CN220440890U - 一种麦克风电路结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种麦克风电路结构，它属于驻极体电容式麦克风技术领域，包括第一端子、第二端子、场效应晶体管、驻极体膜片和第一电容，第一端子与场效应晶体管耦合，场效应晶体管分别与第一电容、驻极体膜片和第二端子耦合，驻极体膜片分别与第一电容和第二端子耦合，第一电容与第二端子耦合；本实用新型的第一电容的电容量与驻极体麦克风的本底噪声相关，增加第一电容的电容量第一电容可以有效地降低驻极体麦克风的本底噪声，即在降低灵敏度的前提下，保证信噪比(SNR)不变，使生产的麦克风可以符合灵敏度和信噪比(SNR)的特定指标要求。

Description

一种麦克风电路结构

技术领域

本实用新型涉及驻极体电容式麦克风技术领域，具体涉及一种麦克风电路结构。

背景技术

麦克风是一种将信号转换成电信号的换能器；现阶段，大多数的麦克风都是驻极体电容式麦克风(ECM)；驻极体电容式麦克风通常由声电转换和阻抗变换两部分组成；声电转换的关键元件是驻极体膜片和金属极板，它具有一片极薄的薄膜，在薄膜上蒸发一层金属薄膜形成蒸金面，然后再经过高压电场驻极后，薄膜上驻有电荷；驻极体膜片的一面与金属外壳相连通；驻极体膜片的另一面与金属极板之间用薄的绝缘垫片隔离开；蒸金面与金属极板之间形成一个电容；当驻极体膜片遇到声波振动时，会引起电容两端的电场发生变化，从而可以产生随声波变化而变化的交变电压；同时，在驻极体电容式麦克风中，还设有一只场效应晶体管做预放大。

灵敏度与信噪比(SNR)是麦克风的重要指标参数，通常情况下，信噪比(SNR)会跟随灵敏度的变化而发生变化，一些新型的麦克风对灵敏度和信噪比(SNR)有着特定的指标要求，现有的麦克风产品难以同时满足其对于灵敏度与信噪比(SNR)的要求。

因此，设计一种能够方便的调整灵敏度与信噪比(SNR)的麦克风电路结构是现阶段需要解决的一个问题。

实用新型内容

对于现有技术中所存在的问题，本实用新型提供的一种麦克风电路结构，第一电容的电容量与驻极体麦克风的本底噪声相关，增加第一电容的电容量可以有效地降低驻极体麦克风的本底噪声，即在降低灵敏度的前提下，保证信噪比(SNR)不变，使生产的麦克风可以符合灵敏度和信噪比(SNR)的特定指标要求。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种麦克风电路结构，包括第一端子、第二端子、场效应晶体管、驻极体膜片和第一电容，所述第一端子与所述场效应晶体管耦合，所述场效应晶体管分别与所述第一电容、所述驻极体膜片和所述第二端子耦合，所述驻极体膜片分别与所述第一电容和所述第二端子耦合，所述第一电容与所述第二端子耦合。

作为一种优选的技术方案，还包括第一电阻，所述第一电阻耦合于所述第一端子和所述场效应晶体管之间。

作为一种优选的技术方案，所述场效应晶体管具有栅极、源极和漏极，所述栅极分别与所述驻极体膜片和所述第一电容耦合，所述源极分别与所述第一电容和所述第二端子耦合，所述漏极与所述第一端子耦合。

作为一种优选的技术方案，还包括第二电容；所述第二电容分别与所述第一端子和所述第二端子耦合。

作为一种优选的技术方案，所述第二电容设为33pF。

作为一种优选的技术方案，还包括第三电容；所述第三电容分别与所述第一端子和所述第二端子耦合。

作为一种优选的技术方案，所述第三电容设为10pF。

作为一种优选的技术方案，所述场效应晶体管、所述驻极体膜片、所述第一电容、所述第一电阻、所述第二电容和所述第三电容形成麦克风盒。

作为一种优选的技术方案，所述第一端子连接有输出端。

作为一种优选的技术方案，所述第二端子接地。

本实用新型的有益效果表现在：

本实用新型的第一电容的电容量与驻极体麦克风的本底噪声相关，增加第一电容的电容量可以有效地降低驻极体麦克风的本底噪声，即在降低灵敏度的前提下，保证信噪比(SNR)不变，使生产的麦克风可以符合灵敏度和信噪比(SNR)的特定指标要求。

