CN220413514U - 一种镀膜设备样品台组件 - Google Patents

一种镀膜设备样品台组件 Download PDF

Info

Publication number
CN220413514U
CN220413514U CN202321817416.3U CN202321817416U CN220413514U CN 220413514 U CN220413514 U CN 220413514U CN 202321817416 U CN202321817416 U CN 202321817416U CN 220413514 U CN220413514 U CN 220413514U
Authority
CN
China
Prior art keywords
cooling
base
extension edge
vacuum chamber
coating equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202321817416.3U
Other languages
English (en)
Inventor
吴向方
孔祥鹏
吴煦
蔡豫
梁家禄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pengcheng Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd
Original Assignee
Pengcheng Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pengcheng Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd filed Critical Pengcheng Semiconductor Technology Shenzhen Co ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN220413514U publication Critical patent/CN220413514U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型公开一种镀膜设备样品台组件,涉及半导体设备领域,镀膜设备具有真空室,镀膜设备样品台组件包括设置于真空室内的底座和加热组件;底座具有第一座面和相对的第二座面,第一座面与加热组件相连。底座的第二座面朝向上,第二座面包括第一环面、第二斜面、第三环面、第四竖面和第五圆面。其中,第一环面,绕第二座面的外延一周设置。第二斜面外延边与第一环面的内边相连,且第二斜面的内延边低于第二斜面的外延边。第三环面外延边与第二斜面的内延边相连,且与第一环面平行。第四竖面外延边与第三环面的内延边相连,且第四竖面垂直于第三环面。第五圆面与第四竖面的内延边垂直相连。其中,第三环面用于承载基片。本实用新型用于承载基片。

