CN220087856U - 一种电子器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种电子器件：包括：第一载体、第一组件、第二载体以及封盖层；所述第一组件设置在所述第一载体的第一表面上；所述第一组件和所述第二载体之间具有键合结构；在所述第一载体的第二表面上具有封盖层；在所述第一载体中具有与所述第一组件对应的凹陷；在第一组件的周围具有延伸到所述第一载体的第一表面的至少一个子槽，所述子槽的投影位于所述凹陷内部并与所述凹陷连通。本实用新型能提升电子器件的机械强度，便于工业大规模生产应用。

Description

一种电子器件

技术领域

本实用新型涉及电子领域，更具体而言，涉及一种背腔型电子器件。

背景技术

衬底上可以形成各种各样的电子器件。随着电子器件物理结构复杂性的增加，现有技术中经常使用具有空腔的电子器件。

以薄膜体声波谐振器为例，图1为现有薄膜体声波谐振器的一种结构示意图。如图1中所示，薄膜体声波谐振器包括衬底100、空腔101、下电极102、压电层103以及上电极104，其中下电极102、上电极104和压电层103形成“三明治”结构，在制备薄膜体声波谐振器的过程中，该“三明治”结构先覆盖在填充有牺牲材料的空腔101中，在完成后续制造工序后，再去除牺牲材料，以释放空腔101，空腔101用作薄膜体声波谐振器的声反射区域。在填充牺牲材料时，通常牺牲材料共形沉积在衬底100的上表面上，因此需要对衬底100的上表面进行诸如化学机械抛光的平坦化工序，以去除空腔101以外的牺牲材料。具有空腔101的器件在制造中需要增加多道复杂的工艺步骤，释放牺牲材料以形成空腔101的工序常常导致工艺难度增加，且存在牺牲材料释放不干净的可能。

可替代的，现有技术中也可以不形成图1中的空腔101，而采用布拉格反射层构成的声波反射区域，在第一衬底100上形成沿着第一衬底100的厚度方向堆叠而成的多层不同声阻抗的薄膜。

现有技术中也可以采用图2中的背面刻蚀的方式来形成背面刻蚀型薄膜体声波谐振器，即通过从衬底100背面刻蚀形成贯穿衬底的背腔，以作为薄膜体声波谐振器的声波反射区域，然而，背面刻蚀型薄膜体声波谐振器虽然工艺难度相比图1的空腔型薄膜体声波谐振器有所降低，但由于背腔破坏了衬底的结构稳定，并且在刻蚀背腔时会造成边缘钻蚀，导致背腔侧面不垂直，并且其结构机械强度较差，故相比图1的空腔型结构，背面刻蚀型薄膜体声波谐振器在工业上大规模应用仍然存在困难。

可见，现有的薄膜体声波谐振器中存在工艺复杂、工艺难度高、器件结构稳定性差、制备成本高昂，产量和良率低，工业大规模应用困难等技术问题。

发明内容

本实用新型针对上述技术问题，设计出了一种新颖的背腔型的电子器件，其能克服现有技术中存在的上述技术问题，简化器件的制备工艺，降低工艺难度和制造成本，提升器件机械强度，便于工业大规模生产应用。

在下文中将给出关于本实用新型的简要概述，以便提供关于本实用新型某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本实用新型的穷举性概述。它并不是意图确定本实用新型的关键或重要部分，也不是意图限定本实用新型的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本实用新型提供一种电子器件，第一载体、第一组件、第二载体以及封盖层；所述第一组件设置在所述第一载体的第一表面上；所述第一组件和所述第二载体之间具有键合结构；在所述第一载体的第二表面上具有封盖层；在所述第一载体中具有与所述第一组件对应的凹陷；在第一组件的周围具有延伸到所述第一载体的第一表面的至少一个子槽，所述子槽的投影位于所述凹陷内部并与所述凹陷连通。

进一步的，所述至少一个子槽形成在所述第一组件的至少一侧面。

进一步的，还包括外部电连接结构，从所述第一载体的第二表面处形成直至具有露出所述外部电连接结构的开口，在所述开口中形成有引出端子。

进一步的，所述第一组件包括上电极和下电极，所述外部电连接结构包括与所述下电极同时形成的第一电连接结构和第二电连接结构。

进一步的，所述第一电连接结构同时作为所述下电极，所述第二电连接结构与所述上电极通过金属连接层电连接。

进一步的，所述键合结构包括苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料中的一种构成的键合层。

进一步的，所述凹陷贯穿所述第一载体。

进一步的，所述封盖层包括干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层中的一种，所述第二载体包括玻璃。

