CN2479646Y - 纳米光－热伏电池 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000000031 electric organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
本实用新型公开了一种纳米光一热伏电池,包括导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层,以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极。此外,还含有离子注入层,所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间,形成两个PN结。高渗杂扩散层覆盖离子注入层,使其厚度在1nm—100nm之间。本实用新型真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能,因此转换效率大大提高,性价比产生了飞跃,可以工业化生产。
Description
本实用新型涉及一种电池，尤其是一种可以将光能转换成电能的光电池，属于半导体材料应用技术领域。
目前，公知的光电池通常由半导体衬与扩散层形成的PN结、以及该PN结两端引出的电极构成。这种光电池仅仅凭PN结形成的自建电场使光能转换成电流，而根本无法利用光电转换过程中存在的大量热能，其转换效率很低，最多只能达到18.5％。申请日为991014、申请号为99229600.5的中国专利《热光电池》公开了一种热光电池结构。这种结构的热光电池从理论上打开了吸收红外线及利用耗散热能的通道，因此可以具有明显提高光电转换率的功效。然而，这种热光电池仅仅是一种实验室阶段的样品雏型，尤其是尚未考虑到与纳米技术的结合，因此难以实现将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能，其性价比不能符合工业化生产的要求。
本实用新型的目的在于：针对上述现有热光电池存在的问题，提出一种利用纳米技术充分发挥热光电池效能、可以工业化生产的纳米光-热伏电池。
为了达到上述目的，申请人在深入研究和实践的基础上，提出以下技术方案：本实用新型的纳米光-热伏电池包括半导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层，以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极。此外，还含有离子注入层，所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，形成两个P N结。高渗杂扩散层覆盖离子注入层，使其厚度在1nm-100nm之间。
在本实用新型纳米光-热伏电池衬底与离子注入层之间的P N结界面，可以产生与普通光电池类似的光生电位，由此而产生的光生电流可以用下式表示
J＝-qμn(dΦn/dx) (1)(1)式中 J-光生电流
q-电子电荷
μ-电子迁移率
n-电子密度
Φn-光生电位其中，qΦn为光生电位引入后的准费米能级。
而在离子注入层与高渗杂扩散层之间的PN结界面之间，由于此区间在电子自由程的距离内，势能改变很快，不存在平衡状态，所以此区域内的载流子不能用准费米能级来描述，其光生电流应当用下式表示
J＝q(nm-no)VR (2)(2)式中 J-光生电流
q-电子电荷
nm-有电流时在xm处的电荷密度
no-在xm处的准平衡电荷密度
VR-势能极大处的复合速度根据上述理论分析可知，当注入光强度达到一定程度后，将引起量子隧道效应。换个角度通俗些说，由于高渗杂作用使高渗杂扩散层与离子注入层之间的P N结处、包括“覆盖”区域，积聚大量可以吸收近红外线的载流子，而离子注入层的厚度极薄，载流子很容易穿越其形成的势垒，因此两PN结处的总电流将是光生电流加上吸收热能载流子产生的电流及隧道电流之和，以上的热能包括太阳光辐射热以及光电转换过程中产生的热能。结果，本实用新型真正实现了将太阳光能、辐射热能以及光电转换过程中的热能均转换成电能。因为量子隧道效应带来的电流增益远比光生电流大得多，因此转换效率大大提高，从而使性价比产生了飞跃，可以工业化生产。
下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型实施例一的结构示意图。
图2是本实用新型实施例二的结构示意图。
实施例一
图1中的纳米光-热伏电池包括n-半导体衬底1(外延片)、p+扩散层2、p+离子注入层3、n++高渗杂扩散层4、电极6和7。p+离子注入层3夹在n-衬底1与n++高渗杂扩散层4之间，形成上下两个PN结，构成类似“三明治”的n-、P+、n++纳米夹层结构。p+离子注入层3被n++高渗杂扩散层4覆盖，厚度为1-100nm。就电池整体而言，n-、p+、n++纳米夹层结构呈栏杆状排列，其相互之间为p+扩散层2形成的矩形区域，其上表面盖有氧化层5，工作时用以接收太阳光入射能。此外，各n-、p+、n++纳米夹层结构形成的栏杆为金属铝箔围带所连接。电极6和7分别从n-半导体衬底1和铝箔围带上引出。
理论和实践证明，当本实施例夹层结构中的P+离子注入层3为合适的纳米尺寸时，可以具有热生载流子的传输能力，即纳米光-热伏电池不仅可以通过光生载流子将太阳光能转变成电能，同时可以通过热生载流子将太阳光的辐射热能以及光电转换过程中的热能均转变成电能。由于热生载流子的数量远比光生载流子多得多，并能形成隧道效应，因此本实施例纳米光-热伏电池的工作电流可以高出普通光电池好多倍。尤其是当将多个本实施例的电池串联或并联成电池组时，可以形成功率强大的发电器。与同功率的普通光电池组比较，体积可以缩小好多倍。
实施例二
