CN220324426U - 一种电场分布均匀的工艺腔室装置 - Google Patents
一种电场分布均匀的工艺腔室装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220324426U CN220324426U CN202321974509.7U CN202321974509U CN220324426U CN 220324426 U CN220324426 U CN 220324426U CN 202321974509 U CN202321974509 U CN 202321974509U CN 220324426 U CN220324426 U CN 220324426U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electric field
- process chamber
- electrodes
- reinforcing plate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
本实用新型公开了一种电场分布均匀的工艺腔室装置。上述工艺腔室装置包括用于提供半导体延长工艺的加工空间的真空腔体、固定安装在所述真空腔体外部的电极组件以及电场加强板。电极组件包括至少二组正极电极和至少二组负极电极。其中一个所述电场加强板连接于相邻正极电极之间，另一个所述电场加强板连接于相邻负极电极之间。其中，所述电场加强板包括平板部、从平板部向两侧倾斜延伸的连接部。本实用新型可加强电极边缘处的电场，令真空腔体内的电场分布更加均匀，解决电极间隔处因电场较弱而影响离子运动和离子的分布，导致腔体空间内半导体衬底上镀膜厚度不均匀、影响质量的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种电场分布均匀的工艺腔室装置。
背景技术
与本实用新型相关的现有技术可参考中国专利202110869575.7所述，其揭示的处理设备包括电极，通过电极形成电场来对不同电性的等离子体产生作用力，前述所揭示的方案中设有二对电极，即两个正极电极与两个负极电极，两个正极电极设于反应腔一侧，而负极电极设于反应腔另一侧，如此在设于反应腔两侧的正极电极与负极电极之间形成电场，引导反应腔内离子的运动。
然而，上述技术方案存在下述问题：由于两个正极电极之间设有间隔，负极电极之间也设有间隔，因此在此间隔处的电场较弱，会影响离子运动，进而影响离子的分布，导致反应腔内半导体衬底上镀膜厚度不均匀，影响质量。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种电场分布均匀的工艺腔室装置来加强电极之间的电场，使得电场分布更加均匀以保证工艺腔室内的镀膜质量。
一种电场分布均匀的工艺腔室装置，包括：
真空腔体；
固定安装在所述真空腔体外部的电极组件，其包括至少两组正极电极和至少两组负极电极；以及
电场加强板；其中一个所述电场加强板连接于相邻正极电极之间，另一个所述电场加强板连接于相邻负极电极之间。
上述工艺腔室装置解决了电极间隔处因电场较弱而影响离子运动和离子的分布，导致腔体空间内半导体衬底上镀膜厚度不均匀、影响质量的问题。
在其中一个实施例中，所述正极电极和负极电极的数量均为两组，两组所述正极电极间隔布设于真空腔体外部一侧，两组所述负极电极间隔设于真空腔体外部另一侧。
进一步地，所述正极电极和负极电极相对布设。
在其中一个实施例中，所述电场加强板的数量为两组，两组所述电场加强板对称布设在所述真空腔体的相对应两侧位置处。
在其中一个实施例中，所述电场加强板包括平板部、从平板部向两侧倾斜延伸的连接部、贯通开设在所述平板部中部处的开口。
进一步地，和两组正极电极相连接的所述电场加强板，其一组连接部延伸固定在一组正极电极的中部位置，剩余一组连接部延伸固定在另一组正极电极的中部位置；
和两组负极电极相连接的所述电场加强板，其一组连接部延伸固定在一组负极电极的中部位置，剩余一组连接部延伸固定在另一组负极电极的中部位置。
再进一步地，所述电场加强板覆盖至少一个相邻电极之间的间隔。
在其中一个实施例中，所述工艺腔室装置还包括底板，其用于承载所述真空腔体。
进一步地，所述底板上贯通开设有通孔，其用于容置所述真空腔体的一端。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过在电极外围再设置一电场加强板，并且此电场加强板覆盖至少一个相邻电极之间的间隔，如此可以加强电极边缘处的电场，从而令真空腔体内的电场分布更加均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
图1所示为本实用新型实施例1提供的一种电场分布均匀的工艺腔室装置的结构示意图。
图2所示为图1的局部放大图。
图3为所示为本实用新型实施例2提供的一种电场分布均匀的工艺腔室装置的示意图。
主要元件符号说明
1、底板；2、真空腔体；3、电极组件；31、正极电极；32、负极电极；4、电场加强板；41、平板部；42、连接部；43、开口。
以上主要元件符号说明结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
请参阅图1-2，本实施例提供了一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其应用于半导体产品的氧化加工、CVD等生产工艺中。上述工艺腔室装置包括用于提供半导体延长工艺的加工空间的真空腔体2、固定安装在所述真空腔体2外部的电极组件3、两组电场加强板4、以及用于承载所述真空腔体2的底板1。
所述底板1上贯通开设有通孔，其用于容置所述真空腔体2的一端，本实施例中，采用底板1作为安装框架(图未示)的一部分，起到承载真空腔体2的作用，采用石英材质的真空腔体2来提供形成半导体延长工艺的腔体空间，半导体衬底(未图示)放置于真空腔体2内以进行镀膜或氧化等加工工艺。
所述电极组件3包括正极电极31和负极电极32，所述正极电极31和负极电极32的数量均为两组，两组所述正极电极31间隔布设于真空腔体2外部一侧，两组所述负极电极32间隔设于真空腔体2外部另一侧，所述正极电极31和负极电极32相对布设。本实施例中，采用由正极电极31和负极电极32构成的电极组件3作为工艺腔室装置的处理部分，通过于正极电极31和负极电极32之间形成电场来引导真空腔体2所提供的腔体空间内离子的运动，从而达到对置放于真空腔体2内的半导体衬底进行镀膜的目的。
两组所述电场加强板4对称布设在所述真空腔体2的相对应两侧位置处，其中一组所述电场加强板4连接于两组正极电极31之间，另一组所述电场加强板4连接于两组负极电极32之间，本实施例中，电场加强板4覆盖至少一个相邻电极之间的间隔。其中，所述电场加强板4包括平板部41、从平板部41向两侧倾斜延伸的连接部42、贯通开设在所述平板部41中部处的开口43。基于开口43以便在生产过程中观察真空腔体2内的状况。和两组正极电极31相连接的所述电场加强板4，其一组连接部延伸固定在一组正极电极31的中部位置，剩余一组连接部延伸固定在另一组正极电极31的中部位置。和两组负极电极32相连接的所述电场加强板4，其一组连接部延伸固定在一组负极电极32的中部位置，剩余一组连接部延伸固定在另一组负极电极32的中部位置。
针对当下半导体处理装置，设于反应腔两侧的电极之间存在间隔，导致在此间隔处的电场较弱，会影响离子运动，进而影响离子的分布，使得反应腔内半导体衬底上镀膜厚度不均匀，影响质量的问题，本实施例采用电场加强板4来连接相邻电极以覆盖间隔，从而达到加强电极边缘处的电场，令真空腔体2内的电场分布更加均匀的目的。
实施例2
请参阅图3，本实施例提供了一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其和实施例1的区别在于：本实施例设有三组正极电极31和三组负极电极32，电场加强板4覆盖三个相邻电极之间的二个间隔。
综上，本实施例的工艺腔室装置，具备下述优点：通过在电极外围再设置一电场加强板4，并且此电场加强板4覆盖至少一个相邻电极之间的间隔，如此可以加强电极边缘处的电场，从而令真空腔体2内的电场分布更加均匀，解决电极间隔处因电场较弱而影响离子运动和离子的分布，导致腔体空间内半导体衬底上镀膜厚度不均匀、影响质量的问题。
对于所涉及的各个部件的命名，以其在说明书中描述的功能作为命名的标准，而不受本实用新型所用到的具体的名词的限定，本领域的技术人员也可以选用其它的名词来描述本实用新型的各个部件名称。
Claims (9)
1.一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，包括：
真空腔体(2)；
固定安装在所述真空腔体(2)外部的电极组件(3)，其包括至少两组正极电极(31)和至少两组负极电极(32)；以及
电场加强板(4)；其中一个所述电场加强板(4)连接于相邻正极电极(31)之间，另一个所述电场加强板(4)连接于相邻负极电极(32)之间。
2.根据权利要求1所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，两组所述正极电极(31)间隔布设于真空腔体(2)外部一侧，两组所述负极电极(32)间隔设于真空腔体(2)外部另一侧。
3.根据权利要求2所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，所述正极电极(31)和负极电极(32)相对布设。
4.根据权利要求1所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，两组所述电场加强板(4)对称布设在所述真空腔体(2)的相对应两侧位置处。
5.根据权利要求1所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，所述电场加强板(4)包括平板部(41)、从平板部(41)向两侧倾斜延伸的连接部(42)、贯通开设在所述平板部(41)中部处的开口(43)。
6.根据权利要求5所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，和两组正极电极(31)相连接的所述电场加强板(4)，其一组连接部延伸固定在一组正极电极(31)的中部位置，剩余一组连接部延伸固定在另一组正极电极(31)的中部位置；
和两组负极电极(32)相连接的所述电场加强板(4)，其一组连接部延伸固定在一组负极电极(32)的中部位置，剩余一组连接部延伸固定在另一组负极电极(32)的中部位置。
7.根据权利要求6所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，所述电场加强板(4)覆盖至少一个相邻电极之间的间隔。
8.根据权利要求1所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，所述工艺腔室装置还包括底板(1)，其用于承载所述真空腔体(2)。
9.根据权利要求8所述的一种电场分布均匀的工艺腔室装置，其特征在于，所述底板(1)上贯通开设有通孔，其用于容置所述真空腔体(2)的一端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321974509.7U CN220324426U (zh) | 2023-07-26 | 2023-07-26 | 一种电场分布均匀的工艺腔室装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202321974509.7U CN220324426U (zh) | 2023-07-26 | 2023-07-26 | 一种电场分布均匀的工艺腔室装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220324426U true CN220324426U (zh) | 2024-01-09 |
Family
ID=89422079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321974509.7U Active CN220324426U (zh) | 2023-07-26 | 2023-07-26 | 一种电场分布均匀的工艺腔室装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN220324426U (zh) |
-
2023
- 2023-07-26 CN CN202321974509.7U patent/CN220324426U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110760920B (zh) | 一种分割式阳极装置、电镀设备及提高镀层均匀度的方法 | |
| AU2001270604A1 (en) | Method for producing cathodes and anodes for electrochemical systems, metallised material used therein, method and device for production of said metallised material | |
| CN101054701B (zh) | 提高电镀均匀性的方法 | |
| KR20180057461A (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| CN108677225A (zh) | 一种降低电解铜箔翘曲的处理方法 | |
| CN220324426U (zh) | 一种电场分布均匀的工艺腔室装置 | |
| CN105063730A (zh) | 一种电镀滚筒 | |
| KR20120023238A (ko) | 기판이송용 보트 | |
| KR20090049957A (ko) | 도금장치 | |
| KR20200008443A (ko) | 플라즈마 전해 산화 장치 및 방법 | |
| CN108425135B (zh) | 电解铜箔的生产设备及其电流调整控制装置 | |
| CN115710697A (zh) | 电极馈入装置和化学沉积设备 | |
| CN110795881A (zh) | 一种基于有限元仿真获得结晶器铜板均匀镀层的方法 | |
| CN212713792U (zh) | 基板载具和电镀设备 | |
| CN113718308A (zh) | 一种晶圆双面电镀装置及工艺 | |
| CN210886283U (zh) | 一种电荷均匀分布的基板电镀槽 | |
| WO2009108019A2 (ko) | 알에프 장비의 도금 방법 및 이에 의해 제조된 알에프 장비 | |
| US8921005B2 (en) | Fuel cell separator manufacturing method and fuel cell separator | |
| TWI816352B (zh) | 電鍍設備與電鍍方法 | |
| CN214612828U (zh) | 一种改善镀金金厚均匀性的装置 | |
| KR100673597B1 (ko) | 플라즈마 챔버 | |
| CN110205668A (zh) | 单层电容器镀金用挂具 | |
| CN214937903U (zh) | 一种带阴阳极挡板的电镀模组 | |
| CN210489500U (zh) | 整体插接式铜连接件 | |
| TWM381635U (en) | Electroplate apparatus for plating copper on a printed circuit board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |