CN220234796U - 图像采集模组和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请是关于一种图像采集模组和电子设备，其中，图像采集模组包括：图像采集组件和屏蔽膜；屏蔽膜包括：第一膜层，包含导电材料；第二膜层，与第一膜层层叠设置，包含绝缘材料或半绝缘材料；其中，第一膜层与所述图像采集组件的外表面贴合，并通过与图像采集组件内电路隔离的路径将干扰电流导出。

Description

图像采集模组和电子设备

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种图像采集模组和电子设备。

背景技术

随着用户对智能手机拍照质量要求的不断提高，越来越多的智能手机上被设计有包括多个摄像头的图像采集模组，以提高图像采集模组采集的图像质量。

但是，随着图像采集模组中摄像头数量的不断增多，摄像头与位于智能手机上的边框天线的距离也在不断靠近，导致图像采集模组与边框天线之间出现了电磁耦合，进而对图像采集模组和边框天线的工作过程产生了不良影响。

实用新型内容

本申请提供一种图像采集模组和电子设备。

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种图像采集模组，包括：

图像采集组件；

屏蔽膜，包覆在所述图像采集组件的外表面，用于屏蔽干扰电流对所述图像采集组件的干扰。

可选地，所述屏蔽膜包括：

第一膜层，包含导电材料；

第二膜层，与所述第一膜层层叠设置，包含绝缘材料或半绝缘材料；

其中，所述第一膜层与所述图像采集组件的外表面贴合，并通过与所述图像采集组件内电路隔离的路径将所述干扰电流导出。

可选地，屏蔽膜的散热系数大于第一预设值。

可选地，所述第一膜层在所述图像采集组件表面的贴合面积，与所述图像采集组件的外表面积的比值大于第二预设值。

可选地，所述第一膜层由铜材料制作而成；

所述第二膜层由石墨材料制作而成。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种电子设备，包括：

上述所述的图像采集模组；

以及设置在所述电子设备后壳与所述图像采集模组之间的第一导电件；其中，所述第一导电件接地；

所述图像采集模组的屏蔽膜，通过与所述第一导电件的电磁耦合，实现干扰电流的屏蔽。

可选地，所述第一导电件在所述图像采集模组上的投影面积，与所述图像采集模组在所述电子设备中框上的投影面积的比值大于第三预设值。

可选地，在所述第一导电件朝向所述图像采集模组的一侧贴合有第二导电件，其中，所述第一导电件为硬质导电件，所述第二导电件为柔性导电件。

可选地，所述第二导电件为导电泡棉。

可选地，所述第一导电件上具有向所述图像采集模组靠近的凸起；

所述凸起与所述屏蔽膜间隔设置，且所述凸起与所述屏蔽膜之间的距离小于预设距离。

本申请实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

在本申请实施例中，在电子设备中使用本申请实施例中的图像采集模组，可以通过图像采集模组上的屏蔽膜与电子设备中的导电件之间的电磁耦合来实现外界干扰电流的屏蔽，降低了干扰电流对图像采集组件的干扰。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种图像采集模组的结构示意图；

图2是根据一示例性实施例示出的另一种图像采集模组的结构示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种屏蔽膜的结构示意图；

图4是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的结构示意图；

图5是根据一示例性实施例示出的第一导电件的结构示意图；

图6是根据一示例性实施例示出的史密斯圆图；

图7是根据一示例性实施例示出的电流仿真图；

图8是根据另一示例性实施例示出的电子设备的结构示意图。

附图标记说明：

10，图像采集组件；11，屏蔽膜；111，第一膜层；112，第二膜层；2，第一导电件；3，边框天线；4，第二导电件；5，凸起。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在本申请实施例使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。

本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个，若仅指代“一个”时会再单独说明。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。