Description

一种镀膜设备样品台组件
技术领域
本实用新型涉及半导体设备领域,尤其涉及一种镀膜设备样品台组件。
背景技术
镀膜设备是在真空环境下,利用蒸镀、溅射以及随后凝结的办法,可以在金属、玻璃、陶瓷、半导体以及塑料件等物体上镀上金属薄膜或者是覆盖层。具体地,可以分为物理气相沉积技术(PVD)和化学气相沉积(CVD)。
其中,物理气相沉积技术(PVD)包括真空蒸镀、溅射镀膜和离子镀膜等。化学气相沉积(CVD)是利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
基于此,在一些镀膜的过程中需要将样品放置在真空室内的样品台上进行覆膜工序,例如,在进行化学沉积制备金刚石时,样品台也需要进行加热到一定温度传递给样品,从而达到反应条件。但是,由于通常用于承载样品的基片托温度的受热均匀性并不好,就导致样品表面镀膜均匀性不够,从而影响样品表面镀膜质量。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种镀膜设备样品台组件,通过改变用于承载样品的底座形状,从而使得底座的受热均匀性更好,进而提高样品受热均匀性,使得镀膜均匀性更佳。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型实施例提供一种镀膜设备样品台组件,所述镀膜设备具有真空室,所述镀膜设备样品台组件包括设置于所述真空室内的底座和加热组件;所述底座具有第一座面和相对的第二座面,所述第一座面与所述加热组件相连。
所述底座的第二座面朝向上,所述第二座面包括第一环面、第二斜面、第三环面、第四竖面和第五圆面。其中,第一环面,绕所述第二座面的外延一周设置。第二斜面外延边与所述第一环面的内边相连,且所述第二斜面的内延边低于第二斜面的外延边。第三环面外延边与所述第二斜面的内延边相连,且与所述第一环面平行。第四竖面外延边与所述第三环面的内延边相连,且所述第四竖面垂直于所述第三环面。第五圆面与所述第四竖面的内延边垂直相连。其中,所述第三环面用于承载基片。
进一步地,所述第一座面上开设有环形沟槽;所述加热组件包括加热丝,盘设于所述环形沟槽内。
进一步地,所述镀膜设备样品台组件还包括冷却台,设置于所述真空室内,所述底座具有环形沟槽的一面与所述冷却台上表面相连。所述镀膜设备样品台组件还包括垫片和导热片,垫片设置于所述底座和冷却台之间,所述垫片具有中心孔。导热片设置与所述中心孔内,且所述导热片与所述垫片的厚度相等。
进一步地,所述冷却台内形成有冷却腔;所述镀膜设备样品台组件还包括进水管和出水管。进水管与所述冷却台的底部相连,且与所述冷却腔相连通。出水管与所述冷却台的底部相连,且与所述冷却腔相连通。其中,所述进水管通入冷却水进入所述冷却腔后,由所述出水管排出。
进一步地,所述镀膜设备样品台组件还包括:
支架,设置于所述真空室底部,且与所述真空室外壁相连;
电机,固定在支架上,所述电机具有转轴;
蜗杆,与所述转轴同轴相连;
涡轮,与所述蜗杆齿合;
螺纹杆,一端与所述涡轮同轴相连,另一端与所述支架转动相连;
滑块,套设于所述螺纹杆上,且沿着所述螺纹杆移动;
连接杆,一端与所述滑块相连,另一端穿过所述真空室底壁与所述冷却台相连。
本实用新型的有益效果:
本实施例提供一种镀膜设备样品台组件,通过底座上表面设置的形状,可以使得样品(基片),放置在底座上时可以更好的保持稳定性。第二斜面可以对基片进行一定程度的限位。当基片放置在第三环面上时,基片中心区域和第五圆面之间具有一定的间隙,这个间隙可以防止基片与加热组件直接接触加热导致基片冷热不均,通过间隙的热量间接分散传递可以使得基片受热更加稳定。通过加热丝可以直接对底座进行加热,使得基片能够更加快速获得热量。而加热丝下方的导热片可以使得基片需要降温时,可以将基片和底座的热量迅速传递给冷却台从而达到快速降温效果。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的镀膜设备样品台组件与真空室连接示意图;
图2为本实用新型实施例提供的图1中的一种镀膜设备样品台组件示意图;
图3为本实用新型实施例提供的图2中的样品台示意图;
图4为本实用新型实施例提供的图3中的底座示意图;
图5为本实用新型实施例提供的加热丝示意图;
图6为本实用新型实施例提供的基片与底座剖面示意图;
图7为本实用新型实施例提供的底座剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型实施例进行详细描述。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
如图1和图2所示,本实用新型实施例提供一种镀膜设备样品台组件100,镀膜设备具有真空室200,镀膜设备样品台组件100包括设置于真空室200内的底座101和加热组件102。该镀膜设备样品台组件100还可以包括支架103、电机104、蜗杆105、涡轮106、螺纹杆107、滑块108和连接杆109,其中,支架103,设置于真空室200底部,且与真空室200外壁相连;电机104固定在支架103上,电机104具有转轴。蜗杆105与转轴同轴相连。涡轮106与蜗杆105齿合。螺纹杆107一端与涡轮106同轴相连,另一端与支架103转动相连。滑块108套设于螺纹杆107上,且沿着螺纹杆107移动。镀膜设备样品台组件100还包括冷却台110,设置于真空室200内,连接杆109一端与滑块108相连,另一端穿过真空室200底壁与冷却台110相连。其中,底座101用于承载基片300。
这样一来,通过电机104可以带动涡轮106、蜗杆105转动,从而带动螺纹杆107旋转,在此情况下,滑块108可以沿着螺纹杆107的竖直方向进行移动,从而带动连接杆109上下移动。最终可以使得底座101上下移动,从而达到样品台升降效果,满足工艺需求。
以下对上述提及的样品台进行具体说明,例如,在本申请的一些实施例中,如图3~图5所示,样片台中的该底座101可以具有第一座面1011和相对的第二座面1012,第一座面1011与加热组件102相连。第一座面1011上开设有环形沟槽1013;加热组件102包括加热丝1021,盘设于环形沟槽1013内。底座101具有环形沟槽1013的一面与冷却台110上表面相连。镀膜设备样品台组件100还包括垫片111和导热片112,垫片111设置于底座101和冷却台110之间,垫片111具有中心孔。导热片112设置与中心孔内,且导热片112与垫片111的厚度相等。
这样一来,通过第一座面1011上开设有环形沟槽1013可以将加热丝1021容纳在底座101的下表面。通过加热丝1021可以对底座101进行加热,从而将热量传导给底座101上的基片300。导热片112可以为石墨材质或陶瓷材质中的一种。本申请对此不作限定。通过导热片112可以使得与冷却台110间接接触的基片300可以得到快速降温。
如图3所示,对上述提及的冷却台110进行举例说明,例如,在本申请的一些实施例中,该冷却台110内可以形成有冷却腔;镀膜设备样品台组件100还包括进水管1101和出水管1102。进水管1101与冷却台110的底部相连,且与冷却腔相连通。出水管与冷却台110的底部相连,且与冷却腔相连通。其中,进水管1101通入冷却水进入冷却腔后,由出水管1102排出。
在此情况下,通过进水管1101和进水管1101可以将冷却台110的热量带走,从而达到对冷却台110降温的目的,从而使得冷却台110上方的导热片112和底座101得到降温。
以下对上述提及的底座101结构进行举例说明,例如,在本申请的一些实施例中,具体地,如图6和图7所示,底座101的第二座面1012朝向上,第二座面1012包括第一环面10121、第二斜面10122、第三环面10123、第四竖面10124和第五圆面10125。其中,第一环面10121,绕第二座面1012的外延一周设置。第二斜面10122外延边与第一环面10121的内边相连,且第二斜面10122的内延边低于第二斜面10122的外延边。第三环面10123外延边与第二斜面10122的内延边相连,且与第一环面10121平行。第四竖面10124外延边与第三环面10123的内延边相连,且第四竖面10124垂直于第三环面10123。第五圆面10125与第四竖面10124的内延边垂直相连。其中,第三环面10123用于承载基片300。这样一来,基片300中心区域和第五圆面10125之间具有一定的间隙,这个间隙可以防止基片300与加热组件102直接接触加热导致基片300冷热不均。通过间隙的热量间接分散传递可以使得基片300受热更加稳定。需要说明的是,这里提及的外延边是环形结构的外圈。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (5)

1.一种镀膜设备样品台组件,其特征在于,所述镀膜设备具有真空室,所述镀膜设备样品台组件包括设置于所述真空室内的底座和加热组件;所述底座具有第一座面和相对的第二座面,所述第一座面与所述加热组件相连;
所述底座的第二座面朝向上,所述第二座面包括:
第一环面,绕所述第二座面的外延一周设置;
第二斜面,外延边与所述第一环面的内边相连,且所述第二斜面的内延边低于第二斜面的外延边;
第三环面,外延边与所述第二斜面的内延边相连,且与所述第一环面平行;
第四竖面,外延边与所述第三环面的内延边相连,且所述第四竖面垂直于所述第三环面;
第五圆面,与所述第四竖面的内延边垂直相连;
其中,所述第三环面用于承载基片。
2.根据权利要求1所述的一种镀膜设备样品台组件,其特征在于,
所述第一座面上开设有环形沟槽;
所述加热组件包括加热丝,盘设于所述环形沟槽内。
3.根据权利要求2所述的一种镀膜设备样品台组件,其特征在于,
所述镀膜设备样品台组件还包括冷却台,设置于所述真空室内,所述底座具有环形沟槽的一面与所述冷却台上表面相连;
所述镀膜设备样品台组件还包括:
垫片,设置于所述底座和冷却台之间,所述垫片具有中心孔;
导热片,设置于所述中心孔内,且所述导热片与所述垫片的厚度相等。
4.根据权利要求3所述的一种镀膜设备样品台组件,其特征在于,所述冷却台内形成有冷却腔;
所述镀膜设备样品台组件还包括:
进水管,与所述冷却台的底部相连,且与所述冷却腔相连通;
出水管,与所述冷却台的底部相连,且与所述冷却腔相连通;其中,所述进水管通入冷却水进入所述冷却腔后,由所述出水管排出。
5.根据权利要求3或4所述的一种镀膜设备样品台组件,其特征在于,所述镀膜设备样品台组件还包括:
支架,设置于所述真空室底部,且与所述真空室外壁相连;
电机,固定在支架上,所述电机具有转轴;
蜗杆,与所述转轴同轴相连;
涡轮,与所述蜗杆齿合;
螺纹杆,一端与所述涡轮同轴相连,另一端与所述支架转动相连;
滑块,套设于所述螺纹杆上,且沿着所述螺纹杆移动;
连接杆,一端与所述滑块相连,另一端穿过所述真空室底壁与所述冷却台相连。
CN202321817416.3U 2023-05-29 2023-07-12 一种镀膜设备样品台组件 Active CN220413514U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2023106098229 2023-05-29
CN202310609822 2023-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN220413514U true CN220413514U (zh) 2024-01-30

Family

ID=89651451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202321817416.3U Active CN220413514U (zh) 2023-05-29 2023-07-12 一种镀膜设备样品台组件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN220413514U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7410923B2 (en) SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method
US5534072A (en) Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US7022948B2 (en) Chamber for uniform substrate heating
US5474612A (en) Vapor-phase deposition apparatus and vapor-phase deposition method
US4539933A (en) Chemical vapor deposition apparatus
KR100277807B1 (ko) 열흐름과 기체유동을 제어한 반도체웨이퍼처리방법 및 장치
EP0157052B1 (en) Low resistivity tungsten silicon composite film
TW201623683A (zh) 多個溫度範圍的基座、組件、反應器及包含該基座的系統和使用其之方法
CN1555424B (zh) 用于控制薄膜均匀性的工艺及由此制造的产品
US20050252454A1 (en) Contaminant reducing substrate transport and support system
KR19980063671A (ko) 기판의 균일 가열을 위한 기판 지지부재
EP1676295A2 (en) Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
JP2004519104A (ja) プロセス性能を高めるサセプタポケット断面
KR20050051666A (ko) 열처리 장치
KR20120073273A (ko) Cvd 반응기
KR101569956B1 (ko) 화학 처리 및 열처리용의 생산성이 높은 처리 시스템 및 동작 방법
CN108411362B (zh) 腔室及外延生长设备
CN220413514U (zh) 一种镀膜设备样品台组件
TW202111152A (zh) 化學氣相沉積設備、泵浦襯套及化學氣相沉積方法
EP0728850A2 (en) Quasi hot wall reaction chamber
CN114196944B (zh) 化学气相沉积装置及基片温度控制方法
US20220367236A1 (en) Heater pedestal with improved uniformity
TWI496938B (zh) A heat treatment method including a heating step, a processing step and a cooling step
CN211112182U (zh) 近空间升华装置
CN205839124U (zh) 低温低压类金刚石膜化学气相沉积反应腔

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant