CN220627784U - 一种具有防护结构的功率mos器件 - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本实用新型公开了一种具有防护结构的功率MOS器件,包括MOS器件主体、保护套、便捏纹路和上夹板,所述MOS器件主体的外壁套装有保护套,所述保护套的外壁设有便捏纹路,所述保护套的外壁安装有上夹板,所述保护套的外壁安装有下夹板,且下夹板位于上夹板的下方。本实用新型通过安装有保护套用于套在引脚外部对引脚进行保护,MOS器件主体可以卡入上夹板与下夹板之间,上夹板配合下夹板可以对MOS器件主体进行一定夹持,从而让保护套对齐MOS器件主体,便捏纹路具有一定防滑作用便于手指捏持,过渡槽用于过渡部卡入,长槽用于引脚卡入,防滑垫用于填充引脚与长槽之间的间隙,增强引脚在保护套内的稳定性,实现对引脚的保护。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体为一种具有防护结构的功率MOS器件。
背景技术
MOS器件别名MOS集成电路,MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路,功率MOS器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小的特点,广泛应用于各类电源管理及开关转换,有着广阔的发展和应用前景。
专利文件CN212517180U公开了一种大功率快速散热型MOS器件,“包括:MOSFET芯片、快恢复二极管、陶瓷导热本体、源极管脚、漏极管脚和栅极管脚;陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽,此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块;所述源极管脚与第一导电条电连接,所述漏极管脚与导电块另一端电连接,所述栅极管脚与第二导电条电连接;所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块。本实用新型大功率快速散热型MOS器件降低了功率MOS的热阻,从而有利于进一步提高器件的功率,也提高了器件的可靠性。”
但是上述公开文献中对于现有的MOS器件一般都带有引脚用于与电路板进行连接,但是MOS器件引脚较长,在安装前容易出现引脚因意外挤压变形,从而影响MOS器件安装的问题处理不善。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有防护结构的功率MOS器件,以解决上述背景技术中提出的引脚容易被意外挤压变形,影响后续安装的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种具有防护结构的功率MOS器件,包括MOS器件主体、保护套、便捏纹路和上夹板,所述MOS器件主体的外壁套装有保护套,所述保护套的外壁设有便捏纹路,所述保护套的外壁安装有上夹板,所述保护套的外壁安装有下夹板,且下夹板位于上夹板的下方,保护套用于套在引脚外部对引脚进行保护,MOS器件主体可以卡入上夹板与下夹板之间;
所述保护套的外壁设有过渡槽,所述保护套的内部设有长槽,且长槽位于过渡槽的一侧,所述长槽的内壁安装有防滑垫,长槽用于引脚卡入,防滑垫用于填充引脚与长槽之间的间隙。
优选的,所述MOS器件主体的外壁安装有凸支架,凸支架用于让支臂与MOS器件主体为轴性连接。
优选的,所述凸支架的一端通过轴安装有支臂,支臂通过螺孔可以对小螺杆进行支撑。
优选的,所述支臂的一端设有螺孔。
优选的,所述螺孔的顶部贯穿安装有小螺杆,且小螺杆与螺孔相啮合,小螺杆的顶端安装有捏片,小螺杆的底端安装有小吸盘,通过捏片便于转动小螺杆,通过小螺杆可以将小吸盘调节至合适位置。
优选的,所述MOS器件主体的外壁安装有过渡部,且过渡部位于凸支架的一侧。
优选的,所述过渡部的外壁安装有引脚,引脚用于MOS器件主体与电路板的连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1.本实用新型通过安装有保护套用于套在引脚外部对引脚进行保护,MOS器件主体可以卡入上夹板与下夹板之间,上夹板配合下夹板可以对MOS器件主体进行一定夹持,从而让保护套对齐MOS器件主体,便捏纹路具有一定防滑作用便于手指捏持,过渡槽用于过渡部卡入,长槽用于引脚卡入,防滑垫用于填充引脚与长槽之间的间隙,增强引脚在保护套内的稳定性,实现对引脚的保护;
2.本实用新型通过安装有凸支架用于让支臂与MOS器件主体为轴性连接,螺孔用于安装小螺杆,支臂通过螺孔可以对小螺杆进行支撑,通过捏片便于转动小螺杆,通过小螺杆可以将小吸盘调节至合适位置,功率MOS器件一般安装在电路板上,小吸盘可以吸附在电路板的光滑表面,由此可以将功率MOS器件简单的固定住,实现便于对功率MOS器件进行安装且具有加固的作用。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构示意图;
图2为本实用新型的保护套取下状态部分结构示意图;
图3为本实用新型的保护套侧视部分结构示意图;
图4为本实用新型的保护套俯视内部部分结构示意图;
图5为本实用新型的小吸盘部分结构示意图。
图中:1、MOS器件主体;2、保护套;3、便捏纹路;4、上夹板;5、下夹板;6、过渡槽;7、长槽;8、防滑垫;9、凸支架;10、支臂;11、螺孔;12、小螺杆;13、捏片;14、小吸盘;15、过渡部;16、引脚。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置有”、“连接”等,应做广义理解,例如“连接”,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体的连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
请参阅图1、图3和图4,一种具有防护结构的功率MOS器件,包括MOS器件主体1、保护套2、便捏纹路3和上夹板4,所述MOS器件主体1的外壁套装有保护套2,所述保护套2的外壁设有便捏纹路3,所述保护套2的外壁安装有上夹板4,所述保护套2的外壁安装有下夹板5,且下夹板5位于上夹板4的下方,所述保护套2的外壁设有过渡槽6,所述保护套2的内部设有长槽7,且长槽7位于过渡槽6的一侧,所述长槽7的内壁安装有防滑垫8,保护套2用于套在引脚16外部对引脚16进行保护,MOS器件主体1可以卡入上夹板4与下夹板5之间,上夹板4配合下夹板5可以对MOS器件主体1进行一定夹持,从而让保护套2对齐MOS器件主体1,便捏纹路3具有一定防滑作用便于手指捏持,过渡槽6用于过渡部15卡入,长槽7用于引脚16卡入,防滑垫8用于填充引脚16与长槽7之间的间隙,增强引脚16在保护套2内的稳定性,实现对引脚16的保护。
请参阅图1、图2和图5,所述MOS器件主体1的外壁安装有凸支架9,所述凸支架9的一端通过轴安装有支臂10,所述支臂10的一端设有螺孔11,所述螺孔11的顶部贯穿安装有小螺杆12,且小螺杆12与螺孔11相啮合,小螺杆12的顶端安装有捏片13,小螺杆12的底端安装有小吸盘14,凸支架9用于让支臂10与MOS器件主体1为轴性连接,螺孔11用于安装小螺杆12,支臂10通过螺孔11可以对小螺杆12进行支撑,通过捏片13便于转动小螺杆12,通过小螺杆12可以将小吸盘14调节至合适位置,功率MOS器件一般安装在电路板上,小吸盘14可以吸附在电路板的光滑表面,由此可以将功率MOS器件简单的固定住,实现便于对功率MOS器件进行安装且具有加固的作用。
请参阅图2,所述MOS器件主体1的外壁安装有过渡部15,且过渡部15位于凸支架9的一侧,所述过渡部15的外壁安装有引脚16,过渡部15用于过渡,引脚16用于MOS器件主体1与电路板的连接。
工作原理,保护套2用于套在引脚16外部对引脚16进行保护,MOS器件主体1可以卡入上夹板4与下夹板5之间,上夹板4配合下夹板5可以对MOS器件主体1进行一定夹持,从而让保护套2对齐MOS器件主体1,便捏纹路3具有一定防滑作用便于手指捏持,过渡槽6用于过渡部15卡入,长槽7用于引脚16卡入,防滑垫8用于填充引脚16与长槽7之间的间隙,增强引脚16在保护套2内的稳定性,实现对引脚16的保护,凸支架9用于让支臂10与MOS器件主体1为轴性连接,螺孔11用于安装小螺杆12,支臂10通过螺孔11可以对小螺杆12进行支撑,通过捏片13便于转动小螺杆12,通过小螺杆12可以将小吸盘14调节至合适位置,功率MOS器件一般安装在电路板上,小吸盘14可以吸附在电路板的光滑表面,由此可以将功率MOS器件简单的固定住,实现便于对功率MOS器件进行安装且具有加固的作用,过渡部15用于过渡,引脚16用于MOS器件主体1与电路板的连接。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (7)
1.一种具有防护结构的功率MOS器件,包括MOS器件主体(1)、保护套(2)、便捏纹路(3)和上夹板(4),其特征在于:所述MOS器件主体(1)的外壁套装有保护套(2),所述保护套(2)的外壁设有便捏纹路(3),所述保护套(2)的外壁安装有上夹板(4),所述保护套(2)的外壁安装有下夹板(5),且下夹板(5)位于上夹板(4)的下方;
所述保护套(2)的外壁设有过渡槽(6),所述保护套(2)的内部设有长槽(7),且长槽(7)位于过渡槽(6)的一侧,所述长槽(7)的内壁安装有防滑垫(8)。
2.根据权利要求1所述的一种具有防护结构的功率MOS器件,其特征在于:所述MOS器件主体(1)的外壁安装有凸支架(9)。
3.根据权利要求2所述的一种具有防护结构的功率MOS器件,其特征在于:所述凸支架(9)的一端通过轴安装有支臂(10)。
4.根据权利要求3所述的一种具有防护结构的功率MOS器件,其特征在于:所述支臂(10)的一端设有螺孔(11)。
5.根据权利要求4所述的一种具有防护结构的功率MOS器件,其特征在于:所述螺孔(11)的顶部贯穿安装有小螺杆(12),且小螺杆(12)与螺孔(11)相啮合,小螺杆(12)的顶端安装有捏片(13),小螺杆(12)的底端安装有小吸盘(14)。
6.根据权利要求1所述的一种具有防护结构的功率MOS器件,其特征在于:所述MOS器件主体(1)的外壁安装有过渡部(15),且过渡部(15)位于凸支架(9)的一侧。
7.根据权利要求6所述的一种具有防护结构的功率MOS器件,其特征在于:所述过渡部(15)的外壁安装有引脚(16)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322208547.8U CN220627784U (zh) | 2023-08-17 | 2023-08-17 | 一种具有防护结构的功率mos器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202322208547.8U CN220627784U (zh) | 2023-08-17 | 2023-08-17 | 一种具有防护结构的功率mos器件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN220627784U true CN220627784U (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=90217019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322208547.8U Active CN220627784U (zh) | 2023-08-17 | 2023-08-17 | 一种具有防护结构的功率mos器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN220627784U (zh) |
-
2023
- 2023-08-17 CN CN202322208547.8U patent/CN220627784U/zh active Active
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