CN2849683Y - 硅电容压力敏感器件封装结构 - Google Patents

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孙海玮
张治国
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Abstract

硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各件均焊接在基座上成一体。本结构设计的积极效果是：硅电容压力敏感器件封装结构由引压导管支撑传感器本体，在受压腔体内呈悬浮状态，从而使传感器的耐受性、可靠性增强，稳定性更好。

Description

硅电容压力敏感器件封装结构
技术领域
本实用新型涉及工业仪表，可测量压力、差压值的一种压力传感器。
背景技术
压力/差压变送器是自动化控制领域中不可缺少的关键仪表，而压力/差压传感器又是压力变送器的核心部件。硅电容压力敏感器件作为传感器的新型结构，它的引线、封装较特殊，结构设计对硅电容传感器性能、稳定性、动态响应特性有直接影响。
发明内容
实用新型的目的是提供一种硅电容压力敏感器件封装结构，该传感器结构悬在受压环境中，适用于压力/差压变送器。
硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各件均焊接在基座上成一体。
本结构设计的积极效果是：这种硅电容压力敏感器件封装结构，由引压导管支撑传感器本体，使之悬浮在受压腔体内，当加压时受静压的影响减弱。因此，该传感器的耐受性、可靠性增强，稳定性更好。
附图说明  附图1是本设计的压力传感器硅电容结构示意图；
具体实施方式
硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，见图1：其特征在于基座1体内中段相对地设置挡块4和挡块8，将硅电容芯片3置于挡块4上，并用填充陶瓷块5垫在与基座1的间隙中，硅电容3的三条引线由相邻的引线座2导出，引线座2位于基座1一端，正负腔引压导管6通过转接件7置于基座1另一端，上述各件均焊接在基座1内成一体。

Claims (1)

1、一种硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各件均焊接在基座内成一体。
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