CN220846266U - 原子层沉积设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种原子层沉积设备，包括：主体，具有反应腔，所述反应腔包括多个反应区，各所述反应区用于在基片上镀膜，且通入各反应区内的反应气体各不相同；承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置所述基片；驱动组件，连接于所述承载台，所述驱动组件能够驱动所述承载台带动所述基片运动，以使所述基片在各所述反应区内镀膜。本实用新型的原子层沉积设备，能够在基片上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。

Description

原子层沉积设备

技术领域

本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，尤其是涉及一种原子层沉积设备。

背景技术

相关技术中，原子层沉积(Atomic Layer Deposition或ALD)技术由于具有沉积均匀性好，台阶覆盖率高，沉积厚度精准可控，膜质高，杂质少等优点被广泛应用于电子器件和光学元件制造等领域。一般的，原子层沉积加工过程中包括多种反应物，当其中一种反应物进入反应腔室与衬底发生表面化学反应后，多余反应物和副产物被冲洗干净，之后再使另一种反应物再进入反应腔室在衬底表面进行进一步化学反应，完成一个反应循环。这样循环往复，完成指定厚度的原子层沉积。

在一些情况中，对基片上镀膜的时候，需要在基片上形成多种不同类型的薄膜。现有的原子层沉积设备通常只能够在基片上镀一种类型的膜。当需要对基片上镀不同类型的薄膜时，只能够使用多个原子层沉积设备对基片镀膜。因此，这会导致镀膜的成本过高。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种原子层沉积设备，能够在基片上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。

根据本实用新型的实施例的原子层沉积设备，包括：

主体，具有反应腔，所述反应腔包括多个反应区，各所述反应区用于在基片上镀膜，且通入各反应区内的反应气体各不相同；

承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置所述基片；

驱动组件，连接于所述承载台，所述驱动组件能够驱动所述承载台带动所述基片运动，以使所述基片在各所述反应区内镀膜。

根据本实用新型实施例的原子层沉积设备，至少具有如下有益效果：当主体的反应腔包括多个反应区后，反应区用于在基片上镀膜，由于通入各反应区的反应气体各不相同，因此，驱动组件驱动承载台运动，基片经过不同的反应区后，基片上就会有不同类型的薄膜。如此，原子层沉积设备能够在基片上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述反应腔还包括进样区，所述进样区用于供所述基片进入所述反应腔，所述驱动组件能够驱动所述承载台运动，以使所述承载台从所述进样区运动至任一所述反应区。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述反应区设置有三个，三个所述反应区分别为第一反应区、第二反应区和第三反应区，沿第一方向，所述进样区和所述第一反应区间隔设置，沿第二方向，所述第二反应区和所述第三反应区间隔设置，且所述进样区设置于所述第二反应区和所述第三反应区之间，所述第一方向和所述第二方向垂直。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述驱动组件包括第一直线电机、第二直线电机和第三直线电机，所述承载台设置有三个，三个所述承载台分别为第一承载台、第二承载台和第三承载台，所述第一直线电机连接于所述第一承载台，所述第二直线电机连接于所述第二承载台，所述第三直线电机连接于所述第三承载台，所述第一直线电机用于驱动所述第一承载台沿所述第一方向运动，以使所述第一承载台在所述进样区和所述第一反应区之间往复运动，所述第二直线电机和所述第三直线电机沿所述第二方向间隔设置，所述第二直线电机用于驱动所述第二承载台沿所述第二方向运动，以使所述第二承载台在所述进样区和所述第二反应区之间往复运动，所述第三直线电机用于驱动所述第三承载台沿所述第二方向运动，以使所述第三承载台在所述进样区和所述第三反应区之间往复运动。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述承载台设置有多个，所述升降机构用于使所述基片升降，以使所述基片能够放置在任意一个所述承载台上。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述升降机构包括顶针和驱动件，所述顶针用于抵持所述基片，所述驱动件连接于所述顶针，所述驱动件能够使所述顶针升降，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片上升时，所述基片能够离开所述承载台，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片下降时，所述基片能够放置在所述承载台上。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述承载台设置有避让孔，所述避让孔呈条形，当所述承载台位于所述进样区处时，所述避让孔朝向所述进样区的一端具有开口，以使所述顶针进入所述避让孔以抵接于所述基片。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述主体包括多个上盖和多个下盖，每一所述上盖和一个所述下盖连接，以形成所述反应区。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述原子层沉积设备包括进气装置和抽气装置，所述进气装置和所述抽气装置均连通于所述反应区，所述进气装置用于向所述反应腔内通入所述反应气体，所述抽气装置用于抽出所述反应腔内的所述反应气体，所述原子层沉积设备包括隔离装置，所述隔离装置连通于所述反应区，所述隔离装置用于向所述反应区内通入惰性气体，以隔离相邻两个所述反应区内的所述反应气体。