在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

请参考图1和图2，如图1和图2所示，本申请实施例提供一种图像采集模组，该图像采集模组，包括：

图像采集组件10；

屏蔽膜11，包覆在图像采集组件10的外表面，用于屏蔽干扰电流对图像采集组件10的干扰。

其中，上述的图像采集组件10包括的摄像头的数量可以根据需要进行设计，例如，2个、3或4个，本申请实施例对此不作限定。

屏蔽膜11，覆盖在图像采集组件10的至少部分表面，用于屏蔽干扰电流对图像采集组件10的干扰。

在将图像采集组件10安装在电子设备内时，若图像采集组件10与边框天线3之间的距离较近。示例性地，图像采集组件10与边框天线3之间的距离小于2mm时，图像采集组件10与电子设备上的边框天线3之间会产生电磁耦合，电磁耦合会产生干扰图像采集组件10工作的交流电，进而对图像采集组件10和边框天线3的工作过程产生不良影响。

基于此，可以通过在图像采集组件10的外表面覆盖一层屏蔽膜11，通过屏蔽膜11对干扰电流进行隔离，之后，再通过屏蔽膜11与靠近屏蔽膜11的导电件之间的电磁耦合，将干扰电流传导向地，来降低干扰电流对图像采集组件10的干扰。

其中，靠近屏蔽膜11的导电件可以为图像采集模组所在电子设备内，能够与屏蔽膜11实现电磁耦合的导电件，也可以为图像采集模组中包括的，能够与屏蔽膜11实现电磁耦合的导电件。

示例性地，上述的屏蔽膜11可以覆盖在图像采集组件10包括的每个摄像头远离镜头的一侧外表面，也可以覆盖在图像采集组件10包括的每个摄像头除镜头之外的所有外表面。

另外，上述的屏蔽膜11可以通过胶黏剂粘贴在图像采集组件10的外表面，也可以通过固定件固定在图像采集组件10的外表面，还可以通过其他方式实现屏蔽膜11在图像采集组件10外表面的固定，本申请实施例对此不作限定。

示例性地，上述的屏蔽膜11可以为由能够屏蔽电磁信号的材料制备而成的薄膜。

例如，上述的屏蔽膜11可以为由导电材料和绝缘材料制备而成的多层膜，也可为由导电材料和半绝缘材料制备而成的多层膜。

上述的屏蔽膜11的厚度可以根据需要进行设计，例如，0.02-0.04mm。

在本申请实施例中，在电子设备中使用本申请实施例中的图像采集模组，可以通过图像采集模组上的屏蔽膜11与电子设备中的导电件之间的电磁耦合来实现外界干扰电流的屏蔽，降低了干扰电流对图像采集组件10的干扰。

参考图3，在一种实施例中，屏蔽膜11包括：

第一膜层111，包含导电材料；

第二膜层112，与第一膜层111层叠设置，包含绝缘材料或半绝缘材料；

其中，第一膜层111与图像采集组件10的外表面贴合，并通过与图像采集组件10内电路隔离的路径将干扰电流导出。

示例性地，上述的屏蔽膜11的第一膜层111可以为由导体材料制作而成的导体薄片或导体薄膜，并且在该导体薄片或导体薄膜上覆盖有由半导体材料或绝缘材料制作而成的第二膜层112。该导体材料可包括但不限于金属和/或合金。

上述的屏蔽膜11也可以是通过在由合金材料制作的导体薄片或导体薄膜的第一表面覆盖由金属材料制作而成的第一膜层111，在导体薄片或导体薄膜的第二表面覆盖由绝缘材料或半绝缘材料制作的第二膜层112得到的，其中，第一表面和第二表面为由合金材料制作的导体薄片或导体薄膜的两个向背面。

在将屏蔽膜11覆盖在图像采集组件10的外表面时，可以将由导体材料制作的第一膜层111覆盖在图像采集组件10的外表面。由于第一膜层111具有导电性，通过第一膜层111可以将干扰电流收集在第一膜层111上，避免干扰电流进图像采集组件10内部，对图像采集组件10产生干扰。

另外，由于第二膜层112由绝缘材料或半绝缘材料制作而成，因此，通过第二膜层112可以实现第一膜层111与导电件之间的电隔离，使第一膜层111和导电件之间产生电磁耦合，进行可以将干扰电流从第一膜层111传导至导电件，再通过导电件实现干扰电流的接地。

其中，图像采集组件10内的电路可以包括图像传感器和/或图像传感器的控制电路在一种实施例中，屏蔽膜11的散热系数大于第一预设值。

示例性地，还可以采用散热系数大于第一预设值的导电材料来制作屏蔽膜11的第一膜层111，以及采用散热系数大于第一预设值的绝缘材料或半绝缘材料来制作屏蔽膜11的第二膜层112。

基于此，该屏蔽膜11不仅能够起到对干扰电流的屏蔽作用，还能够在图像采集组件10因工作产热时，通过屏蔽膜11及时的对图像采集组件10产生的热量进行扩散，以降低图像采集组件10的工作温度，延长图像采集组件10的使用寿命。

其中，上述的第一预设值可以根据图像采集组件10包括的摄像头的数量进行设定，由于图像采集组件10中包括的摄像头的数量越多，工作时的产热量越大，此时，就需要具有较大散热系数的屏蔽膜11来实现图像采集组件10的快速散热。因此，可以在图像采集组件10包括较多数量的摄像头时，例如，在图像采集组件10中包括有3个、4个，甚至更多摄像头时，将第一预设值设置为较大的数值。

也即，采用散热系数较大的导电材料来制作屏蔽膜11的第一膜层111，采用散热系数较大的绝缘材料或半绝缘材料来制作屏蔽膜11的第二膜层112。

当图像采集组件10中包括的摄像头的数量较少时，例如，图像采集组件10中包括1个或2个摄像头时，可以将第一预设值设置为较小的数值。

也即，可以采用散热系数较小的材料来制作屏蔽膜11的第一膜层111和第二膜层112。

在一种实施例中，第一膜层111在图像采集组件10表面的贴合面积，与图像采集组件10的外表面积的比值大于第二预设值。

在本申请实施例中，为了提高屏蔽膜11对干扰电流的屏蔽效果以及散热效果，在通过屏蔽膜11对图像采集组件10的外表面进行覆盖时，屏蔽膜11在图像采集组件10外表面的覆盖面积，与图像采集组件10的外表面积之间的比值大于或等于第二预设值。

示例性地，第二预设值可以为3/4或4/5。

也在，在将屏蔽膜11覆盖在图像采集组件10上时，在图像采集组件10远离镜头的至少3/4外表面，或4/5外表面覆盖有屏蔽膜11。

在一种实施例中，第一膜层111由铜材料制作而成；

第二膜层112由石墨材料制作而成。

示例性地，可以将铜材料制作而成的薄片作为第一膜层111，并在第一膜层111上覆盖散热石墨膜。

示例性地，还可以将由导体材料制作的导体薄片作为基材，并在该导体薄片的一个表面覆盖由铜材料制作而成的第一膜层111，在导体薄片的另外一个表面覆盖具有低导电性的散热石墨膜，以得到屏蔽膜11。

在本申请实施例中，由于铜具有良好的导电性和导热性，采用铜材料制作第一膜层111，不仅可以通过该第一膜层111将图像采集组件10包括的各个摄像头连接为一个整体，还可以通过第一膜层111快速的将图像采集组件10因工作产生的热量传导至图像采集组件10外部，实现图像采集组件10的快速散热。

通过石墨材料制作而成的石墨散热膜不仅具有良好的导热性，还能够起到电磁屏蔽作用，因此，将散热石墨膜作为本申请实施例的屏蔽膜11的第二膜层112，不仅能够屏蔽外界的干扰电流对图像采集模组的干扰，还能够将图像采集组件10传导至第一膜层111的热量快速传导至第二膜层112，进一步实现图像采集组件10的快速散热。

