CN2733830Y - 可防止射频干扰的复位电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可防止射频干扰的复位电路，包含稳压元件，电阻和电容串联形成的RC延迟电路，以及和电阻与电容接点处相连的一个逻辑电路，该逻辑电路输出端作为复位信号输出端。该电路上电时对电容充电，当电容两端电压上升至逻辑高电平时，逻辑电路的输出端电压从低电平跳变到高电平，形成可靠的复位信号RESET。本实用新型能够有效地解决RF干扰而产生错误的复位信号的问题，可用于手持式设备。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种上电复位电路，特别是一种可防止射频干扰的复位电路。
背景技术
为了降低电磁干扰，电子产品一般都会做EMI(ElectromagneticInterference，电磁干扰)测试，以检查受试设备是否在规定的频段内产生过高的电磁能量，经检测合格的产品本身不会发出过强的RF(RadioFrequency，射频)信号去干扰别的电子设备。但是针对手持式电子设备较少进行防止其他设备对其造成电磁干扰的测试，因而那些未考虑过此类干扰的电子设备就有可能受到影响。比如一些PDA(Personal Digital Assistant，个人数字助理)在使用过程中发现，由于某些品牌的手机在旁边使用时会引起PDA硬件重启，导致存储在SDRAM中的资料可能全部丢失。
这些电子设备中的上电复位电路常用的一种结构如图1所示，由传统的RC延时电路产生上电复位信号，其弊端是复位信号端和电源直接相连。当RF信号干扰进入系统时，由于电源很长(通常走电源层)分布于各处，很容易将噪声耦合进来，导致产生错误的复位信号。对该电路进行测试，发现该电路对于850MHZ的频率极其敏感，当干扰源的发射功率为25.45dbm时本电路发生了错误的复位信号RESET。
发明内容
为了克服现有的该类上电复位电路容易受到RF干扰而导致产生错误的复位信号的问题，本实用新型提供一种利用逻辑电路解决RF干扰的上电复位电路。
为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种可防止射频干扰的复位电路包含一个稳压元件，电阻R1和电容C83串联连接在稳压元件的电压输出端和地线之间，形成RC延迟电路，电阻R1和电容C83的接点与一个逻辑电路的输入端相接，该逻辑电路的输出端作为复位信号输出端；该电路上电时，电容C83充电，当电阻R1和电容C83接点处的电压上升至逻辑电路的逻辑高电平时，逻辑电路的输出端电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号。
本实用新型中的逻辑电路可以为一个或门，电阻R1和电容C83的接点与该或门的一个输入端相接，该或门的其他输入端接地。所述的逻辑电路也可以由一个MOS场效应管Q6和一个双极型晶体管Q8的组合构成，场效应管Q6的栅极与电阻R1和电容C83的接点相连接，场效应管Q6的源极接地，漏极经一电阻R10与电源相接，晶体管Q8的基极经一电阻R16与场效应管Q6的漏极相接，晶体管Q8的射极接地，其集电极经一电阻R11与电源相接，在晶体管Q8的集电极和射极之间接有一个电容C8，晶体管Q8的集电极作为复位信号；该电路上电后，当场效应管Q6的栅极电压上升到场效应管Q6由截止变为导通时，漏极电压由高电平跳变为低电平，晶体管Q8的基极电压由高电平跳变为低电平，晶体管Q8由导通变为截止，集电极的电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号。所述的晶体管Q8也可以用另一个场效应管Q5来代替，场效应管Q5的栅极与场效应管Q6的漏极直接相连，场效应管Q5的源极接地，场效应管Q5的漏极经一电阻R11与电源相接，在场效应管Q5的源极和漏极之间接有一个电容C8，在场效应管Q5的栅极和源极之间接有一个电容C5，场效应管Q5的漏极作为复位信号。
本实用新型与现有技术相比，其有益效果是，本实用新型结构简单，在实现稳定的上电复位的同时，能够有效地解决RF信号干扰引起错误复位的问题，提高了系统抗电磁干扰的性能。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述：
图1是一种现有的上电复位电路示意图；
图2是本实用新型的第一实施例电路示意图；
图3是本实用新型的第二实施例电路示意图；
图4是本实用新型的第三实施例电路示意图；
具体实施方式
如图2所示，稳压元件U1是一个低压降稳压器(low dropout regulator，LDO)，其电压输出端输出稳定的3.3V电压作为系统电源，在其电压输出端和地之间依次串联有电阻R1和电容C83，形成RC延迟电路，电阻R1和电容C83之间的连接点就是原上电复位电路的复位信号输出端，当电路上电时，稳压元件U1输出的3.3V电压经电阻R1向电容C83充电使其两端电压升高，从而产生复位信号。本实用新型所作的改进之处就是在电阻R1和电容C83之间的接点处(即原复位信号输出端)连接一个逻辑电路，用该逻辑电路的输出作为复位信号输出端，实现模拟电路部分和数字电路部分的分离，从而将容易耦合进电源端的RF干扰信号隔离。该电路上电时，电容C83充电，当电阻R1和电容C83接点处的电压上升至逻辑电路的逻辑高电平时，逻辑电路的输出端电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号。
本实用新型的第一实施例是将电阻R1和电容C83的接点与一个二输入端的或门U15的一个输入端相连接，该或门U15的另一个输入端接地，其输出端作为复位信号输出端。当电路上电时，电容C83充电，当电阻R1和电容C83接点处的电压上升至被或门U15认为是高电平时，或门U15的输出端电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号RESET。
对本电路在800MHZ到1600MHZ进行同样的电磁干扰测试，实验结果显示比原有技术能够有效地防止RF信号干扰引起的错误复位，比如在850MHZ(GSM800)，890.2MHZ(GSM900，Channel1)，902.4MHZ(GSM900，Channel62)和880.2MHZ(GSM900，Channel975)几个频率点，当干扰源的发射功率为33dbm时均未产生错误的复位信号RESET；相比之下，原电路在干扰源的功率分别为25.45dbm，29dbm，30.4dbm和29dbm时产生了错误的复位信号RESET。
如图3所示，本实用新型的第二实施例是利用一个MOS-FET场效应管Q6(FDN301N)和一个双极型晶体管Q8(MMBT2222LT1)。场效应管Q6的栅极与电阻R1和电容C83的接点相连接，源极接地，漏极经一电阻R10与电源VBAT相接。所述的晶体管Q8的基极经一电阻R16(10K)与场效应管Q6的漏极相接，射极接地，集电极经一电阻R11(100K)与电源VBAT相接，在集电极和射极之间接有一个电容C8(330pF)。晶体管Q8的集电极作为复位信号输出端。当电路上电时，电容C83充电，场效应管Q6的栅极电压上升，当栅极电压上升到场效应管Q6由截止变为导通时，其漏极电压由高电平跳变为低电平，晶体管Q8的基极电压由高电平跳变为低电平，晶体管Q8由导通变为截止，其集电极的电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号RESET。
如图4所示，本实用新型还可以利用两个MOS-FET场效应管Q6和Q5(FDN337)形成第三实施例。场效应管Q6的连接方式与第二实施例一样。另一个场效应管Q5代替第二实施例中的双极型晶体管Q8，其栅极与场效应管Q6的漏极直接相连，源极接地，漏极经一电阻R11(100K)与电源VBAT相接，源极和漏极之间接有一个电容C8(330pF)，栅极和源极之间接有一个电容C5(1000pF)。场效应管Q5的漏极作为复位信号输出端。该电路上电时产生复位信号RESET的过程与上述第二实施例类似。
Claims (4)
1.一种可防止射频干扰的复位电路，其包含一个稳压元件，电阻R1和电容C83串联连接在稳压元件的电压输出端和地线之间，形成RC延迟电路，稳压元件的电压输出经电容滤波后作为电源，其特征在于：所述的电阻R1和电容C83的接点与一个逻辑电路的输入端相接，该逻辑电路的输出端作为复位信号输出端；该电路上电时，电容C83充电，当电阻R1和电容C83接点处的电压上升至逻辑电路的逻辑高电平时，逻辑电路的输出端电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号。
2.如权利要求1所述的可防止射频干扰的复位电路，其特征在于：所述的逻辑电路为一个或门，该或门的一个输入端作为所述逻辑电路的输入端，该或门的其他输入端接地。
3.如权利要求1所述的可防止射频干扰的复位电路，其特征在于：所述的逻辑电路可以由一个场效应管Q6和一个晶体管Q8组合构成；所述的场效应管Q6的栅极作为所述逻辑电路的输入端，场效应管Q6的源极接地，漏极经一电阻R10与电源相接；所述的晶体管Q8的基极经一电阻R16与场效应管Q6的漏极相接，晶体管Q8的射极接地，其集电极经一电阻R11与电源相接，在晶体管Q8的集电极和射极之间接有一个电容C8，晶体管Q8的集电极作为复位信号；该电路上电时，电容C83充电，场效应管Q6的栅极电压上升，当栅极电压上升到场效应管Q6由截止变为导通时，漏极电压由高电平跳变为低电平，晶体管Q8的基极电压由高电平跳变为低电平，晶体管Q8由导通变为截止，集电极的电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号。
4.如权利要求1所述的防止射频干扰的复位电路，其特征在于：所述的逻辑电路可以由场效应管Q6和场效应管Q5组合构成；所述的场效应管Q6的栅极作为所述逻辑电路的输入端，场效应管Q6的源极接地，漏极经一电阻R10与电源相接；所述的场效应管Q5的栅极与场效应管Q6的漏极直接相连，场效应管Q5的源极接地，场效应管Q5的漏极经一电阻R11与电源相接，在场效应管Q5的源极和漏极之间接有一个电容C8，在场效应管Q5的栅极和源极之间接有一个电容C5，场效应管Q5的漏极作为复位信号；该电路上电时，电容C83充电，场效应管Q6的栅极电压上升，当栅极电压上升到场效应管Q6由截止变为导通时，场效应管Q6的漏极电压由高电平跳变为低电平，场效应管Q5的栅极电压由高电平跳变为低电平，场效应管Q5由导通变为截止，场效应管Q5的漏极电压从低电平跳变到高电平，形成复位信号。
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|---|---|---|---|---|
| CN100454215C (zh) * | 2005-10-28 | 2009-01-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 计算机系统复位电路 |
| CN103296025A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-09-11 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种电路板上集成电路芯片esd防护电路 |
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