CN220324452U - 一种半导体封装装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种半导体封装装置，包括导电结构；散热结构，设置在导电结构上方；封装层，设置在导电结构和散热结构之间；第一导热件，设置在导电结构上，且第一导热件导热连接于导电结构与散热结构。本申请通过在封装层的内部设置第一导热件，导电结构内部产生的热量通过第一导热件传导至散热结构，提升了导电结构产生的热传导至散热结构的效率。

Description

一种半导体封装装置

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体封装装置。

背景技术

近年来，随着电子产品朝向小型化和轻薄化的趋势进行发展，其内部电子元件的封装集成度也随之提升，在业界将芯片等电子元件嵌入基板内的高密度互连集成技术已经成为主流。

目前，嵌入式封装装置的电子元件集成度较高，正常工作中会产生大量的热，现有技术中，需要通过封装装置上设置散热片来进行散热，但其内部电子元件产生的大部分热量不能够直接传递到散热器，需通过封装材料传导至散热器，由于封装材料的散热性能较差，从而导致封装装置整体散热性能不佳，无法满足封装装置的散热需求。

发明内容

本申请提出了一种半导体封装装置。

第一方面，本公开提供一种半导体封装装置，包括导电结构；散热结构，设置在所述导电结构上方；封装层，设置在所述导电结构和所述散热结构之间；第一导热件，设置在所述导电结构上，且所述第一导热件导热连接于所述导电结构与所述散热结构。

在一些可选的实施方式中，所述导电结构包括导热图案，所述第一导热件导热连接于所述导热图案。

在一些可选的实施方式中，所述第一导热件被封装层封装，且贯穿所述封装层。

在一些可选的实施方式中，所述导电结构还包括线路图案，所述导热图案相较于所述线路图案更靠近于所述第一导热件。

在一些可选的实施方式中，所述导热图案的厚度大于所述线路图案的厚度。

在一些可选的实施方式中，还包括第一电子元件，所述第一电子元件设置于所述导电结构上，并被所述封装层封装；所述第一导热件位于所述第一电子元件的一侧，所述第一电子元件相对于所述第一导热件的另一侧设有第二导热件。

在一些可选的实施方式中，所述导电结构中埋设有第二电子元件和第三导热件，所述第三导热件导热连接所述第二电子元件，且所述第三导热件导热连接所述第一导热件或所述导热图案。

在一些可选的实施方式中，所述第三导热件的宽度不同于所述第一导热件的宽度。

在一些可选的实施方式中，所述第三导热件包括导热块或导热柱或导热环或导热鳍片。

在一些可选的实施方式中，所述第三导热件相较于所述第一导热件更靠近所述第二电子元件。

在一些可选的实施方式中，所述导电结构中还埋设有用于传递信号的导电柱，所述第三导热件相较于所述导电柱更靠近所述第二电子元件。

第二方面，本公开还提供一种半导体封装装置，包括导电结构；散热结构，设置在所述导电结构上方；第一电子元件，设置在所述导电结构上；第二电子元件，埋设在所述导电结构内，其中，所述第一电子元件相较于所述第二电子元件更靠近所述散热结构；第一导热件，设置在所述导电结构上，被配置成将所述第二电子元件产生的热传导到所述散热结构。

在一些可选的实施方式中，所述第二电子元件具有多个，所述导电结构上还设置有用于将所述第二电子元件产生的热传导到所述散热结构的第二导热件，所述第一导热件和所述第二导热件分别位于所述第一电子元件的不同侧。

在一些可选的实施方式中，所述导电结构包括导热图案；所述第一导热件和所述第二导热件分别导热连接于所述导热图案。

在一些可选的实施方式中，所述第一导热件与所述第二导热件在水平方向上重叠。

在一些可选的实施方式中，还包括第三导热件，所述第三导热件设置在所述第二电子元件上，被配置成将所述第二电子元件产生的热传导到所述第一导热件。

在一些可选的实施方式中，所述第二电子元件产生的热通过所述第三导热件提供的垂直方向的散热路径传导到所述第一导热件。

在一些可选的实施方式中，所述第三导热件与所述第一导热件水平方向上不重叠。

在一些可选的实施方式中，所述第一导热件与所述第三导热件在垂直方向上至少有部分重叠。

在一些可选的实施方式中，所述第三导热件与所述第一导热件在垂直方向上相互错开。

在一些可选的实施方式中，所述导电结构还包括介电层，所述介电层封装所述第二电子元件及所述第三导热件。

在一些可选的实施方式中，所述第一导热件和所述第二导热件为实质相同的金属块。

为了解决目前半导体封装装置整体散热性能不佳的问题，本申请提出一种半导体封装装置。本申请通过在封装层的内部设置第一导热件，导电结构内部产生的热量通过第一导热件传导至散热结构，提升了导电结构产生的热传导至散热结构的效率。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例1a的纵向截面结构示意图；

