CN220491019U - 射频线圈组件 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种射频线圈组件，可以应用于磁共振成像技术领域。该组件包括：第一线圈，由多个信号通道的线圈以链式配置成彼此连接，围绕第一轴线形成环形，第一线圈配置成接收第一频谱范围的磁共振信号；第二线圈与第一线圈同轴，设置在第一线圈的外周侧，第二线圈包括设置在第一端部的第一端环，以及设置在第二端部的第二端环和第三端环，第一端部和第二端部在第一轴线方向上相对设置，第一端环通过支撑部与第二端环电连接构成第一子线圈，第一端环通过支撑部与第三端环电连接构成第二子线圈；第二线圈配置成通过第一子线圈发射第一频谱范围的射频信号，通过第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，对第二频谱范围的磁共振信号进行聚焦放大。

Description

射频线圈组件

技术领域

本公开涉及磁共振成像技术领域，更具体地涉及一种射频线圈组件。

背景技术

磁共振成像(MRI，Magnetic Resonance Imaging)相比于现有的计算机断层扫描(CT，Computed Tomography)具有无放射性损害以及无生物学损害，可以直接做出横断面、矢状面、冠状面和各种斜面的体层图像，不受骨像干扰、对后颅凹底和脑干等处的小病变具有较好的辨识度。因而，在现有的疾病检测和诊断中运用越来越普遍。

磁共振成像技术也越来越广泛的应用到了手术中，由于每种可以产生磁共振信号的原子核在同一个磁场强度下的共振频率不同，需要对不同的原子核成像，需要有不同频率的射频发射线圈和射频接收线圈，一般采用多个不同的射频线圈来实现不同原子核的磁共振成像，但是双调谐射频线圈的设计制作和调试难度大，并且存在多个射频线圈之间存在磁相互作用，导致图像中产生伪影，信噪比和空间分辨率降低等问题。

发明内容

鉴于上述问题，本公开提供了一种射频线圈组件，结构简单，可以实现不同原子核的磁共振成像。

根据本公开的第一个方面，提供了一种射频线圈组件，用于核磁共振成像，所述射频线圈组件包括但不限于：第一线圈，由多个信号通道的线圈以链式配置成彼此连接，并且围绕第一轴线形成环形，所述第一线圈配置成接收第一频谱范围的磁共振信号；第二线圈，与所述第一线圈同轴，并设置在所述第一线圈的外周侧，所述第二线圈包括设置在第一端部的第一端环，以及设置在第二端部的第二端环和第三端环，所述第一端部和所述第二端部在所述第一轴线方向上相对设置，所述第一端环通过支撑部与所述第二端环电连接构成第一子线圈，所述第一端环通过支撑部与所述第三端环电连接构成第二子线圈；其中，所述第二线圈配置成通过所述第一子线圈发射所述第一频谱范围的射频信号，以及通过所述第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，并对所述第二频谱范围的磁共振信号进行聚焦放大。

在本公开的一些示例性实施例中，所述支撑部沿所述第一轴线的预设径向距离的外周表面设置，所述支撑部包括第一支撑子部、第二支撑子部以及连接部，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述第一端部分别与所述第一端环连接，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述第二端部通过所述连接部连接，所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成通路。

在本公开的一些示例性实施例中，所述第一子线圈包括设置在所述连接部与所述第二端环之间的第一去耦电路；所述第二子线圈包括设置在所述连接部与所述第三端环之间的第二去耦电路。

在本公开的一些示例性实施例中，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述外周表面从所述第一端部向所述第二端部延伸，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部相互平行设置，以使所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成的通路呈矩形或平行四边形的非交叉通路。

在本公开的一些示例性实施例中，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述外周表面从所述第一端部向所述第二端部延伸，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部交叉设置，所述第一支撑子部与所述第二支撑子部在交叉区域间隔开，以使所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成的通路呈8字形的交叉通路。

在本公开的一些示例性实施例中，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部中的一者朝向远离所述外周表面凸起，形成凸起部，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部中的另一者从所述凸起部靠近所述外周表面一侧延伸穿过所述凸起部以形成所述交叉区域。

在本公开的一些示例性实施例中，所述支撑部的延伸方向与所述第二端环或所述第三端环所在的平面的夹角为Φ，其中，20°≤Φ≤45°。

在本公开的一些示例性实施例中，所述支撑部的延伸方向垂直于所述第二端环或所述第三端环所在的平面。

在本公开的一些示例性实施例中，所述第一端环与所述第二端环的直径相同，所述第二端环位于所述外周表面，所述第三端环在径向方向上比所述第二端环更远离所述外周表面，所述第三端环与所述第二端环在垂直于第一轴线方向的平面上的正投影不重叠。

在本公开的一些示例性实施例中，所述第二线圈通过所述第二端环与第一频谱射频信号发射器有线连接。

根据本公开的实施例，通过将第一线圈与第二线圈同轴设置，并且第一线圈接收第一频谱范围的磁共振信号，第二线圈中的第一子线圈发射第一频谱范围的射频信号以及第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，可以实现针对不同原子核的磁共振成像。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述内容以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的整体结构示意图；

图2示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第一线圈的立体结构示意图；

图3示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的立体结构示意图；

图4示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的主视图；

图5示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的俯视图；

图6示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的沿图5的A-A线的剖视图；

图7示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的沿图5的B-B线的剖视图；

图8A示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的M区域的局部放大图；

图8B示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的N区域的局部放大图；

图8C示意性示出了图8A中的支撑部的结构示意图；

图8D示意性示出了本公开又一个实施例的射频线圈组件包括的支撑部的结构示意图；

图9A示意性示出了本公开另一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的M区域的局部放大图；

图9B示意性示出了图9A中的支撑部的结构示意图；

图9C示意性示出了本公开又一个实施例的射频线圈组件包括的支撑部的结构示意图。

需要注意的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，结构或区域的尺寸可能被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。

在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。

在使用类似于“A、B和C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B和C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。

相关技术中，双调谐射频线圈的设计制作和调试难度大，且存在多个射频线圈之间存在磁相互作用，导致图像中产生伪影，信噪比和空间分辨率降低等问题。本公开提供了一种射频线圈组件，用于核磁共振成像，该射频线圈组件包括但不限于：第一线圈，由多个信号通道的线圈以链式配置成彼此连接，并且围绕第一轴线形成环形，所述第一线圈配置成接收第一频谱范围的磁共振信号；第二线圈，与所述第一线圈同轴，并设置在所述第一线圈的外周侧，所述第二线圈包括设置在第一端部的第一端环，以及设置在第二端部的第二端环和第三端环，所述第一端部和所述第二端部在所述第一轴线方向上相对设置，所述第一端环通过支撑部与所述第二端环电连接构成第一子线圈，所述第一端环通过支撑部与所述第三端环电连接构成第二子线圈；第二线圈配置成通过所述第一子线圈发射所述第一频谱范围的射频信号，以及通过所述第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，并对所述第二频谱范围的磁共振信号进行聚焦放大。

根据本公开的实施例的射频线圈组件，通过将第一线圈与第二线圈同轴设置，并且第一线圈接收第一频谱范围的磁共振信号，第二线圈中的第一子线圈发射第一频谱范围的射频信号以及第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，可以实现针对不同原子核的磁共振成像，同时可以有效降低射频线圈之间的磁相互作用，提高信噪比和空间分辨率。

下面结合图1至图9C对本公开实施例的射频线圈组件的结构进行详细说明。

图1示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的整体结构示意图。图2示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第一线圈的立体结构示意图。图3示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的立体结构示意图。

