CN220963343U - 光源、终端设备 - Google Patents

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蒋剑涛
刘刚
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Abstract

本实用新型实施例公开了一种光源、终端设备,该光源包括基板、LED芯片、焊盘组,LED芯片至少包括暖白光芯片、冷白光芯片、光谱范围补偿芯片,暖白光芯片与冷白光芯片的波长范围相同,光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米;通过设置用于提高光谱范围的光谱范围补偿芯片,该光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米,从而利用光谱范围补偿芯片提高了光源的光谱范围,进一步提高了光源的光谱与太阳光谱的相似度。

Description

光源、终端设备
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种光源、终端设备。
背景技术
目前的可调色温光源通常采用冷白、暖白灯珠通过不同的功率比,实现不同的色温输出,现有技术不能实现最佳的光谱连续性和太阳光谱相似度,目前双色调光范围一般在2700-6500K范围,如果想提高双色的调光范围,须将冷白光的色温值提高到10000K以上,这样导致冷白光的光参一致性不可控,光效也大幅下降;因此,现有光源的光谱范围较窄且难以进行提高,与太阳光谱的相似度低。
因此,现有光源存在光谱范围较窄且与太阳光谱相似度低的技术问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种光源、终端设备,可以缓解现有光源存在光谱范围较窄且与太阳光谱相似度低的技术问题。
本实用新型实施例提供一种光源,包括:
基板;
LED芯片,所述LED芯片设置于所述基板上;
焊盘组,所述焊盘组设置于所述基板上,所述焊盘组设置于所述LED芯片的外围;
其中,所述光源包括发光区、围绕所述发光区设置的外围区,所述LED芯片设置于所述发光区,所述焊盘组设置于所述外围区,所述LED芯片至少包括暖白光芯片、冷白光芯片、光谱范围补偿芯片,所述暖白光芯片与所述冷白光芯片的波长范围相同,所述光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述暖白光芯片、所述冷白光芯片的波长范围为440纳米至460纳米。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述光谱范围补偿芯片包括第一补偿芯片、第二补偿芯片,所述第一补偿芯片的波长范围为400纳米至420纳米,所述第二补偿芯片的波长范围为470纳米至490纳米。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述焊盘组包括正极焊盘、与所述正极焊盘对应的负极焊盘,所述光谱范围补偿芯片还包括第三补偿芯片,所述第三补偿芯片的波长范围为420纳米至440纳米,所述第一补偿芯片的一端、所述第二补偿芯片的一端、所述第三补偿芯片的一端连接同一正极焊盘,所述第一补偿芯片的另一端、所述第二补偿芯片的另一端、所述第三补偿芯片的另一端连接同一负极焊盘。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述光谱范围补偿芯片的数量:所述暖白光芯片的数量:所述冷白光芯片的数量的范围为1:20:20至1:5:5。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,第一补偿芯片、第二补偿芯片、第三补偿芯片的比例范围为1:1:1至1:2:2。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述光谱范围补偿芯片呈对称的设置于所述发光区域。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述光谱范围补偿芯片与相邻所述冷白光芯片之间的距离,小于所述光谱范围补偿芯片与相邻所述暖白光芯片之间的距离。
可选的,在本实用新型的一些实施例中,所述光源的光谱范围为2700K至20000K。
本实用新型实施例提供一种终端设备,包括如上述任一实施例所述的光源。
有益效果:通过使LED芯片不仅包括暖白光芯片、冷白光芯片,还包括用于提高光谱范围的光谱范围补偿芯片,且该光谱范围补偿芯片的波长范围包括蓝光、紫光、青光全波段,即光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米,从而利用光谱范围补偿芯片提高了光源的光谱范围,进一步提高了光源的光谱与太阳光谱的相似度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型提供的光源的第一种剖面示意图;
图2是本实用新型图1中光源的第一区域的放大图;
图3是本实用新型提供的光源的第一种截面示意图;
图4是本实用新型提供的光源的第二种截面示意图;
图5是本实用新型提供的光源的第二种剖面示意图;
图6是本实用新型图5中光源的第二区域的放大图。
附图标记说明:
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。在本实用新型中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图1至图6,本实用新型提供的光源包括基板、LED芯片、焊盘组,所述LED芯片设置于所述基板,所述焊盘组设置于所述基板上,所述焊盘组设置于所述LED芯片的外围;其中,所述光源包括发光区、围绕所述发光区设置的外围区,所述LED芯片设置于所述发光区,所述焊盘组设置于所述外围区,所述LED芯片至少包括暖白光芯片、冷白光芯片、光谱范围补偿芯片,所述暖白光芯片与所述冷白光芯片的波长范围相同,所述光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米。
在本实施例中,通过使LED芯片不仅包括暖白光芯片、冷白光芯片,还包括用于提高光谱范围的光谱范围补偿芯片,且该光谱范围补偿芯片的波长范围包括蓝光、紫光、青光全波段,即光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米,从而利用光谱范围补偿芯片提高了光源的光谱范围,进一步提高了光源的光谱与太阳光谱的相似度。
现结合具体实施例对本实用新型的技术方案进行描述。
需要注意的是,本实用新型中指的光谱范围可以为色温范围。
在一种实施例中,暖白光芯片、冷白光芯片的波长范围为440纳米至460纳米。
需要注意的是,暖白光芯片、冷白光芯片的波长范围还可以选择400纳米至490纳米中的任一段波长范围,优选的,暖白光芯片、冷白光芯片的波长范围为440纳米至460纳米。
在一种实施例中,请参阅图1、图2,光谱范围补偿芯片包括第一补偿芯片、第二补偿芯片,第一补偿芯片的波长范围为400纳米至420纳米,第二补偿芯片的波长范围为470纳米至490纳米。
可以理解的是,第一补偿芯片的波长范围为400纳米至420纳米,对应了紫光的波段,通过第一补偿芯片发出的光线,能提高光源在紫光波段的光谱范围,同理,第二补偿芯片的波长范围为470纳米至490纳米,对应了青光的波段,通过第二补偿芯片发出的光线,能提高光源在青光波段的光谱范围。
在本实施例中,通过在400纳米至490纳米中选择400纳米至420纳米的紫光波段、470纳米至490纳米的青光波段作为光谱范围补偿芯片的波长,能够大幅度提升光源的光谱范围。
在一种实施例中,所述光源包括400纳米至420纳米的第一补偿芯片、420纳米至440纳米的第三补偿芯片、440纳米至460纳米的暖白光芯片和冷白光芯片、470纳米至490纳米第二补偿芯片。
在一种实施例中,光谱范围补偿芯片的数量:暖白光芯片的数量:冷白光芯片的数量的范围为1:20:20至1:5:5。
在一种实施例中,第一补偿芯片、第二补偿芯片、第三补偿芯片的比例范围为1:1:1至1:2:2。
在一种实施例中,光谱范围补偿芯片呈对称的设置于发光区域。
在一种实施例中,请参阅图1、图3、图4,光谱范围补偿芯片与相邻冷白光芯片之间的距离,小于光谱范围补偿芯片与相邻暖白光芯片之间的距离。
其中,请参阅图4,暖白光芯片的表面和边缘区域设置有暖白荧光粉,冷白光芯片的表面和边缘区域设置有冷白荧光粉,暖白荧光粉、冷白荧光粉均可以采用喷粉或点胶的方式制备。
其中,暖白荧光粉的浓度大于冷白荧光粉的浓度。
可以理解的是,通过将光谱范围补偿芯片的设置位置更靠近冷白光芯片设置,而远离暖白光芯片设置,从而避免暖白光芯片处浓度较高的暖白荧光粉对光谱范围补偿芯片输出功率的影响,缓解了光谱范围补偿芯片因受到荧光粉影响导致光强的降低。
在本实施例中,通过使光谱范围补偿芯片距离荧光粉浓度更低的冷白光芯片设置,能降低荧光粉对光谱范围补偿芯片输出光强的影响。
在一种实施例中,光源的光谱范围为2700K至20000K。
其中,暖白光芯片的光谱范围是1700K至2600K。
其中,冷白光芯片的光谱范围是5000K至7500K。
可以理解的是,相较于现有技术中双色调光的光源的光谱范围为2700K至6500K,本实用新型在满足双色调光的前提下,不仅能提高暖白光、冷白光的光谱范围,还能大幅度提高合光后光源的光谱范围。
需要注意的是,相较于现有技术中将冷白光的色温值提高到10000K以上,导致冷白光的光参一致性不可控,光效大幅下降的技术方案,本实用新型的冷白光芯片的光谱范围是5000K至7500K,能避免上述缺陷,同时提高了冷白光的光参一致性,大幅提升了光效。
在本实施例中,光源的光谱范围为2700K至20000K,较现有技术中光源的光谱范围为2700K至6500K,本实用新型的光源的光谱范围得到了显著的提升。
在一种实施例中,请参阅图4,冷白光芯片可以仅在其表面和周边区域覆盖冷白荧光粉。
其中,所述设置冷白荧光粉的工艺方式可以为喷粉或点胶。
可以理解的是,所述光源上方可以再覆盖设置有透明胶层,通过透明胶层可以对LED芯片进行保护,同时,透明胶层可以采用凹凸透镜的设计对光线进行调控,从增加光线扩散范围或提高某一方向上的光强等。
在本实施例中,通过仅在冷白光芯片表面和周边区域覆盖冷白荧光粉,可以降低冷白荧光粉对光谱范围补偿芯片的影响,从而避免冷白荧光粉导致第二、第三芯片的光强输出降低,减少了光谱范围补偿芯片的使用数量,降低了成本。
在一种实施例中,请参阅图5、图6,焊盘组包括正极焊盘、与正极焊盘对应的负极焊盘,光谱范围补偿芯片还包括第三补偿芯片,第三补偿芯片的波长范围为420纳米至440纳米,第一补偿芯片的一端、第二补偿芯片的一端、第三补偿芯片的一端连接同一正极焊盘,第一补偿芯片的另一端、第二补偿芯片的另一端、第三补偿芯片的另一端连接同一负极焊盘。
其中,一对正极焊盘、负极焊盘组成一焊盘组,焊盘组用于对与其相连的LED芯片提供电压。
可以理解的是,第三补偿芯片的波长范围为420纳米至440纳米,也可以在一定程度上补偿并提高光源的光谱范围。
在本实施例中,通过使第一补偿芯片、第二补偿芯片、第三补偿芯片共用一焊盘组,能减少驱动的控制通道数量,从而降低成本。
本实用新型的光源包括不同波段蓝光芯片,且可以独立控制每个波段蓝光芯片的电流,可以实现对合光光谱蓝光峰值高度的精准控制,进一步提高了太阳光谱相似度,同时显色指数CRI和TLCI都大幅提高,减少了短波蓝光对人眼的伤害;同时利短波蓝光和长波蓝光对荧光粉激发效率较低,容易射出发光面的原理,还可以在合光时增加蓝色光谱占比,扩大合光色温范围。
本实用新型还提出了一种终端设备,所述终端设备包括上述任一实施例所述的光源,此处不再赘述,所述终端设备可以为手机、平板电脑、显示装置中的任一者。
本实用新型实施例提供的光源包括基板、LED芯片、焊盘组,所述LED芯片设置于所述基板,所述焊盘组设置于所述基板上,所述焊盘组设置于所述芯片组的外围;其中,所述光源包括发光区、围绕所述发光区设置的外围区,所述芯片组设置于所述发光区,所述焊盘组设置于所述外围区,所述LED芯片至少包括暖白光芯片、冷白光芯片、光谱范围补偿芯片,所述暖白光芯片与所述冷白光芯片的波长范围相同,所述光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米;通过使LED芯片不仅包括暖白光芯片、冷白光芯片,还包括用于提高光谱范围的光谱范围补偿芯片,且该光谱范围补偿芯片的波长范围包括蓝光、紫光、青光全波段,即光谱范围补偿芯片的波长范围为400纳米至490纳米,从而利用光谱范围补偿芯片提高了光源的光谱范围,进一步提高了光源的光谱与太阳光谱的相似度。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本实用新型实施例所提供的光源、终端设备进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本实用新型的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种光源(1),其特征在于,包括:
基板(10);
LED芯片(20),所述LED芯片(20)设置于所述基板(10)上;
焊盘组(30),所述焊盘组(30)设置于所述基板(10)上,所述焊盘组(30)设置于所述LED芯片(20)的外围;
其中,所述光源(1)包括发光区(2)、围绕所述发光区(2)设置的外围区(3),所述LED芯片(20)设置于所述发光区(2),所述焊盘组(30)设置于所述外围区(3),所述LED芯片(20)至少包括暖白光芯片(40)、冷白光芯片(50)、光谱范围补偿芯片(60),所述暖白光芯片(40)与所述冷白光芯片(50)的波长范围相同,所述光谱范围补偿芯片(60)的波长范围为400纳米至490纳米。
2.如权利要求1所述的光源(1),其特征在于,所述暖白光芯片(40)、所述冷白光芯片(50)的波长范围为440纳米至460纳米。
3.如权利要求2所述的光源(1),其特征在于,所述光谱范围补偿芯片(60)包括第一补偿芯片(601)、第二补偿芯片(602),所述第一补偿芯片(601)的波长范围为400纳米至420纳米,所述第二补偿芯片(602)的波长范围为470纳米至490纳米。
4.如权利要求3所述的光源(1),其特征在于,所述焊盘组(30)包括正极焊盘(301)、与所述正极焊盘(301)对应的负极焊盘(302),所述光谱范围补偿芯片(60)还包括第三补偿芯片(603),所述第三补偿芯片(603)的波长范围为420纳米至440纳米,所述第一补偿芯片(601)的一端、所述第二补偿芯片(602)的一端、所述第三补偿芯片(603)的一端连接同一正极焊盘(301),所述第一补偿芯片(601)的另一端、所述第二补偿芯片(602)的另一端、所述第三补偿芯片(603)的另一端连接同一负极焊盘(302)。
5.如权利要求4所述的光源(1),其特征在于,所述光谱范围补偿芯片(60)的数量:所述暖白光芯片(40)的数量:所述冷白光芯片(50)的数量的范围为1:20:20至1:5:5。
6.如权利要求5所述的光源(1),其特征在于,第一补偿芯片(601)、第二补偿芯片(602)、第三补偿芯片(603)的比例范围为1:1:1至1:2:2。
7.如权利要求1所述的光源(1),其特征在于,所述光谱范围补偿芯片(60)呈对称的设置于所述发光区(2)域。
8.如权利要求1所述的光源(1),其特征在于,所述光谱范围补偿芯片(60)与相邻所述冷白光芯片(50)之间的距离,小于所述光谱范围补偿芯片(60)与相邻所述暖白光芯片(40)之间的距离。
9.如权利要求1所述的光源(1),其特征在于,所述光源(1)的光谱范围为2700K至20000K。
10.一种终端设备,其特征在于,包括权1至9任一项所述的光源(1)。
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