CN2717014Y - 半导体热工艺的硅片承座校正工具 - Google Patents

半导体热工艺的硅片承座校正工具 Download PDF

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Abstract

本实用新型提供一种校正工具，主要应用在半导体热工艺中的硅片承座的中心点定位，因目前在硅片承座的中心定位上大多以目视来检测，容易有所误差，有鉴于此，本实用新型提出一可寻找中心点的校正工具，所述工具包含两组测量直尺，利用移动设于测量直尺上的滑动条可标定出待测物体的两个最大内径，则此两个最大内径的交点即为所欲定位的中心点。

Description

半导体热工艺的硅片承座校正工具
技术领域
本实用新型涉及一种定位工具，特别涉及一种用于半导体热工艺中定位硅片承座中心点的定位工具。
背景技术
在半导体工艺中，快速热工艺(RTP)是一个相当重要的处理程序，其与传统热炉管的差别在于快速热工艺虽每次只处理一片硅片，但因其能在极短的时间内升降温，因此处理效率非常快，产出效率远胜于传统热炉管式的处理。
在快速热工艺中，硅片主要是放置于反应腔室中的硅片承座上以进行热烤的处理，由于半导体产业对工艺有着极高的精准度要求以确保成品的品质，因此硅片放置在承座上的位置也必须完全符合要求，若硅片置于硅片承座上重心不平均，在进行热烤处理后会使得涂布于硅片表面的光刻胶层分布不均，影响后续的刻蚀工艺，造成产品成品率降低，因此在半导体工艺中，均会定期对工艺机台包含硅片承座进行维护及校正，以确保整体设备的精确性。
以目前对于硅片承座的保养校正程序，因半导体工艺机台设备均相当昂贵，在不伤及使硅片承座且考量反应腔室整体的结构，一般并不使用如机械手臂等工具进行校正的工作，而由操作人员以目测方式检查硅片承座是否符合标准，但如此一来，因人工目测并无判断的依据，因此在校正时仍会产生误差。
为解决上述以人工目测校正所造成的缺失，本实用新型提出一种应用于半导体热工艺中用以校正硅片承座中心点的工具，以其简便的设计但可快速准确定出整个承座中心点的位置，以辅助操作人员解决上述的缺失。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种可用于半导体热工艺中，校正硅片承座中心点的工具，提供操作人员能方便正确对硅片承座进行校正。
本实用新型的另一目的在于提供一种可精确定位硅片承座中心点的工具，以解决通常利用目测方式造成校正精确度不足的问题。
本实用新型的另一目的在于提供一种操作方便的中心点定位工具，可快速的定位出任何圆形及矩型物体的中心点。
本实用新型的半导体热工艺的硅片承座校正工具，包括：
两组构成组件相同的一第一组测量直尺与一第二组测量直尺，其中每一组的测量直尺包含一直尺与两滑动条，所述直尺的两侧设有刻度，且中间设有一长型槽孔，所述两滑动条的每一滑动条为一矩型块与其往下延伸具有凸缘的一柱体所构成的T型结构，所述两滑动条以所述柱体的凸缘分别朝向所述长型槽孔的两端以装设于所述长型槽孔内，利用所述滑动条在所述长型槽孔上的位移以标定通过一待测物的最大径值位置。
根据本实用新型的硅片承座校正工具主要应用在中心点的定位，利用两组测量直尺寻找待测物的最大径值的交点，可容易的定位出所述待测物的中心点。
本实用新型的有益效果是：使操作人员能方便正确地对硅片承座进行校正，并解决了通常利用目测方式造成校正精确度不足的问题，还能快速的定位出任何圆形及矩型的物体的中心点。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型所包含的测量直尺结构示意图。
图3为本实用新型所包含的测量直尺结构分解示意图
图4为本实用新型的结构俯视图。
图5为本实用新型的结构剖面图。
标号说明
10        第一组测量直尺
13        直尺
14、15    滑动条
140、150  矩型块
142、152  凸缘
144、154  柱体
16        长型槽孔
18、19    第一垫块
180、190  凹槽
20        第二组测量直尺
22        直尺
24、25    滑动条
26        长型槽孔
28、29    第二垫块
280、290  凹槽
30        待测物体
32        垫圈
34、35    内径
具体实施方式
以下结合附图及实施例进一步说明本实用新型的结构特征及所达成的有益效果。
本实用新型是一种应用于半导体热工艺中用以校正硅片承座的校正工具，主要用以改善通常在进行机台维护时，对于硅片承座的中心点需由人工以目视检测，在校准上的精确度较低，易有误差，因此本实用新型提出一可用以定位中心点的校正工具，利用两组可标定出待测物最大径值的测量直尺，则所测得的最大径值的交点即为所欲定位的中心点。
图1为本实用新型的立体结构示意图，本实用新型的硅片承座校正工具在使用上利用两组结构相同的测量直尺，分别为第一组测量直尺10与第二组测量直尺20，由于两测量直尺10、20的结构相同，以下仅以其中的第一组测量直尺10说明其结构，请参阅图2及图3所示的结构示意图及分解图，第一组测量直尺10的结构包含一直尺12及两个滑动条14、15，在直尺12的两侧具有刻度以作为标示距离的依据，并在直尺12的中间设有一长型槽孔16；滑动条14、15是由一矩型块140、150与其往下延伸具有凸缘142、152的柱体144、154所构成的T状结构，将两个滑动条14、15以柱体144、154向下的方式分别套设于直尺12的长型槽孔16中，并且将两滑动条14、15的柱体144、154所具有的凸缘面142、152分别朝向长型槽孔16的左右两端，以作为测量进行时靠接待测物边缘的接触端，由于所述柱体144、154的凸缘面142、152主要作为与待测物边缘的接触端，因此，所述柱体144、154除了需能装设于所述长型槽孔16中外，在结构上，如三角柱、四角柱或其它具有凸缘的柱体均可。
而包含于本实用新型的第二组测量直尺20的构成与上述第一组测量直尺10相同，请同时参阅图1，其构成组件同样包含一直尺22，及设于直尺22上的长型槽孔26以及两滑动条24、25。
由于本实用新型主要应用于半导体热工艺中的硅片承座校正用，而欲校正的待测物体30通常具有如垫圈32的设计，并非一平坦的表面，使得校正进行时两组测量直尺10、20无法保持平衡进而影响校正的精确性，因此本实用新型的第一组测量直尺10更包含有第一垫块18、19的设计，第二组测量直尺20亦同样包含有第二垫块26、26001的设计。
第一组测量直尺10所包含的第一垫块18、19主要用以支撑所述直尺12，在第一垫块18、19下方设有一贯穿的凹槽180、190，可用以容置设于待测物体30表面的垫圈32以使直尺12保持平坦，而第二组测量直尺20所包含的第二垫块28、29，因考虑第一组测量直尺10与第二组测量直尺20在使用时需在不同平面上操作以避免直尺间的摩擦，因此在第二垫块28、29的高度设计上与第一垫块18、19有些差异，第二组测量直尺20所包含的第二垫块28、29的高度略高于第一垫块18、19加上直尺12的高度，以使此校正工具在校正时能更顺畅操作，且在第二垫块28、29的下端同样设有一贯穿的凹槽280、290，用以容置硅片承座的垫圈。
由于本实用新型主要用以定位硅片承座的中心点，再使用说明中，请同时参阅图1、图4及图5，如图所示，本实用新型的校正工具的使用系先以第一组测量直尺10配合垫块18、19置于一待测物体30上，将一滑动条14置于直尺12的刻度零点处，并使其紧靠接于所述待测物体30的内壁边缘，反相移动所包含的另一滑动条15使其同样紧靠于所述待测物30另一侧的内壁边缘，并观察所对应的刻度直至能获得两滑动条14、15间的距离最大测量值，则所述测量值即为所述待测物30的最大径值34，亦即内径，另将第二组测量直尺20横跨置于所述第一组测量直尺10的上方，并使其位于第一组测量直尺10所测量得的最大径值34的中点上，或利用移动第二组测量直尺20所包含的滑动条24、25，依前述方式同样取出所述待测物30的另一条内径35，则两测量直尺10、20所测量得内径34、35的交点，亦即两长型槽孔16、26的交点，即为所求的硅片承座的中心点。
本实用新型的设计容易操作，可快速将一待测物的中心点定位出，而在测量操作上，除了可测量待测物的内径外，亦可利用测量待测物的外径来进行中心点的定位，且因此设计利用几何学中两最大径值的交点来决定中心点，因此对于任何对称的结构，如圆形、矩型的结构，均可用来寻找其中心点。
以上所述，仅为本实用新型的优先实施方式，不能仅以此实施例来限定本实用新型实施的范围。凡依本实用新型申请范围所述的形状、构造、特征及精神所为的同等变化或修饰，仍落在本实用新型的专利范围内。

