CN221039503U - 一种用于odf的高密度熔接存贮盘 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,包括底板和熔接盖板，底板包括周边为多边形的主盘体和一体的矩形的熔接盘体；熔接盘体上并排设有直熔卡槽，直熔卡槽朝向相邻直熔卡槽的侧壁顶部具有挡纤块、中部具有弧形凸块并将直熔卡槽分为上下两层用于对熔接光纤限位，主盘体与熔接盘体之间设有第一盖板座和第二盖板座，熔接盖板安装在第一盖板座和第二盖板座上并罩住熔接盘体；主盘体前侧进线侧的周边间隔设有第二挡纤板，且两两第二挡纤板之间为进线口，主盘体在周边还设有第一挡纤板，主盘体在盘绕区内设有多个的开口朝外的光纤盘绕挡板。本实用新型能增大进线空间，扩大盘纤位置，提升光缆熔接保护线路的数量，操作维护便捷。

Description

一种用于ODF的高密度熔接存贮盘

技术领域

本实用新型涉及一种用于ODF的高密度熔接存贮盘，属于光通信设备技术领域。

背景技术

光通信技术作为信息技术的重要支撑平台，在未来信息社会中将起到重要作用。从现在通信的发展趋势来看，光纤通信也将成为未来通信发展的主流。随着我国FTTH的采用、多网融合及大规模5G建设的持续，市场对光纤光缆的需求量依然很大，为我国光纤光缆行业发展提供了强劲动力。

ODF(Optical Distribution Frame)光纤配线架作为光传输系统中一个重要的配套设备，主要用于光缆终端的光纤熔接、光连接器安装、光路的调接、多余尾纤的存储及光缆的保护等，对于光纤通信网络安全运行和灵活使用有着重要的作用。

目前光纤配线架ODF中使用的熔纤盘大多矩形盘，盘体上设有可拆卸的熔接盘，盘体上设有多个挡纤板，而达到光纤的熔接以及剩余光缆的盘存，在小空间内无法提高光纤存贮量，因此通常只能满足12芯光纤的存贮。其次，因熔接盘采用卡接安装在熔接盘的卡座上，因此存在脱落的风险，而影响工作效率。再则，现有的熔接存贮盘的进线均设置在盘体后部，进线空间较小，且盖板安装在整个盘体上部，因此盘纤空间无法增加，因此不适用高密度光纤的熔接盘存。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种能增大进线空间，扩大盘纤位置，操作维护便捷的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘

本实用新型为达到上述目的的技术方案是：一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：包括底板和熔接盖板，

所述底板包括周边为多边形的主盘体和矩形的熔接盘体；

所述的熔接盘体与主盘体为一体结构，所述的熔接盘体上并排设有直熔卡槽，所述直熔卡槽朝向相邻直熔卡槽的侧壁顶部具有挡纤块、中部具有弧形凸块并将直熔卡槽分为上下两层用于对熔接光纤限位，所述的主盘体与熔接盘体之间设有第一盖板座和第二盖板座，熔接盖板安装在第一盖板座和第二盖板座上并罩住熔接盘体；

所述的主盘体位于熔接盘体的外部设有盘绕区，所述主盘体前侧进线侧的周边间隔设有第二挡纤板，且两两第二挡纤板之间为进线口，所述主盘体在周边还设有第一挡纤板，主盘体在盘绕区内设有多个的开口朝外的光纤盘绕挡板。

本实用新型采用上述技术方案后具有以下的优点：

1、本实用新型将熔接盘体与主盘体为一体结构，因此使直熔卡槽与主盘体一体成型，可以解决卡槽脱落的问题，而直熔卡槽朝向相邻直熔卡槽的侧壁顶部具有挡纤块、中部具有弧形凸块，使直熔卡槽能实现上下两层对熔接光纤有限位和保护，因此能在有限的空间内，实现双层卡接熔接光纤，能满足24芯熔接需要，提升光缆熔接保护线路的数量，提高单位设备容量。

2、本实用新型熔接盖板安装在盖板座上仅罩住熔接盘体，通过熔接盖板能减少对熔接光纤免受物理伤害，有效提高光缆熔接的防护性能，能确保通信的可靠性。

3、本实用新型主盘体采用多边形结构，并在前侧设有两个进线口，大幅度提高了进线空间，尤其主盘体在盘存区不设有盖板，因此在有限的空间扩大盘纤位置，能提升内部走纤空间，节省机柜内部空间，结构简便、合理，全程走纤路由清晰，操作维护便捷。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步的详细描述。

图1是本实用新型用于ODF的高密度熔接存贮盘的结构示意图。

图2是图1的I处放大结构示意图。

图3是本实用新型用于ODF的高密度熔接存贮盘的走线示意图。

其中：1—主盘体，1-1—光纤盘绕挡板，1-2—第一挡纤板，1-3—第一盖板座，1-4—第一盖板扣座，1-41—第一扣座，1-5—扎纤扣，1-6—槽口，1-7—凸条，1-8—第二挡纤板，1-9—第二盖板座，1-91—挡块，1-10—第二盖板扣座，1-101—第二扣座，1-11—进线口，2—熔接盘体，2-1—直熔卡槽，2-11—挡纤块，2-12—弧形凸块，2-2—外直熔卡槽，3—熔接盖板，3-1—第一扣孔，3-2—示名纸，3-3—第二扣孔，4—主干光缆，5—配线光缆，6—热缩管。

具体实施方式

见图1所示，本实用新型一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,包括底板和熔接盖板3。本实用新型的底板包括周边为多边形的主盘体1和矩形的熔接盘体2，该主盘体1的周边为正十二边形。

见图1所示，本实用新型熔接盘体2与主盘体1为一体结构，使熔接盘体2上的直熔卡槽2-1与主盘体1一体成型，本实用新型的熔接盘体2的底面可高出主盘体1的底在，能清楚分隔工作区域，熔接盘体2上并排设有直熔卡槽2-1，直熔卡槽2-1朝向相邻直熔卡槽2-1的侧壁顶部具有挡纤块2-11、中部具有用于分隔的弧形凸块2-12并将直熔卡槽2-1分为上下两层用于对熔接光纤限位，通过双层结构直熔卡槽2-1结构，对塑封在热缩管6内的熔接光纤进行限位和保护，能实现立体对熔接光纤进行保护和存储，能满足24芯熔接需要。见图1所示，本实用新型主盘体1与熔接盘体2之间设有第一盖板座1-3和第二盖板座1-9，熔接盖板3安装在第一盖板座1-3和第二盖板座1-9上并罩住熔接盘体2，熔接盖板3上粘贴有记录光纤的路由的示名纸3-2，方便后续的操作维护，由于熔接盖板3仅遮挡熔接盘体2的部位，能扩大盘纤位置，提升走纤空间，能在有限的空间内，实现高密度光缆熔接的数量，提高单位设备容量。

见图1、2所示，本实用新型直熔卡槽2-1包括能容纳两种熔接光纤管径的窄间距和宽间距，如图1所示，从熔接盘体1中标注的001、002以及003的两两直熔卡槽2-1为窄间距，而标注的A、B、C的两两直熔卡槽2-1为宽间距，可灵活对封装后熔接光纤的不同直径热缩管6放置在不同间距的直熔卡槽2-1内。本实用新型为能进一步提高熔接光纤的保护和存储，见图1所示，本实用新型熔接盘体2在直熔卡槽2-1的宽间距的外侧还设有外直熔卡槽2-2，其结构与直熔卡槽2-1相同，该外直熔卡槽2-2的间距小于对应直熔卡槽2-1的宽间距。

见图1、3所示，本实用新型主盘体1位于熔接盘体2的外部设有盘绕区，主盘体1前侧进线侧的周边间隔设有第二挡纤板1-8，如设置三个第二挡纤板1-8，两两第二挡纤板1-8之间为进线口1-11，所形成左右进线仅由一个第二挡纤板1-8隔开，不仅能增大进线空间，而且也方便操作。主盘体1在周边还设有第一挡纤板1-2，该第一挡纤板1-2反向于进线侧，主盘体1在盘绕区内设有多个开口朝外的光纤盘绕挡板1-1，通过光纤盘绕挡板1-1以及第一挡纤板1-2和第二挡纤板1-8将主干光缆4和配线光缆5进行盘存。

见图1、3所示，本实用新型主盘体1在盘绕区还设有至少两个扎纤扣1-5，将主干光缆4和配线光缆5用扎条固定在对应的扎纤扣1-5上，而主盘体1的边缘对称设有凸条1-7和凸条1-7外侧的贯穿主盘体1的槽口1-6，通过凸条1-7以及槽口1-6将底板快速安装架体上。

见图1、3所示，本实用新型第一盖板座1-3为倒L型板，倒L型板具有与熔接盖板3的底面相接的平面，可支承熔接盖板3，本实用新型第二盖板座1-9包括用于支承熔接盖板3的支承座和设置在支承座前部的挡块1-91，支承座和挡块1-91用于对熔接盖板3进行限位，能快速对熔接盖板3限位，而进行安装和拆卸，可通过紧固件将熔接盖板3安装盖板座1-3和第二盖板座1-9上。本实用新型支承座的外侧还设有一体的光纤盘绕挡板1-1，在有限空间能增加光纤盘绕挡板1-1的数量，而提高盘存可靠性。

见图1、3所示，本实用新型主盘体1上位于第一盖板座1-3和熔接盘体2之间还设有第一盖板扣座1-4，第一盖板扣座1-4的端部设有朝向熔接盘体2一侧的第一扣座1-41，第一扣座1-41穿过熔接盖板3的第一扣孔3-1并由第一扣孔3-1处的挡板限位，熔接盘体2位于直熔卡槽2-1的外侧设有两个第二盖板扣座1-10，第二盖板扣座1-10端部设有钩状的第二扣座1-101，第二扣座1-101穿过熔接盖板3上的第二扣孔3-3并对熔接盖板3限位，因此在无需紧固件的前提下，能方便将熔接盖板3快速安装在主盘体1上。

见图1～3所示，将本实用新型将主干光缆4和配线光缆5分别从主盘体1对应的进线口1-11进入主盘体1内，并将主干光缆4和配线光缆5开剥后，将各主干光纤与对应的配线光纤熔接，用热缩管6对光纤熔接处进行热缩后固定，将热缩管6卡接对应的直熔卡槽2-1内，主干光缆4和配线光缆5沿光纤盘绕挡板1-1存盘，扎线将主干光缆4和配线光缆5固定在扎纤扣1-5处，第一扣座1-41和第二扣座1-101上分别穿过熔接盖板3上的第一扣孔3-1和第二扣孔3-3并压在挡板和熔接盖板3上，使熔接盖板3贴合在第一盖板座1-3和第二盖板座1-9的挡块1-91上，将熔接盖板3快速安装在主盘体1上。

Claims (9)

1.一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：包括底板和熔接盖板（3），

所述底板包括周边为多边形的主盘体（1）和矩形的熔接盘体（2）；

所述的熔接盘体（2）与主盘体（1）为一体结构，所述的熔接盘体（2）上并排设有直熔卡槽（2-1），所述直熔卡槽（2-1）朝向相邻直熔卡槽（2-1）的侧壁顶部具有挡纤块（2-11）、中部具有弧形凸块（2-12）并将直熔卡槽（2-1）分为上下两层用于对熔接光纤限位，所述的主盘体（1）与熔接盘体（2）之间设有第一盖板座（1-3）和第二盖板座（1-9），熔接盖板（3）安装在第一盖板座（1-3）和第二盖板座（1-9）上并罩住熔接盘体（2）；

所述的主盘体（1）位于熔接盘体（2）的外部设有盘绕区，所述主盘体（1）前侧进线侧的周边间隔设有第二挡纤板(1-8)，且两两第二挡纤板(1-8)之间为进线口（1-11），所述主盘体（1）在周边还设有第一挡纤板（1-2），主盘体（1）在盘绕区内设有多个的开口朝外的光纤盘绕挡板（1-1）。

2.根据权利要求1所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：所述第一盖板座（1-3）为倒L型板，所述的倒L型板具有与熔接盖板（3）的底面相接的平面， 所述的第二盖板座（1-9）包括用于支承熔接盖板（3）的支承座和设置在支承座前部的挡块（1-91），所述的支承座和挡块（1-91）用于对熔接盖板（3）进行限位。

3.根据权利要求2所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘，其特征在于：所述的支承座的外侧还设有一体的光纤盘绕挡板（1-1）。

4.根据权利要求1所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘，其特征在于：所述的主盘体（1）位于第一盖板座（1-3）和熔接盘体（2）之间还设有第一盖板扣座(1-4)，第一盖板扣座(1-4)端部设有朝向熔接盘体（2）一侧的第一扣座（1-41），第一扣座（1-41）穿过熔接盖板（3）的第一扣孔（3-1）内并由第一扣孔（3-1）处的挡板限位；所述熔接盘体（2）位于直熔卡槽（2-1）的外侧设有两个第二盖板扣座（1-10），第二盖板扣座（1-10）端部设有钩状的第二扣座（1-101），所述的第二扣座（1-101）穿过熔接盖板（3）的第二扣孔（3-3）并对熔接盖板（3）限位。

5.根据权利要求1所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：所述直熔卡槽（2-1）包括能容纳两种熔接光纤管径的窄间距和宽间距。

6.根据权利要求1或5所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：所述的熔接盘体（2）在直熔卡槽（2-1）的宽间距的外侧还设有外直熔卡槽（2-2），所述的外直熔卡槽（2-2）的间距小于对应直熔卡槽（2-1）的宽间距。

7.根据权利要求1所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：所述的主盘体（1）在盘绕区还设有至少两个扎纤扣(1-5)，主盘体（1）的边缘对称设有凸条(1-7)和凸条(1-7)外侧贯穿主盘体（1）的槽口(1-6)。

8.根据权利要求1所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：所述的主盘体（1）的周边为正十二边形。

9.根据权利要求1所述的一种用于ODF的高密度熔接存贮盘,其特征在于：所述的熔接盖板（3）上粘贴有记录光纤的路由的示名纸（3-2）。