CN2574152Y - 一种聚合物材料防伪膜的结构 - Google Patents

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CN2574152Y CN 02260715 CN02260715U CN2574152Y CN 2574152 Y CN2574152 Y CN 2574152Y CN 02260715 CN02260715 CN 02260715 CN 02260715 U CN02260715 U CN 02260715U CN 2574152 Y CN2574152 Y CN 2574152Y
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徐良格
李忠鑫
陈庆华
黄孝穗
高芸
李晓英
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Tianchen New Technology Co., Ltd., Fudan Univ, Shanghai
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Abstract

本实用新型是一种防伪膜的结构。现有技术的防伪膜存在结构层次多、制备工艺复杂等诸多不足。本实用新型运用基材层、感光层、保护层三层结构,通过全息反射记录将特定图文记录于感光层内,即可获得效果好、结构简单的防伪膜。适当调大感光单体和成膜物的折射率差,可获得衍射率高的感光层图文。

Description

一种聚合物材料防伪膜的结构
技术领域:
本实用新型是一种防伪膜的结构,主要通过感光层内的图文可达到鉴别真伪的目的。
背景技术:
现有技术的防伪膜存在结构层次多、制备工艺复杂等诸多不足。就目前较多使用的镀铝塑料薄膜白光再现的立体模压全息商标图而言,由于其不透明,不能直接观察到包装其中的产品,因而使用范围受到很大限制。而曾经被广泛使用的普通模压全息防伪标识由于技术普及,已达不到防伪的目的。
发明内容:
本实用新型的目的是研制一种结构简单、制作方便、防伪效果好的防伪膜。
本实用新型的防伪膜有三层,即基材层,是防伪膜的载体,可用透明的有一定强度的塑料膜制得,如尼龙膜、PET膜等;基材层上是有图文的感光层,该感光层由高折射率的组合物制得,大部分是由折射率在一定范围内的成膜物组成,如含醋酸乙烯酯的聚合物、聚乙烯醇缩丁醛等;在溶解有成膜物的溶液中加入感光材料,如单体、光引发剂等,并将其涂覆于基材层上,加热后冷却涂覆保护膜,保护膜一般为透明薄膜,如聚酯、BOPP等。用所需要的图文在如上所得膜内进行全息反射记录,即可获得感光层内有特定图文的防伪膜,如商标、企业标志、专利信息等,从而达到防伪的目的。
本实用新型各层厚度控制如下效果更好:基材层厚:20~40μm,感光层厚:20~60μm,保护层厚:20~30μm。
制备中调节单体和成膜物之间的折射率差,差值大,可得衍射率高的全息图像。
本实用新型运用感光介质层,在透明基材上反射记录特定的图文全息图像,无需借助反射层反映图像,可获得高衍射效果。由于全息图文可防潮、耐酸碱、图文长期稳定,因此具有广泛的应用前景。由于其有立体生动的视觉效果,不仅可用于商品防伪,还可用于装饰等领域。本实用新型结构简单、制作方便,较现有的防伪膜效果更好。
附图说明:
图1是本实用新型的结构示意图。
图中1是基材,2是感光层,3是保护层。
具体实施方式:
在水平平台上将感光胶均匀涂布在PET膜上,涂层厚度为30μm,自然晾干30min后,将膜放入70℃的烘箱加热10min,当涂层物从干燥箱出来时,用25μm的PE膜覆盖到涂层上。
将涂布好的膜切成7×5cm,夹在透明玻璃板和铝镜之间。按照反射全息的光路,通过用一束垂直于膜表面的平行的514.5nm的氩离子激光束曝光而将全息图像记录在膜内。
曝光结束后,在紫外固化装置内,将膜曝光30s,然后在120℃下加热30min。然后将10μm厚的光再聚合定影液涂布在全息图像上,约5min后,再次进行紫外曝光约2min。这样就得到了一种在同一观察角度只有红绿两种纯正颜色的全息图像。
用上述方法可制得基材层厚分别是20或40μm、感光层厚分别是20或60μm、保护层厚分别是20或30μm的防伪膜。

Claims (2)

1、一种聚合物材料防伪膜的结构,由基材、感光层、保护层组成,其特征是基材(1)上是感光层(2),感光层上有图文,感光层上是保护层(3)。
2、根据权利要求所述的防伪膜的结构,其特征是基材层厚20~40μm,感光层厚20~60μm,保护层厚20~30μm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101095087B (zh) * 2004-12-03 2012-10-03 伊利诺斯器械工程公司 保存的且增强的全息和光学可变器件以及其制造方法
CN111105697A (zh) * 2019-11-27 2020-05-05 苏州三帆包装材料有限公司 一种耐高温的感光标签及其加工方法

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Effective date of registration: 20080704

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Patentee after: Tianchen New Technology Co., Ltd., Fudan Univ, Shanghai

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Patentee before: Langchuang Photoelectricity Science and Technology Development Co., Ltd., Shanghai

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CX01 Expiry of patent term

Expiration termination date: 20121016

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