如图1所示，射频线圈组件100包括第一线圈10和第二线圈20，第一线圈10和第二线圈20同轴设置，第二线圈20在第一线圈10的外侧并围绕第一线圈10。

如图2所述，第一线圈10包括多个信号通道的线圈11，多个信号通道的线圈以链式配置成彼此连接，多个信号通道的线圈可以通过固定件彼此固定连接，每个线圈之间绝缘隔开，从而每个线圈可以接收对应的信号通道的磁共振信号。如图2所示，多个信号通道线圈11围绕第一轴线X形成环形，并且每个线圈11以链式方式连接形成环状筒形的线圈。第一线圈10配置成用于接收第一频谱范围的磁共振信号，例如接收¹³C核对应的频谱范围的磁共振信号。通过将第一线圈设置成由多信号通道线圈组成的环形结构，可以有效提高信噪比和空间分辨率。

示例性地，第一线圈10可以采用一体成型制成环形线圈，也可以通过固定件将多个线圈11固定形成环形线圈。

结合图1至图3所示，第二线圈20与第一线圈10同轴设置，即第一线圈10的第一轴线X与第二线圈20的轴线重合，第二线圈20设置在第一线圈10的外周侧。

如图3所示，第二线圈20具有第一端部D1和第二端部D2，第一端部D1和第二端部D2在第一轴线X方向上相对设置，第二线圈20包括设置在第一端部D1的第一端环21以及设置在第二端部D2的第二端环22和第三端环23。在第一端环21与第二端环22、第三端环23之间设置有支撑部24。

第一端环21通过支撑部24与所述第二端环22电连接构成第一子线圈，第一端环21通过支撑部24与所述第三端环23电连接构成第二子线圈。即第一子线圈和第二子线圈共用第一端环21以及支撑部24。第一端环21为环形导体材料构成，第一端环21、第二端环22、第三端环23以及支撑部24可以采用相同的导体材料制造，也可以采用不同的导体材料制造。

第二线圈20包括第一子线圈和第二子线圈，第二线圈20可以发射第一频谱范围的射频信号，并且接收第二频谱的磁共振信号，并对第二频谱的磁共振信号进行聚焦放大。

示例性地，第二线圈20中的第一子线圈发射所述第一频谱范围的射频信号，例如发射¹³C核对应的频谱范围的射频信号。

第二线圈20中的第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，并对所述第二频谱范围的磁共振信号进行聚焦放大，从而提高信噪比和空间分辨率。例如，第二子线圈接收¹H核对应的频谱范围的射磁共振信号。

如图3所示，支撑部24包括沿第一轴线X的预设径向距离的外周表面设置，所述支撑部24包括第一支撑子部241、第二支撑子部242以及连接部243。

示例性地，预设径向距离可以是指第二线圈20的设定半径r，该预设径向距离r可以根据射频线圈组件实际的设计尺寸或需求进行调整。支撑部24沿第一轴线X的预设进行距离的外表面设置，以使第一端环21、第二端环22、第三端环23以及支撑部24构成的第二线圈20整体上呈圆筒状，第一端环21和第二端环22分别在圆筒状线圈的两端，支撑部24构成圆筒状线圈的筒壁。

如图3所示，所述第一支撑子部241和所述第二支撑子部242在所述第一端部D1分别与所述第一端环21连接。所述第一支撑子部241和所述第二支撑子部242在所述第二端部D2通过所述连接部243连接。所述第一端环21、所述第一支撑子部241、所述第二支撑子部242以及所述连接部243形成通路，从而实现发射射频信号或用于接收磁共振信号。

在一些可选的实施例中，通过将通路设置成不同的形状，可以进一步实现降低射频线圈之间的磁相互作用的功能，具体将在下文内容进行详细描述。

图4示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的主视图。图5示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的俯视图。图6示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的沿图5的A-A线的剖视图。图7示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的沿图5的B-B线的剖视图。图8A示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的M区域的局部放大图。图8B示意性示出了本公开一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的N区域的局部放大图。

如图4至图7所示，支撑部24可以设置多个，例如6个、8个、10个或其他数目，支撑部24的数目可以根据射频线圈组件的设计需求进行调整。在本实施例中，支撑部24例如设置为8个。

