CN220735957U - 一种植入式脑深部刺激器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及植入医疗器械领域，提供一种植入式脑深部刺激器。该植入式脑深部刺激器包括发生器和连接器，发生器包括壳体、支架、电路板，其中电路板固定安装在支架上；还设置有间隙组件，其由绝缘材料制成，设置于电路板与壳体一侧之间，其包括本体部与边缘部；本体部与电路板形状相适配从而覆盖电路板；边缘部自本体部周边延伸而出；间隙组件通过边缘部与支架相抵接，从而使得本体部至少在周边与电路板形成间隙。通过间隙组件的设置，使得电路板被支架与间隙组件闭合防护，保护电路板的元器件，还可以在壳体与电路板之间形成良好的绝缘，避免电路板元器件与壳体之间发生短路。

Description

一种植入式脑深部刺激器

技术领域

本实用新型涉及植入医疗器械技术领域，具体而言，涉及一种植入式脑深部刺激器。

背景技术

目前市面上的植入式脑深部刺激器在结构上包括发生器和连接器，其中，发生器由金属壳体形成一密封腔体，腔体内部设置电路板。

由于植入式脑深部刺激器小型化的趋势造成电路板与金属壳体距离缩小，当壳体受力变形后导致电路板上的元器件与壳体接触造成短路，严重将造成人体组织损伤。

市场上植入式脑深部刺激器多采用在金属壳体上粘贴绝缘胶带来隔绝电路板与壳体，但是由于绝缘胶带厚度较薄防护性能较低或是由于工艺限制绝缘胶带无法准确粘贴在理想位置导致防护失效。

因此需设计一种易于安装且具有良好防护效果的防护结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供了一种植入式脑深部刺激器，解决了现有技术中电路板元器件与壳体之间发生短路、防护性能低以及装配工艺差带来的防护失效问题。

为达到此目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种植入式脑深部刺激器，所述植入式脑深部刺激器包括分为发生器和连接器，发生器从下至上依次包括壳体、支架、电路板，其中电路板固定安装在支架上；还设置有间隙组件，其设置于电路板与壳体一侧之间，由柔性绝缘材料制成，包括本体部与边缘部；所述本体部与电路板形状相适配从而覆盖电路板；边缘部自本体部周边延伸而出；间隙组件通过边缘部与支架相抵接，从而使得间隙组件至少在本体部周边区域与电路板形成间隙。

优选地，所述间隙组件整体与电路板之间形成间隙。

优选地，所述间隙组件的边缘部外表面设置有弧面或斜面。

优选地，所述边缘部包括一过渡段和一垂直段，其中过渡段外表面设置成所述弧面或斜面，垂直段基本垂直于电路板和/或本体部。

优选地，所述边缘部包括一过渡段和一倾斜段，其中过渡段外表面设置成所述弧面或斜面，倾斜段外表面设置为斜面，倾斜段与本体部之间形成钝角。

优选地，所述边缘部整体为弧面结构或斜面结构。

优选地，所述间隙组件的边缘部包覆电路板的侧边，支架上设置有卡脚，电路板通过卡脚固定安装在支架上。

优选地，所述间隙组件设置有让位口，用于避让支架卡脚。

优选地，所述间隙组件与壳体一侧之间形成间隙，间隙组件的边缘部与壳体一侧的形状相适配。

优选地，所述间隙组件的本体部对应电路板未设置元器件的位置设置有镂空结构。

优选地，电路板侧面沉入支架侧壁内部，并在支架上设置有卡脚，以固定电路板并对间隙组件形成定位。

优选地，电路板涂覆有绝缘材料层。

优选地，所述间隙组件的本体部厚度为0.2mm-0.5mm。

优选地，所述间隙组件的本体部在周边区域与电路板之间的间隙大于0.15mm。

本实用新型的有益效果是：

（1）由于在电路板与壳体一侧之间设置了间隙组件，并且采用了绝缘材料，使得电路板与上壳体之间形成了良好的绝缘，并且由于间隙组件的设置，使得间隙组件被挤压时可以产生形变，因而在形成绝缘效果的同时，可以减少壳体对电路板元器件的挤压。

（2）间隙组件包括本体部和边缘部，本体部用于整体覆盖电路板的元器件，边缘部则与支架抵接，从而使得间隙组件至少在本体部周边区域与电路板形成间隙，从而提高散热效率，保护敏感的电子元器件，确保植入式脑深部刺激器长期稳定运行。

（3）间隙组件由本体部以及从本体部周边延伸的边缘部构成，边缘部与支架抵接从而构成了一种半包裹式的结构。此外，间隙组件的形状专门设计为与电路板的轮廓相匹配。这样的设计使得间隙组件可以轻松地、准确地组装到电路板上，降低了安装工艺的复杂性，并且能够确保植入式脑深部刺激器在安装以及使用时的稳定性和精确对位。

