CN221071724U - Cvd反应装置 - Google Patents

Abstract

本申请的实施例公开了一种CVD反应装置，CVD反应装置包括反应器、载台以及第一探测组件。载台能够绕穿过自身的轴线相对反应器转动。第一探测组件位于轴线外，第一探测组件自反应器外部贯通反应器的壁并至少部分伸入内腔，在载台绕轴线转动时，第一探测组件和载台绕轴线相对运动。第一探测组件至少包括伸入内腔的第一导热件及设于反应器外部的第一检测件，第一导热件与载台的第一预定区域相对设置，以使得第一预定区域的热量能够传递至第一导热件，从而使得第一导热件的温度与第一预定区域的温度相关联。第一检测件用于检测第一导热件的温度。本申请实施例减小了载台的温度测量结果的波动范围，更便于控制载台的温度。

Description

CVD反应装置

技术领域

本申请涉及制造半导体部件的工艺及设备技术领域，特别涉及一种CVD反应装置。

背景技术

在半导体制造领域中，通常会通过化学气相沉积(CVD)的方式将半导体材料外延生长在基板上。基板基本上是圆盘状的单晶硅材料，一般称为晶圆。在生产过程中，晶圆会维持高温且暴露在一种或多种化学前驱物的环境中，上述前驱物可以是在基板表面上进行反应或分解，产生符合期待的沉积物。在一些情况下，需要将承载晶圆的载台加热至较高温度，使得晶圆能根据制程的需要保持在500℃至1200℃之间,借以达到晶圆制程温度。对于一些比较严苛的制程，往往需要将晶圆温度波动控制在目标温度的±1℃内。这使得载台的温度控制面临着严苛的挑战：须保证载台所有区域都处于适当的温度范围。否则，处于不适当温度区域的晶圆上生长出的材料往往存在质量缺陷。

目前，温度检测器透过反应器的壁检测反应器内载台的温度。由于载台在反应器内转动，温度检测器的探测区域实际上是围绕载台转动轴线的圆环区域。圆环区域的温度分布不均，导致温度检测器的检测结果存在较大波动。如此，不便于依据温度检测器的检测结果对载台的温度进行控制。

实用新型内容

本申请的实施例提供一种CVD反应装置，减小载台的温度测量结果的波动范围。

为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：

一方面，提供了一种CVD反应装置，CVD反应装置包括反应器、载台以及第一探测组件。反应器具有内腔；载台容置于内腔内，并能够绕穿过自身的轴线相对反应器转动，载台具有承载表面以承载基片；第一探测组件位于轴线外，第一探测组件自反应器外部贯通反应器的壁并至少部分伸入内腔，在载台绕轴线转动时，第一探测组件和载台绕轴线相对运动；第一探测组件至少包括伸入内腔的第一导热件及设于反应器外部的第一检测件，第一导热件与载台的第一预定区域相对设置，以使得第一预定区域的热量能够传递至第一导热件，从而使得第一导热件的温度与第一预定区域的温度相关联；第一检测件用于检测第一导热件的温度。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一导热件相对反应器固定设置；第一导热件位于载台背向承载表面一侧，并与载台的第一预定区域具有间隙。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，定义第一导热件在载台背向承载表面的另一侧面上的正投影为第一投影，在载台旋转时，第一投影形成一个环形运动路径，第一预定区域配置为载台的与环形运动路径相对应的局部区域。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，反应器具有将内腔与外界连通的检测通孔，第一探测组件设于检测通孔内，第一导热件包括面向内腔的第一表面及遮盖检测通孔的第二表面，第一检测件用于检测第一导热件的第二表面的温度。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一探测组件还包括封堵件。其中，第一导热件嵌设于检测通孔靠近内腔的一端，封堵件封堵检测通孔的另一端，并与反应器的壁之间形成密封，封堵件至少沿预定方向对红外辐射透明，第一导热件和第一检测件沿预定方向位于封堵件的两侧，第一检测件透过封堵件检测第一导热件的第二表面的温度。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，封堵件包括管体以及端盖。管体在预定方向延伸，管体的两端敞开，管体的内表面设置有镀层，以反射红外辐射，第一导热件封盖管体的一端；端盖封盖管体的另一端，端盖对红外辐射透明；其中，第一检测件透过端盖检测第一导热件的第二表面的温度。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，CVD反应装置还包括隔热件；其中，第一导热件包括面对第一预定区域设置的第一表面及面向第一检测件的第二表面，第一检测件用于检测第一导热件的第二表面的温度，隔热件包覆第一导热件除第一表面和第二表面以外的部分。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一导热件的材质与载台的材质一致。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，CVD反应装置还包括第二探测组件。第二探测组件位于轴线外，第二探测组件自反应器外部贯通反应器的壁并至少部分伸入内腔，在载台绕轴线转动时，第二探测组件和载台绕轴线相对运动；第二探测组件至少包括伸入内腔的第二导热件及设于反应器外部的第二检测件，第二导热件与载台的第二预定区域相对设置，以使得第二预定区域的热量能够传递至第二导热件，从而使得第二导热件的温度与第二预定区域的温度相关联，第一导热件和第二导热件在载台的径向间隔设置；第二检测件用于检测第二导热件的温度。

除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，第一导热件和第二导热件在载台的周向间隔设置。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

本申请实施例中，第一导热件位于轴线外，在载台绕轴线转动时，第一导热件和载台绕轴线相对运动。第一导热件与载台的第一预定区域相邻设置，以使得第一预定区域的热量能够传递至第一导热件，从而使得第一导热件的温度与第一预定区域的温度相关联。第一导热件能够反应第一预定区域的平均温度。即使第一预定区域在载台的周向温度分布不均匀，第一检测件检测到的第一导热件上的温度不会存在较大波动。由此，减小了载台的温度测量结果的波动范围，更便于控制载台的温度。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1是本申请CVD反应装置一实施例的剖视图；

图2是图1所示CVD反应装置中载台的俯视图；

图3是本申请CVD反应装置一实施例的局部剖视图；

图4是本申请CVD反应装置一实施例的剖视图；

图5是图4所示CVD反应装置中载台的俯视图；

图6是本申请CVD反应装置一实施例中载台的俯视图。

附图标记说明：100-CVD反应装置；102-反应器；104-内腔；106-载台；108-基片放置区；109-承载表面；110-第一导热件；112-第一检测件；113-壁；114-封堵件；116-检测通孔；118-管体；120-端盖；122-第一预定区域；124-隔热件；125-隔热件；126-第二导热件；128-第二预定区域；130-第三导热件；132-第三预定区域；134-壳体；136-第二检测件；138-第三检测件；140-第一探测组件；142-第二探测组件；144-第三探测组件；146-第一表面；148-第二表面。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和有益效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本申请进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本申请，并不是为了限定本申请。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是指两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参阅图1和图2。图1是本申请CVD反应装置100一实施例的剖视图。图2是图1所示CVD反应装置100中载台106的俯视图。

在一些实施例中，CVD反应装置100包括反应器102、载台106以及第一探测组件140。反应器102具有内腔104。载台106容置于内腔104内，并能够绕穿过自身的第一轴线L1相对反应器102转动。载台106具有承载表面109以承载基片(晶圆)。第一探测组件140位于第一轴线L1外，第一探测组件140自反应器102外部贯通反应器102的壁113并至少部分伸入内腔104。在载台106绕第一轴线L1转动时，第一探测组件140和载台106绕第一轴线L1相对运动。第一探测组件140至少包括伸入内腔104的第一导热件110及设于反应器102外部的第一检测件112。第一导热件110与载台106的第一预定区域122相对设置，以使得第一预定区域122的热量能够传递至第一导热件110，从而使得第一导热件110的温度与第一预定区域122的温度相关联。第一检测件112用于检测第一导热件110的温度。

在一些实施例中，定义第一导热件110在载台106背向承载表面109的另一侧面上的正投影为第一投影，在载台106旋转时，第一投影形成一个环形运动路径，第一预定区域122配置为载台106的与环形运动路径相对应的局部区域。具体地，第一预定区域122环设于第一轴线L1外，大体上呈圆环状。

在一些实施例中，承载表面109具有多个基片放置区108，以放置基片。图1所示实施例中，基片放置区108的数量为四个，四个基片放置区108围绕第一轴线L1间隔分布。承载表面109在基片放置区108形成凹陷。

在一些实施例中，载台106大体上成圆盘状。载台106绕自身第一轴线L1转动。

在一些实施例中，CVD反应装置100还包括加热件(图未示)。加热件加热载台106以及载台106上的基片，以使得基片在预定温度范围内发生化学反应。

在一些实施例中，第一检测件112为红外温度传感器。

在一些实施例中，反应器102还包括出气口和进气口，以供气体在内腔104流通。图1中箭头表示气体流动方向。

由于第一导热件110与载台106的第一预定区域122相邻设置，使得第一预定区域122的热量能够传递至第一导热件110，从而使得第一导热件110的温度与第一预定区域122的温度相关联。“相关联”指：第一导热件110的温度能够反应第一预定区域122的温度，并且，第一导热件110的温度能够随第一预定区域122的温度变化而变化。当第一预定区域122整体上温度上升后，第一导热件110的温度上升。当第一预定区域122整体上温度下降后，第一导热件110温度下降。第一导热件110的温度和第一区域的温度满足预定关系，控制人员能够依据第一导热件110的温度控制第一预定区域122的温度。在一些实施例中，第一导热件110的温度为第一预定区域122的温度。在另外一些实施例中，第一导热件110的温度低于第一预定区域122的温度。

由于第一导热件110和载台106绕第一轴线L1相对转动，因此，第一导热件110能够反应第一预定区域122的平均温度。即使第一预定区域122在载台106的周向温度分布不均匀，第一检测件112检测到的第一导热件110上的温度不会存在较大波动。由此，减小了载台106的温度测量结果的波动范围，更便于控制载台106的温度。

第一导热件110能够相对载台106的第一预定区域122运动即可，第一导热件110和反应器102的相对关系可根据具体需要设置。

在一些实施例中，第一导热件110相对反应器102固定设置。具体地，如图1所示，第一导热件110固定设置于反应器102的壁113。如此设置，第一导热件110位置稳定，更便于通过第一检测件112检测第一导热件110的温度。

在一些实施例中，在保证第一导热件110和载台106绕第一轴线L1相对转动的前提下，第一导热件110也可以相对反应器102运动。

在一些实施例中，如图1所示，第一导热件110位于载台106背向承载表面109一侧。如此设置，能够避免第一导热件110干涉承载表面109上的基片，另外，载台106背向承载表面109一侧有充足的空间放置第一探测组件140的其余零部件。

在一些实施例中，在保证第一导热件110不干涉基片的前提下，也可以将第一导热件110设置于载台106的承载表面109一侧。

第一导热件110和第一预定区域122可以接触也可以不接触。

在一些实施例中，第一导热件110与载台106的第一预定区域122具有间隙，也即第一导热件110与第一预定区域122不接触。在该实施例中，载台106的第一预定区域122通过热辐射和热对流的方式加热第一导热件110。如此设置，能够避免第一导热件110和载台106磨损。

请参阅图3。图3是本申请CVD反应装置100一实施例的局部剖视图。

在一些实施例中，第一导热件110与载台106的第一预定区域122抵接。具体地，第一导热件110为滚轮，并能够绕第二轴线L2转动。第二轴线L2垂直于第一轴线L1。第一导热件110滚压于第一预定区域122。在载台106转动时，第一导热件110相对载台106滚动。载台106的第一预定区域122通过热传导、热辐射和热对流的方式加热第一导热件110。如此设置，能够使得第一导热件110的温度更接近载台106的第一预定区域122的平均温度。

下面详细介绍第一探测组件140贯穿反应器102的壁113的具体结构。

请参阅图1。在一些实施例中，反应器102具有将内腔104与外界连通的检测通孔116。第一探测组件140设于检测通孔116内。第一导热件110包括面向内腔104的第一表面146及遮盖检测通孔116的第二表面148。第一检测件112用于检测第一导热件110的第二表面148的温度。

具体地，检测通孔116为圆柱孔，检测通孔116不限于圆柱孔。检测通孔116具有第三轴线L3。第三轴线L3平行于第一轴线L1。第一表面146和第二表面148沿第三轴线L3位于第一导热件110的相对两侧。第一检测件112通过检测通孔116检测第一导热件110的温度。

进一步地，在一些实施例中，第一探测组件140还包括封堵件114。其中，第一导热件110嵌设于检测通孔116靠近内腔104的一端。封堵件114封堵检测通孔116的另一端，并与反应器102的壁113之间形成密封。封堵件114至少沿预定方向对红外辐射透明。第一导热件110和第一检测件112沿预定方向位于封堵件114的两侧。第一检测件112透过封堵件114检测第一导热件110的第二表面148的温度。具体地，预定方向为检测通孔116的第三轴线L3方向。

进一步地，在一些实施例中，封堵件114包括管体118以及端盖120。管体118在预定方向延伸，管体118的两端敞开，管体118的内表面设置有镀层，以反射红外辐射。第一导热件110封盖管体118的一端。端盖120封盖管体118的另一端，端盖120对红外辐射透明。其中，第一检测件112透过端盖120检测第一导热件110的第二表面148的温度。端盖120的材质例如为石英。第一导热件110的热量能够沿预定方向辐射至外界，并且热量损失小。

图1所示实施例中，第一导热件110和封堵件114共同封堵检测通孔116。

请参阅图3。图3所示实施例提供了另外一种结构形式的封堵件114。在图3所示实施例中，第一导热件110位于内腔104并与壁113形成固持(未图示)，仅依靠封堵件114封堵检测通孔116。

具体地，封堵件114包括管体118以及两个端盖120。管体118在预定方向延伸，并贯穿壁113。管体118的两端敞开，管体118的内表面设置有镀层，以反射红外辐射。一个端盖120位于内腔104，并封盖管体118的一端。另一个端盖120位于反应器102外，并封盖管体118的另一端。端盖120对红外辐射透明。其中，第一检测件112依次透过两个端盖120检测第一导热件110的温度。在一些实施例中，管体118的材质为石英，镀层的材质为镍。

第一探测组件140贯穿反应器102的壁113的具体结构不限于上述举例，可以采用其它合理结构。

为避免载台106的第一预定区域122以外的区域影响第一导热件110的温度，还作如下改进。

请参阅图1。在一些实施例中，壁113包括壳体134以及隔热件124。隔热件124形成壳体134的内衬，以减小内腔104热量外散。其中，第一导热件110包括面对第一预定区域122设置的第一表面146及面向第一检测件112的第二表面148。第一检测件112用于检测第一导热件110的第二表面148的温度。隔热件124包覆第一导热件110除第一表面146和第二表面148以外的部分。具体地，第一导热件110嵌设于隔热件124中，第一表面146的至少部分朝内腔104露出，以接收第一预定区域122的热量，第二表面148的至少部分通过检测通孔116朝外界露出，以供第一检测件112检测。如此设置，减小了第一导热件110受载台106的其余区域的影响，使得第一导热件110的温度更能够反应第一预定区域122的温度。

请参阅图3。在一些实施例中，第一导热件110位于内腔104，壁113中的隔热件124无法包裹第一导热件110。为此，还单独设置隔热件125。隔热件125包覆第一导热件110除第一表面146和第二表面148以外的部分。在该实施例中，隔热件125同样减小了第一导热件110受载台106的其余区域的影响。

在一些实施例中，第一导热件110的材质与载台106的材质一致。在一些实施例中，载台106包括石墨以及石墨表面的SiC涂层。如此，使得第一导热件110的温度更能够反应第一预定区域122的温度。

CVD反应装置100中，可根据需要设置多个探测组件，以分别检测载台106的多个预定区域的温度。具体如下。

请参阅图4和图5。图4是本申请CVD反应装置100一实施例的剖视图。图5是图4所示CVD反应装置100中载台106的俯视图。

CVD反应装置100还包括第二探测组件142。第二探测组件142位于第一轴线L1外。第二探测组件142自反应器102外部贯通反应器102的壁113并至少部分伸入内腔104。在载台106绕第一轴线L1转动时，第二探测组件142和载台106绕第一轴线L1相对运动。第二探测组件142至少包括伸入内腔104的第二导热件126及设于反应器102外部的第二检测件136。第二导热件126与载台106的第二预定区域128相对设置，以使得第二预定区域128的热量能够传递至第二导热件126，从而使得第二导热件126的温度与第二预定区域128的温度相关联。第一导热件110和第二导热件126在载台106的径向间隔设置。第二检测件136用于检测第二导热件126的温度。具体地，第一预定区域122和第二预定区域128为同心圆环。

第二探测组件142的具体结构以及设置方式均可参照第一探测组件140，此处不再赘述。

如此设置，可以通过第一探测组件140检测第一预定区域122的温度，以及通过第二探测组件142检测第二预定区域128的温度。

进一步地，CVD反应装置100还包括第三探测组件144。第三探测组件144位于第一轴线L1外。第三探测组件144自反应器102外部贯通反应器102的壁113并至少部分伸入内腔104。在载台106绕第一轴线L1转动时，第三探测组件144和载台106绕第一轴线L1相对运动。第三探测组件144至少包括伸入内腔104的第三导热件130及设于反应器102外部的第三检测件138。第三导热件130与载台106的第三预定区域132相对设置，以使得第三预定区域132的热量能够传递至第三导热件130，从而使得第三导热件130的温度与第三预定区域132的温度相关联。第三检测件138用于检测第三导热件130的温度。第一导热件110、第二导热件126以及第三导热件130在载台106的径向间隔设置。

探测组件的数量可以根据需要设置，例如，探测组件的数量还可以为四个、五个或六个以上。

在图4所示实施例中，第一导热件110、第二导热件126以及第三导热件130间隔较近，可能会彼此影响。为避免该问题，还作如下改进。

请参阅图6。图6是本申请CVD反应装置100一实施例中载台106的俯视图。

在一些实施例中，第一导热件110、第二导热件126以及第三导热件130在载台106的周向间隔设置。如此设置，减轻了第一导热件110、第二导热件126以及第三导热件130相互影响。

综上所述，本申请实施例，减小了载台温度测量结果的波动范围，更便于控制载台的温度。

以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本申请的方法、结构及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本申请权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种CVD反应装置，其特征在于，包括：

反应器，所述反应器具有内腔；

载台，所述载台容置于所述内腔内，并能够绕穿过自身的轴线相对所述反应器转动，所述载台具有承载表面以承载基片；

第一探测组件，所述第一探测组件位于所述轴线外，所述第一探测组件自所述反应器外部贯通所述反应器的壁并至少部分伸入所述内腔，在所述载台绕所述轴线转动时，所述第一探测组件和所述载台绕所述轴线相对运动；所述第一探测组件至少包括伸入所述内腔的第一导热件及设于所述反应器外部的第一检测件，所述第一导热件与所述载台的第一预定区域相对设置，以使得所述第一预定区域的热量能够传递至所述第一导热件，从而使得所述第一导热件的温度与所述第一预定区域的温度相关联，所述第一检测件用于检测所述第一导热件的温度。

2.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，

所述第一导热件相对所述反应器固定设置；所述第一导热件位于所述载台背向所述承载表面一侧，并与所述载台的所述第一预定区域具有间隙。

3.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，

定义所述第一导热件在所述载台背向所述承载表面的另一侧面上的正投影为第一投影，在所述载台旋转时，所述第一投影形成一个环形运动路径，所述第一预定区域配置为所述载台的与所述环形运动路径相对应的局部区域。

4.如权利要求2所述CVD反应装置，其特征在于，

所述反应器具有将所述内腔与外界连通的检测通孔，所述第一探测组件设于所述检测通孔内，所述第一导热件包括面向所述内腔的第一表面及遮盖所述检测通孔的第二表面，所述第一检测件用于检测所述第一导热件的所述第二表面的温度。

5.如权利要求4所述CVD反应装置，其特征在于，所述第一探测组件还包括：

封堵件；

其中，所述第一导热件嵌设于所述检测通孔靠近所述内腔的一端，所述封堵件封堵所述检测通孔的另一端，并与所述反应器的壁之间形成密封，所述封堵件至少沿预定方向对红外辐射透明，所述第一导热件和所述第一检测件沿所述预定方向位于所述封堵件的两侧，所述第一检测件透过所述封堵件检测所述第一导热件的所述第二表面的温度。

6.如权利要求5所述CVD反应装置，其特征在于，所述封堵件包括：

管体，所述管体在所述预定方向延伸，所述管体的两端敞开，所述管体的内表面设置有镀层，以反射红外辐射，所述第一导热件封盖所述管体的一端；

端盖，所述端盖封盖所述管体的另一端，所述端盖对红外辐射透明；

其中，所述第一检测件透过所述端盖检测所述第一导热件的第二表面的温度。

7.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，还包括：

隔热件；

其中，所述第一导热件包括面对所述第一预定区域设置的第一表面及面向所述第一检测件的第二表面，所述第一检测件用于检测所述第一导热件的所述第二表面的温度，所述隔热件包覆所述第一导热件除所述第一表面和所述第二表面以外的部分。

8.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，

所述第一导热件的材质与所述载台的材质一致。

9.如权利要求1所述CVD反应装置，其特征在于，还包括：

第二探测组件，所述第二探测组件位于所述轴线外，所述第二探测组件自所述反应器外部贯通所述反应器的壁并至少部分伸入所述内腔，在所述载台绕所述轴线转动时，所述第二探测组件和所述载台绕所述轴线相对运动；所述第二探测组件至少包括伸入所述内腔的第二导热件及设于所述反应器外部的第二检测件，所述第二导热件与所述载台的第二预定区域相对设置，以使得所述第二预定区域的热量能够传递至所述第二导热件，从而使得所述第二导热件的温度与所述第二预定区域的温度相关联，所述第一导热件和所述第二导热件在所述载台的径向间隔设置；所述第二检测件用于检测所述第二导热件的温度。

10.如权利要求9所述CVD反应装置，其特征在于，

所述第一导热件和所述第二导热件在所述载台的周向间隔设置。