示例性地，如图7所示，支撑部24的延伸方向与所述第二端环22或所述第三端环23所在的平面的夹角为Φ，其中，20°≤Φ≤45°。在一些实施例中，夹角例如可以设置为22.5°，可以大幅降低电容范围，从而最大程度降低去耦难度。

如图4至图7所示，支撑部24相对于第二端环22或第三端环23所在的平面倾斜设置，具有一定的夹角Φ，即支撑部24沿第一轴线X的预设径向距离的外表面设置，呈螺旋式结构，构成第二线圈的筒壁。由此，可以使在第一端环21与第二端环22或第一端环21与第三端环之间的距离不变的情况下，增加支撑部24的导体长度，从而在射频线圈组件的尺寸不变的情况下使支撑部24的导体更长，电感增加，有效降低电容范围，降低去耦的难度。此外，通过使支撑部24呈螺旋式结构，可以使沿第二线圈周向的磁场强度均匀性更好。

在一些可选的实施例中，所述支撑部的延伸方向垂直于所述第二端环或所述第三端环所在的平面，并且由第一端环、第一支撑子部、第二支撑子部以及连接部形成通路呈8字形交叉通路时，同样可以增加支撑部的导体长度，实现降低去耦难度的效果。

如图4至图7所示，所述第一支撑子部241和所述第二支撑子部242在沿第一轴线X的预设径向距离的外周表面从所述第一端部D1向所述第二端部D2延伸，所述第一支撑子部241和所述第二支撑子部242交叉设置，所述第一支撑子部241与所述第二支撑子部242在交叉区域间隔开，以使所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成的通路呈8字形交叉通路。

第一支撑子部241与第二支撑子部242在交叉区域间隔开是指第一支撑子部241和第二支撑子部242在交叉区域且在第二线圈的径向方向具有一定的间距，从而使第一支撑子部241与第二支撑子部242之间绝缘，由此，所述第一端环21、所述第一支撑子部241、所述第二支撑子部242以及所述连接部243形成的通路呈8字形交叉通路，当通路中产生感应电流时，由于通路呈8字形交叉通路，产生的感应电流大小相等、方向相反，可以相互抵消。

示例性地，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部中的一者朝向远离所述外周表面凸起，形成凸起部，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部中的另一者从所述凸起部靠近所述外周表面一侧延伸穿过所述凸起部以形成所述交叉区域。

结合图7和图8A所示，支撑部24的延伸方向与第二端环22或第三端环23所在的平面具有一定的夹角Φ，即支撑部24包括的第一支撑子部241与第二支撑子部242相对于第二端环或第三端环倾斜设置。第一支撑子部241朝向远离外周表面凸起，形成凸起部T，第二支撑子部242从所述凸起部T靠近所述外周表面一侧延伸穿过所述凸起部T以形成所述交叉区域。即第一支撑子部241和第二支撑子部242之间在径向方向具有一定的间距，从而使第一支撑子部241和第二支撑子部242间隔开实现绝缘的效果，以实现上文所述的抵消8字型交叉通路中产生的感应电流。

在另一可选的实施例中，第二支撑部朝向远离外周表面凸起，形成凸起部，第一支撑子部从凸起部靠近外周表面一侧延伸穿过凸起部形成交叉区域，以实现上述的抵消感应电流的相同效果。

如图8B所示，所述第一子线圈包括设置在所述连接部与所述第二端环之间的第一去耦电路C1；所述第二子线圈包括设置在所述连接部与所述第三端环之间的第二去耦电路C2。

示例性地，在连接部243和第二端环22之间设置有第一去耦电路C1，在连接部243和第三端环23之间设置有第二去耦电路C2，通过设置去耦电路可以提高信噪比，获得更高分辨率的频谱图。例如，第一去耦电路C1包含于第一子线圈内，第二去耦电路包含于第二子线圈内，分别在第一子线圈工作或第二子线圈工作时实现去耦的作用。

图8C示意性示出了图8A中的支撑部的结构示意图。

图8C示意性示出了图8A的支撑部包括的去耦电路的示意性结构，如图8C所示，第一去耦电路C1将连接部与第二端环22电连接，第二去耦电路C2将连接部243与第三端环23电连接。第一去耦电路C1和第二去耦电路C2至少包括一个电容和二极管。第一去耦电路和第二去耦电路的数目可以根据实际的需求进行设定，本公开实施例对去耦电路的数目不做具体限定。

图8D示意性示出了本公开又一个实施例的射频线圈组件包括的支撑部的结构示意图。

如图8D所示，本实施例中的支撑部24的延伸方向垂直于第二端环22或第三端环23所在的平面，并且支撑部24所包括的第一支撑子部、第二支撑子部以及连接部与第一端环构成的8字形交叉通路。通过设置8字形交叉通路，可以增加第一支撑子部、第二支撑子部的导体长度，降低去耦难度，同时抵消通路中产生的感应电流。进一步地，通过设置第一去耦电路C1和第二去耦电路C2，实现更好的去耦效果，有效降低射频线圈之间的磁相互作用，提高信噪比和空间分辨率。

图9A示意性示出了本公开另一个实施例的射频线圈组件的第二线圈的M区域的局部放大图。

如图9A所示，支撑部的延伸方向与第二端环或第三端环所在的平面垂直。第一支撑子部241’朝向远离外周表面凸起，形成凸起部T’，第二支撑子部242’从所述凸起部T’靠近所述外周表面一侧延伸穿过所述凸起部T’以形成所述交叉区域，交叉区域的长度等于第一支撑子部和第二支撑子部在外周表面的距离。即第一支撑子部241’和第二支撑子部242’之间在径向方向具有一定的间距，从而使第一支撑子部241’和第二支撑子部242’间隔开实现绝缘的效果，以实现抵消8字型交叉通路中产生的感应电流。此外，通过将交叉区域的长度等于第一支撑子部和第二支撑子部在外周表面的距离，可以在第二线圈尺寸不变的情况下，有效延长第一支撑子部和第二支撑子部的导体长度，从而使支撑部的导体长度更长，使电感增加，有效降低电容范围，降低去耦的难度。

图9B示意性示出了图9A中的支撑部的结构示意图。

图9B示意性示出了图9A的支撑部包括的去耦电路的示意性结构，如图9B所示，第一去耦电路C1将连接部与第二端环22电连接，第二去耦电路C2将连接部243与第三端环23电连接。第一去耦电路C1和第二去耦电路C2至少包括一个电容和二极管。第一去耦电路C1和第二去耦电路C2的数目可以根据实际的射频线圈组件的设计需求进行调整。

图9C示意性示出了本公开又一个实施例的射频线圈组件包括的支撑部的结构示意图。

如图9C所示，支撑部的延伸方向相对于第二端环或所述第三端环所在的平面具有一定的夹角，从而在图9A所示的实施例的基础上，进一步延长第一支撑子部和第二支撑子部的导体长度，从而使支撑部的导体长度更长，使电感增加，有效降低电容范围，更进一步地降低去耦的难度。

在一些可选的实施例中，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述外周表面从所述第一端部向所述第二端部延伸，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部相互平行设置，以使所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成的通路呈矩形或平行四边形的非交叉通路。

示例性地，第一支撑子部和第二支撑子部在外周表面相互平行，从而形成矩形的非交叉通路，或平行四边形的非交叉通路，在形成的非交叉通路中，第一支撑子部和第二支撑子部没有重叠部分。在形成平行四边形的非交叉通路中，支撑部的延伸方向相对于第二端环或所述第三端环所在的平面具有一定的夹角Φ，夹角Φ满足20°≤Φ≤45°，即支撑部包括的第一子支撑部和第二子支撑部呈螺旋形结构，可以延长支撑部的导体长度，降低去耦难度。在形成矩形的非交叉通路中，支撑部的延伸方向相对于第二端环或第三端环所在的平面垂直，即Φ＝90°。

在本公开的一些实施例中，如图4所示，所述第一端环21与所述第二端环22的直径相同，即第一端环21的直径R1等于第二端环22的直径R2，第一端环21、第二端环22、支撑部23构成圆筒状。

如图3和图4所示，第二端环22位于沿第一轴线X的预设径向距离的外周表面，第三端环23在径向方向上比第二端环更远离外周表面，即第三端环23的直径R3比第二端环22的直径R2更大，如图4所示。第三端环23套接在外周表面的外侧，所述第三端环23与所述第二端环22在垂直于第一轴线方向的平面上的正投影不重叠。

在本公开的实施例中，第一线圈10与第一频谱射频信号接收器有线连接，所述第二线圈20通过所述第二端环22与第一频谱射频信号发射器有线连接。

本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合或/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。

以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (10)

1.一种射频线圈组件，用于核磁共振成像，其特征在于，所述射频线圈组件包括：

第一线圈，由多个信号通道的线圈以链式配置成彼此连接，并且围绕第一轴线形成环形，所述第一线圈配置成接收第一频谱范围的磁共振信号；

第二线圈，与所述第一线圈同轴，并设置在所述第一线圈的外周侧，所述第二线圈包括设置在第一端部的第一端环，以及设置在第二端部的第二端环和第三端环，所述第一端部和所述第二端部在所述第一轴线方向上相对设置，所述第一端环通过支撑部与所述第二端环电连接构成第一子线圈，所述第一端环通过支撑部与所述第三端环电连接构成第二子线圈；

其中，所述第二线圈配置成通过所述第一子线圈发射所述第一频谱范围的射频信号，以及通过所述第二子线圈接收第二频谱范围的磁共振信号，并对所述第二频谱范围的磁共振信号进行聚焦放大。

2.根据权利要求1所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述支撑部沿所述第一轴线的预设径向距离的外周表面设置，所述支撑部包括第一支撑子部、第二支撑子部以及连接部，

所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述第一端部分别与所述第一端环连接，

所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述第二端部通过所述连接部连接，

所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成通路。

3.根据权利要求2所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述第一子线圈包括设置在所述连接部与所述第二端环之间的第一去耦电路；

所述第二子线圈包括设置在所述连接部与所述第三端环之间的第二去耦电路。

4.根据权利要求2所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述外周表面从所述第一端部向所述第二端部延伸，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部相互平行设置，以使所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成的通路呈矩形或平行四边形的非交叉通路。

5.根据权利要求2所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述第一支撑子部和所述第二支撑子部在所述外周表面从所述第一端部向所述第二端部延伸，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部交叉设置，所述第一支撑子部与所述第二支撑子部在交叉区域间隔开，以使所述第一端环、所述第一支撑子部、所述第二支撑子部以及所述连接部形成的通路呈8字形的交叉通路。

6.根据权利要求5所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述第一支撑子部和所述第二支撑子部中的一者朝向远离所述外周表面凸起，形成凸起部，所述第一支撑子部和所述第二支撑子部中的另一者从所述凸起部靠近所述外周表面一侧延伸穿过所述凸起部以形成所述交叉区域。

7.根据权利要求2所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述支撑部的延伸方向与所述第二端环或所述第三端环所在的平面的夹角为Φ，其中，20°≤Φ≤45°。

8.根据权利要求2所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述支撑部的延伸方向垂直于所述第二端环或所述第三端环所在的平面。

9.根据权利要求2所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述第一端环与所述第二端环的直径相同，

所述第二端环位于所述外周表面，所述第三端环在径向方向上比所述第二端环更远离所述外周表面，

所述第三端环与所述第二端环在垂直于第一轴线方向的平面上的正投影不重叠。

10.根据权利要求1所述的射频线圈组件，其特征在于，

所述第二线圈通过所述第二端环与第一频谱射频信号发射器有线连接。