（4）间隙组件上设置有让位口，用于避让支架上的卡脚，可以确保间隙组件无障碍地安装在电路板上，避免卡脚与间隙组件产生干扰，影响防护性能；同时，让位口与卡脚之间还可以形成定位，使得间隙组件能够更加精准地对位安装以及保持位置。

（5）间隙组件的边缘部可以根据壳体形状设置弧面或者斜面，这样可以更好地与壳体相适配，便于安装。

（6）间隙组件可以在电路板不设置元器件的位置处设置镂空结构，这样可以进一步提高散热效果，保证设备的长期稳定运行。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型的实施例1提供的植入式脑深部刺激器的发生器示意图；

图2为本实用新型的实施例1提供的植入式脑深部刺激器的发生器爆炸示意图；

图3为图1的A-A剖面图；

图4为图3的B-B剖面图；

图5为本实用新型的实施例1提供的间隙组件的示意图；

图6为本实用新型的实施例2提供的植入式脑深部刺激器的剖面示意图；

图中：1、壳体下侧；2、支架；3、电路板；4、间隙组件；5、壳体上侧；21、卡脚；41、本体部；42、边缘部；43、让位口。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行描述。在本实用新型的描述中，诸如“第一”、“第二”、“上”、“下”等术语仅用于区分描述或者相对位置关系。

植入式医疗系统包括植入式神经电刺激系统、植入式心脏电刺激系统(又称心脏起搏器)、植入式药物输注系统(Implantable Drug Delivery System，简称I DDS)和导线转接系统等。植入式神经电刺激系统例如是脑深部电刺激系统(Deep Brain Stimulation，简称DBS)、植入式脑皮层刺激系统(Cortical Nerve Stimulation，简称CNS)、植入式脊髓电刺激系统(Spinal Cord Stimulation，简称SCS)、植入式骶神经电刺激系统(SacralNerve Stimulation，简称SNS)、植入式迷走神经电刺激系统(Vagus NerveStimulation，简称VNS)等。

植入式神经电刺激系统包括植入患者体内的刺激器(即植入式神经刺激器，一种神经刺激装置)以及设置于患者体外的程控设备。也就是说，刺激器是一种植入物，或者说，植入物包括刺激器。相关的神经调控技术主要是通过立体定向手术在生物体的组织的特定部位(即靶点)植入电极(电极例如是电极导线的形式)，经电极向靶点发放电脉冲，调控相应神经结构和网络的电活动及其功能，从而改善症状、缓解病痛。其中，刺激器可以包括IPG、延伸导线和电极导线，IPG(implantable pulse generator，植入式脉冲发生器)设置于患者体内，响应于程控设备发送的程控指令，依靠密封电池和电路向体内组织提供可控制的电刺激能量。IPG通过延伸导线和电极导线，为体内组织的特定区域递送一路或多路可控制的特定电刺激。延伸导线配合IPG使用，作为电刺激信号的传递媒体，将IPG产生的电刺激信号，传递给电极导线。电极导线通过多个电极触点，向体内组织的特定区域递送电刺激。刺激器设置有单侧或双侧的一路或多路电极导线，电极导线上设置有多个电极触点，电极触点可以均匀排列或者非均匀排列在电极导线的周向上。作为一个示例，电极触点可以以4行3列的阵列(共计12个电极触点)排列在电极导线的周向上。电极触点可以包括刺激电极触点和/或采集电极触点。电极触点例如可以采用片状、环状、点状等形状。

在一些实施例中，受刺激的体内组织可以是患者的脑组织，受刺激的部位可以是脑组织的特定部位。当患者的疾病类型不同时，受刺激的部位一般来说是不同的，所使用的刺激触点(单源或多源)的数量、一路或多路(单通道或多通道)特定电刺激信号的运用以及刺激参数数据也是不同的。本申请实施例对适用的疾病类型不做限定，其可以是脑深部刺激(DBS)、脊髓刺激(SCS)、骨盆刺激、胃刺激、外周神经刺激、功能性电刺激所适用的疾病类型。其中，DBS可以用于治疗或管理的疾病类型包括但不限于：痉挛疾病(例如，癫痫)、疼痛、偏头痛、精神疾病(例如，重度抑郁症(MDD))、躁郁症、焦虑症、创伤后压力心理障碍症、轻郁症、强迫症(OCD)、行为障碍、情绪障碍、记忆障碍、心理状态障碍、移动障碍(例如，特发性震颤或帕金森氏病)、亨廷顿病、阿尔茨海默症、药物成瘾症、孤独症或其他神经学或精神科疾病和损害。

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方案。

实施例1

如图1、图2所示，提供一种植入式脑深部刺激器，所述植入式脑深部刺激器包括分为发生器和连接器，发生器的剖视图从下至上依次包括壳体下侧1、支架2、电路板3、间隙组件4、壳体上侧5。参见图3，电路板3固定安装在支架2上；间隙组件4包括本体部41与边缘部42。参见图4，所述本体部41与电路板3形状相适配从而覆盖电路板3。

参见图5，所述边缘部42自本体部41周边延伸而出，结合图2可以看出边缘部42包括一过渡段和垂直段，过渡段设置成斜面，垂直段基本垂直于本体部和/或电路板3，从而最终形成了边缘部42整体基本垂直于本体部和/或电路板3；其中过渡段还可以设置成弧面，垂直段还可以替换成倾斜段，其与本体部之间构成钝角；当然，边缘部42也可以整体设置成一段式结构，或为整体垂直结构，或为整体弧面结构，或为整体倾斜结构。间隙组件4通过边缘部42与支架2相抵接，从而使得间隙组件4至少在本体部41周边区域与电路板3形成间隙。间隙组件可以采用常见的柔性或硬性绝缘材质，其本体部厚度为0.2mm。所述间隙组件4的本体部41在其周边区域与电路板3之间的间隙为0.2mm。

参见图3，间隙组件4的边缘部42包覆电路板3的侧边；边缘部也可以部分包覆电路板3的侧边。支架2上设置有卡脚21，电路板3通过卡脚21固定安装在支架2上。参见图5，间隙组件4还设置有让位口43，用于避让支架的卡脚21。间隙组件的边缘部42还设有斜面结构，以更好地与壳体上侧相适配。

实施例2

如图6所示，实施例2与实施例1不同之处在于：电路板2的侧面沉入支架2侧壁内部，由支架形成了对电路板的半包裹结构。支架2上设置有卡脚21，用以固定电路板3，同时卡脚21与间隙组件4上的让位口形成配合，从而形成对间隙组件4的定位。电路板2涂覆有绝缘材料层。

间隙组件本体部厚度为0.35mm。所述间隙组件4的本体部41在其周边区域与电路板3之间的间隙为0.3mm。

实施例3

实施例3与实施例1不同之处在于：所述间隙组件4的本体部41对应电路板3未设置元器件的位置设置有镂空结构。

间隙组件本体部厚度为0.5mm。所述间隙组件4与电路板3之间的间隙为0.45mm。

实施例4

实施例4与实施例1不同之处在于：间隙组件本体部厚度为0.3mm。所述间隙组件4与电路板3之间的间隙为0.4mm。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (14)

1.一种植入式脑深部刺激器，所述植入式脑深部刺激器包括发生器和连接器，发生器包括壳体、支架、电路板，其中电路板固定安装在支架上；其特征在于，还设置有间隙组件，其由绝缘材料制成，设置于电路板与壳体一侧之间，其包括本体部与边缘部；所述本体部与电路板形状相适配从而覆盖电路板；边缘部自本体部周边延伸而出；间隙组件通过边缘部与支架相抵接，从而使得间隙组件至少在本体部周边区域与电路板之间形成间隙。

2.根据权利要求1所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件整体与电路板之间形成间隙。

3.根据权利要求1或2所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件的边缘部外表面设置有弧面或斜面。

4.根据权利要求3所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述边缘部包括一过渡段和一垂直段，其中过渡段外表面设置成所述弧面或斜面，垂直段基本垂直于电路板和/或本体部。

5.根据权利要求3所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述边缘部包括一过渡段和一倾斜段，其中过渡段外表面设置成所述弧面或斜面，倾斜段外表面设置为斜面，倾斜段与本体部之间形成钝角。

6.根据权利要求3所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述边缘部整体为弧面结构或斜面结构。

7.根据权利要求1或2所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件的边缘部包覆电路板的侧边，支架上设置有卡脚，电路板通过卡脚固定安装在支架上。

8.根据权利要求7所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件设置有让位口，用于避让支架卡脚。

9.根据权利要求1或2所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件与壳体一侧之间形成间隙，间隙组件的边缘部与壳体一侧的形状相适配。

10.根据权利要求1或2所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件的本体部对应电路板未设置元器件的位置设置有镂空结构。

11.根据权利要求1或2所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，电路板侧面沉入支架侧壁内部，并在支架上设置有卡脚，以固定电路板并对间隙组件形成定位。

12.根据权利要求1或2所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，电路板涂覆有绝缘材料层。

13.根据权利要求1所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件的本体部厚度为0.2mm-0.5mm。

14.根据权利要求1所述的植入式脑深部刺激器，其特征在于，所述间隙组件的本体部在其周边区域与电路板之间的间隙大于0.15mm。