Claims (7)

1.一种半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于包括：
两组构成组件相同的一第一组测量直尺与一第二组测量直尺，其中每一组的测量直尺包含一直尺与两滑动条，所述直尺的两侧设有刻度，且中间设有一长型槽孔，所述两滑动条的每一滑动条为一矩型块与其往下延伸具有凸缘的一柱体所构成的T型结构，所述两滑动条以所述柱体的凸缘分别朝向所述长型槽孔的两端以装设于所述长型槽孔内，利用所述滑动条在所述长型槽孔上的位移以标定通过一待测物的最大径值位置。
2.根据权利要求1所述的半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于：以所述第一组测量直尺标定所述待测物的最大径值位置后，再以所述第二组测量直尺垂直横跨于所述第一组测量直尺上，同样标定出所述待测物的最大径值位置，则所述第一组测量直尺与所述第二组测量直尺所包含的所述长型槽孔交点处即为所求所述待测物的中心点。
3.根据权利要求1所述的半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于：所述第一组测量直尺包含两第一垫块以支撑所述第一组测量直尺，所述第一垫块下端设有一贯穿的凹槽，当待测物表面设有一垫圈时，所述凹槽恰可容置所述垫圈。
4.根据权利要求3所述的半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于：所述第二组测量直尺包含两第二垫块以支撑所述第二组测量直尺，所述第二垫块下端设有一贯穿的凹槽，当待测物表面设有一垫圈时，所述凹槽恰可容置所述垫圈，以保持所述测量直尺测量时的平坦，且所述第二垫块的高度比所述第一垫块的高度加上所述第一组测量直尺的高度略高。
5.根据权利要求1所述的半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于：所述柱体为角柱。
6.根据权利要求1所述的半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于：所述待测物为圆形。
7.根据权利要求1所述的半导体热工艺的硅片承座校正工具，其特征在于：所述待测物为矩形。
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