图2是图1所示的半导体封装装置中第三导热件的一个实施例的俯视图；

图3是图1所示的半导体封装装置中第三导热件的另一个实施例的俯视图；

图4是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例2a的纵向截面结构示意图；

图5是图4所示的半导体封装装置中第三导热件的一个实施例的俯视图；

图6是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例3a的纵向截面结构示意图；

图7是图6所示的半导体封装装置中第三导热件的一个实施例的俯视图；

图8是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例4a的纵向截面结构示意图；

图9是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例5a的纵向截面结构示意图；

图10是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例6a的纵向截面结构示意图；

图11是本申请的一种半导体封装装置一个实施例的俯视图；

图12-21分别是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例的制造流程的示意图；

图22-31分别是本申请的一种半导体封装装置的另一个实施例的制造流程的示意图。

附图标记/符号说明：

10-导电结构，11-导热图案，12-第一线路图案，13-第二线路图案，14-焊料；20-第一导热件；30-第二导热件；40-第三导热件，41-导热柱，42-导热鳍片，43-导热块，44-导热环；50-封装层，51-介电层；60-散热结构；70-第一电子元件；80-第二电子元件，81-导电柱，90-第三电子元件，91-载板，92-种子层，93-被动元件，94-打线。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对说明本申请的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本申请所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

应容易理解，本申请中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。

此外，为了便于描述，本文中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90°或以其他定向)，并且在本文中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。

本文中所使用的术语“层”是指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个下层或上层结构上延伸，或者可以具有小于下层或上层结构的范围的程度。此外，层可以是均质或不均质连续结构的区域，其厚度小于连续结构的厚度。例如，层可以位于连续结构的顶表面和底表面之间或在其之间的任何一对水平平面之间。层可以水平地、垂直地和/或沿着锥形表面延伸。基板(substrate)可以是一层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以在其上、之上和/或之下具有一个或多个层。一层可以包括多层。例如，半导体层可以包括一个或多个掺杂或未掺杂的半导体层，并且可以具有相同或不同的材料。

本文中使用的术语“基板(substrate)”是指在其上添加后续材料层的材料。基板本身可以被图案化。添加到基板顶部的材料可以被图案化或可以保持未图案化。此外，基板可以包括各种各样的半导体材料，诸如硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等。可替选地，基板可以由非导电材料制成，诸如玻璃、塑料或蓝宝石晶片等。进一步可替选地，基板可以具有在其中形成的半导体装置或电路。

需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本申请所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本申请可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本申请可实施的范畴。

还需要说明的是，本申请的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，水平截面可以为对应上视图方向截面。

另外，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

参考图1，图1是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例1a的纵向截面结构示意图。如图1所示的半导体封装装置1a，本申请的半导体封装装置包括导电结构10、第一导热件20、散热结构60及封装层50。

其中，散热结构60设置在导电结构10的上方。封装层50设置在导电结构10和散热结构60之间。第一导热件20设置于导电结构10上，且第一导热件20导热连接于导电结构10与散热结构60。

这里，散热结构60是用于解决半导体元器件发热问题的散热器件，其工作原理是通过将封装装置产生的热量传输给散热器件，散热器件将热量散发到周围空气中，通过自然对流(convection)或强制对流，来进一步提升散热效果，常见的半导体散热片材料有铝、铜等高导热材料，其表面还会加工有散热鳍片来增加表面积，提高散热效率。

这里，封装层50可以由各种模封材料(Molding Compound)形成。示例性的，模封材料可包括环氧树脂(Epoxy resin)、填充物(Filler)、催化剂(Catalyst)、颜料(Pigment)、脱模剂(Release Agent)、阻燃剂(Flame Retardant)、耦合剂(Coupling Agent)、硬化剂(Hardener)、低应力吸收剂(Low Stress Absorber)、粘合促进剂(Adhesion Promoter)、离子捕获剂(Ion Trapping Agent)等。

