CN2658926Y - 高容量接触器用真空灭弧室 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高容量接触器用真空灭弧室，包括相对配置的动触头和静触头、与所述静触头相连的静导电杆、与所述动触头相连的动导电杆和波纹管，上述元件真空封装在外壳内，所述的外壳由两端的金属法兰和中部与所述波纹管相对应的陶瓷环绝缘构成。本实用新型的真空灭弧室，其外壳一端的金属法兰延伸至动触头处，即可起到屏蔽作用，又能提高外壳的强度，中间的陶瓷环绝缘用于保护波纹管，由于取消了传统的屏蔽罩，可减小产品的体积，增加了真空灭弧室的有效散热体积和飞弧空间，提高了接通和分断能力，可适用于大容量的接触器，同时还便于抽屉式开关柜选用，增加了产品的适用性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种低压电器的部件，具体地说是一种高容量接触器用真空灭弧室。
背景技术
目前市场上所见到的真空灭弧室均为80年代初产品，如用于CKJ5、CKGI～3系列高低压真空交流接触器上的真空灭弧室，它包括相对配置的动触头和静触头、与所述动触头相连的动导电杆、与所述静触头相连的静导电杆和波纹管，上述元件封装在外壳内固定，并抽成真空状态。所述外壳的主体是由陶瓷或玻璃材料制成，内设有一层屏蔽罩，该屏蔽罩的作用是吸收电弧产生的金属颗粒，避免所述金属颗粒进入到绝缘外壳上，以保证绝缘外壳的绝缘性能。为了达到上述目的，所述的屏蔽罩与所述的绝缘外壳之间设置有中空层。由于外壳的上述结构，使得这种真空灭弧室的体积较大，而有效的散热体积和飞弧空间偏小，因而接通及分断能力低下，难以达到国家新标准的要求。
这种结构的真空灭弧室的另一个缺点是：由于在真空状态下的电弧是集中在触头周围的，导致真空电弧形成的磁场分布不均，进一步影响了真空灭弧室的通断能力，同时还影响触头的使用寿命。
发明内容
本实用新型要解决的是现有的真空灭弧室存在的上述不足，提供一种改进型的真空灭弧室。解决上述技术问题采用的技术方案是：高容量接触器用真空灭弧室，包括相对配置的动触头和静触头、与所述静触头相连的静导电杆、与所述动触头相连的动导电杆和波纹管，上述元件真空封装在外壳内，所述的外壳由两端的金属法兰和中部与所述波纹管相对应的陶瓷环绝缘构成。
本实用新型的真空灭弧室，其外壳一端的金属法兰延伸至动触头处，即可起到屏蔽作用，又能提高外壳的强度，中间的陶瓷环绝缘由原来的包裹整个灭弧室的圆周部分缩小至仅位于所述波纹管的外圆周上，其作用也主要是用于保护波纹管。由于取消了传统的屏蔽罩，可减小产品的体积，增加了真空灭弧室的有效散热体积和飞弧空间，提高了接通和分断能力，可适用于大容量的接触器。它的另一个优点是其小型化结构，便于抽屉式开关柜选用，增加了产品的适用性。
作为本实用新型的进一步改进，所述的动、静触头上分别设有磁吹线圈，该磁吹线圈在分断时能够产生纵向和横向的磁吹作用，将电弧由集中吹向扩散，有利于快速灭弧，可进一步提高真空灭弧室的接通和分断能力，且能提高产品的使用寿命。
作为本实用新型再进一步的改进，所述的动导电杆采用联结杆结构，方便与外电路接线。所述的静导电杆向外的一端与所述金属法兰端面齐平，与外接导电板连接时接触更为可靠。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是现有的真空灭弧室的结构示意图。
图2是本实用新型高容量的真空灭弧室的结构示意图。
图3是本实用新型的轴测图。
具体实施方式
图1所示为现有的真空灭弧室的结构示意图，从图中可见，该真空灭弧室的外壳的主体6均由陶瓷或玻璃材料制成，贯穿整个长度方向。在触头对应处还设有一层屏蔽罩13，所述的屏蔽罩13与所述的陶瓷或玻璃外壳6之间设置有中空层14。上述结构的灭弧室，其缺点前面已经描述了，在此不再累述。
参照图2、3，本实用新型的高容量接触器用真空灭弧室，外壳由左端的静法兰金属壳1、中部的陶瓷绝缘环6和右端的动法兰金属壳8构成，陶瓷绝缘环6外层增加上釉材料烧铸，这样可大大提高真空度的保持纯度，增加电弧的飞弧空间和散热空间，并使真空灭弧室外壳更加美观。
在所述的外壳内真空封装有相对配置的动触头4和静触头3，在所述静触头4上设有磁吹线圈2以及一个导电杆11，所述的静导电杆11向外的一端与所述金属法兰端面齐平，便于其与外接导电板可靠联接。所述动触头4上设有磁吹线圈5以有一个联结杆10，所述联结杆10外露的一端设有联结槽12，便于与外电路接线，并通过导向套9与动法兰金属壳8相配合。联结杆10的室内端外圆周上设有不锈钢液压波纹管7，所述波纹管7与所述陶瓷绝缘环6相对设置。
此外，通过增大触头压力，减小接触电阻，增大触头开距，提高通断速度，减小触头在封闭真空灭弧室内的发热，使触头部分的工作更加可靠，各项技术指标进一步得到提高。
Claims (4)
1、高容量接触器用真空灭弧室，包括相对配置的动触头和静触头(4、3)、与所述静触头(3)相连的静导电杆(11)、与所述动触头(4)相连的动导电杆(10)和波纹管(7)，上述元件真空封装在外壳内，其特征在于所述的外壳由两端的金属法兰(1、8)和中部与所述波纹管(7)相对应的陶瓷绝缘环(6)构成。
2、如权利要求1所述的高容量接触器用真空灭弧室，其特征在于所述的动、静触头(4、3)上分别设有磁吹线圈(5、2)。
3、如权利要求1或2所述的高容量接触器用真空灭弧室，其特征在于所述的动导电杆(10)采用联结杆。
4、如权利要求1或2所述的高容量接触器用真空灭弧室，其特征在于所述的静导电杆(11)向外的一端与所述金属法兰端面齐平。
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- 2003-10-09 CN CN 200320108847 patent/CN2658926Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: CORRECT ZHENGTAI GROUP CO., LTD. Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: CORRECT ZHENGTAI GROUP CO.,LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Patentee after: Chint Group Co., Ltd. Patentee before: Zhengtai Group Corp. |
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| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHEJIANG ZHENGTAI ELECTRIC APPLIANCE CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: CORRECT ZHENGTAI GROUP CO., LTD. Effective date: 20070810 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20070810 Address after: 325603 CHINT Industrial Park, North white elephant, Zhejiang, Yueqing Patentee after: Zhengtai Electric Appliance Co., Ltd., Zhejiang Address before: 325603 CHINT hi tech Industrial Park, North white elephant, Zhejiang, Wenzhou Patentee before: Chint Group Co., Ltd. |
|
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Expiration termination date: 20131009 Granted publication date: 20041124 |