根据本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备，所述上盖设置有连通于所述反应区的第一进气口和第二进气口，所述第一进气口和所述进气装置连通，所述第二进气口和所述隔离装置连通，所述第二进气口围绕于所述第一进气口的外围。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步的说明，其中：

图1为本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备中主体的示意图；

图2为本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备中上盖的示意图；

图3为本实用新型的一些实施例的原子层沉积设备中下盖的示意图。

附图标记：

基片10、主体11、上盖100、下盖200、反应区300、第一反应区310、第二反应区320、第三反应区330、进样区340、进料口341、承载台400、第一承载台410、第二承载台420、第三承载台430、避让孔440、开口441、驱动组件500、第一直线电机510、第二直线电机520、第三直线电机530、第一进气口600、第二进气口700。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

请参照图1，在一些实施例中，原子层沉积设备包括：主体11、承载台400和驱动组件500。主体11具有反应腔，反应腔包括多个反应区300，各反应区300用于在基片10上镀膜，且通入各反应区300内的反应气体各不相同。反应气体包括第一反应物和第二反应物，第一反应物可以是前驱体气态物质，前驱体气态物质可以是气态的金属有机化合物、金属卤化物等，第二反应物可以是具有氧化性或还原性的气体，比如水、氧气、氧气等离子体或者氨气等气体。其中，原子层沉积的原理属于公知技术，在此不作具体介绍。承载台400设置于反应腔中，承载台400用于放置基片10。基片10放置在承载台400上后，承载台400运动后可以带动基片10在不同的反应区300之间进行镀膜。

驱动组件500连接于承载台400，驱动组件500能够驱动承载台400带动基片10运动，以使基片10在各反应区300内镀膜。具体地，当主体11的反应腔包括多个反应区300后，反应区300用于在基片10上镀膜，由于通入各反应区300的反应气体各不相同，因此，驱动组件500驱动承载台400运动，基片10经过不同的反应区300后，基片10上就会有不同类型的薄膜。如此，原子层沉积设备能够在基片10上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。

下面对反应区300作出解释。上述提及主体11具有反应腔，反应腔包括多个反应区300。因此，反应区300具体可以是反应腔的一部分。具体地，可以将反应腔分为三个部分，则原子层沉积设备就具有三个反应区300，每一个反应区300的体积可以是反应腔体积的三分之一。

进一步地，各个反应区300之间的间距可以是一个恒定值，各反应区300之间的间距也可以是随机值，这可以用来调整两种反应气体的反应时间。

进一步地，通过在反应腔中设一个进样区340，可以方便基片10进入到原子层沉积设备中镀膜。具体来说，请参照图2，在一些实施例中，反应腔还包括进样区340，进样区340用于供基片10进入反应腔，驱动组件500能够驱动承载台400运动，以使承载台400从进样区340运动至任一反应区300。请参照图3，进样区340设置有进料口341，进料口341可以方便基片10进入。其中，驱动组件500可以包括直线电机，直线电机通过螺栓和承载台400连接，直线电机驱动承载台400运动，承载台400上放置基片10后，基片10可以从进样区340进入到任意一个反应区300中镀膜。此外，通过设置进样区340，可以对反应腔进行划分，从而方便工作人员识别原子层沉积设备的加工区域(即反应区300)和待加工区域(即进样区340)。

上述提及反应腔包括多个反应区300，其中，多个反应区300可以是三个、五个或者七个。多个反应区300可以呈十字型或者井字型排列。这可以方便驱动组件500驱动承载台400在水平方向运动，从而按照设定的路线使承载台400从一个反应区300转移到另一个反应区300。对于基片10上镀膜来说，一般会在基片10上镀三层不同类型的薄膜。因此，原子层沉积设备具有三个反应区300的时候可以满足大部分的生产需求。下面具体介绍原子层沉积设备具有三个反应区300时，三个反应区300的排列方式。具体地，请参照图2，在一些实施例中，反应区300设置有三个，分别为第一反应区310、第二反应区320和第三反应区330。沿第一方向，进样区340和第一反应区310间隔设置，沿第二方向，第二反应区320和第三反应区330间隔设置，且进样区340设置于第二反应区320和第三反应区330之间，第一方向和第二方向垂直。其中，第一方向可以是前后水平方向，第二方向可以是左右水平方向。其中，通过将进样区340设置在第二反应区320和第三反应区330之间，以及进样区340和第一反应区310间隔设置。在基片10进入到进样区340中后，基片10从进样区340进入第一反应区310、第二反应区320和第三反应区330中的任意一个都很方便。原因在于，以进样区340为圆心，第一反应区310、第二反应区320和第三反应区330都围绕于进样区340。此外，还可以使进样区340距离任意一个反应区300的距离都相等，从而提高便利性。

进一步地，当对基片10镀三种不同类型的薄膜时，其方式有多种。其中一种可以是，使基片10在第一反应区310中往复运动，从而在基片10上镀第一种类型的薄膜。然后使基片10在第二反应区320中往复运动，从而在基片10上镀第二种类型的薄膜。使基片10在第三反应区330中往复运动，从而在基片10上镀第三种类型的薄膜。也即，类似于ABC这样的方式(A字母表示不同类型的薄膜)。另外一种方式可以是，使基片10在第一反应区310中往复运动，从而在基片10上镀第一种类型的薄膜。然后使基片10在第二反应区320中往复运动，从而在基片10上镀第二种类型的薄膜。使基片10在第一反应区310中往复运动，从而在基片10上镀第一种类型的薄膜。使基片10在第三反应区330中往复运动，从而在基片10上镀第三种类型的薄膜。也即，类似于ABAC这样的方式。此外，还有一些方式可以是AABBCC、ABABC、ACACB等，在此不再继续赘述。

下面详细说明，当反应区300具有三个的时候，驱动组件500如何驱动承载台400运动，以使承载台400从进样区340运动至任一反应区300。具体地，请参照图3，在一些实施例中，驱动组件500包括第一直线电机510、第二直线电机520和第三直线电机530。承载台400设置有三个，分别为第一承载台410、第二承载台420和第三承载台430，第一直线电机510连接于第一承载台410，第二直线电机520连接于第二承载台420，第三直线电机530连接于第三承载台430，第一直线电机510的动子的运动方向和第一方向相同，第一直线电机510用于驱动第一承载台410沿第一方向运动，以使第一承载台410在进样区340和第一反应区310之间往复运动。第二直线电机520的动子的运动方向和第三直线电机530的动子的运动方向均与第二方向相同，第二直线电机520和第三直线电机530沿第二方向间隔设置，第二直线电机520用于驱动第二承载台420沿第二方向运动，以使第二承载台420在进样区340和第二反应区320之间往复运动。第三直线电机530用于驱动第三承载台430沿第二方向运动，以使第三承载台430在进样区340和第三反应区330之间往复运动。具体地，第一直线电机510可以驱动第一承载台410带动基片10运动至第一反应区310，从而使基片10在第一反应区310中镀膜。第二直线电机520可以驱动第二承载台420带动基片10运动至第二反应区320，从而使基片10在第二反应区320中镀膜。第三直线电机530可以驱动第三承载台430带动基片10运动至第三反应区330，从而使基片10在第三反应区330中镀膜。

直线电机具有以下特点。一、结构简单：由于直线电机不需要附加装置将旋转运动变为直线运动，系统本身的结构大大简化，重量和体积也大大减小。二、定位精度高：当需要直线运动时，直线电机可以实现直接传动，消除中间环节引起的各种定位误差。因此，定位精度高。三、反应速度快，灵敏度高，跟踪效果好。直线电机易于磁悬浮支撑，使转子与定子之间始终存在一定的气隙而无接触，消除了定子与定子之间的接触摩擦阻力，大大提高了系统的灵敏度、快速性和伺服性能。四、安全可靠，使用寿命长。直线电机无接触传动力，机械摩擦损耗几乎为零，故障率低，免维护，运行安全可靠，使用寿命长。如此，使用直线电机可以提高原子层沉积设备镀膜的效率，并且降低镀膜的成本。

进一步地，直线电机包括定子和动子。动子连接承载台400，直线电机便可以驱动承载台400运动，从而实现驱动基片10运动进行镀膜的效果。其中，在镀膜过程中，动子可以在第一方向或者第二方向上往复运动，从而方便原子层沉积设备对基片10镀膜。

需要说明的是，除了直线电机，驱动组件500还可以包括直线模组。通过直线模组也可以实现基片10在水平方向的运动。

进一步地，下面讲述基片10放置在进样区340后，如何将基片10转移到第一承载台410或者其他承载台400上。具体地，在一些实施例中，承载台400设置有多个，比如承载台400设置有三个，分别为第一承载台410、第二承载台420和第三承载台430，原子层沉积设备还包括升降机构，升降机构用于使基片10升降，以使基片10能够放置在第一承载台410、第二承载台420和第三承载台430中的任意一个上。如此，升降机构可以使基片10放置在第一承载台410、第二承载台420和第三承载台430中的任意一个上。

