CN220284198U - 一种磁控溅射靶材 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种磁控溅射靶材，包括靶体、凹槽、中心台、背板、定位圈以及凸台，背板上侧设置有凸台，凸台上侧设置有靶体，靶体下端面边缘部位设置有定位圈，靶体上端面内部开设有凹槽，凹槽中心部位设置有中心台，靶体下端面设置有定位块，凸台上端面内部开设有定位槽，本实用新型结构合理，通过设置的凹槽改变靶体表面结构，使得靶体的厚度符合磁控溅射的磁场强度，提高了靶体的溅射刻蚀均匀性，进而提高了靶体的材料利用率。
Description
技术领域
本实用新型是一种磁控溅射靶材，属于磁控溅射技术领域。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
传统的磁控溅射靶材采用整体设计，靶材表面平整，靶材各部分厚度均一，没有考虑磁场及溅射速率的不均匀性，磁场并不是处处均匀的，这样的磁场在磁控溅射中将会使等离子体在不同的区域浓度不一样，进而可能出现靶材在不同区域刻蚀不均匀的，致使靶材的材料利用率偏低，一般在30％左右，现在急需一种磁控溅射靶材来解决上述出现的问题。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种磁控溅射靶材，以解决上述背景技术中提出的问题，本实用新型结构合理，通过设置的凹槽改变靶体表面结构，使得靶体的厚度符合磁控溅射的磁场强度，提高了靶体的溅射刻蚀均匀性，进而提高了靶体的材料利用率。
为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种磁控溅射靶材，包括靶体、凹槽、中心台、背板、定位圈以及凸台，所述背板上侧设置有凸台，所述凸台上侧设置有靶体，所述靶体下端面边缘部位设置有定位圈，所述靶体上端面内部开设有凹槽，所述凹槽中心部位设置有中心台，所述靶体下端面设置有定位块，所述凸台上端面内部开设有定位槽。
进一步地，所述靶体上端面边缘设置有弧形倒角。
进一步地，所述凹槽底面呈弧形结构。
进一步地，所述凸台环形侧面上侧开设有阶梯槽，所述阶梯槽深度与定位圈厚度相同，所述阶梯槽高度与定位高度相同，所述阶梯槽内径定位圈内径相同。
进一步地，所述定位块环形侧面设置有限位卡块，所述限位卡块设置有四组，四组所述限位卡块呈等角度排列结构，所述定位槽内部开设有限位卡槽，所述限位卡槽规格与限位卡块规格相同。
进一步地，所述凸台直径与靶体直径相同。
通过采用上述技术方案，本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种磁控溅射靶材，通过设置的靶体、凹槽、中心台、背板、定位块、凸台以及定位槽，该设计通过设置的凹槽改变靶体表面结构，使得靶体的厚度符合磁控溅射的磁场强度，提高了靶体的溅射刻蚀均匀性，进而提高了靶体的材料利用率，解决了原有磁控溅射靶材采用整体设计，靶材表面平整，靶材各部分厚度均一，没有考虑磁场及溅射速率的不均匀性，磁场并不是处处均匀的，这样的磁场在磁控溅射中将会使等离子体在不同的区域浓度不一样，进而可能出现靶材在不同区域刻蚀不均匀的，致使靶材的材料利用率偏低的问题，提高了本实用新型的靶材材料利用率。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实用新型一种磁控溅射靶材的结构示意图；
图2为本实用新型一种磁控溅射靶材中靶体的结构示意图；
图3为本实用新型一种磁控溅射靶材中背板的结构示意图；
图中：1-靶体、2-凹槽、3-中心台、4-背板、5-定位圈、6-定位块、7-限位卡块、8-凸台、9-阶梯槽、10-定位槽、11-限位卡槽。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
请参阅图1-图3，本实用新型提供一种技术方案：一种磁控溅射靶材，包括靶体1、凹槽2、中心台3、背板4、定位圈5以及凸台8，背板4上侧设置有凸台8，凸台8上侧设置有靶体1，靶体1下端面边缘部位设置有定位圈5，靶体1上端面内部开设有凹槽2，凹槽2中心部位设置有中心台3，靶体1下端面设置有定位块6，凸台8上端面内部开设有定位槽10，该设计解决了原有磁控溅射靶材采用整体设计，靶材表面平整，靶材各部分厚度均一，没有考虑磁场及溅射速率的不均匀性，磁场并不是处处均匀的，这样的磁场在磁控溅射中将会使等离子体在不同的区域浓度不一样，进而可能出现靶材在不同区域刻蚀不均匀的，致使靶材的材料利用率偏低的问题。
靶体1上端面边缘设置有弧形倒角，凹槽2底面呈弧形结构，阶梯槽9开设于凸台8环形侧面上侧，阶梯槽9深度与定位圈5厚度相同，阶梯槽9高度与定位高度相同，阶梯槽9内径定位圈5内径相同，通过设置的阶梯槽9便于对定位圈5进行配合安装，方便对靶体1进行快速定位。
定位块6环形侧面设置有限位卡块7，限位卡块7设置有四组，四组限位卡块7呈等角度排列结构，定位槽10内部开设有限位卡槽11，限位卡槽11规格与限位卡块7规格相同，凸台8直径与靶体1直径相同，通过设置的限位卡块7以及限位卡槽11便于对定位块6进行限位固定，方便对靶体1进行定位。
作为本实用新型的一个实施例：在使用时，将靶体1放置于凸台8上，并使定位块6卡入定位槽10中，通过定位块6与定位槽10能够对靶体1进行快速定位，同时通过限位卡块7与限位卡槽11能够对定位块6进行限位固定，当对靶体1进行磁控溅射时，磁场线最强的部位从凹槽2外侧的靶体1上穿过，通过凹槽2改变靶体1表面结构，使得靶体1的厚度符合磁控溅射的磁场强度，提高了靶体1的溅射刻蚀均匀性，进而提高了靶体1的材料利用率。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (6)
1.一种磁控溅射靶材，包括靶体(1)、凹槽(2)、中心台(3)、背板(4)、定位圈(5)以及凸台(8)，其特征在于：所述背板(4)上侧设置有凸台(8)，所述凸台(8)上侧设置有靶体(1)，所述靶体(1)下端面边缘部位设置有定位圈(5)，所述靶体(1)上端面内部开设有凹槽(2)，所述凹槽(2)中心部位设置有中心台(3)，所述靶体(1)下端面设置有定位块(6)，所述凸台(8)上端面内部开设有定位槽(10)。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述靶体(1)上端面边缘设置有弧形倒角。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凹槽(2)底面呈弧形结构。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凸台(8)环形侧面上侧开设有阶梯槽(9)，所述阶梯槽(9)深度与定位圈(5)厚度相同，所述阶梯槽(9)高度与定位高度相同，所述阶梯槽(9)内径定位圈(5)内径相同。
5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述定位块(6)环形侧面设置有限位卡块(7)，所述限位卡块(7)设置有四组，四组所述限位卡块(7)呈等角度排列结构，所述定位槽(10)内部开设有限位卡槽(11)，所述限位卡槽(11)规格与限位卡块(7)规格相同。
6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射靶材，其特征在于：所述凸台(8)直径与靶体(1)直径相同。
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