CN2919521Y - 场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置 - Google Patents
场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN2919521Y CN2919521Y CN 200620104129 CN200620104129U CN2919521Y CN 2919521 Y CN2919521 Y CN 2919521Y CN 200620104129 CN200620104129 CN 200620104129 CN 200620104129 U CN200620104129 U CN 200620104129U CN 2919521 Y CN2919521 Y CN 2919521Y
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cathode
- tube
- column
- anode tube
- divergent shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 abstract description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置。包括夹套、圆管型的阳极管、有发散状纳米材料阵列和柱状阴极棒。将具有发散状纳米材料阵列的柱状阴极棒一端装在抽真空后圆管型的阳极管中心，露在圆管型的阳极管外的一端柱状阴极棒上装有夹套。本实用新型的效果是适用于以柱状电极为基体的发散状阴极材料(如纳米碳管、碳化硅、氮化硼等)的场发射；大面积地收集来自各个方向发射出来的电子；阳极为圆管型的，阴极为柱状，纳米材料分布在柱体上；对于柱状导电基体上生长的纳米场发射材料可直接用作阴极。
Description
技术领域
本实用新型涉及场致电子发射的装置，特别是涉及一种场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置。
背景技术
现行的场致电子发射的阴极形态为纳米平板薄膜材料或金尖上粘附数根一维纳米材料，对映的阳极多为导电的平板，这种平板式电极可用于测试大面积纳米材料(如纳米碳管)的场致电子发射性能。对于发散状的场发射阴极材料，其发射的电子向所有可能的方向发射。现行的平板式电极不适用于大面积地收集来自各个方向发射出来的电子。
发明内容
本实用新型的目的在于提供发射的电子向所有可能的方向发射的一种场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：包括夹套、圆管型的阳极管、有发散状纳米材料阵列和柱状阴极棒。将具有发散状纳米材料阵列的柱状阴极棒一端装在抽真空后圆管型的阳极管中心，露在圆管型的阳极管外的一端柱状阴极棒上装有夹套。
与背景技术相比本实用新型具有的有益效果是：
1)适用于以柱状电极为基体的发散状阴极材料(如纳米碳管、碳化硅、氮化硼等)的场发射；
2)大面积地收集来自各个方向发射出来的电子；
3)阳极为圆管型的，阴极为柱状，纳米材料分布在柱体上；
4)对于柱状导电基体上生长的纳米场发射材料可直接用作阴极。
附图说明
附图是发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置示意图。
图中：1.夹套，2.圆管型的阳极管，3.发散状纳米材料阵列，4.柱状阴极棒。
具体实施方式
如附图所示，本实用新型包括夹套1、圆管型的阳极管2、有发散状纳米材料阵列3和柱状阴极棒4。将具有发散状纳米材料阵列3的柱状阴极棒4一端装在抽真空后圆管型的阳极管2中心，露在圆管型的阳极管2外的一端柱状阴极棒4上装有夹套1，夹套1接负极，圆管型的阳极管2经电流表接正极。
所述柱状阴极棒4是碳棒、金属棒或碳纤维棒，在柱状阴极棒4上的发散状纳米材料阵列3是粘附在柱状阴极棒4上，或直接生长在柱状阴极棒4上。
所述的圆管型的阳极管2是导电氧化铟锡、金属卷成的圆管或在导电氧化铟锡、金属卷成的圆管管内壁涂有荧光粉。
实施例1：
将导电的柱状阴极材料碳纤维棒插入圆管型的阳极管内。抽真空后，对电极施加电压，在电场的作用下，生长在碳纤维基体上的纳米碳化硅阵列向四周发射电子至圆管状导电氧化铟锡阳极材料。
实施例2：
将导电的柱状阴极材料碳棒插入圆管型的阳极管内。抽真空后，对电极施加电压，在电场的作用下，生长在碳棒基体上的纳米碳化硅阵列向四周发射电子至导圆管状电氧化铟锡阳极材料。
Claims (3)
1.一种场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置，其特征在于：包括夹套(1)、圆管型的阳极管(2)、有发散状纳米材料阵列(3)和柱状阴极棒(4)；将具有发散状纳米材料阵列(3)的柱状阴极棒(4)一端装在抽真空后圆管型的阳极管(2)中心，露在圆管型的阳极管(2)外的一端柱状阴极棒(4)上装有夹套(1)。
2.根据权利要求1所述的一种场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置，其特征在于：所述柱状阴极棒(4)是碳棒、金属棒或碳纤维棒，在柱状阴极棒(4)上的发散状纳米材料阵列(3)是粘附在柱状阴极棒(4)上，或直接生长在柱状阴极棒(4)上。
3.根据权利要求1所述的一种场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置，其特征在于：所述的圆管型的阳极管(2)是导电氧化铟锡、金属卷成的圆管或在导电氧化铟锡、金属卷成的圆管管内壁涂有荧光粉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200620104129 CN2919521Y (zh) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200620104129 CN2919521Y (zh) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2919521Y true CN2919521Y (zh) | 2007-07-04 |