进一步地，在一些实施例中，升降机构包括顶针和驱动件，驱动件和顶针连接，驱动件可以驱动顶针升降。顶针用于抵持基片10，当驱动件驱动顶针抵持基片10上升时，基片10能够离开承载台400，当驱动件驱动顶针抵持基片10下降时，基片10能够放置在承载台400。驱动件可以是气缸等。以基片10放置在第一承载台410上为例。顶针设置在第一承载台410的下方，顶针被驱动件驱动后，顶针上升，顶起基片10，基片10离开第一承载台410的表面。然后第一承载台410被第一直线电机510转移，第二承载台420来到基片10的下方，顶针下降，从而基片10放置在第二承载台420上。如此，便完成了基片10从第一承载台410上转移至第二承载台420上，具体而言，通过升降机构中的顶针顶起基片10，就可以实现基片10能够放置在第一承载台410、第二承载台420和第三承载台430中的任意一个上。进一步地，基片10在第一反应区310镀膜后，基片10可以进入第二反应区320进行镀膜。

此外，为了避免顶针影响到承载台400的运动，可以通过在承载台400上设置避让孔440的方式。请参照图3，在一些实施例中，承载台400设置有避让孔440，避让孔440呈条形，当承载台440位于进样区340处时，避让孔440朝向进样区340的一端具有开口441，以使顶针进入避让孔440以抵接于基片10。承载台400的结构可以是“叉子”结构，避让孔440可以是长方形孔或者条形孔，避让孔440位于承载台400的中间。可以想到的是，第一承载台410、第二承载台420和第三承载台430均设置有避让孔440。以第一承载台410在进样区340和第一反应区310之间往复运动为例。当第一承载台410从第一反应区310运动至进样区340时，第一承载台410的避让孔440相对于顶针运动，也即顶针从开口441进入避让孔440。顶针不会和第一承载台410撞到一起。这时，顶针处于上升状态，顶起基片10，基片10在第一承载台410的上方。然后，顶针下降，从而基片10放置在第一承载台410上，这时，驱动第一承载台从进样区340运动至第一反应区310中，基片10便可以在第一反应区310中反应。同理，对于第二承载台420在进样区340和第二反应区320之间往复运动以及第三承载台430在进样区340和第三反应区330之间往复运动亦是。

进一步地，介绍主体11的结构。请参照图1，在一些实施例中，主体11包括多个上盖100和多个下盖200，每一上盖100和一个下盖200连接，以形成反应区300，各反应区300互相分隔。比如主体11可以包括三个上盖100和三个下盖200，每一上盖100和一个下盖200连接，以形成反应区300。也即，三个上盖100和三个下盖200分别形成第一反应区310、第二反应区320和第三反应区330。其中，上盖100和下盖200连接后，能够将各个反应区300分隔，从而避免多个反应区300中的反应气体掺杂在一起，影响镀膜的质量。也即，第一反应区310内的反应气体不会进入到第二反应区320和第三反应区330中，第二反应区320内的反应气体不会进入到第一反应区310和第三反应区330中，第三反应区330内的反应气体不会进入到第一反应区310和第二反应区320中。

进一步地，下面介绍反应气体如何进入到反应区300中。具体地，在一些实施例中，原子层沉积设备包括进气装置和抽气装置，进气装置和抽气装置均连通于反应区300，进气装置用于向反应腔内通入反应气体，抽气装置用于抽出反应腔内的反应气体。基片10进入反应区300后，通过进气装置向反应区300内通入反应气体，从而在基片10上镀膜。镀膜结束后，通过抽气装置抽走反应区300内的反应气体，从而避免反应气体残留在反应区300中。

进一步地，上述讲述了通过上盖100和下盖200的连接，以使各反应区300内的反应气体互相分隔的方式。为了进一步提高隔离的效果，还可以通过“气墙”的方式。具体地，在一些实施例中，原子层沉积设备包括隔离装置，隔离装置连通于反应区300，隔离装置用于向反应区300内通入惰性气体，以隔离相邻两个反应区300内的反应气体。在反应区300中通入惰性气体后，惰性气体可以阻拦住反应气体，防止反应气体外溢。这可以实现隔离的效果，防止两个反应区300内的两种不同的反应气体结合。此外，为了保证隔离效果好，隔离装置可以在镀膜时一直启动，从而持续往反应区300内通入惰性气体。隔离装置可以是气泵，气泵可以往反应区300通入惰性气体。

进一步地，请参照图2，在一些实施例中，上盖100设置有连通于反应区300的第一进气口600和第二进气口700，第一进气口600和进气装置连通，第二进气口700和隔离装置连通，第二进气口700围绕于第一进气口600的外围。具体地，通过第二进气口700围绕在第一进气口600的外围，往第二进气口700中通入惰性气体，第一进气口600中通入反应气体，从而惰性气体可以围绕在反应气体的外围。也即，惰性气体可以包围住反应气体，防止反应气体逸出。其中，第二进气口700的形状可以是方形或者圆形，从而可以有效地使惰性气体阻拦反应气体。

进一步地，原子层沉积设备还可以应用于等离子增强原子层沉积技术中，例如，在一些实施例中，原子层沉积设备还包括射频发生器，用于在反应腔内产生等离子体。射频发生器用于辅助原子层沉积，能够在较低的温度下进行原子层沉积，适用于在热敏感的基底上沉积薄膜，有益于基底温度的调节并能够在一定程度上减少功耗。可以理解的是，通过射频等离子体技术辅助增强原子层沉积技术是本领域已知的技术，其具体原理在此不作赘述。

上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本实用新型的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (10)

1.原子层沉积设备，其特征在于，包括：

主体，具有反应腔，所述反应腔包括多个反应区，各所述反应区用于在基片上镀膜，且通入各反应区内的反应气体各不相同；

承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置所述基片；

驱动组件，连接于所述承载台，所述驱动组件能够驱动所述承载台带动所述基片运动，以使所述基片在各所述反应区内镀膜。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应腔还包括进样区，所述进样区用于供所述基片进入所述反应腔，所述驱动组件能够驱动所述承载台运动，以使所述承载台从所述进样区运动至任一所述反应区。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应区设置有三个，三个所述反应区分别为第一反应区、第二反应区和第三反应区，沿第一方向，所述进样区和所述第一反应区间隔设置，沿第二方向，所述第二反应区和所述第三反应区间隔设置，且所述进样区设置于所述第二反应区和所述第三反应区之间，所述第一方向和所述第二方向垂直。

4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述驱动组件包括第一直线电机、第二直线电机和第三直线电机，所述承载台设置有三个，三个所述承载台分别为第一承载台、第二承载台和第三承载台，所述第一直线电机连接于所述第一承载台，所述第二直线电机连接于所述第二承载台，所述第三直线电机连接于所述第三承载台，所述第一直线电机用于驱动所述第一承载台沿所述第一方向运动，以使所述第一承载台在所述进样区和所述第一反应区之间往复运动，所述第二直线电机和所述第三直线电机沿所述第二方向间隔设置，所述第二直线电机用于驱动所述第二承载台沿所述第二方向运动，以使所述第二承载台在所述进样区和所述第二反应区之间往复运动，所述第三直线电机用于驱动所述第三承载台沿所述第二方向运动，以使所述第三承载台在所述进样区和所述第三反应区之间往复运动。

5.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述承载台设置有多个，所述升降机构用于使所述基片升降，以使所述基片能够放置在任意一个所述承载台上。

6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述升降机构包括顶针和驱动件，所述顶针用于抵持所述基片，所述驱动件连接于所述顶针，所述驱动件能够使所述顶针升降，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片上升时，所述基片能够离开所述承载台，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片下降时，所述基片能够放置在所述承载台上。

7.根据权利要求6所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载台设置有避让孔，所述避让孔呈条形，当所述承载台位于所述进样区处时，所述避让孔朝向所述进样区的一端具有开口，以使所述顶针进入所述避让孔以抵接于所述基片。

8.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述主体包括多个上盖和多个下盖，每一所述上盖和一个所述下盖连接，以形成所述反应区。

9.根据权利要求8所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括进气装置和抽气装置，所述进气装置和所述抽气装置均连通于所述反应区，所述进气装置用于向所述反应腔内通入所述反应气体，所述抽气装置用于抽出所述反应腔内的所述反应气体，所述原子层沉积设备包括隔离装置，所述隔离装置连通于所述反应区，所述隔离装置用于向所述反应区内通入惰性气体，以隔离相邻两个所述反应区内的所述反应气体。

10.根据权利要求9所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述上盖设置有连通于所述反应区的第一进气口和第二进气口，所述第一进气口和所述进气装置连通，所述第二进气口和所述隔离装置连通，所述第二进气口围绕于所述第一进气口的外围。