CN220887775U - 一种一体式的液口距石英探针结构 - Google Patents
一种一体式的液口距石英探针结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220887775U CN220887775U CN202322375826.3U CN202322375826U CN220887775U CN 220887775 U CN220887775 U CN 220887775U CN 202322375826 U CN202322375826 U CN 202322375826U CN 220887775 U CN220887775 U CN 220887775U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- probe body
- probe
- slot
- ring
- liquid port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 6
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 6
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 6
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 6
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种一体式的液口距石英探针结构,具体涉及单晶硅生产领域,包括导流筒本体,导流筒本体底部设置有底环,底环底端设置有底筒,底筒上套接有锁紧环,底环一侧插接固定有探针本体,探针本体底端由锁紧环进行支撑,底环一侧开设有插槽,插槽内部顶端设置有卡块,插槽与底筒之间的夹角呈120°,且探针本体一端插接在插槽内,探针本体呈折弯型结构,且折弯处夹角为60°。本实用新型采用石英探针对液口距进行测量,避免产生金属污染隐患,同时,石英探针便于安装和更换,同时能够与坩埚液面保持垂直,安装固定性强,不易脱落,使用寿命长,从而测量用重复性高,不易损坏,从而使得成本低的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶硅生产技术领域,更具体地说,本实用新型涉及一种一体式的液口距石英探针结构。
背景技术
直拉单晶硅的生长过程中首先要将多晶硅原料装于石英坩锅内并在1420℃以上的温度下熔融,温度稳定到目标温度后将确定晶向的单晶硅籽晶与熔体熔接后引晶,再经过放肩、转肩、等径、收尾、冷却等工序完成单晶硅的的生长过程。分析当前太阳能级直拉单晶硅生产过程,液口距是否合适直接影响单晶硅棒的成晶率。液口距放置精度差,会导致引晶功率的不准确,进一步影响放肩、等径,导致晶体直径不稳定,使得成晶率和单产受影响,因此解决液口距放置的准确性,对于企业的持续发展及太阳能的快速推广具有重要意义。
目前行业液口距的放置普遍采用的是CCD测量导流筒下沿倒影像素的方法,但由于导流筒位置的不固定,原理上属于人工预估的方式,此方法精度差,重复性差,且对人员的经验技能要求比较高,严重制约行业的发展。已有厂家采用石英探针测量液口距,但成本较高、使用寿命低,加工精度要求相对较高,安装更换不便,效果差强人意,不便于推广。
专利公布号CN217980179U实用新型专利公开了一种液口距测量装置及单晶炉,该结构直接通过定位传感部件、测距传感部件以及电流传感器准确地测量出液口距,可有效解决由液口距不准确而产生的生产问题,不增加工时以及人工成本,消除了人为误差,提高液口距的准确性从而提高生产的单晶硅质量。
但是该结构在实际使用时,由于定位传感部件耐高温性能较低,从而导致利用该方式进行测量液口距时,定位传感部件受到高温影响而容易损坏,具有污染隐患,同时会占据拉晶通道,不利于拉晶生产,因此,现提出一种一体式的液口距石英探针结构。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型提供一种一体式的液口距石英探针结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种一体式的液口距石英探针结构,包括导流筒本体,导流筒本体底部设置有底环,底环底端设置有底筒,底筒上套接有锁紧环,底环一侧插接固定有探针本体,探针本体底端由锁紧环进行支撑。