Family
ID=38217340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200620104129 Expired - Fee Related CN2919521Y (zh) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2919521Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105088183A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 宁波工程学院 | 一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用 |
| TWI769071B (zh) * | 2020-09-15 | 2022-06-21 | 德商Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司 | 電極佈置、用於電極佈置的接觸元件、帶電粒子束裝置和減小電極佈置中的電場強度的方法 |
-
2006
- 2006-05-30 CN CN 200620104129 patent/CN2919521Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105088183A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 宁波工程学院 | 一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用 |
| CN105088183B (zh) * | 2015-08-19 | 2016-11-23 | 宁波工程学院 | 一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用 |
| TWI769071B (zh) * | 2020-09-15 | 2022-06-21 | 德商Ｉｃｔ積體電路測試股份有限公司 | 電極佈置、用於電極佈置的接觸元件、帶電粒子束裝置和減小電極佈置中的電場強度的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100543905C (zh) | 一种场发射装置及其制备方法 | |
| CN102054639B (zh) | 场发射阴极结构及使用该场发射阴极结构的显示器 | |
| CN101625946B (zh) | 电子发射器件 | |
| CN101471212B (zh) | 热发射电子器件 | |
| US9196450B2 (en) | X-ray tube | |
| CN101042977A (zh) | 碳纳米管场发射电子源及其制造方法 | |
| CN101499389A (zh) | 电子发射器件 | |
| CN101425438A (zh) | 一种场发射电子源的制备方法 | |
| EP1073090A3 (en) | Field emission display device using carbon nanotubes and manufacturing method thereof | |
| CN101540260A (zh) | 场发射显示器 | |
| EP2079095A1 (en) | Field emission display | |
| CN2919521Y (zh) | 场发射装置中发散状阴极形态及电极布置装置 | |
| CN101290857A (zh) | 场发射阴极及其制备方法 | |
| CN101051586A (zh) | 碳纳米管场发射电子源的制造方法 | |
| EP2113125A2 (en) | Method for the electrochemical deposition of carbon nanotubes | |
| TWI281183B (en) | Field emission cathode and field emission device using same | |
| CN101615544A (zh) | 改善碳纳米管薄膜场发射性能的方法 | |
| US8314539B2 (en) | Field electron emitter including nucleic acid-coated carbon nanotube and method of manufacturing the same | |
| CN1707731A (zh) | 一种用复合纳米碳膜制备大面积场发射冷阴极的方法 | |
| CN201378579Y (zh) | 碳纳米阴极场发射x射线管 | |
| CN101093771A (zh) | 碳纳米管场发射体及其制造方法 | |
| CN100370571C (zh) | 场发射阴极和场发射装置 | |
| CN103258695A (zh) | 一种碳纳米管冷阴极结构 | |
| CN101051596A (zh) | 碳纳米管场发射电子源及其制造方法 | |
| TWI309428B (en) | Emission source having carbon nanotube |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |