CN220489700U - 一种大尺寸硅单晶生长坩埚 - Google Patents

一种大尺寸硅单晶生长坩埚 Download PDF

Info

Publication number
CN220489700U
CN220489700U CN202322112267.7U CN202322112267U CN220489700U CN 220489700 U CN220489700 U CN 220489700U CN 202322112267 U CN202322112267 U CN 202322112267U CN 220489700 U CN220489700 U CN 220489700U
Authority
CN
China
Prior art keywords
fixedly connected
crucible
silicon single
single crystal
crystal growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202322112267.7U
Other languages
English (en)
Inventor
陈志谋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangzhou Shen Wei Photoelectric Equipment Co ltd
Original Assignee
Yangzhou Shen Wei Photoelectric Equipment Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangzhou Shen Wei Photoelectric Equipment Co ltd filed Critical Yangzhou Shen Wei Photoelectric Equipment Co ltd
Priority to CN202322112267.7U priority Critical patent/CN220489700U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN220489700U publication Critical patent/CN220489700U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种大尺寸硅单晶生长坩埚,包括坩埚外壳,所述坩埚外壳的外表面固定连接有环形支板,所述环形支板的底面固定安装有多个电动推杆,每个所述电动推杆的伸缩端共同固定连接有升降板,所述升降板的上表面固定连接有连接柱,所述连接柱的顶端固定连接有连接板,所述连接板的上表面固定安装有石墨坩埚,所述石墨坩埚的外表面固定连接有电加热器,所述电加热器的外表面固定连接有隔热罩,所述隔热罩的内圈与石墨坩埚的外表面固定连接,所述石墨坩埚的底面固定连接有多个连接杆;本装置,能够根据需要调节硅单晶生长时坩埚的高度,避免硅单晶生长高度出现局限性的问题,适用于大尺寸硅单晶的生长,提高硅单晶的生产质量。

