CN85102765B - 一种小型流体传感器 - Google Patents
一种小型流体传感器Info
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- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009429 distress Effects 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明属于压力测量技术领域。此小型流体传感器的力敏元件是利用半导体压阻效应,采用集成电路工艺制成。为提高成品率,在(001)晶面上沿<110>晶向集成八个力敏电阻,可构成四组电桥。该传感器采用了全密封结构,将密封的不锈钢膜片直接焊在端盖上,并采用螺帽压接结构,便于观察和清洗膜片。力敏元件的安装是采用两个“O”型密封圈将其固定在主体上,这样可消除外界干扰力的影响。
Description
本发明属于压力测量技术领域。
流体传感器是利用半导体材料硅的压阻效应,将流体压力信号转为电信号。这种流体传感器主要由两部分组成。一是半导体力敏元件,二是腔体。目前已有半导体力敏元件是在硅杯弹性膜上直接集成一个电桥电路,其集成电桥版图设计方案有两种。一种是如US 4065971、US 4050313将力敏电桥分组分布在硅杯弹性膜的边缘,这种方案的优点是输出大,并在零压力情况下,根据电桥的各个电阻阻值和绝缘电阻的二个参数,选取绝缘电阻为最大、电阻数值相差为最小的四组力敏电阻中优选一组好的,缺点是硅杯大。还有一种如JP-A-56133877将力敏电阻分布在截面为E型的硅杯薄膜上,这种方案的优点是线性度好,缺点是加工工艺复杂。腔体是流体传感器另一个组成部分,为保护力敏元件不受环境与被测流体的沾污,通常是将半导体力敏元件密封于硅油中,一般用不锈钢膜片作为感压膜片,此膜片和端盖形成一个外腔室。当流体进入外腔室时,其压力由感压膜片通过硅油传给半导体力敏元件。通常弹性膜片焊接在一个膜片支承架上,再通过密封圈与端盖形成一个外腔室,如US 4135408就是采用这种结构。力敏元件的安装方式有两种。一种是直接固定在底座上,如US 4050313。这种安装方式的缺点是当腔体受干扰外力作用时,力敏元件也会受到干扰。另一种是将弹性元件固定在隔离膜片上,如US 4135408的结构,虽然这种安装方式可以防止来自外界干扰通过腔体干扰力敏元件,但是结构复杂,对小型流体传感器就显得不适用了。针对以上版图图案、外腔室构成、力敏元件安装存在的问题,同时又结合小型流体传感器体积小的特点,本发明提出一种新的解决方案。
本发明的要点在于一是采用如附图一所示的版图图案。在整体硅杯的硅膜上扩散八个力敏电阻,即附图一中(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)、(7)、(8)。其中力敏电阻(1)、(4)、(5)、(8)分布在径向0.8~0.98r之间(r为硅杯半径)。力敏电阻(2)、(3)、(6)、(7)分布在切向0.5~0.6r之间。以上八个力敏电阻均分布在单晶硅(001)晶面<110>晶上。(1)、(2)、(3)、(4)为一组,(3)、(4)、(5)、(6)为一组,(5)、(6)、(7)、(8)为一组,(1)、(2)、(7)、(8)为一组,形成惠斯登桥。二是采用如附图二所示的外腔室结构。图中1为端盖,2为紧固螺帽,3为流体接口,4、6、9、10、为直径不同的“O”型密封圈,5为不锈钢膜片,7为主体,8为力敏元件,11为压板。
本发明与已有技术相比其优点在于一是在版图图案设计上,巧妙利用四个力敏电阻正负应力差,从而提高了电桥输出灵敏度,有利于减小硅杯尺寸。仅用八个力敏电阻,可组成四组电桥,有利于提高成品率。由于八个力敏电阻分散分布,有利于散热和减少局部过热,也有利于减小温度漂移。二是将不锈钢膜片5直接焊在端盖1上减少密封环节,密封效果好,同时节省材料,减少体积。旋下紧固螺帽2,取下流体接口3,可直接观察膜片5,同时也便于清除膜片上的沉积物,保证测量精度。三是力敏元件与主体的安装方式是将附图二中力敏元件8放置在“O”型密封圈9上,压板11通过“O”型密封圈10压紧力敏元件8和主体7形成弹性连接。由于采用弹性连接,有利于排除作用到力敏元件8上的外界干扰力。
发明人曾经做过这样一个实施例。采用5×5×1mm的方形硅片,中间形成φ3.2mm的圆形硅杯,八个力敏电阻集成在(001)晶面<110>晶向上。力敏电阻分布同附图一,所制得的力敏元件密封于如附图二所示的腔体结构中。达到的指标为:量程0~0.1kg/cm2、0~0.25kg/cm2、0~0.5kg/cm2、0~1kg/cm2,精度优于0.3%F S。当电桥供电电压为6伏时,满量程输出大于50mv,零点温度漂移系数,灵敏度温度漂移系数优于0.05%/CFS。
Claims (1)
1.一种由半导体力敏元件和腔体所组成的小型流体传感器,它包括有:
A、流体接口3,它是采用与不锈钢膜片5直径相近的压紧螺帽安装在端盖1上的;
B、力敏元件是采用整体硅杯结构,将八个力敏电阻分布在(001)晶面上的<110>晶向上;
其特征在于:
C、用杂质扩散在硅杯(001)晶面上的<110>晶向上的八个力敏电阻,它们之中的四个力敏电阻(1)、(4)、(5)、(8)分布在0.8~0.98r之间,另外四个力敏电阻(2)、(3)、(6)、(7)分布在0.5~0.6r之间;
D、组成惠斯登电桥力敏电阻(1)、(2)、(3)、(4)为一组,(3)、(4)、(5)、(6)为一组,(5)、(6)、(7)、(8)为一组,(7)、(8)、(1)、(2)为一组;
E、将不锈钢膜片5直接压焊在腔体的端盖(1)上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 85102765 CN85102765B (zh) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 一种小型流体传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 85102765 CN85102765B (zh) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 一种小型流体传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN85102765A CN85102765A (zh) | 1986-08-13 |
CN85102765B true CN85102765B (zh) | 1987-09-16 |
Family
ID=4792741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 85102765 Expired CN85102765B (zh) | 1985-04-01 | 1985-04-01 | 一种小型流体传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN85102765B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006048068A1 (de) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Atmel Germany Gmbh | Fluidsensor |
WO2015114635A1 (en) * | 2014-02-01 | 2015-08-06 | Ezmems Ltd. | Chip device for monitoring and regulating fluid flow, and methods of manufacture thereof |
CN104236789A (zh) * | 2014-09-24 | 2014-12-24 | 昆山超强光电设备有限公司 | 一种液体压力传感器 |
-
1985
- 1985-04-01 CN CN 85102765 patent/CN85102765B/zh not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN85102765A (zh) | 1986-08-13 |
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
PB01 | Publication | ||
C06 | Publication | ||
C13 | Decision | ||
GR02 | Examined patent application | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |