CN221043676U - 显示面板和电子设备 - Google Patents

Abstract

提供了显示面板和电子设备。显示面板包括：在第一显示区域处并且包括第一晶体管、存储电容器和第二晶体管的第一子像素电路；在第一晶体管和第二晶体管上方的有机绝缘层；在第一显示区域处并且电连接到第一子像素电路的第一发光二极管；在包括透射区域的第二显示区域处的第二发光二极管；具有第一开口和第二开口的堤层；与第一发光二极管的第一电极和堤层的第一开口重叠的至少一个线；以及在第二显示区域处并且与第二发光二极管的第一电极和堤层的第二开口重叠的导电图案层。导电图案层位于与至少一个线的层相同的层处。

Description

显示面板和电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年10月12日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0130924号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的一个或多个实施方式涉及显示面板和包括显示面板的电子设备。

背景技术

显示面板可视地显示数据。近来，显示面板已被广泛使用。由于显示面板的厚度和重量已减小，因此显示面板的用途已被拓宽。

作为用于扩大由显示区域占据的面积并且同时添加各种功能的措施，对显示面板的研究仍在继续以向显示区域的内部或内添加除显示功能以外的功能。

在本背景技术部分中所公开的上述信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此其可包含不构成现有技术的信息。

实用新型内容

本公开的一个或多个实施方式涉及在显示区域中包括透射区域的显示面板和包括显示面板的电子设备。

本公开的上述和附加方面和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践本公开的所呈现的实施方式中的一个或多个而习得。

根据本公开的一个或多个实施方式，显示面板包括：第一子像素电路、有机绝缘层、第一发光二极管、第二发光二极管、堤层、至少一个线和导电图案层，第一子像素电路在第一显示区域处并且包括包含第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管、存储电容器以及包含第二半导体层和第二栅电极的第二晶体管，有机绝缘层在第一晶体管和第二晶体管上方，第一发光二极管在第一显示区域处并且电连接到第一子像素电路，第一发光二极管包括在有机绝缘层上的第一电极，第二发光二极管在至少部分地被第一显示区域围绕的第二显示区域处并且包括在有机绝缘层上的第一电极，第二显示区域包括透射区域，堤层具有与第一发光二极管的第一电极重叠的第一开口以及与第二发光二极管的第一电极重叠的第二开口，至少一个线与第一发光二极管的第一电极和堤层的第一开口重叠，导电图案层在第二显示区域处并且与第二发光二极管的第一电极和堤层的第二开口重叠。导电图案层位于与至少一个线的层相同的层处。在实施方式中，至少一个线包括驱动电力线、数据连接线和数据线中的至少一个。

在实施方式中，显示面板还可包括在有机绝缘层下的下有机绝缘层，并且导电图案层和至少一个线可位于下有机绝缘层与有机绝缘层之间。

在实施方式中，显示面板还可包括第二子像素电路和导电总线，第二子像素电路在位于第一显示区域与第二显示区域之间的第三显示区域处并且电连接到第二发光二极管，导电总线在第三显示区域处朝向第二显示区域延伸以将第二子像素电路电连接到第二发光二极管。

在实施方式中，导电总线可位于与第一栅电极、存储电容器的电极和第二栅电极中的任一个的层相同的层处。

在实施方式中，导电图案层可包括与堤层的第二开口重叠的多个导电线，并且多个导电线中的每个的延伸方向可以和与堤层的第一开口重叠的至少一个线的延伸方向相同。

在实施方式中，至少一个线可包括多个数据线和多个数据连接线，并且选自多个导电线之中的两个相邻的导电线之间的第一距离可与选自多个数据线和多个数据连接线之中的两个相邻的线之间的第二距离相同。

在实施方式中，多个导电线可一体地连接到与多个导电线交叉的连接导电线。

在实施方式中，至少一个线可包括彼此物理地连接的多个驱动电力线的连接部分，并且其中堤层的第二开口与导电图案层重叠的形状或面积可与其中堤层的第一开口与多个驱动电力线的连接部分重叠的形状或面积相同。

在实施方式中，在平面图中，其中堤层的第二开口与导电图案层重叠的形状可与其中堤层的第一开口与至少一个线的一部分重叠的形状相同。

在实施方式中，显示面板还可包括在第二显示区域处的导电线，并且导电线可与第二发光二极管的第一电极、堤层的第二开口和导电图案层中的每个重叠。

在实施方式中，显示面板还可包括在第二显示区域处并且被配置为与第二发光二极管发射相同颜色的光的附加第二发光二极管，并且导电线可包括将第二发光二极管电连接到附加第二发光二极管的连接线。

在实施方式中，有机绝缘层可具有用于将第一子像素电路电连接到第一发光二极管的第一电极的第一通孔接触孔以及用于将导电图案层电连接到第二发光二极管的第一电极的第二通孔接触孔，并且第一通孔接触孔和第二通孔接触孔中的每个可与堤层重叠。

在实施方式中，从堤层的第一开口的中心朝向第一通孔接触孔延伸的第一虚拟线与在第一方向上穿过第一开口的中心的虚拟基准线之间的角度可以和从堤层的第二开口的中心朝向第二通孔接触孔延伸的第二虚拟线与在第一方向上穿过第二开口的中心的虚拟基准线之间的角度相同。

根据本公开的一个或多个实施方式，电子设备包括上述的显示面板以及在显示面板下并且对应于第二显示区域的部件。根据本公开的一个或多个实施方式，电子设备包括包含第一显示区域和至少部分地被第一显示区域围绕并且包括透射区域的第二显示区域的显示面板以及在显示面板下并且对应于第二显示区域的部件。显示面板包括第一子像素电路、有机绝缘层、第一发光二极管、第二发光二极管、堤层、至少一个线和导电图案层，第一子像素电路在第一显示区域处并且包括包含第一半导体层和第一栅电极的第一晶体管、存储电容器以及包含第二半导体层和第二栅电极的第二晶体管，有机绝缘层在第一晶体管和第二晶体管上方，第一发光二极管在第一显示区域处并且电连接到第一子像素电路，第一发光二极管包括在有机绝缘层上的第一电极，第二发光二极管在第二显示区域处并且包括在有机绝缘层上的第一电极，堤层具有与第一发光二极管的第一电极重叠的第一开口以及与第二发光二极管的第一电极重叠的第二开口，至少一个线与第一发光二极管的第一电极和堤层的第一开口重叠，导电图案层在第二显示区域处并且与第二发光二极管的第一电极和堤层的第二开口重叠。至少一个线包括驱动电力线、数据连接线和数据线中的至少一个，并且导电图案层位于与至少一个线的层相同的层处。

在实施方式中，部件可包括相机或传感器。

在实施方式中，显示面板还可包括在有机绝缘层下的下有机绝缘层，并且导电图案层和至少一个线可位于下有机绝缘层与有机绝缘层之间。

在实施方式中，显示面板还可包括第二子像素电路和导电总线，第二子像素电路在位于第一显示区域与第二显示区域之间的第三显示区域处并且电连接到第二发光二极管，导电总线在第三显示区域处朝向第二显示区域延伸以将第二子像素电路电连接到第二发光二极管。

在实施方式中，导电总线可位于与第一栅电极、存储电容器的电极和第二栅电极中的任一个的层相同的层处。

在实施方式中，导电图案层可包括与堤层的第二开口重叠的多个导电线，并且多个导电线中的每个的延伸方向可以和与堤层的第一开口重叠的至少一个线的延伸方向相同。

在实施方式中，显示面板的至少一个线可包括多个数据线和多个数据连接线，并且选自多个导电线之中的两个相邻的导电线之间的第一距离可与选自多个数据线和多个数据连接线之中的两个相邻的线之间的第二距离相同。

在实施方式中，多个导电线可一体地连接到与多个导电线交叉的连接导电线。

在实施方式中，至少一个线可包括彼此物理地连接的多个驱动电力线的连接部分，并且其中堤层的第二开口与导电图案层重叠的形状或面积可与其中堤层的第一开口与多个驱动电力线的连接部分重叠的形状或面积相同。

在实施方式中，在平面图中，其中堤层的第二开口与导电图案层重叠的形状可与其中堤层的第一开口与至少一个线的一部分重叠的形状相同。

在实施方式中，显示面板还可包括在第二显示区域处的导电线，并且导电线可与第二发光二极管的第一电极、堤层的第二开口和导电图案层中的每个重叠。

在实施方式中，显示面板还可包括在第二显示区域处并且被配置为与第二发光二极管发射相同颜色的光的附加第二发光二极管，并且导电线可包括将第二发光二极管电连接到附加第二发光二极管的连接线。

在实施方式中，有机绝缘层可具有用于将第一子像素电路电连接到第一发光二极管的第一电极的第一通孔接触孔以及用于将导电图案层电连接到第二发光二极管的第一电极的第二通孔接触孔，并且从堤层的第一开口的中心朝向第一通孔接触孔延伸的第一虚拟线与在第一方向上穿过第一开口的中心的虚拟基准线之间的角度可以和从堤层的第二开口的中心朝向第二通孔接触孔延伸的第二虚拟线与在第一方向上穿过第二开口的中心的虚拟基准线之间的角度相同。

附图说明

通过参照附图的说明性的非限制性实施方式的以下详细描述，将更加清楚地理解本公开的上述和其它方面和特征，在附图中：

图1是根据实施方式的电子设备的示意性透视图；

图2是根据实施方式的电子设备的示意性剖面图；

图3是根据实施方式的显示面板的示意性平面图；

图4是根据实施方式的显示面板的子像素电路和电连接到子像素电路的发光二极管的示意性等效电路图；

图5是根据实施方式的布置在显示面板的显示区域中的子像素的平面图；

图6A是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的平面图；

图6B是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的剖面图；

图7A是根据实施方式的显示面板的第二显示区域和第三显示区域的平面图；

图7B是根据实施方式的显示面板的第二显示区域和第三显示区域的剖面图；

图8是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的一部分的平面图；

图9是根据实施方式的显示面板的第二显示区域的一部分的平面图；

图10是根据实施方式的沿图9的线X-X'截取的显示面板的剖面图；

图11是根据实施方式的沿图9的线XI-XI'截取的显示面板的剖面图；

图12是根据实施方式的沿图9的线XII-XII'截取的显示面板的剖面图；

图13A是根据实施方式的显示面板的第二显示区域的平面图；

图13B是沿图13A的线XIII-XIII'截取的第二显示区域的剖面图；以及

图14A和图14B是根据一个或多个实施方式的第一导电图案层和第三导电图案层的示意性平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对实施方式进行更加详细的描述，在附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。然而，本公开可以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于本文中所示的实施方式。相反，将这些实施方式提供作为实例，以使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本公开的方面和特征。相应地，对于本领域普通技术人员完整地理解本公开的方面和特征而言并不是必要的工艺、元件和技术可不被描述。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中相同的附图标记指示相同的元件，并且因此可不重复其冗余描述。

当特定实施方式可被不同地实现时，具体工艺顺序可与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可同时或实质上同时执行，或者可以与描述的顺序相反的顺序执行。

在附图中，为了清楚起见，元件、层和区的相对尺寸、厚度和比例可被放大和/或简化。空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“下”、“上方”、“上部”等，可在本文中出于解释的便利而用于描述如图中所示的一个元件或者特征与另一个(些)元件或者特征的关系。应理解，除了图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或者特征“下方”、“下面”或者“下”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“下”能够涵盖上方和下方的取向这两者。装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或者在其它取向)，并且本文中所使用的空间相对描述词应被相应地解释。

在图中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直或实质上垂直，或者可表示彼此不垂直的彼此不同的方向。

应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或者部分与另一个元件、部件、区、层或者部分区分开。因此，下面所讨论的第一元件、部件、区、层或者部分可被称为第二元件、部件、区、层或者部分，而不背离本公开的精神和范围。

应理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”，“连接到”或者“联接到”另一元件或层时，该元件或层能够直接在另一元件或层上，直接连接到或者联接到另一元件或层，或者可存在有一个或多个居间元件或层。相似地，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，其可直接电连接到另一层、区域或元件，和/或可隔着一个或多个居间层、区域或元件进行间接地电连接。此外，还应理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层能够是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可存在有一个或多个居间元件或层。

本文中所使用的用语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行对本公开的限制。除非上下文中另有明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式。还应理解，术语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包括(include)”、“包括有(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和“具有(having)”当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或者多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或者添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B、或A和B。诸如“……中至少一个”的表述在一系列元件之后时，修饰整个系列的元件，而不是修饰该系列中的个别元件。例如，表述“a、b或c中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”和“选自由a、b和c构成的组中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。

如本文中所使用的，术语“实质上”、“约”以及类似术语用作近似的术语而不是用作程度的术语，并且旨在考虑由本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。此外，当描述本公开的实施方式时对“可”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被视为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”分别同义。

除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，术语，诸如常用词典中定义的那些术语，应被解释为具有与它们在相关技术和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于正式的含义来解释。

图1是根据实施方式的电子设备的示意性透视图。

参照图1，电子设备1可包括显示区域DA和在显示区域DA的外侧上的外围区域PA。在显示区域DA中，可通过子像素显示图像。外围区域PA可为不显示图像的非显示区域，并且位于显示区域DA的外侧上，诸如，以完全或实质上完全围绕显示区域DA(例如，在显示区域DA的外围周围)。被配置为向显示区域DA提供电信号或电力的驱动器等可布置在外围区域PA处(例如，中或上)。可电连接到电子部件或印刷电路板的焊盘可布置在外围区域PA处(例如，中或上)。

在下文中，为了方便起见，将在智能电话的上下文中更详细地描述电子设备1，但是本公开不限于此。电子设备1可应用于各种适当的产品和装置，诸如以便携式电子设备(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、个人数字助理、电子书终端、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置或超移动PC(UMPC))、电视机(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置等为例。而且，在实施方式中，电子设备1可使用在诸如智能表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。而且，在实施方式中，电子设备1可用作车辆的仪表组中的显示屏、安装在车辆的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的车内镜显示器或者提供用于车辆的后座娱乐的汽车头枕监视器。

显示区域DA可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。在显示区域DA中，可通过使用二维布置的子像素来显示图像。子像素可包括布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一子像素P1、布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二子像素P2以及布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)的第三子像素P3。

第一显示区域DA1可占据大部分的显示区域DA，这可指示第一显示区域DA1的面积大于或等于显示区域DA的面积的约50％。

第二显示区域DA2可至少部分地被第一显示区域DA1围绕(例如，第一显示区域DA1可至少部分地在第二显示区域DA2的外围周围)。在实施方式中，第二显示区域DA2可位于第一显示区域DA1内部(例如，内)，并且可被第一显示区域DA1完全包围(例如，第一显示区域DA1可完全在第二显示区域DA2的外围周围)。

第三显示区域DA3可位于第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。第三显示区域DA3可至少部分地围绕第二显示区域DA2(例如，第三显示区域DA3可至少部分地在第二显示区域DA2的外围周围)。在实施方式中，第三显示区域DA3可完全围绕第二显示区域DA2(例如，第三显示区域DA3可完全在第二显示区域DA2的外围周围)，并且可完全被第一显示区域DA1围绕(例如，第一显示区域DA1可完全在第二显示区域DA2外围周围)。

第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可各自具有比第一显示区域DA1的面积小的面积。在实施方式中，如图1中所示，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的每个可具有圆形形状。在另一实施方式中，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的每个可具有多边形形状，诸如矩形或实质上矩形形状。

图1示出了当在与电子设备1的上表面垂直或实质上垂直的方向上(例如，在z方向上)观察时，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3位于具有矩形或实质上矩形形状的显示区域DA(在+y方向上)的上部的中心处，但是本公开不限于此。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可布置在例如显示区域DA的右上部或左上部上。

第二显示区域DA2可通过使用第二子像素P2来实现图像，并且光或声音可穿透第二显示区域DA2在第二子像素P2之间的部分。在下文中，光或声音可穿透的区域被称为透射区域TA。换言之，第二显示区域DA2可包括位于第二子像素P2之间的透射区域TA。

图2是根据实施方式的电子设备的示意性剖面图。

参照图2，电子设备1可包括显示面板10和与显示面板10重叠的部件20。部件20可布置在第二显示区域DA2中。

部件20可为使用光或声音的电子部件。例如，电子部件可为测量距离的传感器(例如，接近传感器)、用于识别用户的身体部分(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、用于输出光的小灯、用于捕获图像的图像传感器(例如，相机)等。使用光的电子部件可使用各种合适的波长带中的光，诸如以可见光线、红外光线、紫外光线等为例。使用声音的电子部件可使用超声波或不同频带中的声音。

第二显示区域DA2可包括从部件20输出到外部或者从外部朝向部件20行进的光和/或声音可穿透的透射区域TA。在实施方式中，透射区域TA可为光可穿透的区域，并且可对应于位于第二子像素P2之间的区域。当光穿过包括透射区域TA的第二显示区域DA2时，光的透射率可大于或等于约10％，诸如以25％、40％、50％、85％或90％为例。

以上参照图1描述的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3可分别通过使用发光二极管来发射光，并且发光二极管可布置在显示面板10的显示区域DA处(例如，中或上)。如在本说明书中使用的，与第一显示区域DA1的第一子像素P1对应的发光二极管被称为第一发光二极管ED1，与第二显示区域DA2的第二子像素P2对应的发光二极管被称为第二发光二极管ED2，并且与第三显示区域DA3的第三子像素P3对应的发光二极管被称为第三发光二极管ED3。第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3可布置在衬底100上方。

衬底100可包括绝缘材料，诸如玻璃材料或聚合物树脂，并且保护膜PB可布置在衬底100的后表面上。衬底100可为刚性衬底或者可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。保护膜PB可在第二显示区域DA2中包括开口PB-OP以提高透射区域TA的透射率。

包括子像素电路的显示层200布置在衬底100上。第一发光二极管ED1布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)，并且电连接到布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一子像素电路PC1。第一子像素电路PC1可包括晶体管和电连接到晶体管的存储电容器。

第二发光二极管ED2布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)。第二发光二极管ED2电连接到第二子像素电路PC2，并且第二子像素电路PC2不布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)，以提高包括在第二显示区域DA2中的透射区域TA的透射率并且增加透射区域TA的透光面积。

第二子像素电路PC2可布置在与第二显示区域DA2不同的区域处(例如，中或上)，诸如以布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)为例。在另一实施方式中，第二子像素电路PC2可布置在外围区域PA(例如，参见图1)处(例如，中或上)，但是为了方便起见，在下文中，可更详细地将第二子像素电路PC2描述为布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)。

第二发光二极管ED2可通过导电总线CBL电连接到第二子像素电路PC2。导电总线CBL可将第三显示区域DA3处(例如，中或上)的第二子像素电路PC2电连接到第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二发光二极管ED2。

第三发光二极管ED3布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)，并且电连接到布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)的第三子像素电路PC3。第三子像素电路PC3可包括晶体管和电连接到晶体管的存储电容器。

第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3为用于发射适当颜色(例如，特定或预定颜色)的光的发光元件，并且可包括有机发光二极管。在另一实施方式中，第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3可包括无机发光二极管或包含量子点的发光二极管。

第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3可被封装层300覆盖。封装层300可包括薄膜封装层，薄膜封装层包括包含无机绝缘材料的无机封装层和包含有机绝缘材料的有机封装层。在实施方式中，封装层300可包括第一无机封装层和第二无机封装层以及介于它们之间的有机封装层。

在另一实施方式中，封装层300可为封装衬底，诸如玻璃衬底。包含玻璃料等的密封剂可布置在衬底100与封装衬底之间。密封剂可布置在外围区域PA处(例如，中或上)，并且可以延伸以围绕显示区域DA的外边缘(例如，在显示区域DA的外边缘周围)，并且因此，可防止或实质上防止湿气通过(例如，沿着)横向方向渗透到第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3。

输入检测层400可形成在封装层300上。输入检测层400可根据外部输入(诸如以来自诸如手指或手写笔的物体的触摸事件为例)来获得坐标信息。输入检测层400可包括触摸电极和连接到触摸电极的迹线。输入检测层400可以互电容方式和/或自电容方式检测外部输入。

光学功能层500可包括防反射层。防反射层可降低从外部通过覆盖窗600朝向显示面板10入射的光(例如，外部光)的反射率。防反射层可包括延迟器和偏振器。当光学功能层500包括偏振器时，光学功能层500可包括位于第二显示区域DA2中的开口510，并且因此，可提高透射区域TA的透射率。

在另一实施方式中，防反射层可包括黑矩阵和滤色器。滤色器可通过考虑从第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3分别发射的光的颜色来布置。当光学功能层500包括黑矩阵和滤色器时，透光材料可布置在与透射区域TA对应的位置处。

在另一实施方式中，防反射层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括布置在彼此不同的层处(例如，中或上)的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉，并且外部光的反射率可相应地降低。

覆盖窗600可布置在光学功能层500上。覆盖窗600可通过布置在覆盖窗600与光学功能层500之间的粘合层(诸如光学透明粘合剂)而粘合到光学功能层500。覆盖窗600可包括玻璃材料或塑料材料。塑料材料可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。

覆盖窗600可包括柔性覆盖窗。例如，覆盖窗600可包括聚酰亚胺覆盖窗或超薄玻璃覆盖窗。

图3是根据实施方式的显示面板的示意性平面图。

参照图3，显示面板10可包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。显示区域DA(例如，第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3)可对应于显示面板10的图像表面。

发光二极管布置在第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3处(例如，中或上)，并且分别电连接到发光二极管的子像素电路布置在第一显示区域DA1和第三显示区域DA3处(例如，中或上)，而不布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)。例如，电连接到第一发光二极管ED1的第一子像素电路PC1可布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)，并且分别电连接到第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)。换言之，布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)的子像素电路中的一些子像素电路(例如，第二子像素电路PC2)可电连接到布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二发光二极管ED2，并且布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)的子像素电路中的其它子像素电路(例如，第三子像素电路PC3)可电连接到布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)的第三发光二极管ED3。

第一发光二极管ED1布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)。从第一发光二极管ED1发射的光可对应于来自上面参照图1描述的第一子像素P1的光，并且第一发光二极管ED1的位置可为第一子像素P1的位置。第一发光二极管ED1可发射例如红色光、绿色光或蓝色光。用于驱动第一发光二极管ED1的第一子像素电路PC1可布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)，并且电连接到第一发光二极管ED1。

第一子像素电路PC1电连接到在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线DL。被配置为向第一子像素电路PC1提供信号的第一驱动电路SDRV1和第二驱动电路SDRV2可布置在外围区域PA处(例如，中或上)。

数据线DL中的一些可通过扇出线FW接收数据信号，并且其它数据线DL可通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据连接线DCL接收数据信号。如图3中所示，例如，一些数据信号可通过扇出线FW、在第二方向(例如，y方向)上延伸并且连接到扇出线FW的数据连接线DCL和在第一方向(例如，x方向)上延伸并且将数据连接线DCL和其它数据线DL彼此连接的水平连接线HCL传输到其它数据线DL。由于数据连接线DCL、水平连接线HCL和其它数据线DL为具有相同信号(数据信号)的线，因此数据连接线DCL和水平连接线HCL也可为像数据线DL一样的一种信号线。

第一驱动电路SDRV1可被配置为通过扫描线SL向第一子像素电路PC1提供扫描信号。第二驱动电路SDRV2可隔着第一显示区域DA1与第一驱动电路SDRV1相对地布置。在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一子像素电路PC1中的一些可电连接到第一驱动电路SDRV1，并且其它第一子像素电路PC1可电连接到第二驱动电路SDRV2。

焊盘PAD可布置在衬底100的一侧上。焊盘PAD可不被绝缘层覆盖并且可被暴露，并且因此可连接到电路板30。控制驱动器32可布置在电路板30处(例如，中或上)。

控制驱动器32可生成传输到第一驱动电路SDRV1和第二驱动电路SDRV2的控制信号。控制驱动器32可包括数据驱动电路，并且数据驱动电路可生成数据信号。生成的数据信号可通过布置在外围区域PA处(例如，中或上)的扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL传输到第一子像素电路PC1。在其它实施方式中，数据驱动电路可布置在衬底100的外围区域PA处(例如，中或上)。

第二发光二极管ED2布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)。从第二发光二极管ED2发射的光可对应于来自上面参照图1描述的第二子像素P2的光，并且第二发光二极管ED2的位置可为第二子像素P2的位置。第二发光二极管ED2可发射例如红色光、绿色光或蓝色光。

透射区域TA可布置在第二发光二极管ED2之间。在实施方式中，第二显示区域DA2的其中未布置有第二发光二极管ED2的部分可为透射区域TA。为了增加透射区域TA的面积并且提高透射率，用于驱动第二发光二极管ED2的第二子像素电路PC2可布置在位于第二显示区域DA2的外侧上的第三显示区域DA3处(例如，中或上)。第二子像素电路PC2中的一些可布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的上部相邻的一些部分处(例如，中或上)，并且第二子像素电路PC2中的其它第二子像素电路PC2可布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的下部相邻的一些部分处(例如，中或上)。

位于第三显示区域DA3处(例如，中或上)的第二子像素电路PC2可通过导电总线CBL电连接到位于第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二发光二极管ED2。例如，第二发光二极管ED2可通过在第一方向(例如，x方向)上延伸的导电总线CBL电连接到第二子像素电路PC2。

第三发光二极管ED3布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)。从第三发光二极管ED3发射的光可对应于来自上面参照图1描述的第三子像素P3的光，并且第三发光二极管ED3的位置可为第三子像素P3的位置。第三发光二极管ED3可发射例如红色光、绿色光或蓝色光。

用于驱动第三发光二极管ED3的第三子像素电路PC3布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)。第三子像素电路PC3可电连接到第三发光二极管ED3，并且可驱动第三发光二极管ED3。

第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可电连接到第一驱动电路SDRV1和/或第二驱动电路SDRV2。第二子像素电路PC2中的至少任一个和/或第三子像素电路PC3中的至少任一个可与第一子像素电路PC1中的至少任一个共享扫描线。第二子像素电路PC2中的至少任一个和/或第三子像素电路PC3中的至少任一个可与第一子像素电路PC1中的至少任一个共享数据线。

驱动电压供给线11和公共电压供给线13可布置在外围区域PA处(例如，中或上)。驱动电压供给线11可被配置为将驱动电压施加到子像素电路(例如，第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3中的每个)，并且公共电压供给线13可被配置为将公共电压ELVSS(见图4)施加到(例如，连接到第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3的)发光二极管的第二电极(例如，阴极)。

驱动电压供给线11可布置在焊盘PAD与显示区域DA的一侧之间。公共电压供给线13可具有带有一个开口侧的环形形状，并且可部分地围绕显示区域DA(例如，在显示区域DA的外围周围)。驱动电压供给线11可电连接到穿过(例如，延伸跨过)显示区域DA的驱动电力线PL。

第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3、第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3、焊盘PAD、第一驱动电路SDRV1、第二驱动电路SDRV2、驱动电压供给线11和公共电压供给线13布置在衬底100上方。图3的显示面板10的形状可与衬底100的形状相同或实质上相同。因此，当显示面板10包括显示区域DA和外围区域PA时，衬底100包括显示区域DA和外围区域PA。

图4是根据实施方式的显示面板的子像素电路和电连接到子像素电路的发光二极管的示意性等效电路图。参照图4更详细地描述的子像素电路PC可对应于上面参照图3描述的第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3中的任一个，并且图4的发光二极管ED可对应于第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3中的任一个。

参照图4，发光二极管ED可电连接到子像素电路PC。子像素电路PC可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt。在另一实施方式中，子像素电路PC可不包括升压电容器Cbt。

第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一些可各自为n沟道MOSFET(NMOS)晶体管，并且第一晶体管T1至第七晶体管T7中的其它晶体管可各自为p沟道MOSFET(PMOS)晶体管。在实施方式中，如图4中所示，第三晶体管T3和第四晶体管T4可各自为NMOS晶体管，并且其它的可各自为PMOS晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可各自为包含氧化物半导体材料的NMOS晶体管，并且其它的可各自为包含硅半导体材料的PMOS晶体管。在另一实施方式中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可各自为NMOS晶体管，并且其它的可各自为PMOS晶体管。

第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt可连接到信号线。信号线可包括扫描线GW、发射控制线EM、补偿栅极线GC、第一初始化栅极线GI1、第二初始化栅极线GI2和数据线DL。子像素电路PC可电连接到电压线，诸如以驱动电力线PL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2为例。

第一晶体管T1可为驱动晶体管。第一晶体管T1的第一栅电极可连接到存储电容器Cst。第一晶体管T1的第一电极可通过第五晶体管T5电连接到驱动电力线PL，并且第一晶体管T1的第二电极可通过第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第一晶体管T1的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且其另一个可为漏电极。第一晶体管T1可被配置为根据第二晶体管T2的开关操作而将驱动电流Id提供到发光二极管ED。

第二晶体管T2可为开关晶体管。第二晶体管T2的第二栅电极可连接到扫描线GW，第二晶体管T2的第一电极可连接到数据线DL，第二晶体管T2的第二电极可连接到第一晶体管T1的第一电极并且通过第五晶体管T5电连接到驱动电力线PL。第二晶体管T2的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且其另一个可为漏电极。第二晶体管T2可响应于通过扫描线GW传输的扫描信号Sgw而导通，并且执行开关操作以将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到第一晶体管T1的第一电极。

第三晶体管T3可为被配置为补偿第一晶体管T1的阈值电压的补偿晶体管。第三晶体管T3的第三栅电极连接到补偿栅极线GC。第三晶体管T3的第一电极通过节点连接线166连接到存储电容器Cst的下电极CE1和第一晶体管T1的第一栅电极。第三晶体管T3的第一电极可连接到第四晶体管T4。第三晶体管T3的第二电极连接到第一晶体管T1的第二电极，并且通过第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第三晶体管T3的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且其另一个可为漏电极。

第三晶体管T3响应于通过补偿栅极线GC传输的补偿信号Sgc而导通，并且电连接到第一晶体管T1的第二电极(例如，漏电极)和第一栅电极，并且因此以二极管方式连接第一晶体管T1。

第四晶体管T4可为被配置为初始化第一晶体管T1的第一栅电极的第一初始化晶体管。第四晶体管T4的第四栅电极连接到第一初始化栅极线GI1。第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线VL1。第四晶体管T4的第二电极可连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第三晶体管T3的第一电极和第一晶体管T1的第一栅电极。第四晶体管T4的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且其另一个可为漏电极。第四晶体管T4可响应于通过第一初始化栅极线GI1传输的第一初始化信号Sgi1而导通，并且被配置为将第一初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的第一栅电极，并且因此执行初始化第一晶体管T1的第一栅电极的电压的初始化操作。

第五晶体管T5可为操作控制晶体管。第五晶体管T5的第五栅电极连接到发射控制线EM。第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电力线PL，并且第五晶体管T5的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。第五晶体管T5的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且其另一个可为漏电极。

第六晶体管T6可为发射控制晶体管。第六晶体管T6的第六栅电极连接到发射控制线EM。第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极电连接到第七晶体管T7的第二电极和发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第六晶体管T6的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且其另一个可为漏电极。

第五晶体管T5和第六晶体管T6可响应于通过发射控制线EM传输的发射控制信号Sem而彼此同时(例如，同步地或实质上同步地)导通，并且被配置为将驱动电压ELVDD传输到发光二极管ED以使得驱动电流Id在发光二极管ED中流动。

第七晶体管T7可为被配置为初始化发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)的第二初始化晶体管。第七晶体管T7的第七栅电极连接到第二初始化栅极线GI2。第七晶体管T7的第一电极连接到第二初始化电压线VL2。第七晶体管T7的第二电极连接到第六晶体管T6的第二电极和发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第七晶体管T7可响应于通过第二初始化栅极线GI2传输的第二初始化信号Sgi2而导通，并且被配置为将第二初始化电压Vaint传输到发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)，并且因此初始化发光二极管ED的第一电极。

在一些实施方式中，第二初始化栅极线GI2可为下一扫描线。例如，与布置在第i行(其中，i为大于0的自然数)中的子像素电路PC的第七晶体管T7连接的第二初始化栅极线GI2可对应于布置在第(i+1)行中的子像素电路PC的扫描线。在其它实施方式中，第二初始化栅极线GI2可为发射控制线EM。例如，发射控制线EM可电连接到第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。

存储电容器Cst包括下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst的下电极CE1连接到第一晶体管T1的第一栅电极，并且存储电容器Cst的上电极CE2连接到驱动电力线PL。存储电容器Cst可存储与第一晶体管T1的第一栅电极的电压与驱动电压ELVDD之间的差对应的电荷。

升压电容器Cbt包括第三电极CE3和第四电极CE4。第三电极CE3可连接到第二晶体管T2的第二栅电极和扫描线GW，并且第四电极CE4可连接到第三晶体管T3的第一电极和节点连接线166。当提供到扫描线GW的扫描信号Sgw关断时，升压电容器Cbt可增加第一节点N1的电压，并且当第一节点N1的电压增加时，可清楚地表现黑色灰度级。

第一节点N1可为第一晶体管T1的第一栅电极、第三晶体管T3的第一电极、第四晶体管T4的第二电极和升压电容器Cbt的第四电极CE4彼此连接的区。

在实施方式中，图4示出了第三晶体管T3和第四晶体管T4可各自为NMOS晶体管，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2和第五晶体管T5至第七晶体管T7可各自为PMOS晶体管。直接影响显示设备的亮度的第一晶体管T1被配置为包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此，可实现高分辨率的显示设备。

图5是根据实施方式的布置在显示面板的显示区域中的子像素的平面图。

参照图5，布置在第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3处(例如，中或上)的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可在平面中(例如，在平面图中)具有彼此相同或实质上相同的布置。

在一些实施方式中，第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可具有彼此相同或实质上相同的分辨率。换言之，在相同或实质上相同尺寸的区域中，在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的子像素电路的数量和/或面积、在第二显示区域DA2处(例如，中或上)的子像素电路的数量和/或面积和在第三显示区域DA3处(例如，中或上)的子像素电路的数量和/或面积可彼此相同或实质上相同。

参照图5，例如，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可布置成菱形(例如，三星显示有限公司的正式注册商标)形式。在图5中，附图标记1N、2N、3N、4N、……分别指示子像素的行，并且附图标记1M、2M、3M、4M、……分别指示子像素的列。

例如，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb沿第一行1N交替地布置。绿色子像素Pg以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第一行1N相邻的第二行2N中。蓝色子像素Pb和红色子像素Pr沿与第二行2N相邻的第三行3N交替地布置。绿色子像素Pg以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第三行3N相邻的第四行4N中。这些子像素布置被重复。在实施方式中，蓝色子像素Pb和红色子像素Pr的尺寸(例如，宽度)可大于绿色子像素Pg的尺寸(例如，宽度)。蓝色子像素Pb的尺寸(例如，宽度)可与红色子像素Pr的尺寸(例如，宽度)相同或实质上相同或者不同。

布置在第一行1N中的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可与布置在第二行2N中的绿色子像素Pg交替地布置。因此，红色子像素Pr和蓝色子像素Pb沿第一列1M交替地布置。绿色子像素Pg以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第一列1M相邻的第二列2M中。蓝色子像素Pb和红色子像素Pr沿与第二列2M相邻的第三列3M交替地布置。绿色子像素Pg以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第三列3M相邻的第四列4M中。这些子像素布置被重复。

当子像素布置被不同地表述时，可描述为红色子像素Pr布置在其中心点在绿色子像素Pg的中心点处的第一虚拟四边形VS1的顶点之中彼此背对的第一顶点和第三顶点上，并且蓝色子像素Pb布置在第一虚拟四边形VS1的第二顶点和第四顶点上。

当上述子像素布置被不同地表述时，绿色子像素Pg分别布置在其中心点在红色子像素Pr或蓝色子像素Pb的中心点处的第二虚拟四边形VS2的顶点上。第一虚拟四边形VS1和第二虚拟四边形VS2可具有各种适当形状，诸如以矩形、菱形、正方形等为例。

上述子像素布置被称为菱形类型布置(例如，布置)，并且可通过执行在其期间通过共享相邻像素来表现颜色的渲染来以较少数量的子像素实现高分辨率。

图5示出了菱形类型的示例性布置，但是本公开不限于此。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可布置成具有各种适当形式。

图6A是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的平面图。

参照图6A，第一子像素电路PC1可沿第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)。布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一发光二极管ED1可布置在第一子像素电路PC1上。第一发光二极管ED1可包括第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管ED1b。

在第一显示区域DA1中，第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管ED1b的布置可与上面参照图5描述的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb的布置相同或实质上相同。

在第一显示区域DA1中，第一红色发光二极管ED1r和第一蓝色发光二极管ED1b可沿第一行1N交替地布置。第一绿色发光二极管ED1g可以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第一行1N相邻的第二行2N中。第一蓝色发光二极管ED1b和第一红色发光二极管ED1r可沿与第二行2N相邻的第三行3N交替地布置。第一绿色发光二极管ED1g可以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第三行3N相邻的第四行4N中。

沿第一行1N布置的第一红色发光二极管ED1r和第一蓝色发光二极管ED1b和布置在第二行2N中的第一绿色发光二极管ED1g可彼此交替地布置。因此，在显示区域DA中，第一红色发光二极管ED1r和第一蓝色发光二极管ED1b可沿第一列1M交替地布置。第一绿色发光二极管ED1g可以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第一列1M相邻的第二列2M中。第一蓝色发光二极管ED1b和第一红色发光二极管ED1r可沿与第二列2M相邻的第三列3M交替地布置。第一绿色发光二极管ED1g可以适当间隔(例如，特定或预定间隔)布置在与第三列3M相邻的第四列4M中。这些布置可被重复。

图6B是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的剖面图。

参照图6B，在第一显示区域DA1处(例如，中或上)，第一子像素电路PC1可布置在衬底100上，并且第一发光二极管ED1可布置在第一子像素电路PC1上。衬底100可包括玻璃材料或聚合物树脂。

缓冲层201可布置在衬底100的上表面上。缓冲层201可防止或实质上防止杂质渗入晶体管的半导体层。缓冲层201可包括一种或多种适当的无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅，并且可为包含无机绝缘材料中的一种或多种的单层或多层。

第一子像素电路PC1可布置在缓冲层201上。如上面参照图4所述，第一子像素电路PC1可包括多个薄膜晶体管和存储电容器。图6B示出了第一晶体管T1、第三晶体管T3、第六晶体管T6和存储电容器Cst。

第一晶体管T1可包括布置在缓冲层201上的第一半导体层A1和与第一半导体层A1的沟道区域C1重叠的第一栅电极GE1。第一半导体层A1可包括硅半导体材料(例如，多晶硅)。第一半导体层A1可包括沟道区域C1以及布置在沟道区域C1的相对侧上的第一区域B1和第二区域D1。第一区域B1和第二区域D1是以比沟道区域C1中的浓度高的浓度包含杂质的区域。第一区域B1和第二区域D1中的任一个可为源区域，并且其另一个可为漏区域。

第六晶体管T6可包括布置在缓冲层201上的第六半导体层A6和与第六半导体层A6的沟道区域C6重叠的第六栅电极GE6。第六半导体层A6可包括硅半导体材料(例如，多晶硅)。第六半导体层A6可包括沟道区域C6以及布置在沟道区域C6的相对侧上的第一区域B6和第二区域D6。第一区域B6和第二区域D6是以比沟道区域C6中的浓度高的浓度包含杂质的区域。第一区域B6和第二区域D6中的任一个可为源区域，并且其另一个可为漏区域。

第一栅电极GE1和第六栅电极GE6可各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可具有包含上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。第一栅极绝缘层203可布置在第一栅电极GE1和第六栅电极GE6下以使第一栅电极GE1和第六栅电极GE6与第一半导体层A1和第六半导体层A6电绝缘。第一栅极绝缘层203可包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅，并且可为包含无机绝缘材料中的一种或多种的单层或多层。

存储电容器Cst可包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。在实施方式中，存储电容器Cst的下电极CE1可包括第一栅电极GE1。换言之，第一栅电极GE1可包括存储电容器Cst的下电极CE1。例如，第一栅电极GE1可与存储电容器Cst的下电极CE1一体地形成。

第一层间绝缘层205可布置在存储电容器Cst的下电极CE1和上电极CE2之间。第一层间绝缘层205可包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅，并且可为包含无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。

存储电容器Cst的上电极CE2可包括一种或多种低电阻导电材料，诸如Mo、Al、Cu和/或Ti，并且可为包含上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。

第二层间绝缘层207可布置在存储电容器Cst上。第二层间绝缘层207可包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅，并且可为包含无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。

第三晶体管T3的第三半导体层A3可布置在第二层间绝缘层207上。第三半导体层A3可包括氧化物半导体材料。例如，第三半导体层A3可包括Zn氧化物基材料，诸如以Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等为例。在一些实施方式中，第三半导体层A3可为其中诸如铟(In)、镓(Ga)或锡(Sn)的适当金属包含在ZnO中的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体、In-Sn-Zn-O(ITZO)半导体或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。

第三半导体层A3可包括沟道区域C3以及布置在沟道区域C3的相对侧上的第一区域B3和第二区域D3。第一区域B3和第二区域D3中的任一个可为源区域，并且其另一个可为漏区域。

第三晶体管T3可包括与第三半导体层A3的沟道区域C3重叠的第三栅电极GE3。第三栅电极GE3可具有包括布置在第三半导体层A3下的下栅电极G3A和布置在沟道区域C3上方的上栅电极G3B的双栅结构。

下栅电极G3A可布置在与存储电容器Cst的上电极CE2的层相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在第一层间绝缘层205上)。下栅电极G3A可包括与存储电容器Cst的上电极CE2的材料相同的材料。

上栅电极G3B可隔着第二栅极绝缘层209布置在第三半导体层A3上方。第二栅极绝缘层209可包括一种或多种无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅，并且可为包含无机绝缘材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。

第三层间绝缘层210可布置在上栅电极G3B上。第三层间绝缘层210可包括诸如氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可为包含无机绝缘材料的单层结构或多层结构。

图6B示出了存储电容器Cst的上电极CE2布置在与第三栅电极GE3的下栅电极G3A的层相同的层处(例如，中或上)，但是本公开不限于此。在另一实施方式中，存储电容器Cst的上电极CE2可布置在与第三半导体层A3的层相同的层处(例如，中或上)，并且可包括与第三半导体层A3的第一区域B3和第二区域D3的材料相同的材料。