图2所示实施例二与实施例一的主要区别是，半导体衬底1为p-型，扩散层2为n+型，离子注入层3为n+型，高渗杂扩散层4为p++型。此外，在半导体衬底1的一侧上直接制有用作引出电极的高渗杂扩散层8，这样不仅电极的引出更方便，可以实现平面结构，用单晶材料即可制作，成本更低。
除上述实施例外，本实用新型还可以有其他变化型式。例如，在高渗杂扩散层与离子注入层之间、以及离子注入层与衬底之间也可以设置本征层(π层)，起缓冲作用。再如，为了实现光热转换成电，在使用纳米光-热伏电池时，在电极之间外加偏置电压；以及为了减小漏电流，在衬底周边通过扩散设置p+或n+隔离槽(为了降低成本，也可不设置隔离槽)；等等。这些均落在本实用新型要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种纳米光-热伏电池，包括半导体衬底、扩散层、高渗杂扩散层，以及分别从衬底和高渗杂扩散层引出的电极，其特征在于：还含有离子注入层，所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，形成两个PN结，所述离子注入层为高渗杂扩散层覆盖，厚度在1nm-100nm之间。
2.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底为n-型，所述扩散层为p+型，所述离子注入层为p+型，所述高渗杂扩散层为n++型。
3.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底为p-型，所述扩散层为n+型，所述离子注入层为n+型，所述高渗杂扩散层4为p++型。
4.根据权利要求2或3所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述离子注入层夹在衬底与高渗杂扩散层之间，构成类似“三明治”的纳米夹层结构，所述纳米夹层结构呈栏杆状排列，其相互之间为扩散层形成的矩形区域，其上表面盖有氧化层。
5.根据权利要求4所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述各纳米夹层结构形成的栏杆为金属铝箔围带所连接。
6.根据权利要求5所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述电极分别从半导体衬底和铝箔围带上引出。
7.根据权利要求4所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底的一侧上直接制有用作引出电极的高渗杂扩散层。
8.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述高渗杂扩散层与离子注入层之间、以及离子注入层与衬底之间设置本征层。
9.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述电极之间外加偏置电压。
10.根据权利要求1所述的纳米光-热伏电池，其特征在于：所述衬底周边设置p+或n+隔离槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN01237286U CN2479646Y (zh) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 纳米光－热伏电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN01237286U CN2479646Y (zh) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 纳米光－热伏电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2479646Y true CN2479646Y (zh) | 2002-02-27 |
Family
ID=33650112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN01237286U Expired - Lifetime CN2479646Y (zh) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 纳米光－热伏电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2479646Y (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL423090A1 (pl) * | 2017-10-06 | 2019-04-08 | Energy Solution Innovation Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Bateria termowoltaiczna elektrowni hybrydowej |
-
2001
- 2001-04-11 CN CN01237286U patent/CN2479646Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL423090A1 (pl) * | 2017-10-06 | 2019-04-08 | Energy Solution Innovation Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością | Bateria termowoltaiczna elektrowni hybrydowej |
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