本申请通过在封装层50的内部设置第一导热件20，导电结构10内部产生的热量通过第一导热件20传导至散热结构60，提升了导电结构10产生的热传导至散热结构60的效率。

在一些可选的实施方式中，导电结构10还包括导热图案11，第一导热件20和第二导热件30分别导热连接于导热图案11。

这里，导热图案11通常采用电镀工艺(Electroplating)形成，用于实现电子元件的装配和连接，还可以用于传导封装装置中导电结构10所产生的热量。

在一些可选的实施方式中，第一导热件20被封装层50封装。

在一些可选的实施方式中，第一导热件20贯穿封装层50。

在一些可选的实施方式中，导电结构10还包括第一线路图案12，导热图案11相较于第一线路图案12更靠近于第一导热件20。

这里，第一线路图案12通常也采用电镀工艺(Electroplating)形成，用于实现电子元件的装配和连接，主要用于封装装置内部电子元件之间的电连接。

在一些可选的实施方式中，导热图案11的厚度大于第一线路图案12的厚度。

这里，导热图案11主要用于导热，增加相应的厚度以提升导热图案11的导热性能，第一线路图案12主要用于导电。

继续参考图1，在一些可选的实施方式中，还包括第一电子元件70，第一电子元件70设置于导电结构10上，并被封装层50封装；第一导热件20位于第一电子元件70的一侧，第一电子元件70相对于第一导热件20的另一侧设有第二导热件30。

这里，第一导热件20及第二导热件30分别位于第一电子元件70的不同侧，以实现增大封装装置中导电结构10热量的可传导面，有利于提升导电结构10产生的热传导至散热结构60的效率。

进一步的，第一导热件20、第二导热件30、导电结构10、散热结构60之间形成热回路，以实现对于导电结构10中不同区域产生的热能够进行均匀分配，提升了热传导至散热结构60的效率，示例性的，第一导热件20导热的温度较高，第二导热件30的导热温度相对较低时，第一导热件20与第二导热件30之间进行热传导，以实现热传递(heat transfer)时相对平衡，有效提升了热传导的效率。

在一些可选的实施方式中，导电结构10中埋设有第二电子元件80和第三导热件40，第三导热件40导热连接第二电子元件80，且第三导热件40导热连接第一导热件20或导热图案11。

这里，电子元件(electronic component)是电子电路中的基本元素，通常是个别封装，并具有两个或以上的引线或金属接点。电子元件须相互连接以构成一个具有特定功能的电子电路，电子元件可以是单独的封装，也可以是各种不同复杂度的群组封装；其中，第二电子元件80可以设置在第一线路图案12和第二线路图案13之间，可以倒装焊接在第二线路图案13上。

在一些可选的实施方式中，第三导热件40的宽度不同于第一导热件20的宽度。

这里，由于封装层50和导电结构10的热膨胀系数(CTE)不同，在承受同样热量的情况下，其变形程度不同，然而通过调整位于封装层50内的第一导热件20和位于导电结构10内的第三导热件40的宽度，可以使封装层50和导电结构10承受热量后发生的形变程度相对一致，从而避免整个装置因不同结构层的形变程度不同而发生翘曲或扭曲变形等问题。

在一些可选的实施方式中，第三导热件40相较于第一导热件20更靠近第二电子元件80。

这里，第三导热件40位于第一导热件20及第二电子元件80之间，以实现埋设于导电结构10内部的第二电子元件80产生的热能够依次通过第三导热件40及第一导热件20传递至散热结构60。

在一些可选的实施方式中，导电结构10中还埋设有用于传递信号的导电柱81，第三导热件40相较于导电柱81更靠近第二电子元件80。

这里，导电柱81用于信号的传递。

继续参考图1，在一些可选的实施方式中，导电结构10为基板(SBT，substrate)，第二电子元件80是内埋在导电结构内部的内埋式电子元件。“基板”是指在其上添加后续材料层的材料。基板本身可以被图案化。添加到基板顶部的材料可以被图案化或可以保持未图案化。

导电结构10可以包括介电层51，第二电子元件80及第三导热件40内埋在介电层51内部。介电层51可以包括有机物和/或无机物，有机物例如可以是：聚酰胺纤维(Polyamide，PA)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、环氧树脂(Epoxy)、聚对苯撑苯并二噁唑(Poly-p-phenylene benzobisoxazole，PBO)纤维、FR-4环氧玻璃布层压板、PP(PrePreg，预浸材料或称为半固化树脂、半固化片)、ABF(Ajinomoto Build-up Film)等，无机物例如可以是硅(Si)，玻璃(glass)，陶瓷(ceramic)，氧化硅，氮化硅，氧化钽等。

这里，在一些可选的实施方式中，介电层51也可以由各种模封材料(MoldingCompound)形成，介电层51封装第二电子元件80、第三导热件40，以实现介电层51对第二电子元件80、第三导热件40及其导电结构10的整体进行保护，由于导电结构10内部的电子元件必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对电子元件电路的腐蚀而造成电气性能下降，保护电子元件的表面以及连接引线等，使电子元件在电气或热物理等方面免受外力损害及外部环境的影响；同时通过封装使电子元件的CTE(coefficient ofthermal expansion，热膨胀系数)与基板的CTE相匹配，这样就能改善由于外部环境的变化以及电子元件自身发热而使导电结构10内部结构损坏的概率。

继续参考图1，在一些可选的实施方式中，导电结构10还包括第二线路图案13。导电图案11、第一线路图案12和第二线路图案13在竖直方向上依次间隔设置，介电层51填充于导电图案11和第一线路图案12之间以及第一线路图案12和第二线路图案13之间，可作为线路层之间的介电层51，第二线路图案13上焊接有焊料14(例如焊球)，焊料14被配置成连接外部的装置。

在一些可选的实施方式中，还包括第三电子元件90，第三电子元件90封装于介电层51的内部。示例性的，第三电子元件90可以以倒装焊方式电连接到第一线路图案12上，也可以通过打线94电连接到第一线路图案12上。

参考图2和图3，图2是图1所示的半导体封装装置中第三导热件40的一个实施例的俯视图，图3是图1所示的半导体封装装置中第三导热件40的另一个实施例的俯视图。如图2和图3所示，在一些可选的实施方式中，第三导热件40包括导热柱41或导热鳍片42。

这里，导热柱41包括但不限于为圆形金属柱或圆形非金属柱，导热鳍片42包括但不限于为长条形金属片或非金属片。

参考图4，图4是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例2a的纵向截面结构示意图。如图4所示的半导体封装装置2a类似于图1所示的半导体封装装置1a，不同之处在于，第三导热件40还可以为导热块43。这里，导热块43包括但不限于为各种形状的金属块或非金属块。

参考图5，图5是图4所示的半导体封装装置中第三导热件40一个实施例的俯视图。如图5所示，导热块43可以为长方体形状，其可以由各种材料制成，比如铜合金(copperalloy)、铝合金(aluminum alloy)、陶瓷(ceramics)、石墨烯铝合金(Graphene-aluminumalloy)、石墨烯铜(Graphene copper)等。

参考图6，图6是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例3a的纵向截面结构示意图。如图6所示的半导体封装装置3a类似于图1所示的半导体封装装置1a，不同之处在于，第三导热件40还可以为导热环44，导热环44围绕于导电柱81。这里，导热环44包括但不限于为各种形状的金属环或非金属环。

参考图7，图7是图6所示的半导体封装装置中第三导热件40的一个实施例的俯视图。如图7所示，导热环44可以为矩形环或圆形环，其也可以由铜合金、铝合金、陶瓷、覆有石墨烯涂层的金属制成。另外，导热环44可以是连续的，也可以是非连续的(例如由多个导热块43围成圆形)。

参考图8-10，图8是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例4a的纵向截面结构示意图，图9是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例5a的纵向截面结构示意图，图10是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例6a的纵向截面结构示意图。

如图8所示的半导体封装装置4a类似于图1所示的半导体封装装置1a，不同之处在于，未包含导电结构10以外的封装层50，即，未包含：散热结构60、第一导热件20、第二导热件30，第一电子元件70、被动元件93及封装层50。这里，第三导热件40可以为导热柱41或导热鳍片42。

如图9所示的半导体封装装置5a类似于图8所示的半导体封装装置4a，不同之处在于，第三导热件40为导热块43。

如图10所示的半导体封装装置6a类似于图8所示的半导体封装装置4a，不同之处在于，第三导热件40为导热环44。

参考图11，图11是本申请的一种半导体封装装置一个实施例的俯视图。如图11所示，在一些可选的实施方式中，还包括设置在导电结构10上的被动元件93，被动元件93可与导电柱81电性连接。这里，被动元件93包括但不限于电阻器、电感器、电容器等。

为便于理解，下面继续参考图1，介绍本申请的半导体封装装置的另一实施方式。

继续参考图1，本申请的半导体封装装置，包括导电结构10、散热结构60、第一电子元件70、第二电子元件80、第一导热件20。

其中，散热结构60设置在导电结构10上方；

第一电子元件70设置在导电结构10上；

第二电子元件80埋设在导电结构10内，其中，第一电子元件70相较于第二电子元件80更靠近散热结构60；

第一导热件20设置在导电结构10上，被配置成将第二电子元件80产生的热传导到散热结构60。

这里，第一电子元件70相较于第二电子元件80更靠近于散热结构60，其第二电子元件80产生的热通过第一导热件20传导至散热结构60，有效提升了第二电子元件80产生的热传导至散热结构60的效率，从而提升了导电结构10内部产生的热传导至散热结构60的效率。

继续参考图1，在一些可选的实施方式中，第二电子元件80具有多个，导电结构10上还设置有用于将第二电子元件80产生的热传导到散热结构60的第二导热件30，第一导热件20和第二导热件30分别位于第一电子元件70的不同侧。

在一些可选的实施方式中，导电结构10包括导热图案11；第一导热件20和第二导热件30分别导热连接于导热图案11，并与散热结构60共同形成热回路。

在一些可选的实施方式中，第一导热件20与第二导热件30在水平方向上重叠。

在一些可选的实施方式中，还包括第三导热件40，第三导热件40设置在第二电子元件80上，被配置成将第二电子元件80产生的热传导到第一导热件20。

在一些可选的实施方式中，第一导热件20和第二导热件30被封装层50封装，且贯穿封装层50。

在一些可选的实施方式中，导电结构10中还埋设有第三导热件40，第三导热件40导热连接第二电子元件80，且第三导热件40导热连接第一导热件20或导热图案11。

在一些可选的实施方式中，第二电子元件80产生的热通过第三导热件40提供的垂直方向的散热路径传导到第一导热件20。

在一些可选的实施方式中，第三导热件40与第一导热件20水平方向上不重叠。

在一些可选的实施方式中，第一导热件20与第三导热件40在垂直方向上至少有部分重叠。

这里，第一导热件20与第三导热件40之间在垂直方向上可以部分重叠，也可以横向完全重叠。

在一些可选的实施方式中，第三导热件40与第一导热件20在垂直方向上相互错开。

在一些可选的实施方式中，导电结构10还包括介电层51，介电层51封装第二电子元件80及第三导热件40。

在一些可选的实施方式中，第三导热件40的宽度不同于第一导热件20的宽度。

在一些可选的实施方式中，第三导热件40包括导热块43或导热柱41或导热环44或导热鳍片42。

在一些可选的实施方式中，第一导热件20和第二导热件30为实质相同的金属块。

参考图12-21，图12-21分别是本申请的一种半导体封装装置的一个实施例的制造流程的示意图。

参考图12，提供载板91，于载板91上以物理气相沉积(Physical VaporDeposition，PVD)等工艺形成种子层92，以及，于种子层92上以电镀工艺形成导热图案11。

参考图13，形成第三导热件40及导电柱81。可选的，可以在导热图案11上电镀形成第三导热件40和导电柱81。然后，通过芯片倒装(Flip Chip)将所需芯片电连接于导热图案11。这里，第三导热件40可以是导热柱41或导热鳍片42。

参考图14，使用模封材料或ABF(Ajinomoto Build-up Film)材料对芯片、导热图案11及第三导热件40进行封装后，并进行打磨。

参考图15，形成第一线路图案12、导电柱81，并设置第二电子元件80及第三电子元件90。其中，在第三导热件40及导电柱81上方电镀第一线路图案12，在第一线路图案12上电镀导电柱81，并在第一线路图案12上设置第二电子元件80和第三电子元件90，可以采用引线键合(Wire Bonding)的方式，将第三电子元件90与第一线路图案12通过打线94进行电连接。

参考图16，使用模封材对第一线路图案12、第一线路图案12上的导电柱81、第二电子元件80及第三电子元件90封装后，进行打磨，形成由介电层51封装的导电结构10。

参考图17，提供第二线路图案13，在第一线路图案12电镀的导电柱81上电镀第二线路图案13，并在第二线路图案13上涂覆阻焊剂。

这里，阻焊剂可以为多种类型的阻焊剂，例如：紫外光(UV)固化型阻焊剂、热固化型阻焊剂、液态感光型阻焊剂、干膜型阻焊剂。

参考图18，去除载板91(见图17)，并对种子层92(见图12)进行蚀刻。

参考图19，提供第一电子元件70、被动元件93、第一导热件20及第二导热件30，将第一电子元件70通过芯片倒装(Flip Chip)工艺电连接于导电结构10，并用底部填充材对导电结构10与第一电子元件70之间的缝隙进行填充，同时安装被动元件93、第一导热件20及第二导热件30，其第一导热件20及第二导热件30通过焊料14进行固定。

参考图20，使用模封材对被动元件93、第一导热件20、第二导热件30及第一电子元件70封装后，进行打磨，以形成封装层50。

参考图21，提供散热结构60，在封装层50上安装散热结构60，并在散热结构60与封装层50之间填充导热胶，并通过BGA(Ball GridArray，植球工艺)在导电结构10上焊接焊料14(例如焊球)，焊料14被配置成连接外部的装置。

参考图22-31，图22-31分别是本申请的一种半导体封装装置的另一个实施例的制造流程的示意图。

如图22-31所示的制造流程图类似于图12-21所示的制造流程图，不同之处在于，第三导热件40为导热块43，其导热块43可以是通过电镀工艺电镀而成，也可以使用焊料14将预制的导热块43进行固定。

尽管已参考本申请的特定实施例描述并说明本申请，但这些描述和说明并不限制本申请。所属领域的技术人员可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施例内替代等效元件而不脱离如由所附权利要求书限定的本申请的真实精神和范围。图示可能未必按比例绘制。归因于制造过程中的变量等等，本申请中的技术再现与实际实施之间可能存在区别。可存在未特定说明的本申请的其它实施例。应将说明书和图示视为说明性的，而非限制性的。可作出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或过程适应于本申请的目标、精神以及范围。所有此些修改都落入在此所附权利要求书的范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所申请的方法，但应理解，可在不脱离本申请的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本申请。

Claims (12)

1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

导电结构；

散热结构，设置在所述导电结构上方；

封装层，设置在所述导电结构和所述散热结构之间；

第一导热件，设置在所述导电结构上，且所述第一导热件导热连接于所述导电结构与所述散热结构。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导电结构包括导热图案，所述第一导热件导热连接于所述导热图案。

3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第一导热件被封装层封装，且贯穿所述封装层。

4.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导电结构还包括线路图案，所述导热图案相较于所述线路图案更靠近于所述第一导热件。

5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括：

第一电子元件，所述第一电子元件设置于所述导电结构上，并被所述封装层封装；

所述第一导热件位于所述第一电子元件的一侧，所述第一电子元件相对于所述第一导热件的另一侧设有第二导热件。

6.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导电结构中埋设有第二电子元件和第三导热件，所述第三导热件导热连接所述第二电子元件，且所述第三导热件导热连接所述第一导热件或所述导热图案。

7.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：

导电结构；

散热结构，设置在所述导电结构上方；

第一电子元件，设置在所述导电结构上；

第二电子元件，埋设在所述导电结构内，其中，所述第一电子元件相较于所述第二电子元件更靠近所述散热结构；

第一导热件，设置在所述导电结构上，被配置成将所述第二电子元件产生的

热传导到所述散热结构。

8.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第二电子元件具有多个，所述导电结构上还设置有用于将所述第二电子元件产生的热传导到所述散热结构的第二导热件，所述第一导热件和所述第二导热件分别位于所述第一电子元件的不同侧。

9.根据权利要求7所述的半导体封装装置，其特征在于，还包括第三导热件，所述第三导热件设置在所述第二电子元件上，被配置成将所述第二电子元件产生的热传导到所述第一导热件。

10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第三导热件与所述第一导热件水平方向上不重叠。

11.根据权利要求10所述的半导体封装装置，其特征在于，所述第一导热件与所述第三导热件在垂直方向上至少有部分重叠。

12.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其特征在于，所述导电结构还包括介电层，所述介电层封装所述第二电子元件及所述第三导热件。