通过将探针本体一端插接在底环上开设的插槽内,且使得卡槽与卡块插接配合,避免探针本体发生转动,同时,在探针本体折弯处夹角60°与插槽与底筒之间的夹角呈120°的设置,使得探针本体伸出测量端能够与坩埚内液面保持垂直,从而提高检测精度,在探针本体插接完毕后,测量出探针本体凸出与导流筒本体底部的底筒的长度尺寸,并记录凸出长度h1,通过上旋锁紧环,使得锁紧环顶端抵靠在探针本体凸出于缺口的部分,从而对探针本体进行安装固定,在进行液口距测量时,通过坩埚底部的托杆对坩埚进行顶升,使得液面与探针本体底部相接处,并记录坩埚上升高度h2,通过计算h1+h2=h3,计算出h3的数值,即为液口距,从而实现液口距的测量。
优选地,底环一侧开设有插槽,插槽内部顶端设置有卡块。
优选地,插槽与底筒之间的夹角呈120°,且探针本体一端插接在插槽内。
优选地,插槽底部开设有缺口,且探针本体底端凸出于缺口外部。
通过探针本体插接在插槽内,使得卡块与卡槽进行配合,能够避免插接在插槽内的探针本体进行转动,同时,探针本体底端凸出于缺口外部,以便于石墨材料的锁紧环上旋的过程中能够对探针本体底部进行挤压,且挤压力与插槽槽壁垂直,从而提高对探针本体安装的固定性。
优选地,探针本体采用石英材质制成,且探针本体一端顶部开设有卡槽,且卡块与卡槽插接配合。
优选地,探针本体呈折弯型结构,且折弯处夹角为60°。
通过探针本体折弯处夹角为60°与插槽与底筒之间的夹角呈120°配合的设置,使得探针本体伸出测量端能够垂直向下设置,从而使得探针本体测量端能够与坩埚内液面垂直,从而提高测量的精确性。
优选地,底筒外部开设有螺槽,锁紧环内壁设置有螺纹,螺纹与螺槽螺旋配合。
通过锁紧环能够在底筒上进行上下旋动,从而能够使锁紧环向探针本体进行靠近和远离,从而在对探针本体进行挤压时,能够提高对探针本体安装的固定性,而在远离时,能够方便探针本体进行拆卸更换,从而使得探针本体的拆卸更加方便。
本实用新型的技术效果和优点:
1、通过探针本体采用石英材质制成的设置,与现有技术相比,通过石英材质的耐高温性,提高探针本体的耐高温性能,且提高了探针的使用寿命,从而减少损坏,从而也进一步降低了测量成本,同时,能够避免产生金属污染隐患,提高单晶硅的生产质量;
2、通过插槽、卡块、底筒、锁紧环以及卡槽的设置,与现有技术相比,通过卡块与探针上开设的卡槽插接配合,能够避免插接在插槽内德尔 探针发生偏转,同时,利用锁紧环对探针底部进行挤压,提高对探针安装德尔牢固性,且也方便了探针的安装和更换;
3、通过探针本体折弯处夹角60°与插槽和底筒之间的夹角呈120°的设置,与现有的技术相比,能够使得探针本体安装固定后,探针本体的伸出测量端能够垂直向下,从而使得探针本体测量端能够与坩埚内液面垂直,从而提高测量的精确性。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图。
图2为本实用新型的导流筒本体与探针本体连接切面结构示意图。
图3为本实用新型的导流筒本体结构示意图。
图4为本实用新型的探针本体结构示意图。
图5为本实用新型的图3中A处局部放大结构示意图。
附图标记为:1、导流筒本体;2、底环;3、锁紧环;4、探针本体;5、底筒;6、卡槽;7、插槽;8、卡块。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如附图1-5所示的一种一体式的液口距石英探针结构,包括导流筒本体1,导流筒本体1底部设置有底环2,底环2底端设置有底筒5,底筒5上套接有锁紧环3,底环2一侧插接固定有探针本体4,探针本体4底端由锁紧环3进行支撑,通过将探针本体4一端插接在底环2上开设的插槽7内,且使得卡槽6与卡块8插接配合,避免探针本体4发生转动,同时,在探针本体4折弯处夹角60°与插槽7与底筒5之间的夹角呈120°的设置,使得探针本体4伸出测量端能够与坩埚内液面保持垂直,从而提高检测精度,在探针本体4插接完毕后,测量出探针本体4凸出与导流筒本体1底部的底筒5的长度尺寸,并记录凸出长度h1,通过上旋锁紧环3,使得锁紧环3顶端抵靠在探针本体4凸出于缺口的部分,从而对探针本体4进行安装固定,在进行液口距测量时,通过坩埚底部的托杆对坩埚进行顶升,使得液面与探针本体4底部相接处,并记录坩埚上升高度h2,通过计算h1+h2=h3,计算出h3的数值,即为液口距,从而实现液口距的测量。
如附图2和图5所示,底环2一侧开设有插槽7,插槽7内部顶端设置有卡块8,插槽7与底筒5之间的夹角呈120°,且探针本体4一端插接在插槽7内,插槽7底部开设有缺口,且探针本体4底端凸出于缺口外部。
通过探针本体4插接在插槽7内,使得卡块8与卡槽6进行配合,能够避免插接在插槽7内的探针本体4进行转动,同时,探针本体4底端凸出于缺口外部,以便于石墨材料的锁紧环3上旋的过程中能够对探针本体4底部进行挤压,且挤压力与插槽7槽壁垂直,从而提高对探针本体4安装的固定性。
如附图2和图4所示,探针本体4采用石英材质制成,且探针本体4一端顶部开设有卡槽6,且卡块8与卡槽6插接配合,探针本体4呈折弯型结构,且折弯处夹角为60°。
通过探针本体4折弯处夹角为60°与插槽7与底筒5之间的夹角呈120°配合的设置,使得探针本体4伸出测量端能够垂直向下设置,从而使得探针本体4测量端能够与坩埚内液面垂直,从而提高测量的精确性。
如附图1所示,底筒5外部开设有螺槽,锁紧环3内壁设置有螺纹,螺纹与螺槽螺旋配合。
通过锁紧环3能够在底筒5上进行上下旋动,从而能够使锁紧环3向探针本体4进行靠近和远离,从而在对探针本体4进行挤压时,能够提高对探针本体4安装的固定性,而在远离时,能够方便探针本体4进行拆卸更换,从而使得探针本体4的拆卸更加方便。
需要说明的是:本申请文件中坩埚以及托杆均为现有的单晶炉内的安装结构,为现有单晶炉中不可缺少的结构,并为现有的技术手段,因此能够结合在本申请文件中直接引用。
本实用新型工作原理:在利用本一体式的液口距石英探针结构配合安装在导流筒上用于对液口距进行重复测量时,通过将探针本体4一端插接在底环2上开设的插槽7内,且使得卡槽6与卡块8插接配合,避免探针本体4发生转动,同时,在探针本体4折弯处夹角60°与插槽7与底筒5之间的夹角呈120°的设置,使得探针本体4伸出测量端能够与坩埚内液面保持垂直,从而提高检测精度,在探针本体4插接完毕后,测量出探针本体4凸出与导流筒本体1底部的底筒5的长度尺寸,并记录凸出长度h1,通过上旋锁紧环3,使得锁紧环3顶端抵靠在探针本体4凸出于缺口的部分,从而对探针本体4进行安装固定,在进行液口距测量时,通过坩埚底部的托杆对坩埚进行顶升,使得液面与探针本体4底部相接处,并记录坩埚上升高度h2,通过计算h1+h2=h3,计算出h3的数值,即为液口距,从而实现液口距的测量。
本实用新型采用石英探针对液口距进行测量,避免产生金属污染隐患,同时,石英探针便于安装和更换,同时能够与坩埚液面保持垂直,安装固定性强,不易脱落,使用寿命长,从而测量用重复性高,不易损坏,从而使得成本低的优点。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种一体式的液口距石英探针结构,包括导流筒本体(1),其特征在于:所述导流筒本体(1)底部设置有底环(2),所述底环(2)底端设置有底筒(5),所述底筒(5)上套接有锁紧环(3),所述底环(2)一侧插接固定有探针本体(4),所述探针本体(4)底端由锁紧环(3)进行支撑。
2.根据权利要求1所述的一种一体式的液口距石英探针结构,其特征在于:所述底环(2)一侧开设有插槽(7),所述插槽(7)内部顶端设置有卡块(8)。
3.根据权利要求2所述的一种一体式的液口距石英探针结构,其特征在于:所述插槽(7)与底筒(5)之间的夹角呈120°,且探针本体(4)一端插接在插槽(7)内。
4.根据权利要求2所述的一种一体式的液口距石英探针结构,其特征在于:所述插槽(7)底部开设有缺口,且探针本体(4)底端凸出于缺口外部。
5.根据权利要求1所述的一种一体式的液口距石英探针结构,其特征在于:所述探针本体(4)采用石英材质制成,且探针本体(4)一端顶部开设有卡槽(6),且卡块(8)与卡槽(6)插接配合。
6.根据权利要求1所述的一种一体式的液口距石英探针结构,其特征在于:所述探针本体(4)呈折弯型结构,且折弯处夹角为60°。
7.根据权利要求1所述的一种一体式的液口距石英探针结构,其特征在于:所述底筒(5)外部开设有螺槽,锁紧环(3)内壁设置有螺纹,螺纹与螺槽螺旋配合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322375826.3U CN220887775U (zh) | 2023-09-01 | 2023-09-01 | 一种一体式的液口距石英探针结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322375826.3U CN220887775U (zh) | 2023-09-01 | 2023-09-01 | 一种一体式的液口距石英探针结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220887775U true CN220887775U (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=90875699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322375826.3U Active CN220887775U (zh) | 2023-09-01 | 2023-09-01 | 一种一体式的液口距石英探针结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220887775U (zh) |
-
2023
- 2023-09-01 CN CN202322375826.3U patent/CN220887775U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN220887775U (zh) | 一种一体式的液口距石英探针结构 | |
CN110274555B (zh) | 一种同心度检测工具和方法 | |
CN112813492A (zh) | 一种用于晶体生长的液面检测装置及晶体生长装置 | |
CN103791978A (zh) | 铝电解槽的铝水平和电解质水平的测量工具及测量方法 | |
CN111020701A (zh) | 一种快速确定稳温埚位的方法 | |
JP4930488B2 (ja) | 単結晶直径の検出方法、及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに単結晶製造装置 | |
CN218383250U (zh) | 一种单晶炉cusp磁场零磁面和磁场强度的测量装置 | |
CN112213352A (zh) | 一种测量高真空环境下液体蒸发变化速率的方法 | |
CN221924892U (zh) | 直拉硅界面深度测量仪 | |
CN221571603U (zh) | 一种tft液晶玻璃铂金通道手测液位装置及液晶玻璃铂金通道 | |
TWI818680B (zh) | 獲取直拉法拉製矽棒的即時長度的裝置、方法及拉晶爐 | |
CN212458388U (zh) | 一种工程测量强制对中装置 | |
CN110158149B (zh) | 一种太阳能电池原材料加工用单晶炉 | |
CN212228783U (zh) | 籽晶熔化厚度检测装置 | |
CN220364616U (zh) | 一种用于增强外导液面倒影的结构 | |
TW202300721A (zh) | 晶體生長直徑的控制方法、裝置、設備及電腦存儲介質 | |
CN111379012B (zh) | 一种提高引下管在单晶生长炉中装配精度的装置及方法 | |
CN111394782B (zh) | 一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法 | |
CN205223405U (zh) | 一种单晶炉用直线导轨测径仪 | |
CN212077193U (zh) | 一种新型拉晶用石英针及其专用热屏 | |
CN220894115U (zh) | 一种分体式的液口距石英探针结构 | |
CN213874243U (zh) | 一种浮法玻璃工艺中锡液深度的测量工具 | |
CN219991424U (zh) | 一种牵引辊的角度调整装置 | |
CN114075694A (zh) | 一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉 | |
CN220187770U (zh) | 一种薄壁堰流量测量装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |