CN2727918Y - 一种单相可控电抗器 - Google Patents

Abstract

一种涉及电力系统中使用的单相可控电抗器，它是针对现有电抗器，绕组分饼组成，引线和分接抽头在电抗器体内布置，使磁损增加，体积增大之不足而提供一种单相可控电抗器，该电抗器的壳体内左旁轭、上轭、右旁轭、下轭依次相连，左心柱，右心柱与上轭、下轭相连，左心柱由内向外辐向套装2－4组绕组，右心柱由内向外辐向套装2－4组绕组，各线圈为整体线轴式，相邻分接头间与可控硅相连，绕组交叉串联之中心抽头间与二极管相连，各出线，分接抽头线均从绕组上端引出，两组绕组串联后并联接入电源回路中，它相比现有技术，磁场分布均匀、引线短、结构简单、产品成本低。

Description

一种单相可控电抗器

技术领域

本实用新型涉及电力系统中使用的一种可控电抗器，尤其是关于可调磁偏，具有磁芯线圈并联的电抗器。

背景技术

目前，可调磁偏的可控电抗器从铁心结构上区分为两种形式：即磁阀式和心柱饱和式可控电抗器。其中磁阀式可控电抗器的专利号为：95223137.9，心柱饱和可控式电抗器的专利号为：99250344.2。这两种可控电抗器器身一般是由铁心和绕组构成，其中铁心为三柱或四柱式结构，两个心柱上套有绕组，绕组中的每一个线圈在轴向分成上下两部分，组成串联，中部有分接抽头，与可控硅和二极管相联，接在可控硅两端的绕组分接头间的匝数为每柱绕组总匝数的1.5～10％。其不足之处是：从绕组端部到套管出线端子、从分接抽头到可控硅的引线较长，器身结构复杂；绕组中部的分接抽头会对绕组中部的磁场分布造成不利影响，当绕组的分接匝数比较低时，分接段的处置工艺复杂，产品质量有时难以保证。

发明内容

针对上述不足之处，本实用新型的目的是要提供一种单相可控电抗器，该电抗器器身引线短，结构简单，分接区域对磁场分布影响小，分接出线工艺简单，绕组结构紧凑，产品成本低。

本实用新型解决其技术问题所采取的的技术方案是：

包含有壳体内左旁轭、上轭、右旁轭、下轭依次相连，左心柱，右心柱与上轭、下轭相连，左心柱由内向外辐向套装2-4组绕组，右心柱由内向外辐向套装2-4组绕组，各绕组为整体线轴式，相邻分接头间与可控硅相连，串联之中心抽头间与二极管相连，各出线，分接抽头线均从绕组上端引出，两组绕组串联后并联接入电源回路中。

本实用新型的有益效果是：可控电抗器器身引线短，结构紧凑，成本低；分接区域对磁场分布影响小，运行性能好，绕组分接抽头出线方便，工艺简单。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明；

图1是本实用新型第一个实施例结构示意图；

图2是图1接线原理图；

图3是本实用新型第二个实施例结构示意图；

图4是图3控制绕组接线原理图；

图5是图3工作绕组接线原理图；

图6是图1、图3中心柱不等截面结构示意图；

图中：1下轭，2左旁轭，3上轭，4左心柱，5右心柱，6右旁轭A、B、C、D、E、F、H、G绕组，KP1、KP2可控硅，ZP二极管。

具体实施方式

由图1-5可知；本实用新型壳体内：左旁轭2、上轭3、右旁轭6、下轭1依次相连，左心柱4、右心柱5与上轭3、下轭1相连，组成磁通路。其中左心柱4由内向外辐向套装2-4组绕组B、A或F、E、B、A，右心柱5由内向外辐向套装2-4组绕组D、C或G、H、D、C，各绕组为整体线轴式，相邻绕组分接头间与可控硅相连，如A、B绕组分接头间与可控硅KP1相连，C、D绕组分接头间与可控硅KP2相连，A、D绕组串接之中心抽头与C、B绕组串接之中心抽头与二极管ZP相连，各绕组出线，分接抽头线均从绕组上端引出，A、D绕组串联和C、B绕组串联后并联接入电源回路中，其中相邻绕组分接头引接在绕组分接匝比为小于1.5％大于10％的位置上，左心柱4，右心柱5截面可同时是等截面或可同时是不等截面。

实施例1如图1所示；其中设有A、B、C、D绕组，接线如图2所示；

实施例2如图3所示；其中设有A、B、C、D、E、F、H、G绕组，其中A、B、C、D控制绕组接线如图5所示，E、F、H、G工作绕组接线如图4所示。

Claims (3)

1、一种单相可控电抗器，壳体内左旁轭、上轭、右旁轭、下轭依次相连，左心柱，右心柱与上轭、下轭相连，其特征是；左心柱由内向外辐向套装2-4组绕组，右心柱由内向外辐向套装2-4组绕组，：各绕组为整体式线轴，相邻分接头间与可控硅相连，绕组交叉串联之中心抽头间与二极管相连，各出线，分接抽头线均从绕组上端引出，两组绕组串联后联接电源回路中。

2、按照权利要求1所述的单相可控电抗器其特征是在于：所说的相邻绕组分接头引接在绕组分接匝比为小于1.5％大于10％位置上。

3、按照权利要求1所述的单相可控电抗器其特征是在于：所说的左心柱、右心柱，其截面可同时是等截面或不等截面。

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