第一晶体管T1可通过节点连接线166电连接到第三晶体管T3。节点连接线166可布置在第三层间绝缘层210上。节点连接线166的一侧可接触第一晶体管T1的第一栅电极GE1，并且节点连接线166的另一侧可接触第三晶体管T3的第三半导体层A3的第一区域B3。

节点连接线166可包括Al、Cu和/或Ti，并且可为包含上述材料中的一种或多种的单层或多层。例如，节点连接线166可具有Ti层、Al层和Ti层的三层结构。

第一有机绝缘层211可布置在节点连接线166上。第一有机绝缘层211可包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可包括丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)等。

数据线DL和驱动电力线PL可布置在第一有机绝缘层211上。数据线DL和驱动电力线PL可各自包括Al、Cu和/或Ti，并且可各自为包含上述材料中的一种或多种的单层或多层。例如，数据线DL和驱动电力线PL可具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。

图6B示出了数据线DL和驱动电力线PL布置在彼此相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在第一有机绝缘层211上)，但是在另一实施方式中，数据线DL和驱动电力线PL可布置在彼此不同的层处(例如，中或上)。

第二有机绝缘层213可布置在第一有机绝缘层211上。第二有机绝缘层213可包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸、BCB、聚酰亚胺或HMDSO。

第一发光二极管ED1的第一电极221可布置在第二有机绝缘层213上。第一电极221可通过第一接触金属CM1和第二接触金属CM2电连接到第六晶体管T6。第一接触金属CM1可形成在与节点连接线166的层相同的层处(例如，中或上)并且包括与节点连接线166的材料相同的材料。第二接触金属CM2可形成在与数据线DL和/或驱动电力线PL的层相同的层处(例如，中或上)并且包括与数据线DL和/或驱动电力线PL的材料相同的材料。

第一发光二极管ED1的第一电极221可包括包含银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其适当的化合物的反射层。在另一实施方式中，第一电极221还可包括在反射层上和/或下的导电氧化物层。导电氧化物层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。在实施方式中，第一电极221可包括多个子层。例如，第一电极221可包括第一子层、第二子层和第三子层。第一子层至第三子层可分别为ITO层、Ag层和ITO层。

第一电极221上可布置有堤层215。堤层215可包括与第一电极221重叠的开口215OP，并且可覆盖第一电极221的边缘。堤层215可包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。

间隔件217可形成在堤层215上。间隔件217和堤层215可通过相同或实质上相同的工艺一同形成，或者可通过单独的工艺彼此独立地形成。在实施方式中，间隔件217可包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺。在另一实施方式中，堤层215可包括包含遮光染料的有机绝缘材料，并且间隔件217可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。

中间层222包括发射层222b。中间层222可包括布置在发射层222b下的第一功能层222a和/或布置在发射层222b上方的第二功能层222c。发射层222b可包括用于发射适当颜色(例如，特定或预定颜色)的光(例如，红色光、绿色光或蓝色光)的高分子量或低分子量有机材料。在另一实施方式中，发射层222b可包括无机材料或量子点。

第一功能层222a可包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层222c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层222a和第二功能层222c可包括有机材料。

发射层222b可形成在第一显示区域DA1处(例如，中或上)以通过堤层215中的开口215OP与第一电极221重叠。另一方面，包括在中间层222中的有机材料层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可完全覆盖显示区域DA(例如，参见图3)。

中间层222可具有包括一个发射层的单堆叠结构或者作为包括多个发射层的多堆叠结构的串联结构。当中间层222具有串联结构时，电荷生成层(CGL)可布置在堆叠体之间。

第二电极223可包括具有低功函数的导电材料。例如，第二电极223可包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其适当合金的透明(或半透明)层。作为另一实例，第二电极223还可在包含上述材料中的一种或多种的透明(或半透明)层上包括包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层。第二电极223可完全覆盖显示区域DA(例如，参见图3)。

覆盖层225可布置在第二电极223上。覆盖层225可包括无机材料或有机材料。覆盖层225可包括LiF、无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。覆盖层225可完全覆盖显示区域DA。

第一发光二极管ED1可被封装层300覆盖。封装层300可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，图6B示出了封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及介于它们之间的有机封装层320。封装层300可布置在覆盖层225上。

第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可各自为包含上述材料中的一种或多种的单层或多层。有机封装层320可包括聚合物基材料。聚合物基材料可包括丙烯酸树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施方式中，有机封装层320可包括丙烯酸酯。

图7A是根据实施方式的显示面板的第二显示区域和第三显示区域的平面图。图7B是根据实施方式的显示面板的第二显示区域和第三显示区域的剖面图。

参照图7A，发光二极管(例如，第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3)可布置在第二显示区域DA2和第三显示区域DA3处(例如，中或上)。电连接到位于第二显示区域DA2和第三显示区域DA3处(例如，中或上)的第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的子像素电路可布置在第三显示区域DA3处(例如，中或上)。换言之，子像素电路不布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)，并且因此透射区域TA的面积可增加。

第二发光二极管ED2可包括发射彼此不同颜色的光的2-1发光二极管、2-2发光二极管和2-3发光二极管。第三发光二极管ED3可包括发射彼此不同颜色的光的3-1发光二极管、3-2发光二极管和3-3发光二极管。在下文中，2-1发光二极管、2-2发光二极管和2-3发光二极管分别称为第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b。3-1发光二极管、3-2发光二极管和3-3发光二极管分别称为第三红色发光二极管ED3r、第三绿色发光二极管ED3g和第三蓝色发光二极管ED3b。

换言之，第二发光二极管DE2可包括第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b。第三发光二极管ED3可包括第三红色发光二极管ED3r、第三绿色发光二极管ED3g和第三蓝色发光二极管ED3b。

第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的布置可与上面参照图5描述的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的布置相同或实质上相同。例如，第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b可具有菱形类型布置(例如，布置)。相似地，第三红色发光二极管ED3r、第三绿色发光二极管ED3g和第三蓝色发光二极管ED3b可具有菱形类型布置(例如，/>布置)。

第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3之中发射彼此相同颜色的光的一些发光二极管可通过连接线彼此电连接。图6A中所示的第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一发光二极管ED1可电连接到第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一子像素电路PC1。例如，一个第一发光二极管ED1可对应于一个第一子像素电路PC1(例如，以一对一的方式对应)。

另一方面，一个第二子像素电路PC2可电连接到发射彼此相同颜色的光的两个第二发光二极管ED2(例如，以一对二的方式对应)。例如，第二子像素电路PC2中的任一个可电连接到通过作为导电线的第一连接线PWL1彼此连接的两个第二红色发光二极管ED2r。相似地，第二子像素电路PC2中的另一个可电连接到通过第二连接线PWL2彼此连接的两个第二绿色发光二极管ED2g。第二子像素电路PC2中的又一个可电连接到通过第三连接线PWL3彼此连接的两个第二蓝色发光二极管ED2b。

一个第三子像素电路PC3可电连接到发射彼此相同颜色的光的两个第三发光二极管ED3(例如，以一对二的方式对应)。例如，第三子像素电路PC3中的任一个可电连接到通过第一连接线PWL1彼此连接的两个第三红色发光二极管ED3r。相似地，第三子像素电路PC3中的另一个可电连接到通过第二连接线PWL2彼此连接的两个第三绿色发光二极管ED3g。第三子像素电路PC3中的又一个可电连接到通过第三连接线PWL3彼此连接的两个第三蓝色发光二极管ED3b。

由于透射区域TA位于第二显示区域DA2处(例如，中或上)，因此，如图7B中所示，布置在彼此不同的区域处(例如，中或上)的第二发光二极管ED2和第二子像素电路PC2可通过导电总线CBL彼此电连接。

参照图7B，布置在衬底100上的第二子像素电路PC2可位于第三显示区域DA3处(例如，中或上)，并且电连接到第二子像素电路PC2的第二发光二极管ED2可布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)。如上面参照图4所述，第二子像素电路PC2可包括多个薄膜晶体管和存储电容器。在这方面，图7B示出了第二子像素电路PC2的第六晶体管T6。

缓冲层201、第一栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209、第三层间绝缘层210、第一有机绝缘层211和第二有机绝缘层213可布置在衬底100上方。

第二子像素电路PC2可通过从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸的导电总线CBL电连接到第二发光二极管ED2。

导电总线CBL可包括金属材料。例如，导电总线CBL可布置在与第一晶体管的栅电极、存储电容器的电极或第三晶体管的栅电极的层相同的层处(例如，中或上)，并且可包括与第一晶体管的栅电极、存储电容器的电极或第三晶体管的栅电极的材料相同的材料。在一些实施方式中，导电总线CBL可包括含有光不透过的诸如Mo、Al、Cu、Ti等的金属的导电材料，并且可具有包含上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。在实施方式中，图7B示出了导电总线CBL布置在第二栅极绝缘层209上，但是在另一实施方式中，导电总线CBL可布置在第一栅极绝缘层203或第一层间绝缘层205上方。在另一实施方式中，导电总线CBL可包括透明导电氧化物(TCO)。

导电总线CBL可通过第三接触金属CM3至第五接触金属CM5将第二子像素电路PC2电连接到第二发光二极管ED2。第三接触金属CM3可布置在第三层间绝缘层210上。第四接触金属CM4可布置在第一有机绝缘层211上，并且可在第三显示区域DA3处(例如，中或上)将第三接触金属CM3电连接到导电总线CBL。

导电总线CBL可从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸。第五接触金属CM5可隔着第三层间绝缘层210布置在导电总线CBL上方，并且可通过穿透第三层间绝缘层210的接触孔接触导电总线CBL的一部分。第二发光二极管ED2的第一电极221可电连接到第五接触金属CM5。例如，第二发光二极管ED2的第一电极221可经由布置在第二发光二极管ED2的第一电极221与第五接触金属CM5之间的导电图案层CMP电连接到第五接触金属CM5。

导电图案层CMP可布置在导电总线CBL上方并且布置在第二发光二极管ED2的第一电极221下。例如，导电图案层CMP可布置在第一有机绝缘层211与第二有机绝缘层213之间。

导电图案层CMP可与第二发光二极管ED2的第一电极221重叠。导电图案层CMP可与第二发光二极管ED2的发射区域EA2重叠。第二发光二极管ED2的发射区域EA2可由堤层215中的与第二发光二极管ED2的第一电极221重叠的开口215OP限定。因此，当导电图案层CMP被描述为与第二发光二极管ED2的发射区域EA2重叠时，导电图案层CMP与堤层215的对应于第二发光二极管ED2的发射区域EA2的开口215OP重叠。导电图案层CMP可包括适当的区域(例如，特定或预定区域)和/或适当的图案(例如，特定或预定图案)以与第二发光二极管ED2的第一电极221和/或堤层215中的对应于第二发光二极管ED2的发射区域EA2的开口215OP重叠。

如上面参照图6B所述，在第一显示区域DA1处(例如，中或上)，第一子像素电路PC1和连接到其的至少一个线(例如，图6B的WL)可布置在第一发光二极管ED1的第一电极221下。线(例如，图6B的WL)可具有与第一发光二极管ED1的整个发射区域(例如，图6B的EA1)重叠或者仅与第一发光二极管ED1的发射区域(例如，图6B的EA1)的一部分重叠的区域和/或图案。由于第一发光二极管ED1的发射区域(例如，图6B的EA1)由布置在第一发光二极管ED1的第一电极221上方的堤层215的开口215OP限定，因此第一发光二极管ED1的发射区域EA1可指示位于第一发光二极管ED1的第一电极221上的堤层215的开口215OP。

尽管为了平坦化而布置了第二有机绝缘层213，但是由于布置在第二有机绝缘层213下的第一子像素电路(例如，图6B的PC1)的电极和/或线，衬底100的上表面与第一发光二极管ED1的第一电极221的下表面之间的垂直距离可能不均匀。与在第一显示区域DA1中不同，在第二显示区域DA2中，在第二发光二极管ED2的第一电极221下未布置有子像素电路，并且因此，由于不存在有子像素电路，穿过第二显示区域DA2的线的数量更少。因此，从衬底100的上表面到第二发光二极管ED2的第一电极221的下表面的垂直距离可与从衬底100的上表面到第一发光二极管ED1的第一电极221的下表面的垂直距离不同。换言之，位于第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一发光二极管ED1的第一电极221的梯度(例如，第一发光二极管ED1的第一电极221相对于与衬底100的上表面平行或实质上平行的虚拟平面的梯度)可与位于第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二发光二极管ED2的第一电极221的梯度(例如，第二发光二极管ED2的第一电极221相对于与衬底100的上表面平行或实质上平行的虚拟平面的梯度)不同。在这种情况下，尽管第一发光二极管ED1和第二发光二极管ED2发射彼此相同颜色的光，但是从第一发光二极管ED1发射的光和从第二发光二极管ED2发射的光可被用户不同地识别。在这种情况下，用户可识别到第二显示区域DA2与第一显示区域DA1不同，并且作为结果，第二显示区域DA2和第一显示区域DA1被用户不同地观察到。

然而，根据实施方式，如图7B中所示，因为导电图案层CMP布置在第二发光二极管ED2的第一电极221下以与第二发光二极管ED2的第一电极221重叠，可防止或减少上述问题。导电图案层CMP可与第二发光二极管ED2的发射区域EA2和堤层215的开口215OP重叠。导电图案层CMP的至少一部分可具有与其中第一发光二极管ED1的第一电极221与位于第一电极221下的线WL重叠的部分的形状相同或实质上相同(或相似)的形状。

图8是根据实施方式的显示面板的第一显示区域的一部分的平面图。图9是根据实施方式的显示面板的第二显示区域的一部分的平面图。图10是根据实施方式的沿图9的线X-X'截取的显示面板的剖面图。图11是根据实施方式的沿图9的线XI-XI'截取的显示面板的剖面图。图12是根据实施方式的沿图9的线XII-XII'截取的显示面板的剖面图。

图8示出了布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一发光二极管(例如，第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管Ed1b)。至少一个线(例如，至少一个信号线)可布置在第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管ED1b中的每个的第一电极221下。至少一个线或至少一个信号线可包括布置在第一有机绝缘层211(例如，参见图7B)与第二有机绝缘层213(例如，参见图7B)之间的数据线DL、数据连接线DCL和/或驱动电力线PL。

数据线DL、数据连接线DCL和驱动电力线PL可在第二方向(例如，y方向)上延伸。在实施方式中，图8示出了数据线DL、数据连接线DCL和驱动电力线PL穿过布置有第一子像素电路PC1的区域，并且穿过两个相邻的第一子像素电路PC1的线相对于在第二方向(例如，y方向)上的虚拟线彼此水平地对称。在图8中由虚线指示的区域为布置有第一子像素电路PC1的区域，并且第一子像素电路PC1可沿第一方向(例如，x方向、行方向)和第二方向(例如，y方向、列方向)布置以形成行和列。

穿过第一子像素电路PC1的数据线DL可电连接到第一子像素电路PC1中对应的一个，并且穿过第一子像素电路PC1的数据连接线DCL可电连接到布置在另一列中的第一子像素电路PC1。例如，穿过布置在第j列中的第一子像素电路PC1的数据线DL可电连接到布置在第j列中的第一子像素电路PC1，并且穿过布置在第j列中的第一子像素电路PC1的数据连接线DCL可电连接到布置在第(j-k)列中的第一子像素电路PC1(其中，j是大于0的自然数，并且k是小于j的自然数)。

第一红色发光二极管ED1r的第一电极221可与两个数据线DL中的每个的一部分、两个数据连接线DCL中的每个的一部分和两个驱动电力线PL中的每个的一部分重叠。第一蓝色发光二极管ED1b的第一电极221可与两个数据线DL中的每个的一部分、两个数据连接线DCL中的每个的一部分和两个驱动电力线PL中的每个的一部分重叠。第一绿色发光二极管ED1g的第一电极221可与两个驱动电力线PL重叠。在实施方式中，如图8中所示，两个相邻的驱动电力线PL中的每个的一部分可彼此物理地连接。这种物理连接可指示驱动电力线PL彼此一体地形成。第一绿色发光二极管ED1g的第一电极221可与驱动电力线PL的连接部分(例如，其中驱动电力线PL彼此一体地连接的部分)重叠。

第一发光二极管的发射区域可与布置在第一电极221下的至少一个线(例如，两个数据线DL、两个数据连接线DCL和/或两个驱动电力线PL)重叠。换言之，堤层的与第一发光二极管的第一电极221重叠的开口可与两个数据线DL中的每个的一部分、两个数据连接线DCL中的每个的一部分和/或两个驱动电力线PL中的每个的一部分重叠。

第一红色发光二极管ED1r的发射区域(例如，堤层的与第一红色发光二极管ED1r的第一电极221重叠的开口215OP1)可与在第一方向(例如，x方向)上彼此间隔开的两个数据线DL的一部分、两个数据连接线DCL中的每个的一部分和两个驱动电力线PL的一部分重叠。

第一绿色发光二极管ED1g的发射区域(例如，堤层的与第一绿色发光二极管ED1g的第一电极221重叠的开口215OP2)可与两个驱动电力线PL的连接部分重叠。堤层的对应于第一绿色发光二极管ED1g的发射区域的开口215OP2可具有比两个驱动电力线PL的连接部分的面积小的面积，并且堤层的对应于第一绿色发光二极管ED1g的发射区域的整个开口215OP2可与两个驱动电力线PL的连接部分重叠。

第一蓝色发光二极管ED1b的发射区域(例如，堤层的与第一蓝色发光二极管ED1b的第一电极221重叠的开口215OP3)可与在第一方向(例如，x方向)上彼此间隔开的两个数据线DL的一部分、两个数据连接线DCL中的每个的一部分和两个驱动电力线PL的一部分重叠。

图9示出了在第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二发光二极管(例如，第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b)。每个第二发光二极管的第一电极221与导电图案层重叠。例如，第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221分别与第一导电图案层CMP1、第二导电图案层CMP2和第三导电图案层CMP3重叠。

第一导电图案层CMP1至第三导电图案层CMP3可布置在彼此相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在第一有机绝缘层上)，并且可包括与上面参照图8描述的数据线DL、数据连接线DCL和驱动电力线PL的材料相同的材料。如上面参照图7B所述，第一导电图案层CMP1至第三导电图案层CMP3可布置在第一有机绝缘层211与第二有机绝缘层213之间。第一导电图案层CMP1至第三导电图案层CMP3可各自具有包括Ti层、Al层和Ti层的堆叠结构。

第一导电图案层CMP1可与第二红色发光二极管ED2r的第一电极221和布置在第二红色发光二极管ED2r的第一电极221上的堤层的开口215OP1重叠。

第一导电图案层CMP1可包括与第二红色发光二极管ED2r的第一电极221和/或堤层的开口215OP1重叠的导电线VBL。导电线VBL可在第二方向(例如，y方向)上延伸。导电线VBL可布置成在第一方向(例如，x方向)上彼此间隔开。

彼此间隔开的导电线VBL可通过连接导电线HBL彼此电地和物理地连接。连接导电线HBL可延伸成与导电线VBL交叉。在实施方式中，图9示出了连接导电线HBL在第一方向(例如，x方向)上延伸。在实施方式中，连接导电线HBL可穿过第一电极221或堤层的开口215OP1的中心C。物理连接指示一体连接，并且连接导电线HBL可与导电线VBL一体地连接。

第一导电图案层CMP1的导电线VBL中的至少一些可与第二红色发光二极管ED2r的发射区域(例如，堤层的开口215OP1)重叠。与第二红色发光二极管ED2r的发射区域(例如，堤层的开口215OP1)重叠的导电线VBL的位置和/或数量可和与堤层的对应于第一红色发光二极管ED1r的发射区域的开口215OP1重叠的线(例如，图8中的数据连接线DCL和数据线DL)的位置和/或数量相同。

在与第一红色发光二极管ED1r的发射区域重叠的线之中，第n线与第(n+1)线之间的第一距离d1(例如，参见图8)可和与第二红色发光二极管ED2r的发射区域重叠的导电线VBL之中的第n导电线与第(n+1)导电线之间的第二距离d2(例如，参见图9)相同或实质上相同(其中，n是大于0的自然数)。此处，第n线和第(n+1)线相对于第一红色发光二极管ED1r的发射区域的相对位置可与第n导电线和第(n+1)导电线相对于第二红色发光二极管ED2r的发射区域的相对位置相同或实质上相同。换言之，与堤层的对应于第二红色发光二极管ED2r的发射区域的开口215OP1重叠的每个导电线VBL的宽度、导电线VBL之间的距离和/或每个导电线VBL的位置可和与堤层的对应于第一红色发光二极管ED1r的发射区域的开口215OP1重叠的每个线的宽度、线之间的距离和/或每个线的位置相同或实质上相同。

相似地，第三导电图案层CMP3可包括与第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221和堤层的开口215OP3重叠的导电线VBL。导电线VBL可在第一方向(例如，x方向)上彼此间隔开，并且可在第二方向(例如，y方向)上延伸。导电线VBL可通过与导电线VBL交叉并且在第一方向(例如，x方向)上延伸的连接导电线HBL来彼此电地和物理地(例如，一体地)连接。

与第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221和堤层的开口215OP3重叠的第三导电图案层CMP3的导电线VBL的位置和/或数量可和上面参照图8描述的与第一蓝色发光二极管ED1b的第一电极221和堤层的开口215OP3重叠的线(例如，图8中的数据连接线DCL、驱动电力线PL和数据线DL)的位置和/或数量相同或实质上相同。

在与第一蓝色发光二极管ED1b的发射区域重叠的线之中，第m线与第(m+1)线之间的第三距离d3(例如，参见图8)可和与第二蓝色发光二极管ED2b的发射区域重叠的导电线VBL之中的第m导电线与第(m+1)导电线之间的第四距离d4(例如，参见图9)相同或实质上相同。此处，第m线和第(m+1)线相对于第一蓝色发光二极管ED1b的发射区域的相对位置可与第m导电线和第(m+1)导电线相对于第二蓝色发光二极管ED2b的发射区域的相对位置相同或实质上相同(其中，m是大于0的自然数)。换言之，与堤层的对应于第二蓝色发光二极管ED2b的发射区域的开口215OP3重叠的每个导电线VBL的宽度、导电线VBL之间的距离和/或每个导电线VBL的位置可和与堤层的对应于第一蓝色发光二极管ED1b的发射区域的开口215OP3重叠的每个线的宽度、线之间的距离和/或每个线的位置相同或实质上相同。

第二导电图案层CMP2可与第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221和布置在第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221上的堤层的开口215OP2重叠。

在平面中(例如，在平面图中)，其中堤层的对应于第二绿色发光二极管ED2g的发射区域的开口215OP2与第二导电图案层CMP2重叠的形状和/或面积可和其中堤层的对应于第一绿色发光二极管ED1g的发射区域的开口215OP2与至少一个线(例如，两个驱动电力线PL的连接部分)重叠的形状和/或面积相同或实质上相同。

在实施方式中，第二导电图案层CMP2可具有可与第二绿色发光二极管ED2g的整个发射区域重叠的形状和/或面积。在实施方式中，如图8中所示，当堤层的对应于第一绿色发光二极管ED1g的整个发射区域的整个开口215OP2与两个驱动电力线PL的连接部分重叠时，如图9中所示，第二导电图案层CMP2可具有与堤层的对应于第二绿色发光二极管ED2g的整个发射区域的开口215OP2完全重叠的形状和/或面积。

如上面参照图7B所述，每个第二发光二极管可通过导电总线连接到第二子像素电路。图9示出了分别电连接到第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b的第一导电总线CBL1、第二导电总线CBL2和第三导电总线CBL3。

选自第一导电总线CBL1、第二导电总线CBL2和第三导电总线CBL3之中的至少一个可布置在与第一导电总线CBL1、第二导电总线CBL2和第三导电总线CBL3中的另一个的层不同的层处(例如，中或上)。例如，第一导电总线CBL1、第二导电总线CBL2和第三导电总线CBL3可布置在彼此相同的层处(例如，中或上)，并且可包括与子像素电路的第一晶体管的第一栅电极、存储电容器的电极和第三晶体管的第三栅电极中的至少一个的材料相同的材料。

在实施方式中，图10示出了第二导电总线CBL2和第三导电总线CBL3布置在与第一晶体管的第一栅电极和/或存储电容器的第一电极的层相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在图7B的第一栅极绝缘层203上)。第一导电总线CBL1布置在与存储电容器的第二电极和/或第三晶体管的第三栅电极的下栅电极的层相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在图7B的第一层间绝缘层205上)。在另一实施方式中，选自第一导电总线CBL1、第二导电总线CBL2和第三导电总线CBL3之中的任一个可布置在与第三栅电极的上栅电极的层相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在图7B的第二栅极绝缘层209上)。

图10示出了布置在彼此不同的层处(例如，中或上)的导电总线(例如，第一导电总线CBL1和第二导电总线CBL2)，在与衬底100的上表面平行或实质上平行的方向(例如，图10中的y方向)上彼此间隔开并且彼此不重叠。在另一实施方式中，布置在彼此不同的层处(例如，中或上)的第一导电总线CBL1和第二导电总线CBL2可在第二显示区域DA2处(例如，中或上)彼此重叠。

再次参照图9，第一导电总线CBL1可以延伸以穿过第二显示区域DA2，并且第一导电总线CBL1可通过导电层CM和第一导电图案层CMP1电连接到第二红色发光二极管ED2r的第一电极221。

参照图9和图11，第一导电总线CBL1可电连接到布置在第一导电总线CBL1上的导电层CM。导电层CM可通过穿透布置在第一导电总线CBL1与导电层CM之间的至少一个绝缘层(例如，第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209和第三层间绝缘层210)的接触孔GCNT而接触第一导电总线CBL1。在一些实施方式中，导电层CM可为将第一导电总线CBL1电连接到第二红色发光二极管ED2r的第一电极221的中间层，并且可为上面参照图7A描述的第一连接线PWL1的一部分。

第一导电图案层CMP1可布置在第一有机绝缘层211与第二有机绝缘层213之间。第一导电图案层CMP1可通过穿透第一有机绝缘层211的接触孔SCNT接触导电层CM。

第二红色发光二极管ED2r的第一电极221可布置在第二有机绝缘层213上，并且可通过穿透第二有机绝缘层213的第一通孔接触孔VCNT1电连接到第一导电图案层CMP1。第二红色发光二极管ED2r的第一电极221可与堤层215的开口215OP1重叠。第一功能层222a、发射层222b、第二功能层222c和第二电极223可通过堤层215的开口215OP1布置在第一电极221上方。

如上所述，作为第一导电图案层CMP1的图案化部分的导电线VBL可布置在第二红色发光二极管ED2r的第一电极221下。导电线VBL可与堤层215的对应于第二红色发光二极管ED2r的发射区域的开口215OP1重叠。

参照图9，第二导电总线CBL2可以延伸以穿过第二显示区域DA2，并且可通过导电层CM和第二导电图案层CMP2电连接到第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221。

参照图9和图12，第二导电总线CBL2可电连接到布置在第二导电总线CBL2上的导电层CM。导电层CM可通过穿透布置在第二导电总线CBL2与导电层CM之间的至少一个绝缘层(例如，第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209和第三层间绝缘层210)的接触孔GCNT而接触第二导电总线CBL2。

第二导电图案层CMP2可布置在第一有机绝缘层211与第二有机绝缘层213之间。第二导电图案层CMP2可通过穿透第一有机绝缘层211的接触孔SCNT接触导电层CM。

第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221可布置在第二有机绝缘层213上，并且可通过穿透第二有机绝缘层213的第二通孔接触孔VCNT2电连接到第二导电图案层CMP2。第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221可与堤层215的开口215OP2重叠。第一功能层222a、发射层222b、第二功能层222c和第二电极223可通过堤层215的开口215OP2布置在第一电极221上方。

如上所述，第二导电图案层CMP2可布置在第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221下。

在第二显示区域DA2中，两个第二绿色发光二极管ED2g可通过第二连接线PWL2彼此电连接。在实施方式中，图12示出了第二连接线PWL2布置在第二有机绝缘层213上。第二连接线PWL2可一体地连接到每个第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221。第二连接线PWL2可包括与每个第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221的材料相同的材料。例如，当第一电极221具有包括ITO层、Ag层和ITO层的三层结构时，第二连接线PWL2也可具有包括ITO层、Ag层和ITO层的三层结构。在另一实施方式中，第二连接线PWL2可包括(例如，可为)形成第一电极221的层中的任一个。例如，当第一电极221具有包括ITO层、Ag层和ITO层的三层结构时，第二连接线PWL2可具有包括ITO层的单层结构。

第二导电图案层CMP2的一些部分可与第二绿色发光二极管ED2g中的每个的发射区域(例如，堤层215的开口215OP2)重叠。在平面中(例如，在平面图中)，第二导电图案层CMP2可与彼此一体地连接的第二连接线PWL2和两个第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221重叠。

第三导电总线CBL3可以延伸以穿过第二显示区域DA2，并且第三导电总线CBL3可通过导电层CM和第三导电图案层CMP3电连接到第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221。导电层CM、第三导电图案层CMP3和第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221的电连接结构可与上面参照图11描述的电连接结构相同或实质上相同。将第三导电总线CBL3电连接到第三导电图案层CMP3的导电层CM可为第三连接线PWL3的一部分，并且第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221可通过穿透第二有机绝缘层213(例如，参见图11)的第三通孔接触孔VCNT3而接触第三导电图案层CMP3。

参照图8和图9，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中，第一通孔接触孔VCNT1和VCNT1'与第三通孔接触孔VCNT3和VCNT3'可位于在第一方向(例如，x方向)上延伸的虚拟直线上。在第一显示区域DA1中，在第二有机绝缘层中形成为将第一绿色发光二极管ED1g的第一电极221电连接到第一子像素电路PC1的第二通孔接触孔VCNT2'可不位于与第一通孔接触孔VCNT1'和第三通孔接触孔VCNT3'的虚拟直线相同的虚拟直线上。相似地，在第二显示区域DA2中，在第二有机绝缘层中形成为将第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221电连接到第二导电图案层CMP2的第二通孔接触孔VCNT2可不位于与第一通孔接触孔VCNT1和第三通孔接触孔VCNT3的虚拟直线相同的虚拟直线上。形成在第二有机绝缘层中的第一通孔接触孔VCNT1和VCNT1'、第二通孔接触孔VCNT2和VCNT2'以及第三通孔接触孔VCNT3和VCNT3'可像图6B和图7B中所示的通孔接触孔VCNT一样与堤层215(例如，参见图6B和图7B)重叠并且可被堤层215覆盖。

布置在第一显示区域DA1处(例如，中或上)的第一红色发光二极管ED1r的第一电极221可通过形成在第二有机绝缘层中的第一通孔接触孔VCNT1'接触第一子像素电路。第一蓝色发光二极管ED1b的第一电极221可通过形成在第二有机绝缘层中的第三通孔接触孔VCNT3'接触第一子像素电路。

在平面中(例如，在平面图中)，第一通孔接触孔VCNT1'相对于第一红色发光二极管ED1r的第一电极221的位置可与第一通孔接触孔VCNT1相对于第二红色发光二极管ED2r的第一电极221的位置相同或实质上相同。例如，在第二方向(例如，y方向)上延伸的虚拟基准线IL与从第一红色发光二极管ED1r的发射区域的中心C连接第一通孔接触孔VCNT1'的第一虚拟线IL1之间的角度(例如，图8的α)可与在第二方向(例如，y方向)上延伸的虚拟基准线IL与从第二红色发光二极管ED2r的发射区域的中心C连接第一通孔接触孔VCNT1的第二虚拟线IL2之间的角度(例如，图9的β)相同或实质上相同。此处，第一红色发光二极管ED1r的发射区域的中心C指示堤层的对应于第一红色发光二极管ED1r的开口215OP1的中心，并且第二红色发光二极管ED2r的发射区域的中心C指示堤层的对应于第二红色发光二极管ED2r的开口215OP1的中心。

相似地，在平面中(例如，在平面图中)，第三通孔接触孔VCNT3'相对于第一蓝色发光二极管ED1b的第一电极221的位置可与第三通孔接触孔VCNT3相对于第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221的位置相同或实质上相同。

因此，可以能够防止或实质上防止来自第一发光二极管ED1的光和来自第二发光二极管ED2的光被用户不同地识别到，或者减少这种识别，并且也可以能够防止或实质上防止第二显示区域DA2被明显地观察到或者减少这种观察。

图13A是根据实施方式的显示面板的第二显示区域的平面图。图13B是沿图13A的线XIII-XIII'截取的第二显示区域的剖面图。

图13A的布置在第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b中的每个的第一电极221、堤层的开口215OP1、215OP2和215OP3、第一导电图案层CMP1至第三导电图案层CMP3以及第一导电总线CBL1和第二导电总线CBL2与上面参照图9、图11和图12描述的那些相同或实质上相同，并且因此，可不重复其冗余描述。接触孔SCNT和GCNT以及第一通孔接触孔VCNT1至第三通孔接触孔VCNT3的结构与上面参照图11描述的那些结构相同或实质上相同，并且因此，在下文中，为方便起见，主要对它们的差异进行更详细地描述。

参照图13A，第一导电图案层CMP1和第三导电图案层CMP3分别布置在第二红色发光二极管ED2r的第一电极221和第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221下。导电线(例如，第一连接线PWL1)可布置在第一导电图案层CMP1和第三导电图案层CMP3下。

如上面参照图11所述，第一连接线PWL1可布置在第三层间绝缘层210上。第一连接线PWL1可与第二红色发光二极管ED2r的第一电极221的一部分和/或第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221的一部分重叠。第一连接线PWL1可与堤层的对应于第二红色发光二极管ED2r的发射区域的开口215OP1和/或堤层的对应于第二蓝色发光二极管ED2b的发射区域的开口215OP3重叠。

因为第一连接线PWL1进一步布置在第一导电图案层CMP1和第三导电图案层CMP3下，因此可调节第一电极221的部分高度。参照图13A和图13B，从衬底100的上表面到第一电极221的在z方向上延伸的上部A的垂直距离h1(例如，从衬底100的上表面到第一电极221的上部A的下表面的垂直距离)可大于从衬底100的上表面到第一电极221的在z方向上延伸的下部B的垂直距离h2(例如，从衬底100的上表面到第一电极221的下部B的下表面的垂直距离)。

在一些实施方式中，当第一显示区域处(例如，中或上)的第一红色发光二极管的第一电极的高度(例如，第一电极在z方向上距衬底的上表面的高度)部分地不同时，如参照图13A和图13B所述，可通过使用第一连接线PWL1来改变第一红色发光二极管的第一电极的部分高度(例如，部分A的高度和部分B的高度)。如上所述，当第一显示区域处(例如，中或上)的第一蓝色发光二极管的第一电极的高度(例如，第一电极在z方向上距衬底的上表面的高度)部分地不同时，可通过使用第一连接线PWL1来改变第一蓝色发光二极管的第一电极的部分高度。

第三连接线PWL3可布置在与第一连接线PWL1的层相同的层处(例如，中或上)(例如，布置在第三层间绝缘层上)。图13A示出了选自第一连接线PWL1和第三连接线PWL3之中的第一连接线PWL1与第二红色发光二极管ED2r的第一电极221和/或第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221重叠，但是本公开不限于此。在其它实施方式中，第三连接线PWL3可与第二红色发光二极管ED2r的第一电极221和/或第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221重叠。在其它实施方式中，第一连接线PWL1和第三连接线PWL3可与第二红色发光二极管ED2r的第一电极221和/或第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221重叠。

图14A和图14B是根据一个或多个实施方式的第一导电图案层和第三导电图案层的示意性平面图。

图9和图13A中所示的第一导电图案层CMP1的在第二方向(例如，y方向)上延伸的导电线VBL通过穿过第一电极221或堤层的开口215OP的中心C的连接导电线HBL彼此连接，但是本公开不限于此。

在其它实施方式中，如图14A和图14B中所示，第二显示区域DA2处(例如，中或上)的第一导电图案层CMP1的导电线VBL可彼此间隔开，并且可通过距第一电极221或堤层的开口215OP的中心C相对较远的连接导电线HBL'彼此连接。导电线VBL可与连接导电线HBL'一体地形成。换言之，导电线VBL的距第一电极221或堤层的开口215OP的中心C相对较远的远端部分可通过连接导电线HBL'彼此物理地(例如，一体地)连接。

如图14A中所示，连接导电线HBL'的外缘线OL可相对平滑，或者如图14B中所示，可在平面中逐步弯曲。在一些实施方式中，如图14A中所示，连接导电线HBL'可不与堤层的开口215OP1重叠。在其它实施方式中，如图14B中所示，连接导电线HBL'可与堤层的开口215OP1重叠。

根据上面参照图8和图9描述的实施方式，第一导电图案层CMP1和第三导电图案层CMP3中的每个的连接导电线HBL延伸以穿过发射区域的中心C并且与发射区域重叠。在这种情况下，在平面中(例如，在平面图中)，其中堤层的对应于第二红色发光二极管ED2r(例如，参见图9)的开口215OP1与第一导电图案层CMP1重叠的形状可与其中堤层的对应于第一红色发光二极管ED1r(例如，参见图8)的开口215OP1与至少一个线(例如，数据线和驱动电力线)重叠的形状不同。如上所述，其中堤层的对应于第二蓝色发光二极管ED2b(例如，参见图9)的开口215OP3与第三导电图案层CMP3重叠的形状可与其中堤层的对应于第一蓝色发光二极管ED1b(例如，参见图8)的开口215OP3与至少一个线(例如，数据线和驱动电力线)重叠的形状不同。

根据图14A中所示的实施方式，当第一导电图案层CMP1的连接导电线HBL'不与发射区域重叠时，在平面中(例如，在平面图中)，其中堤层的对应于第二红色发光二极管ED2r的开口215OP1与第一导电图案层CMP1重叠的形状可与其中堤层的对应于第一红色发光二极管ED1r(例如，参见图8)的开口215OP1与至少一个线(例如，数据线和驱动电力线)重叠的形状相同或实质上相同。

图14A和图14B示出了第一导电图案层CMP1与第二红色发光二极管ED2r重叠，但是本公开不限于此。与第三蓝色发光二极管ED2b重叠的第三导电图案层CMP3(例如，参见图9和图13A)可具有与通过参照图14A和图14B而描述的第一导电图案层CMP1的那些特性相同或实质上相同的特性。例如，连接第三导电图案层CMP3(例如，参见图9和图13A)的导电线的连接导电线可不与发射区域重叠。在这种情况下，其中堤层的对应于第二蓝色发光二极管ED2b的开口215OP3与第三导电图案层CMP3重叠的形状可与其中堤层的对应于第一蓝色发光二极管ED1b的开口215OP3与至少一个线(例如，数据线和驱动电力线)重叠的形状相同或实质上相同。

根据本公开的一个或多个实施方式，可充分确保包括透射区域的第二显示区域的透射区域的面积，并且可防止将第二显示区域与第一显示区域区分开。相应地，第二显示区域可不被用户观察到。然而，本公开的方面和特征不限于此。

尽管已描述了一些实施方式，但是本领域技术人员将容易理解，能够在不背离本公开的精神和范围的情况下在实施方式中进行各种修改。应理解，除非另有描述，否则每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。因此，如对于本领域普通技术人员将显而易见的是，除非另有具体指示，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，应理解，上述内容是对各种示例性实施方式的说明，并且将不被解释为限于本文中所公开的具体实施方式，并且对所公开的实施方式的各种变型以及其它示例性实施方式旨在被包括在如在随附的权利要求书及其等同物中所限定的本公开的精神和范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一子像素电路，所述第一子像素电路在第一显示区域处，并且包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括第一半导体层和第一栅电极；

存储电容器；以及

第二晶体管，所述第二晶体管包括第二半导体层和第二栅电极；

有机绝缘层，所述有机绝缘层在所述第一晶体管和所述第二晶体管上方；

第一发光二极管，所述第一发光二极管在所述第一显示区域处并且电连接到所述第一子像素电路，所述第一发光二极管包括在所述有机绝缘层上的第一电极；

第二发光二极管，所述第二发光二极管在至少部分地被所述第一显示区域围绕的第二显示区域处并且包括在所述有机绝缘层上的第一电极，所述第二显示区域包括透射区域；

堤层，所述堤层具有与所述第一发光二极管的所述第一电极重叠的第一开口以及与所述第二发光二极管的所述第一电极重叠的第二开口；

至少一个线，所述至少一个线与所述第一发光二极管的所述第一电极和所述堤层的所述第一开口重叠；以及

导电图案层，所述导电图案层在所述第二显示区域处并且与所述第二发光二极管的所述第一电极和所述堤层的所述第二开口重叠，

其中，所述导电图案层位于与所述至少一个线的层相同的层处。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述至少一个线包括驱动电力线、数据连接线和数据线中的至少一个。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：

下有机绝缘层，所述下有机绝缘层在所述有机绝缘层下，

其中，所述导电图案层和所述至少一个线位于所述下有机绝缘层与所述有机绝缘层之间。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

第二子像素电路，所述第二子像素电路在位于所述第一显示区域与所述第二显示区域之间的第三显示区域处并且电连接到所述第二发光二极管；以及

导电总线，所述导电总线在所述第三显示区域处朝向所述第二显示区域延伸以将所述第二子像素电路电连接到所述第二发光二极管。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述导电总线位于与所述第一栅电极、所述存储电容器的电极和所述第二栅电极中的任一个的层相同的层处。

6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导电图案层包括与所述堤层的所述第二开口重叠的多个导电线，以及

其中，所述多个导电线中的每个的延伸方向和所述至少一个线的延伸方向相同。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述至少一个线包括多个所述数据线和多个所述数据连接线，以及

其中，选自所述多个导电线之中的两个相邻的导电线之间的第一距离与选自多个所述数据线和多个所述数据连接线之中的两个相邻的线之间的第二距离相同。

8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述多个导电线一体地联接到与所述多个导电线交叉的连接导电线。

9.如权利要求2或7所述的显示面板，其特征在于，所述至少一个线包括彼此物理地连接的多个所述驱动电力线的连接部分，以及

其中，所述堤层的所述第二开口与所述导电图案层重叠的形状或面积和所述堤层的所述第一开口与多个所述驱动电力线的所述连接部分重叠的形状或面积相同。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

显示面板，所述显示面板是根据权利要求1至9中的任一项所述的显示面板；以及

部件，所述部件在所述显示面板下并且对应于所述第二显示区域。