参考图4，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括：

上述的图像采集模组；

以及设置在电子设备后壳与图像采集模组之间的第一导电件2，其中，第一导电件接地；

图像采集模组的屏蔽膜11，通过与第一导电件2的电磁耦合，实现干扰电流的屏蔽。

本申请实施例中的电子设备可以为智能手机、平板电脑以及笔记本电脑等具有图像采集功能的终端设备。

电子设备通常以金属边框作为天线，来减少天线对电子设备内部空间的占用，而图像采集组件10通常设置在电子设备中靠近上边框的位置，这样导致图像采集组件10与电子设备的边框之间的距离会比较近。例如，在图像采集组件10与边框天线3之间的距离小于或等于2mm时，会导致图像采集组件10与边框天线3之间出现电磁耦合，从而对图像采集组件和边框天线3的正常工作产生影响。

基于此，在本申请实例中，通过在图像采集组件10上覆盖屏蔽膜11，得到覆盖有屏蔽膜11的图像采集组件10，也即本申请实施例的图像采集模组。由于图像采集模组的屏蔽膜11的第一膜层111由导体材料制作而成，通过该第一膜层111可以使屏蔽膜11与电子设备中靠近该屏蔽膜11的第一导电件2之间产生电磁耦合，将边框天线3产生的干扰电流通过第一膜层111传导至第一导电件2上，再通过第一导电件2实现接地效果，从而降低了因边框天线3与图像采集组件10的电磁耦合对边框天线3以及图像采集模组的影响。

示例性地，参考图5，上述的第一导电件2可以为位于电子设备后壳与图像采集组件10之间的，用于固定电子设备主板上的各个电子元件的金属固定架，图5为金属固定架的具体结构。

在本申请实施例中，在电子设备中使用覆盖有屏蔽膜11的图像采集组件10，可以基于屏蔽膜11与电子设备中的第一导电件2的电磁耦合，实现干扰电流的屏蔽。由于第一导电件2为电子设备中的固有导电件，通过第一导电件2与屏蔽膜11的电磁耦合实现干扰电流的屏蔽，可以无需在电子设备中添加新的导体件，在降低图像采集组件和边框天线3之间的相互干扰的同时，由于无需在电子设备中加入新的导电件，不会造成对电子设备内部空间的占用。

在一种实施例中，第一导电件2在图像采集模组上的投影面积，与图像采集模组在电子设备中框上的投影面积的比值大于第三预设值。

在本申请实施例中，为了提升屏蔽膜11与第一导电件2之间的电磁耦合效果，可以将电子设备中在图像采集模组上的投影面积较大，且与图像采集模组距离较近的导电件作为第一导电件2。

下文中，为方便说明，将第一导电件2在图像采集模组上的投影面积称为第一投影面积，将图像采集模组在电子设备中框上的投影面积称为第二投影面积，

示例性地，可以将电子设备中，第一投影面积和第二投影面积的比值大于第三预设值的导电件作为第一导电件2。

其中，上述的第三预设值可以为大于或等于4/5的任意数值。

需要说明的是，若电子设备中不存在第一投影面积和第二投影面积的比值大于第三预设值的导电件时，则可以适当的调整电子设备中可以作为第一导电件2的导电件的尺寸，来得到第一导电件2。

在一种实施例中，在第一导电件2朝向图像采集模组的一侧贴合有第二导电件4，其中，第一导电件2为硬质导电件，第二导电件4为柔性导电件。

在本申请实施例中，若第一导电件2与屏蔽膜11之间的距离过大，会影响第一导电件2与屏蔽膜11之间的电磁耦合效果。基于此，还可以在第一导电件2靠近屏蔽膜11的一侧贴合第二导电件4来缩短第一导电件2与屏蔽膜11之间的耦合距离，提高耦合效果。

在另一种实施例中，上述的第二导电件4也可以贴合在屏蔽膜11的第二膜层112上，这样也可以缩短第一导电件2与屏蔽膜11之间的耦合距离，提高耦合效果。

在另一种实施例中，还可以在第一导电件2靠近屏蔽膜11的一侧，以及屏蔽膜11的第二膜层112均贴合第二导电件4来缩短第一导电件2与屏蔽膜11之间的耦合距离，提高耦合效果。

示例性地，可以通过在第一导电件2和/或在屏蔽膜11的第二膜层112上贴合第二导电件4，来将第一导电件2与屏蔽膜11的第二膜层112之间的耦合距离缩短至小于预设距离。

其中，预设距离可以为使第一导电件2与屏蔽膜11之间能够实现电磁耦合中的紧耦合的最大距离。

例如，上述的预设距离可以设置为0.1mm。

上述的第一导电件2为由硬质材料制作的导电件。

例如，由钢材料制作而成的导电件。

上述的第二导电件4为由柔性导电材料制作而成的导电件。

例如，第二导电件4为由导电泡棉制作而成的导电件。

第二导电件4可以通过胶黏剂固定在第一导电件2，和/或屏蔽膜11的第二膜层112上，也可以通过其他方式固定在第一导电件2和/或屏蔽膜11的第二膜层112上，本申请实施例对此不作限定。

其中，第二导电件4在第一导电件2和/或屏蔽膜11上的设置厚度以及设置尺寸可以根据需要进行设计，本申请实施例对此也不作限定。

示例性地，贴合在第一导电件2和/或屏蔽膜11上的第二导电件4可以为回形的导电泡棉。

在另一种实施例中，第一导电件2上具有向图像采集模组靠近的凸起5；

凸起5与屏蔽膜11间隔设置，且凸起5与屏蔽膜11之间的距离小于预设距离。

在本申请实施例中，还可以在进行电子设备的生产时，将电子设备中的第一导电件2上设计具有朝向图像采集模组一侧的凸起5，通过该凸起5，也可以将第一导电件2与屏蔽膜11之间的距离缩短至小于预设距离，以使第一导电件2与屏蔽膜11之间能够实现电磁耦合。

示例性地，为了增大第一导电件2与屏蔽膜11之间的耦合面积，提升耦合效果，可以使制作的第一导电件2上的凸起5在图像采集模组上的投影面，与第二投影面积的比值大于第三预设值。

示例性地，上述的凸起5可以为对第一导电件2的至少部分平面做下沉处理后得到的。

需要说明的是，本申请实施例中的电磁耦合可以为紧耦合。

参考图1至图7，本申请实施例中还提供了一种电子设备，包括：

带OIS(Optical Image Stabilizer，光学图像稳定器)的图像采集组件10需要在外包裹屏蔽膜11，作为图像采集组件10本身的等效“地”，改变图像采集组件10的金属边界条件，使得干扰电流无法进入到图像采集组件10内部而导向等效“地”。

图像采集组件10上方根据散热需求，会覆盖一张完整的，由铜石墨材料制作而成的屏蔽膜11，该屏蔽膜11的第一膜层111由铜材料制备而成，第二膜层112为散热石墨膜，屏蔽膜贴在图像采集组件10包括的各个摄像头的外表面，使得图像采集组件10中包括的各个摄像头与天线之间的耦合能量一体化，方便后续通过电磁耦合一并去除。

散热石墨膜设置在第一膜层111与第一导电件2之间，起到半绝缘作用，阻断电流耦合，即防止图像采集组件10与第一导电件2因短路使前摄上的电流通过在第一导电件2上形成其它谐振路径引入新的杂波，保证第一导电件2与铜皮以及图像采集组件10之间只存在电磁耦合关系。

注意屏蔽膜11在图像采集组件10上的覆盖面积不得小于图像采集组件10的外表面积的80％。屏蔽膜11的第二膜层112上放为贴有回型导电泡棉的第一导电件2，第一导电件2在图像采集组件10上的投影面积需覆盖图像采集组件10的4/5以上，保证充足的耦合面。加入回型导电泡棉的作用是等效缩短第一导电件2与屏蔽膜11之间的距离，保证两者能有效产生紧耦合效果，因此，导电泡棉与屏蔽膜11之间的距离需要保证在0.1mm以内。

调试效果如图2所示，若在电子设备中直接安装不具有屏蔽膜11的图像采集组件10，在边框天线3工作频段带内会引入一个杂波，如图2中的SMITH(史密斯)圆图中的A处，而将带OIS的图像采集组件10用铜皮包裹之后，边框天线3的SMITH圆图无变化，说明该操作只改变图像采集组件10的金属边界条件，不具备移动杂波的效果。同时可以观察到，杂波位置所打出来的SMITH圆图形状并不光滑，这是由于图像采集组件10包括的两个摄像头都会产生杂波对边框天线3造成影响，而由于两个摄像头与边框天线3的相对位置不同，因此两个杂波所在的频率会存在差异，从而体现在SMITH圆图上为不平滑的杂波。

当使用屏蔽膜11包覆图像采集组件10之后，见图2中SMITH圆图中的线条B，可以发现该杂波往低频偏移，同时SMITH圆图上杂波对应的圈变得更光滑收敛，这是由于通过屏蔽膜11的第一膜层111连接两个摄像头后，原来的两个杂波路径会合并成一个，同时新的路径对比两个单独的摄像头产生的杂波路径要更长导致的。虽然此时杂波已被拉到天线工作频率的边带靠外，但对天线边带的辐射效率依然会产生影响。因此，这里利用电磁耦合的方法进一步解决问题。

通过在第一导电件2上增加导电泡棉，缩减第一导电件2与图像采集组件10之间的距离，使得第一导电件2与图像采集组件10之间产生电场紧耦合状态。由图2所示的SMITH圆图中的线条C可以看出，杂波完全消失，这是由于此时图像采集组件10上的电场已经通过屏蔽膜11与第一导电件2的紧耦合形成短路到地的效果，对应的电流路径也相应被破坏。

另外，从图7的仿真电流图也可以看出，在电子设备中使用本申请实施例的图像采集模组后，图像采集组件10附近的干扰电流明显减少(图7中的箭头的大小和密集程度用于指示电流的大小)。

参考图6，需要说明的是，这种紧耦合的方法必须基于图像采集组件10与第一导电件2之间存在石墨这种弱导电性材料或绝缘材料的情况下才可实现。参考图6中的线条a，只使用铜皮对图像采集组件10的表面进行包覆后直接通过导电泡棉与第一导电件2连接，边带处的杂波只会减弱，但无法去除。说明单纯依靠图像采集组件10与第一导电件2之间短路无法解决图像采集组件10与边框天线3之间的杂波问题。同时使用铜皮短路之后，天线整体驻波以及SMITH圆图曲线会变得不光滑，这是由于杂波能量直接导通到第一导电件2上后，可能会在第一导电件2上形成谐振，对边框天线3性能产生更加不良的影响，

参考图6中的线条b，在使用屏蔽膜11和导电泡棉时第一导电件2与屏蔽膜11之间的耦合距离小于预设距离之后，边框天线3上的杂波已完全消失使，可见，在电子设备中采用本申请实施例的图像采集模组，可以有效的对边框天线3产生的干扰电流进行屏蔽。

另外，还可以通过对第一导电件2位于图像采集组件10投影区域的部分做下沉处理，以将第一导电件2与图像采集组件10之间的距离缩短至小于0.1mm，也可以达到紧耦合效果。

参考图8，本申请实施例中，提供一种电子设备800，该电子设备900为上述的第一设备或第二设备，该电子设备包括：

用于存储处理器可执行指令的存储器904；

处理器820，与存储器804连接；

根据一示例性实施例示出的一种电子设备800的框图。例如，电子设备800可以是的手机、平板电脑、笔记本电脑等具有图像采集功能的终端设备。

参考图8，电子设备800可以包括以下一个或多个组件：处理组件802，存储器804，电源组件806，多媒体组件808，音频组件810，输入/输出(I/O)的接口812，传感器组件814，以及通信组件818。

处理组件802通常控制电子设备800的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件802可以包括一个或多个处理器820来执行指令，以完成上述的方法的全部或部分步骤。此外，处理组件802可以包括一个或多个模块，便于处理组件802和其他组件之间的交互。例如，处理组件802可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件808和处理组件802之间的交互。

存储器804被配置为存储各种类型的数据以支持在电子设备800的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备800上操作的任何应用程序或方法的指令，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器804可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(SRAM)，电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，可擦除可编程只读存储器(EPROM)，可编程只读存储器(PROM)，只读存储器(ROM)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

电源组件806为电子设备800的各种组件提供电力。电源组件806可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备800生成、管理和分配电力相关联的组件。

多媒体组件808包括在所述电子设备800和用户之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示器(LCD)和触摸面板(TP)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自用户的输入信号。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。所述触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与所述触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。在一些实施例中，多媒体组件808包括一个前置摄像头和/或后置摄像头。当电子设备800处于操作模式，如拍摄模式或视频模式时，前置摄像头和/或后置摄像头可以接收外部的多媒体数据。每个前置摄像头和后置摄像头可以是一个固定的光学透镜系统或具有焦距和光学变焦能力。

音频组件810被配置为输出和/或输入音频信号。例如，音频组件810包括一个麦克风(MIC)，当电子设备800处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频信号。所接收的音频信号可以被进一步存储在存储器804或经由通信组件818发送。在一些实施例中，音频组件810还包括一个扬声器，用于输出音频信号。

I/O接口812为处理组件802和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。这些按钮可包括但不限于：主页按钮、音量按钮、启动按钮和锁定按钮。

传感器组件814包括一个或多个传感器，用于为电子设备800提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件814可以检测到电子设备800的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如所述组件为电子设备800的显示器和小键盘，传感器组件814还可以检测电子设备800或电子设备800一个组件的位置改变，用户与电子设备800接触的存在或不存在，电子设备800方位或加速/减速和电子设备800的温度变化。传感器组件814可以包括接近传感器，被配置用来在没有任何的物理接触时检测附近物体的存在。传感器组件814还可以包括光传感器，如CMOS或CCD生物信息传感器，用于在成像应用中使用。在一些实施例中，该传感器组件814还可以包括加速度传感器，陀螺仪传感器，磁传感器，压力传感器或温度传感器。

通信组件818被配置为便于电子设备800和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备800可以接入基于通信标准的无线网络，如WiFi，2G或3G，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件818经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信号或广播相关信息。在一个示例性实施例中，所述通信组件818还包括近场通信(NFC)模块，以促进短程通信。例如，在NFC模块可基于射频识别(RFID)技术，红外数据协会(IrDA)技术，超宽带(UWB)技术，蓝牙(BT)技术和其他技术来实现。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (9)

1.一种图像采集模组，其特征在于，包括：图像采集组件和屏蔽膜；

所述屏蔽膜包括：

第一膜层，包含导电材料；

第二膜层，与所述第一膜层层叠设置，包含绝缘材料或半绝缘材料；

其中，所述第一膜层与所述图像采集组件的外表面贴合，并通过与所述图像采集组件内电路隔离的路径将干扰电流导出。

2.根据权利要求1所述的图像采集模组，其特征在于，

所述屏蔽膜的散热系数大于第一预设值。

3.根据权利要求2所述的图像采集模组，其特征在于，

所述第一膜层在所述图像采集组件表面的贴合面积，与所述图像采集组件的外表面积的比值大于第二预设值。

4.根据权利要求3所述的图像采集模组，其特征在于，

所述第一膜层由铜材料制作而成；

所述第二膜层由石墨材料制作而成。

5.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求1至4任一所述的图像采集模组；

以及设置在所述电子设备后壳与所述图像采集模组之间的第一导电件；其中，所述第一导电件接地；

所述图像采集模组的屏蔽膜，通过与所述第一导电件的电磁耦合，实现干扰电流的屏蔽。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，

所述第一导电件在所述图像采集模组上的投影面积，与所述图像采集模组在所述电子设备中框上的投影面积的比值大于第三预设值。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，

在所述第一导电件朝向所述图像采集模组的一侧贴合有第二导电件，其中，所述第一导电件为硬质导电件，所述第二导电件为柔性导电件。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，

所述第二导电件为导电泡棉。

9.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，

所述第一导电件上具有向所述图像采集模组靠近的凸起；

所述凸起与所述屏蔽膜间隔设置，且所述凸起与所述屏蔽膜之间的距离小于预设距离。