术特征是避免MOS管与测试液直接接触,克服了国外半导体K+离子传感器在测定时电极重现性差、寿命短的缺点,由于只涂有敏感膜的铂丝与测试液接触,因此测试液用量少,MOS管与电极杆可折卸式组装有利于电极探头的互换。
由于采用本发明的技术手段,钾离子半导体传感器与离子计通用,本电极的性能指标如下:
线性范围 1×10-2~5×10-6M
检测下限 5×10-6M
灵敏度 54±1mv/PK(10℃)
转换系数 95.6%
响应时间<5秒
重现性:在10-3M和10-2M溶液中反复测定三次,平均误差不大于±0.5。
漂 移:在10-3MK+标准溶液中连续5小时漂移小于±1mv。
本发明的实施例是按下列顺序制作而成:1.称取30毫克双冠醚〔2-辛氧基-4,6-二(4′-亚氨基苯并-15-冠-5)三嗪〕加6毫升5%PVC粉四氢呋喃溶液和1毫升邻苯二甲酸二丁酯配成透明溶液。2.由3D01E型MOS管栅引出一根铂丝,铂丝长2.5厘米,直径0.4毫米,用乙醇和乙醚分别清洗铂丝两次,将该MOS管组装在聚四氟乙烯的套管内,MOS管上源、漏两级分别用导线引出组成探头。此探头可插入金属钢笔套内,套的另一端有接口插座,可直接与测量仪器相连接。3.铂丝与聚四氟乙烯接口处用硅橡胶密封。4.将探露出的铂丝浸渍于配制的透明溶液中,立即取出凉干,如此重复数次。使铂丝表明形成一层敏感膜,其厚度约100μn时为止。
图1.半导体钾离子传感器示意图
1.涂有敏感膜的铂丝
2.MOS管
3.电极杆
图2.半导体钾离子传感器MOS管原理图
1.源极 2.漏极 3.铝引线 4.敏感膜
5.绝缘栅
图3.半导体钾离子传感器和参比电极构成的测量电池
工作示意图
1.离子计 2.半导体钾离子传感器
3.参比电极 4.待测液
图4.用焰法、离子选择电极法和半导体钾离子传感器法
测定正常人血清中钾离子浓度,结果对照。见图4。
1.火焰法:平均值±2SD
4.12±0.61×10-3M
2.离子选择电极法:平均值±2SD
4.36±0.76×10-3M
3.半导体钾离子传感器法:平均值±2SD
4.03±0.68×10-3M
Claims (2)
1、一种由MOS管、敏感膜、电极杆所组成的半导体钾离子传感器,其特征是:用乙醇和乙醚预先处理,由MOS管栅极上引出的铂丝,然后在铂丝上涂复由双冠醚、四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成的敏感膜,MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成传感器的探头。
2、根据权利要求1所述的半导体钾离子传感器,其特征是MOS管制成的探头与电极杆采用可拆卸式组装。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 85205673 CN85205673U (zh) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半导体钾离子传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 85205673 CN85205673U (zh) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半导体钾离子传感器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN85205673U true CN85205673U (zh) | 1988-02-10 |
Family
ID=4800685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 85205673 Ceased CN85205673U (zh) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | 半导体钾离子传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN85205673U (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102659969A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-09-12 | 南京大学 | 一种基于点击化学的具有钾离子选择性的功能化高分子传感材料及其应用 |
CN101294927B (zh) * | 2007-04-27 | 2013-07-31 | 株式会社日立高新技术 | 离子浓度测定装置及离子浓度测定元件 |
CN106769613A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-05-31 | 苏州康磁医疗科技有限公司 | 一种基于qcm的钾离子传感器的制备 |
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1985
- 1985-12-11 CN CN 85205673 patent/CN85205673U/zh not_active Ceased
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CN102659969B (zh) * | 2012-05-15 | 2013-10-30 | 南京大学 | 一种基于点击化学的具有钾离子选择性的功能化高分子传感材料及其应用 |
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CN106769613B (zh) * | 2017-01-13 | 2019-09-24 | 中科康磁医疗科技(苏州)有限公司 | 一种基于qcm的钾离子传感器的制备 |
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