CN220691972U - 一种半导体化学清洗槽 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种半导体化学清洗槽，槽体分为两层结构，内槽体形成四面溢流结构，内槽体的清洗液溢流到外槽体内，外槽体内的清洗液经过泵又被注入内槽体底部形成清洗液的循环流动以搅动内槽体内的清洗液。同时内槽体底部设置整流板，通过整流板使清洗液的流动更加均匀，提高清洗效果。
Description
技术领域
本申请属于半导体制备设备技术领域，尤其是涉及一种半导体化学清洗槽。
背景技术
半导体化学清洗槽，通常作为药液槽，如HF酸槽、Poly槽，以去晶圆表面的除氧化膜。半导体化学清洗槽的结构通常包括双层的槽体，其中内槽体内放置晶圆，内槽体的药液通过顶部溢流从内槽体溢流到外槽体，再由泵将外槽体的药液泵入内槽体的底部的循环进水管，从而实现药液的循环，药液较少时，由进液管补入。
内槽体内还设置有晶圆支撑座来支撑晶圆，工作时，由机械手将晶圆放置到晶圆支撑座上。循环进水管通常位于晶圆下方，由于晶圆成排竖向排列放置到晶圆支撑座上，比如放入12寸晶圆50片。然而，现有的半导体化学清洗槽中，收到晶圆支撑座的影响，通常在晶圆支撑座相应结构的顶部容易出现流体流动缓慢区域(死区)，进而导致清洗效果较差，清洗不均匀。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种清洗效果更加均匀半导体化学清洗槽。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种半导体化学清洗槽，包括：
槽体，所述槽体顶部为开口，具有内溢流板，所述内溢流板围成了主槽，所述槽体一侧为汇集槽，所述内溢流板与外壁之间形成的溢流通道并与汇集槽连通，所述槽体顶部具有进液口，清洗液通过进液口通入主槽内；
晶圆支撑座，设置在所述槽体内，包括立柱，固定在立柱之间的晶圆支撑块，所述晶圆支撑块上设置有若干晶圆定位槽，所述晶圆支撑块包括位于两侧的侧支撑块和位于中间的中间支撑块；
整流板，设置在槽体底部，包括，所述整流板上以中间支撑块的垂直投影为界分为两部分，两部分上均设置有第一整流孔；
循环进水管，设置在整流板底部，所述汇集槽通过泵与循环进水管连通。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
所述汇集槽的深度大于另外三侧所形成的溢流通道的深度以使得清洗液能够顺利汇集到汇集槽中。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
所述循环进水管包括内管和套设在内管外的外管，所述内管和外管上均开设有开口。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
所述外管上开设的开口对应两块侧支撑块之间的区域。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
所述内管具有一排开口，所述外管上具有两排开口，三排开口的中轴线两两形成60°夹角，且内管上的开口朝下，所述外管上的开口朝向斜向上。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
内管上的所有开口的面积之和为外管上的所有开口的面积之和的120％到140％。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
第一整流孔的半径为1.5mm到2.5mm。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
所述整流板的侧边缘设置有第二整流孔，所述第二整流孔为长条孔，所述第二整流孔的长度为第一整流孔直径的3-4倍，所述第二整流孔的宽度与第一整流孔直径相等；
所述整流板上靠近中间支撑块的部分设置有第三整流孔，所述第三整流孔的长度为第一整流孔直径的3-4倍，所述第三整流孔的宽度与第一整流孔直径相等。
优选地，本实用新型的半导体化学清洗槽，
所述第三整流孔的设置位置对应晶圆队列中靠近中间位置的60％的晶圆。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型的半导体化学清洗槽，槽体分为两层结构，内槽体形成四面溢流结构，内槽体的清洗液溢流到外槽体内，外槽体内的清洗液经过泵又被注入内槽体底部形成清洗液的循环流动以搅动内槽体内的清洗液。同时内槽体底部设置整流板，通过整流板使清洗液的流动更加均匀，提高清洗效果。
附图说明
下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。
图1是本申请实施例的半导体化学清洗槽的结构示意图；
图2是图1的半导体化学清洗槽的剖视图；
图3是整流板的结构示意图；
图4是循环进水管循环进水管的结构示意图；
图5是循环进水管循环进水管的剖视图；
图中的附图标记为：
1 槽体；
2 晶圆支撑座；
3 整流板；
11 进液口；
12出水接口；
13进水接口；
14 循环进水管；
15 汇集槽；
16 内溢流板；
21 立柱；
22 晶圆支撑块；
141 内管；
142 外管
311 第一整流孔；
312 第二整流孔；
313第三整流孔。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。
实施例
本实施例提供一种半导体化学清洗槽，半导体化学清洗槽可以是HF酸槽、Poly槽，如图1所示，包括：
槽体1，所述槽体1顶部为开口，具有内溢流板16，所述内溢流板16围成了主槽，所述槽体1一侧为汇集槽15，所述内溢流板16与外壁之间形成的溢流通道并与汇集槽15连通，所述槽体1顶部具有进液口11，清洗液通过进液口11通入主槽内；
晶圆支撑座2，设置在所述槽体1内，包括立柱21，固定在立柱21之间的晶圆支撑块22，所述晶圆支撑块22上设置有若干晶圆定位槽，所述晶圆支撑块22包括位于两侧的侧支撑块和位于中间的中间支撑块；立柱21的顶端固定在槽体1外，伸入到所述槽体1内；
整流板3，设置在槽体1底部，包括，所述整流板3上以中间支撑块的垂直投影为界分为两部分，两部分上均设置有第一整流孔311；
循环进水管14，设置在整流板3底部，所述汇集槽15通过出水接口12、泵与进水接口13、循环进水管14连通。
本实施例的半导体化学清洗槽，槽体分为两层结构，内槽体形成四面溢流结构，内槽体的清洗液溢流到外槽体内，外槽体内的清洗液经过泵又被注入内槽体底部形成清洗液的循环流动以搅动内槽体内的清洗液。同时内槽体底部设置整流板，通过整流板使清洗液的流动更加均匀，提高清洗效果。
进一步地，所述汇集槽15的深度大于另外三侧所形成的溢流通道的深度以使得清洗液能够顺利汇集到汇集槽15中。
进一步地，所述循环进水管14包括内管141和套设在内管141外的外管142，所述内管141和外管142上均开设有开口。
进一步地，所述外管142上开设的开口对应两块侧支撑块之间的区域。也就是说，所述外管142喷出的清洗液，能够直接对应顶部的晶圆。
进一步地，所述内管141具有一排开口，所述外管142上均匀两排开口，三排开口的中轴线两两形成60°夹角，且内管141上的开口朝下，所述外管142上的开口朝向斜向上。两层管结构的循环进水管14能够起到第一重整流，与此相对，整流板3就是第二重整流。
进一步地，内管141上的所有开口的面积之和为外管142上的所有开口的面积之和的面积之和的120％到140％，内管141上开口面积大、外管142上开口面积小，从而使外管142的流速会较内管141的流速增大，提高清洗效果。
进一步地，所述循环进水管14为两根，每根所述循环进水管14均与一个泵连接，泵能单独控制启动或者关闭，从而使每根所述循环进水管14能够单独启动或者关闭，在每次晶圆清洗时，如果总清洗时间为T，则其中一根所述循环进水管14先独立启动T/3时间，另一根所述循环进水管14独立启动T/3时间，最后两根循环进水管14共同启动T/3时间。通过上述设置提高主槽内清洗液的流动程度，提高清洗效果。
进一步地，第一整流孔311的半径为1.5mm到2.5mm，如1.5mm、1.7mm、2mm、2.3mm或者2.5mm。
进一步地，所述整流板3长度方向的两侧设置有第二整流孔312，所述第二整流孔312为长条孔，所述第二整流孔312的长度为第一整流孔311直径的3-4倍，所述第二整流孔312的宽度与第一整流孔311直径相等。
设置的条状的第二整流孔312能够改善侧支撑块上方地流体的流动，使得流体的流动更加均匀。
进一步地，所述整流板3上靠近中间支撑块的部分设置有第三整流孔313，所述第三整流孔313的长度为第一整流孔311直径的3-4倍，所述第三整流孔313的宽度与第一整流孔311直径相等。
整流板3上靠近中间支撑块的部分设置有第三整流孔313能够改善中间支撑块上方地流体的流动，使得流体的流动更加均匀。
进一步地，所述第三整流孔313的设置位置对应晶圆队列中靠近中间位置的60％的晶圆。所述第三整流孔313设置在中间，能够提高整个队列中晶圆流体流动的均匀性，比如有50片晶圆，那么设置在中间30片晶圆处。
以上述依据本申请的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项申请技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项申请的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (9)
1.一种半导体化学清洗槽，其特征在于，包括：
槽体(1)，所述槽体(1)顶部为开口，具有内溢流板(16)，所述内溢流板(16)围成了主槽，所述槽体(1)一侧为汇集槽(15)，所述内溢流板(16)与外壁之间形成的溢流通道并与汇集槽(15)连通，所述槽体(1)顶部具有进液口(11)，清洗液通过进液口(11)通入主槽内；
晶圆支撑座(2)，设置在所述槽体(1)内，包括立柱(21)，固定在立柱(21)之间的晶圆支撑块(22)，所述晶圆支撑块(22)上设置有若干晶圆定位槽，所述晶圆支撑块(22)包括位于两侧的侧支撑块和位于中间的中间支撑块；
整流板(3)，设置在槽体(1)底部，包括，所述整流板(3)上以中间支撑块的垂直投影为界分为两部分，两部分上均设置有第一整流孔(311)；
循环进水管(14)，设置在整流板(3)底部，所述汇集槽(15)通过泵与循环进水管(14)连通。
2.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
所述汇集槽(15)的深度大于另外三侧所形成的溢流通道的深度以使得清洗液能够顺利汇集到汇集槽(15)中。
3.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
所述循环进水管(14)包括内管(141)和套设在内管(141)外的外管(142)，所述内管(141)和外管(142)上均开设有开口。
4.根据权利要求3所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
所述外管(142)上开设的开口对应两块侧支撑块之间的区域。
5.根据权利要求4所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
所述内管(141)具有一排开口，所述外管(142)上具有两排开口，三排开口的中轴线两两形成60°夹角，且内管(141)上的开口朝下，所述外管(142)上的开口朝向斜向上。
6.根据权利要求4所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
内管(141)上的所有开口的面积之和为外管(142)上的所有开口的面积之和的120％到140％。
7.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
第一整流孔(311)的半径为1.5mm到2.5mm。
8.根据权利要求1所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
所述整流板(3)的侧边缘设置有第二整流孔(312)，所述第二整流孔(312)为长条孔，所述第二整流孔(312)的长度为第一整流孔(311)直径的3-4倍，所述第二整流孔(312)的宽度与第一整流孔(311)直径相等；
所述整流板(3)上靠近中间支撑块的部分设置有第三整流孔(313)，所述第三整流孔(313)的长度为第一整流孔(311)直径的3-4倍，所述第三整流孔(313)的宽度与第一整流孔(311)直径相等。
9.根据权利要求8所述的半导体化学清洗槽，其特征在于，
所述第三整流孔(313)的设置位置对应晶圆队列中靠近中间位置的60％的晶圆。
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