Description

一种大尺寸硅单晶生长坩埚
技术领域
本实用新型涉及坩埚领域,尤其是一种大尺寸硅单晶生长坩埚。
背景技术
坩埚是熔化和精炼金属液体以及固液加热、反应的容器,坩埚一般为瓷制品,规格有10、15、25、50mL等,种类有瓷坩埚、铁坩埚、氧化铝坩埚等,坩埚能耐高温,用来灼烧沉淀、熔化不与坩埚反应的盐类及使结晶水合物脱水等,坩埚用石灰、炭素及其他各种耐火土等为材料制成,坩埚可直接用火焰加热,但需预热;实验中,坩埚必须用坩埚钳夹取,严禁用手接触热的坩埚,以免烫伤;为防止溅出固体或落入杂质,加热时应盖上盖,但当物质受热有大量气体或液体生成时,不可加盖。
硅单晶在生产过程中,需要使用坩埚进行加热反应,但是目前的坩埚难以根据需要调节硅单晶生长时坩埚的高度,容易导致硅单晶生长高度出现局限性,不适用于大尺寸硅单晶的生长,影响硅单晶的生产质量,为此,我们提出一种大尺寸硅单晶生长坩埚解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种大尺寸硅单晶生长坩埚,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种大尺寸硅单晶生长坩埚,包括坩埚外壳,所述坩埚外壳的外表面固定连接有环形支板,所述环形支板的底面固定安装有多个电动推杆,每个所述电动推杆的伸缩端共同固定连接有升降板,所述升降板的上表面固定连接有连接柱,所述连接柱的顶端固定连接有连接板,所述连接板的上表面固定安装有石墨坩埚,所述石墨坩埚的外表面固定连接有电加热器,所述电加热器的外表面固定连接有隔热罩,所述隔热罩的内圈与石墨坩埚的外表面固定连接。
在进一步的实施例中,所述石墨坩埚的底面固定连接有多个连接杆,每个所述连接杆的底端均与升降板的上表面固定连接。
在进一步的实施例中,所述坩埚外壳的外表面固定连接有连接罩,所述连接罩的顶端固定连接有导流罩。
在进一步的实施例中,所述导流罩的外表面固定连接有内螺纹环,所述导流罩的上方设有密封盖。
在进一步的实施例中,所述环形支板的外表面固定连接有多个安装板,每个所述安装板的底面均开设有连接孔。
在进一步的实施例中,所述电加热器的底端固定连接有两个电极片,所述隔热罩的外表面与坩埚外壳的内壁滑动连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本装置通过设有的电加热器,可以对石墨坩埚内部的硅单晶原料进行加热,便于对其提拉加工,通过环形支板底部设有的电动推杆,利用电动推杆的伸展运动,同时与升降板和连接柱的配合,可以带动石墨坩埚以及硅单晶原料向下移动,将会增大硅单晶的生长空间,从而能够根据需要调节硅单晶生长时坩埚的高度,避免硅单晶生长高度出现局限性的问题,适用于大尺寸硅单晶的生长,提高硅单晶的生产质量。
附图说明
图1为大尺寸硅单晶生长坩埚正视图的立体结构示意图。
图2为大尺寸硅单晶生长坩埚中坩埚外壳正视图的剖视图。
图3为大尺寸硅单晶生长坩埚仰视图的立体结构示意图。
图4为大尺寸硅单晶生长坩埚俯视图的立体结构示意图。
图中:1、坩埚外壳;2、环形支板;3、连接柱;4、连接板;5、石墨坩埚;6、电加热器;7、隔热罩;8、电动推杆;9、导流罩;10、连接罩;11、内螺纹环;12、密封盖;13、电极片;14、安装板;15、连接孔;16、升降板;17、连接杆。
具体实施方式
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4,本实用新型中,一种大尺寸硅单晶生长坩埚,包括坩埚外壳1,坩埚外壳1的外表面固定连接有环形支板2,环形支板2的底面固定安装有多个电动推杆8,电动推杆8是一种将电动机的旋转运动转变为推杆的直线往复运动的电力驱动装置,可用于各种简单或复杂的工艺流程中做为执行机械使用,以实现远距离控制、集中控制或自动控制,每个电动推杆8的伸缩端共同固定连接有升降板16,升降板16的上表面固定连接有连接柱3,连接柱3的顶端固定连接有连接板4,连接板4的上表面固定安装有石墨坩埚5,石墨坩埚5的外表面固定连接有电加热器6,电加热器6的外表面固定连接有隔热罩7,隔热罩7的内圈与石墨坩埚5的外表面固定连接。
石墨坩埚5的底面固定连接有多个连接杆17,每个连接杆17的底端均与升降板16的上表面固定连接,坩埚外壳1的外表面固定连接有连接罩10,连接罩10的顶端固定连接有导流罩9,导流罩9的外表面固定连接有内螺纹环11,导流罩9的上方设有密封盖12,通过连接杆17能够加深升降板16与石墨坩埚5之间的连接,将会使两者连接更加的牢固,利用导流罩9可以对硅单晶原料进行导流,通过内螺纹环11和密封盖12,能够对石墨坩埚5的顶部进行密封。
环形支板2的外表面固定连接有多个安装板14,每个安装板14的底面均开设有连接孔15,电加热器6的底端固定连接有两个电极片13,隔热罩7的外表面与坩埚外壳1的内壁滑动连接,通过安装板14和连接孔15,可以对该装置进行安装支撑,利用电极片13,能够使电加热器6与电源连接。
本实用新型的工作原理是:首先将硅单晶原料注入至石墨坩埚5的内部,并启动电加热器6运转,可以对石墨坩埚5内部的硅单晶原料进行加热,当硅单晶加热熔化后进行生长时,启动电动推杆8进行伸展运动,可以带动升降板16以及连接柱3向下移动,同时也会带动石墨坩埚5以及硅单晶原料向下移动,继而能够增大硅单晶的生长空间,然后置入种植晶,并对种植晶缓慢提拉即可形成大尺寸的硅单晶。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (6)

1.一种大尺寸硅单晶生长坩埚,其特征在于:包括坩埚外壳(1),所述坩埚外壳(1)的外表面固定连接有环形支板(2),所述环形支板(2)的底面固定安装有多个电动推杆(8),每个所述电动推杆(8)的伸缩端共同固定连接有升降板(16),所述升降板(16)的上表面固定连接有连接柱(3),所述连接柱(3)的顶端固定连接有连接板(4),所述连接板(4)的上表面固定安装有石墨坩埚(5),所述石墨坩埚(5)的外表面固定连接有电加热器(6),所述电加热器(6)的外表面固定连接有隔热罩(7),所述隔热罩(7)的内圈与石墨坩埚(5)的外表面固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚,其特征在于:所述石墨坩埚(5)的底面固定连接有多个连接杆(17),每个所述连接杆(17)的底端均与升降板(16)的上表面固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚,其特征在于:所述坩埚外壳(1)的外表面固定连接有连接罩(10),所述连接罩(10)的顶端固定连接有导流罩(9)。
4.根据权利要求3所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚,其特征在于:所述导流罩(9)的外表面固定连接有内螺纹环(11),所述导流罩(9)的上方设有密封盖(12)。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚,其特征在于:所述环形支板(2)的外表面固定连接有多个安装板(14),每个所述安装板(14)的底面均开设有连接孔(15)。
6.根据权利要求1所述的一种大尺寸硅单晶生长坩埚,其特征在于:所述电加热器(6)的底端固定连接有两个电极片(13),所述隔热罩(7)的外表面与坩埚外壳(1)的内壁滑动连接。
CN202322112267.7U 2023-08-08 2023-08-08 一种大尺寸硅单晶生长坩埚 Active CN220489700U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202322112267.7U CN220489700U (zh) 2023-08-08 2023-08-08 一种大尺寸硅单晶生长坩埚

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202322112267.7U CN220489700U (zh) 2023-08-08 2023-08-08 一种大尺寸硅单晶生长坩埚

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220489700U true CN220489700U (zh) 2024-02-13

Family

ID=89830166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202322112267.7U Active CN220489700U (zh) 2023-08-08 2023-08-08 一种大尺寸硅单晶生长坩埚

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN220489700U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202530196U (zh) 一种生长单晶用籽晶杆及包括该籽晶杆的生长单晶设备
CN206624946U (zh) 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
CN220489700U (zh) 一种大尺寸硅单晶生长坩埚
CN112274954B (zh) 一种废渣残存乙醇回收系统及回收方法
CN117448573A (zh) 感应竖式还原炉及其工艺方法
CN105133019A (zh) 多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法
CN116288708B (zh) 一种单晶硅生产装置及生产方法
CN217341021U (zh) 一种电加热功率可调的搅拌釜
CN217266134U (zh) 一种单晶炉石墨热场的拆炉装置
CN113174630B (zh) 一种大尺寸半导体单晶生长系统
CN212404352U (zh) 气体搅拌装置及铸锭炉
CN210736945U (zh) 配合区熔管使用的区熔舟以及区熔设备
CN201778142U (zh) 具有改进气路的定向凝固炉
CN208618005U (zh) 一种太阳能单晶热场隔热装置
CN209355697U (zh) 一种竖式炉管用坩埚承载装置
CN101914806B (zh) 具有改进气路的定向凝固炉
CN207685114U (zh) 一种高温熔融观察用防溢料炉盖
CN207918664U (zh) 一种用于高温熔融观察系统的石英坩埚升降装置
CN221117723U (zh) 一种人工云母晶体制造环保熔制设备
CN105177701A (zh) 一种低能耗单晶炉
CN218596569U (zh) 一种单晶炉水冷热屏对中升降装置
CN217093501U (zh) 一种可快速加热的搪玻璃电加热反应罐
CN217203063U (zh) 一种用于生产lbo晶体的熔盐炉
CN203904425U (zh) 铟熔炼搅拌机
CN215366055U (zh) 一种散热片式锥桶水冷装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant