CN220944761U - 一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，包括一线性驱动器驱动一定位座上下移动，复数根引流管分别设置在定位座，数个弹性罩分别套接各引流管，一转接座设置在一承架，数个分流器间隔配置在承架，转接座的内部形成数个中继道，各弹性罩分别与各中继道逐一形成上下对应，各中继道的另一端分别连通数根中继管，各中继管分别连通各分流器，每一个分流器分别对应连接数根输送管，据此控制流体进入晶圆研磨设备的上研磨盘及受其研磨的晶圆片之间。

Description

一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆研磨设备的组件；特别是指一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，所述的流体控制装置是在晶圆片研磨制程完成后，控制流体流向上研磨盘与被研磨的晶圆片之间，消除上研磨盘及晶圆片彼此吸附的状态。

背景技术

晶圆研磨设备是一种研磨晶圆片的机具，包括一晶圆架驱动机构、一上研磨盘及一下研磨盘，其中一至数个不等的晶圆片设置在一晶圆架，机械手臂将一至数个不等的晶圆架移载至晶圆架驱动机构，上研磨盘及下研磨盘分别对各晶圆片的上表面及下表面执行研磨加工。

完成一次研磨制程后，上研磨盘、下研磨盘及晶圆架驱动机构停止运转，上研磨盘上升，使晶圆架显露，机械手臂即可更换设置有晶圆片的晶圆架。

上研磨盘对位于其下方的上表面研磨完成时，真空吸附现象导致上研磨盘及晶圆片彼此吸附而难以上下分离，为避免上研磨盘上升时带动晶圆片随同向上移动，研磨制程完成后，需要将流体注入上研磨盘及上表面之间，消除上研磨盘及晶圆片彼此吸附的状态，使上研磨盘及晶圆片不会彼此吸附，而导致晶圆片随同上研磨盘向上移动，流体可以是水或空气，注入流体消除上研磨盘及晶圆片彼此吸附状态的操作，通常称为去真空。

控制流体进行所述去真空的流体控制装置，包括数个线性驱动器、数个定位座、数根引流管、数个分流器及数根输送管，其中各线性驱动器间隔设置在晶圆研磨设备提供各部组件设置定位的机架或机台或其他组件，各分流器沿着圆形路径间隔配置，各定位座分别连接各线性驱动器，各线性驱动器分别驱动各定位座上下移动而接近或远离上研磨盘的顶缘侧，各引流管分别定位在各定位座，各引流管分别连通一流体来源，且各引流管分别与各分流器形成上下相对，各定位座下降时，各引流管分别连通各分流器，各定位座上升时，各引流管分别脱离各分流器，各分流器沿着另一个圆形路径间隔配置，每一个分流器分别对应连接数根输送管，各输送管分别连通上研磨盘内部的数个信道中的一个信道，各信道分别延伸至上研磨盘的底端。

研磨制程完成后，各线性驱动器分别驱动各定位座向着上研磨盘的顶缘侧下降，各引流管分别连通各分流器，而后流体通过各引流管进入各分流器，流体在各分流器的内部分流通过各输送管及各通道释放在上研磨盘及晶圆片之间，流体消除上研磨盘及晶圆片彼此吸附状态并对上研磨盘及晶圆片分别形成推抵作用，晶圆研磨设备用于掣动上研磨盘上升及下降的驱动装置配合作动控制上研磨盘上升，且晶圆片不会随同上研磨盘上升，上研磨盘及晶圆片上下分离。

为使流体能够均衡地多点释放在上研磨盘的底缘，各分流器分别沿着圆形路径间隔配置，且上研磨盘的轴向延伸通过圆形路径的径向中心，各定位座配合各分流器间隔配置并与各分流器上下相对，各定位座及各引流管的配置复杂化。

各引流管的末端分别形成具有弹性的罩体，各引流管下降并连通各分流器时，各罩体分别压靠各分流器形成密接状态，流体通过各引流管及各罩体进入各分流器时，流体的动压力不会造成各罩体脱离相对应的各分流器，各罩体随着使用而长期反复地弹性变形及回复形状，逐渐产生弹性疲乏，构成罩体的弹性材料随着时间的经过而脆化，使得各罩体需要适时地更换，但是，多个定位座及多个引流管沿着圆形路径间隔配置，作业人员必须环绕着上研磨盘的径向外部移动，逐一地维修或更换各引流管或各罩体，形成维修及组件更换的不便。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在于提供一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置。

为达到前述目的，本实用新型采用以下技术方案。

一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，所述晶圆研磨设备具有一上研磨盘用于研磨晶圆片的上表面，上研磨盘贯穿数个信道，各信道分别延伸至上研磨盘的顶端及底端，所述流体控制装置用于控制流体通过各通道进入上研磨盘及晶圆片之间，消除上研磨盘及晶圆片彼此吸附的状态，所述的流体是水或空气。

流体控制装置包括。

一线性驱动器，固定设置在晶圆研磨设备。

一定位座连接线性驱动器，且定位座位于线性驱动器及上研磨盘的顶缘侧之间，线性驱动器驱动定位座上下移动而接近或远离上研磨盘的顶缘侧。

数根引流管分别定位设置在定位座，各引流管分别连通流体的供应源，且各引流管分别向着上研磨盘的顶缘侧延伸，数个弹性罩分别套接各引流管面向顶缘侧的一端，各弹性罩分别于内部形成一锥状空间连通各引流管。

一转接座设置在一承架，承架连接上研磨盘，转接座的内部配合各引流管形成数个中继道，各中继道的一端分别延伸至转接座的顶缘，各锥状空间分别与各中继道逐一形成上下对应，各中继道的另一端分别延伸至转接座的一侧连通数根中继管。

数个分流器间隔配置在承架，各中继管分别连通各分流器，每一分流器分别对应连接数根输送管，各输送管分别连通各通道，据使流体通过各通道进入上研磨盘及晶圆片之间。

本实用新型的主要效果与优点是在于各引流管集中定位在一个定位座，定位座及各引流管的配置单纯化，各中继管集中连接转接座，作业人员只需要在定位座相邻处，即可维修更换每一个引流管及每一个弹性罩，提高维修及组件更换的方便性。

附图说明

图1是本实用新型较佳实施例配置在晶圆研磨设备的立体示意图。

图2是图1的部分放大图。

图3是本实用新型较佳实施例的部分前视图，其中挡壁是呈部分截断状态。

图4是图3的4-4剖面图。

图5是本实用新型较佳实施例的作动状态的部分前视图，其中挡壁是呈部分截断状态。

具体实施方式

请参阅图式所示，是本实用新型晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置的较佳实施例，惟此等实施例仅供说明使用，在专利申请上并不受此结构的限制。

如图1所示，晶圆研磨设备具有一上研磨盘11用于研磨晶圆片（图未绘示）的上表面，上研磨盘11贯穿数个通道（图未绘示），各通道分别延伸至上研磨盘11的顶端及底端，所述流体控制装置用于控制流体通过各通道进入上研磨盘11及晶圆片之间，消除上研磨盘11及晶圆片彼此吸附的状态，所述的流体可以是水或空气。

如图1至图5所示，所述流体控制装置的较佳实施例，包括一线性驱动器20、一定位座30、数根引流管40、一转接座50及数个分流器60，其中线性驱动器20是选用气压缸或油压缸构成，线性驱动器20固定设置在晶圆研磨设备的机架或机台或其他用于定位设置各种组件的结构，本例中，线性驱动器20选择设置在一盘座12，定位座30连接线性驱动器20，且定位座30位于线性驱动器20及上研磨盘11的顶缘侧13之间，线性驱动器20驱动定位座30上下移动，使定位座30接近或远离顶缘侧13。

各引流管40分别定位设置在定位座30，各引流管40分别连通流体的供应源（图未绘示），且各引流管40分别向着上研磨盘11的顶缘侧13延伸，数个弹性罩42分别套接各引流管40面向顶缘侧13的一端，各弹性罩42分别于内部形成一锥状空间44连通各引流管40。

转接座50设置在一承架14，承架14连接上研磨盘11，据使承架14随同上研磨盘11旋转或停止旋转，转接座50可选用树脂材料构成，转接座50的内部配合各引流管40形成数个中继道52，各中继道52的一端分别延伸至转接座50的顶缘，各锥状空间44分别与各中继道52逐一形成上下对应，各中继道52的另一端分别延伸至转接座50的一侧连通数根中继管54。

各分流器60间隔配置在承架14，各中继管54分别连通各分流器60，每一个分流器60分别对应连接数根输送管62，各输送管62分别连通各通道，据使流体通过各通道进入上研磨盘11及晶圆片之间。

晶圆片研磨制程完成，上研磨盘11及承架14同步停止旋转，可利用控制上研磨盘11旋转的驱动装置，使各中继道52分别对应定位在各引流管40的下方，而后，线性驱动器20驱动定位座30下降，使各弹性罩42分别罩盖转接座50的顶缘，各弹性罩42的材料弹性，使得各弹性罩42及转接座50之间形成吸附状态，各引流管40分别通过各弹性罩42连通各中继道52，而后，流体通过各引流管40、各中继道52及各中继管54分流至各分流器60，进入各分流器60的流体后续分流通过各输送管62进入上研磨盘11及晶圆片之间，消除上研磨盘11及晶圆片彼此吸附状态，且流体对上研磨盘11及晶圆片分别形成推抵作用，晶圆研磨设备用于掣动上研磨盘11上升的驱动装置配合作动，控制上研磨盘11上升离开晶圆片，且晶圆片不会随同上研磨盘11上升。

各引流管40集中定位在一个定位座30，定位座30及各引流管40的配置单纯化，各中继管54集中连接一个转接座50，维修更换各引流管40及各弹性罩42时，作业人员只需要在定位座30相邻处，即可维修更换每一个引流管40及每一个弹性罩42，提高维修及组件更换的方便性。

定位座30具有一支持架32，各引流管40定位于支持架32，各弹性罩42位于支持架32及转接座50之间，且各弹性罩42紧邻支持架32。

支持架32的两侧分别连接二触压组件34，各触压组件34分别向转接座50的方向延伸，线性驱动器20驱动定位座30向下移动，各触压组件34分别触压转接座50时，转接座50通过各触压组件34向定位座30反馈的作用力，能够促使线性驱动器20停止作动，避免各弹性罩42过度压缩变形，提高各弹性罩42的使用寿命。

二挡壁70分别靠接转接座50的两相对侧，且各弹性罩42分别位于各挡壁70之间，进一步而言，各挡壁70分别为圆环状板体，各挡壁70同轴设置，且上研磨盘11的轴向延伸通过各挡壁70的径向中心，图3及图5显示的挡壁70是呈部分截断状态，以利于显示各弹性罩42。

选用水作为流体，流体通过弹性罩42进入中继道52时，设若发生微量的流体通过弹性罩42及转接座50之间对外喷溅时，各挡壁70对其形成阻挡，避免晶圆研磨设备配置在较佳实施例周边的其他结构或组件受到流体的影响，举例而言，各挡壁70能够防止所述对外喷溅的流体，对切削液造成污染。

Claims (5)

1.一种晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，所述晶圆研磨设备具有一上研磨盘用于研磨晶圆片的上表面，上研磨盘贯穿数个信道，各信道分别延伸至上研磨盘的顶端及底端，所述流体控制装置用于控制流体通过各通道进入上研磨盘及晶圆片之间，所述的流体是水或空气；

流体控制装置其特征在于包括：

一线性驱动器，固定设置在晶圆研磨设备；

一定位座连接线性驱动器，且定位座位于线性驱动器及上研磨盘的顶缘侧之间，线性驱动器驱动定位座上下移动而接近或远离上研磨盘的顶缘侧：

数根引流管分别定位设置在定位座，各引流管分别连通流体的供应源，且各引流管分别向着上研磨盘的顶缘侧延伸，数个弹性罩分别套接各引流管面向顶缘侧的一端，各弹性罩分别于内部形成一锥状空间连通各引流管；

一转接座设置在一承架，承架连接上研磨盘，转接座的内部配合各引流管形成数个中继道，各中继道的一端分别延伸至转接座的顶缘，各锥状空间分别与各中继道逐一形成上下对应，各中继道的另一端分别延伸至转接座的一侧连通数根中继管；

数个分流器间隔配置在承架，各中继管分别连通各分流器，每一分流器分别对应连接数根输送管，各输送管分别连通各通道，流体通过各通道进入上研磨盘及晶圆片之间。

2.根据权利要求1所述的晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，其特征在于定位座具有一支持架，各引流管定位于支持架，各弹性罩位于支持架及转接座之间，且各弹性罩紧邻支持架。

3.根据权利要求2所述的晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，其特征在于支持架的两侧分别连接二触压组件，各触压组件分别向转接座的方向延伸。

4.根据权利要求1或2或3所述的晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，其特征在于二挡壁分别靠接转接座的两相对侧，且各弹性罩分别位于各挡壁之间。

5.根据权利要求4所述的晶圆研磨设备的去真空的流体控制装置，其特征在于各挡壁分别为圆环状板体，各挡壁同轴设置，且上研磨盘的轴向延伸通过各挡壁的径向中心。