附图说明

图1为本实用新型一种麦克风电路结构的电路图；

图2为图1在实际产品上的结构示意图。

图中：1-第一电容。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

请参照图1和图2，为本实用新型一种麦克风电路结构的一种实施例，包括第一端子(Term.1)、第二端子(Term.2)、场效应晶体管(FET)、驻极体膜片(ECM unit)和第一电容1(C1)，第一端子(Term.1)与场效应晶体管(FET)耦合，场效应晶体管(FET)分别与第一电容1(C1)、驻极体膜片(ECM unit)和第二端子(Term.2)耦合，驻极体膜片(ECM unit)分别与第一电容1(C1)和第二端子(Term.2)耦合，第一电容1(C1)与第二端子(Term.2)耦合；第一电容1(C1)的电容量与驻极体麦克风的本底噪声反相关，第一电容1(C1)的电容量与灵敏度正相关，同时，第一电容1(C1)的电容量与驻极体麦克风的本底噪声的相关系数远远小于第一电容1(C1)的电容量与灵敏度的相关系数，增大第一电容1(C1)的电容量可以在降低灵敏度的同时保证信噪比(SNR)的变化量并不明显，因此，可以方便的调整麦克风的灵敏度与信噪比(SNR)。

在本实施例中，请参照图1，本实用新型还包括第一电阻(R1)，第一电阻(R1)耦合于第一端子(Term.1)和场效应晶体管(FET)之间。

在本实施例中，请参照图1，场效应晶体管(FET)具有栅极、源极和漏极，栅极分别与驻极体膜片(ECM unit)和第一电容1(C1)耦合，源极分别与第一电容1(C1)和第二端子(Term.2)耦合，漏极与第一端子(Term.1)耦合，本实用新型采用漏极输出的连接方式，类似晶体三极管的共发射极放入，只需两根引出线。

在本实施例中，请参照图1，本实用新型还包括第二电容(C2)；第二电容(C2)分别与第一端子(Term.1)和第二端子(Term.2)耦合；具体的，第二电容(C2)的电容量优选的设为33pF。

在本实施例中，请参照图1，本实用新型还包括第三电容(C3)；第三电容(C3)分别与第一端子(Term.1)和第二端子(Term.2)耦合；具体的，第三电容(C3)的电容量优选的设为10pF。

需要说明的，请参照图1，场效应晶体管(FET)、驻极体膜片(ECM unit)、第一电容1(C1)、第一电阻、第二电容(C2)和第三电容(C3)形成麦克风盒(Mic Case)。

需要说明的，第一端子(Term.1)连接有输出端，第一端子(Term.1)通过输出端可以输出电信号；第二端子(Term.2)接地。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种麦克风电路结构，其特征是，包括第一端子、第二端子、场效应晶体管、驻极体膜片和第一电容，所述第一端子与所述场效应晶体管耦合，所述场效应晶体管分别与所述第一电容、所述驻极体膜片和所述第二端子耦合，所述驻极体膜片分别与所述第一电容和所述第二端子耦合，所述第一电容与所述第二端子耦合。

2.根据权利要求1所述的一种麦克风电路结构，其特征是，还包括第一电阻，所述第一电阻耦合于所述第一端子和所述场效应晶体管之间。

3.根据权利要求1或2所述的一种麦克风电路结构，其特征是，所述场效应晶体管具有栅极、源极和漏极，所述栅极分别与所述驻极体膜片和所述第一电容耦合，所述源极分别与所述第一电容和所述第二端子耦合，所述漏极与所述第一端子耦合。

4.根据权利要求2所述的一种麦克风电路结构，其特征是，还包括第二电容；所述第二电容分别与所述第一端子和所述第二端子耦合。

5.根据权利要求4所述的一种麦克风电路结构，其特征是，所述第二电容设为33pF。

6.根据权利要求4所述的一种麦克风电路结构，其特征是，还包括第三电容；所述第三电容分别与所述第一端子和所述第二端子耦合。

7.根据权利要求6所述的一种麦克风电路结构，其特征是，所述第三电容设为10pF。

8.根据权利要求7所述的一种麦克风电路结构，其特征是，所述场效应晶体管、所述驻极体膜片、所述第一电容、所述第一电阻、所述第二电容和所述第三电容形成麦克风盒。

9.根据权利要求1所述的一种麦克风电路结构，其特征是，所述第一端子连接有输出端。

10.根据权利要求1所述的一种麦克风电路结构，其特征是，所述第二端子接地。