进一步的，所述引出端子包括过孔插塞或重布线。

进一步的，所述第一组件选自：谐振器、发射滤波器或接收滤波器。

附图说明

参照附图下面说明本实用新型的具体内容，这将有助于更加容易地理解本实用新型的以上和其他目的、特点和优点。附图只是为了示出本实用新型的原理。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。

图1-2示出了现有薄膜体声波谐振器的结构示意图；

图3-14示出了根据本实用新型的滤波器的结构和工艺流程的示意图。

具体实施方式

在下文中将结合附图对本实用新型的示例性公开内容进行描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实现本实用新型的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实现本实用新型的过程中可以做出很多特定于本实用新型的决定，以便实现开发人员的具体目标，并且这些决定可能会随着本实用新型的不同而有所改变。

在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本实用新型，在附图中仅仅示出了与根据本实用新型的方案密切相关的器件结构，而省略了与本实用新型关系不大的其他细节。

一般来说，应理解，图式及其中所描绘的各种元件未按比例绘制。此外，使用相对术语(例如“上面”、“下面”、“顶部”、“底部”、“上部”及“下部”)来描述各种元件彼此的关系应理解，这些相对术语除图式中所描绘的定向之外还涵盖装置和/或元件的不同定向。

应理解的是，本实用新型并不会由于如下参照附图的描述而只限于所描述的实施形式。本文中，在可行的情况下，不同实施方案之间的特征可替换或借用、以及在一个实施方案中可省略一个或多个特征，其中相同的附图标记表示相同的部件。应理解的是，本实用新型的制造步骤在实施例中为示例性的，其顺序步骤可调。

<器件结构>

本实用新型适用于包括背腔的电子器件，本实施方案中虽然以滤波器为例进行说明，但本领域技术人员可以理解的是，本实用新型的方案不囿于滤波器。

参见图12，图12示出了本实用新型提供的滤波器的器件结构，该滤波器具有一第一衬底1000，第一衬底1000可以是例如高阻硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝_、SiC等与半导体工艺兼容的材料形成。尤其应当指出的是，当第一衬底1000采用玻璃材料时，其介电常数较低，电阻效率高，在高频性能中更加有优势。

在第一衬底1000的第一表面上至少形成有谐振器组件，谐振器组件包括至少一个谐振器，该谐振器包括结构功能层，该结构功能层至少包括上电极1200、下电极1100和压电层1300。

在一实施方式中，下电极1100可以为单层或多层，下电极1100可以全部或部分覆盖第一衬底1000。下电极1100可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨、钼、铱、铝、铂、钌、铌或铪等半导体工艺兼容的各种金属。

在下电极1100上形成压电层1300，压电层1300可以由例如氮化铝、掺杂氮化铝或锆酸钛酸盐(PZT)等与半导体工艺兼容的任何压电材料形成。

在压电层1300上形成上电极1200，上电极1200可以由一种或多种导电材料形成，例如包括钨、钼、铱、铝、铂、钌、铌或铪等半导体工艺兼容的各种金属。上电极1200与下电极1100的材料可以相同或不同。

外接电连接结构1401和外接电连接结构1402与下电极1100可位于同一层，具体地，通过对形成下电极的导电层材料进行图形化来同时形成外接电连接结构1401、外接电连接结构1402与下电极1100，其中外接电连接结构1402可同时作为下电极1100，外接电连接结构1401与上电极1200电连接，具体地，外接电连接结构1401与上电极1200通过形成在第一凹槽中的金属连接层1430实现电连接，金属连接层1430可以由一种或多种导电材料形成，例如包括铝、钛等半导体工艺兼容的各种金属。

可以理解的是，该结构功能层还可以进一步包括质量负载层、框架层等结构。该质量负载层、框架层结构可以形成在下电极1100上，或者也可以在上电极1200上进一步形成。

在第一衬底1000中形成有贯穿第一衬底的凹陷1800，凹陷1800用于形成谐振器的组件的背腔，其位于与谐振器组件的结构功能层对应的位置，上电极1200、压电层1300和下电极1100和凹陷1800在第一衬底1000第一表面上的投影重合的位置定义为谐振器组件的有源区。

在形成有结构功能层的第一表面上叠置有第二衬底2000，第一衬底1000和第二衬底2000之间通过设置在谐振器组件的非有源区(即除了有源区以外的区域)上的键合结构1510进行连接。键合结构1510可以设置在第一衬底1000上表面的靠近边缘的位置处。最优的，键合结构1510基本上布满谐振器组件的非有源区，键合结构1510在第一衬底1000第一表面的投影可以为闭合形状，例如可以是环状、框状，优选的，键合结构1510包括苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料中的一种构成的键合层，避免了金属键合工艺，并且在键合时无需光刻工艺，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构，进一步降低制造成本。

同时由于在第一衬底与第二衬底2000通过键合结构1510连接，能确保器件具有足够的机械强度。

进一步，结合图3和图13所示，其中在谐振器组件的周围形成有延伸到所述第一衬底1000的的凹陷1800的第二凹槽1420，第二凹槽包括第一子槽1421和第二子槽1422与凹陷1800连通，这样可以在刻蚀第一衬底1000以形成凹陷1800时释放蚀刻气体，从而避免发生横向钻蚀，确保背腔侧面垂直。第二子槽1422可以有多个，第二子槽1422在第一衬底1000第一表面上的投影可以落在结构功能层在第一衬底1000第一表面上的投影的至少一侧。示例性的，结构功能层在第一衬底1000第一表面上的投影为多边形时，第二子槽1422可以形成在至少一个侧边，也可以形成在多个侧变或所有侧边，图13中左图示意性的示出了第二子槽1422形成在五边形的结构功能层一个侧边，右图示意性的示出了第二子槽1422形成在五边形的结构功能层的四个侧边。可以理解的是，对第二子槽1422的形状并不做具体限定，可以是圆孔、半圆孔或其他形状的孔。进一步，第二子槽1422的投影位于背腔1800的内部，便于与凹陷1800连通。因此，本实用新型中的背腔结构工艺难度相比现有技术的空腔型结构，大大降低了平面薄膜工艺的难度，并且通过键合第二衬底2000确保器件的结构稳定，并且在刻蚀背腔时不会造成边缘钻蚀，使背腔侧面保持垂直，保证了薄膜振荡的震幅，避免薄膜高频振荡碎裂，增强结构可靠性，可以实现工业上大规模应用。

在第一衬底1000中形成从第一衬底1000的第二表面直至露出谐振器组件的电连接结构1401和1402的开口，在开口中形成引出端子1610和1620，引出端子1610和1620分别与电连接结构1402和1401连接，作为I/O端口，引出端子1610和1620可以是图12中的过孔插塞，可替代的，引出端子1610和1620也可以进一步包括图14中的重布线。在引出端子1610和1620上还形成有焊垫1710和1720、导电柱1711和1721、间隔层1712和1722、凸块1713和1723。引出端子和导电柱优选导电性能优异的金属，例如铜，以更好的进行电信号传递，焊垫优选铝，凸块可以选取熔点较低的金属材料，例如锡、铅(Pb)或铝等，以便易于熔融成型，间隔层根据导电柱材料和凸块材料选自起到间隔保护作用的金属，例如镍。引出端子、焊垫、导电柱、间隔层和凸块用于将滤波器的输入信号和输出信号引出。

在第一衬底1000的第二表面上形成封盖层1900，优选的，封盖层1900包括干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层中的一种，封盖层1900用于对形成滤波器密封，并保持背腔的气密性。

本实用新型的背腔型滤波器结构相比现有的空腔型结构或体硅刻蚀结构而言具有极大的优点。

首先，本实用新型的滤波器的背腔由于不需要形成牺牲层，避免了通过牺牲层形成空腔的一系列复杂工艺，大大降低了平面薄膜工艺的难度。其次，本实用新型的背腔结构由于设计了释放刻蚀气体的通道，在刻蚀构成背腔的凹陷时不会造成边缘横向钻蚀，使背腔侧面保持垂直，保证了薄膜震荡的振幅，避免薄膜高频振荡碎裂。再次，本实用新型采用苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料等构成键合层，从而避免了金属键合，避免了金属键合工艺，并且在键合时无需光刻工艺，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构，进一步降低制造成本。最后，本实用新型中的背腔结构由于键合了第二衬底作为支撑，其机械强度远远强于传统的体硅刻蚀结构，增强了结构可靠性，可以实现工业上大规模应用。

<制作工艺>

基于本实用新型实施方案的滤波器结构，请参阅图3-14，对其制作工艺做进一步的阐述。在制作工艺部分，本实用新型以滤波器为例进行说明。本领域技术人员可以根据本实用新型中披露的制作工艺的精神和原理，用于制造其他背腔型器件。

步骤1：提供第一载体

第一载体1000可以为衬底。参考图3，提供第一衬底1000，第一衬底1000的材料选择如前所述，在此不再赘述；第一衬底1000用于后续刻蚀形成贯穿第一载体的背腔，并能在制作时起到对滤波器器件支撑的作用，保证滤波器在加工过程中坚固可靠。

步骤2：薄膜体声波谐振器的制作。

参考图3，在第一衬底1000上沉积用来形成下电极和电连接结构的导电材料，并对导电材料进行图形化形成下电极1100和外部电连接结构1401和1402，外部电连接结构1401和1402与下电极1100位于同一层，刻蚀时外部电连接结构1402同时可作为薄膜体声波谐振器的下电极，外部电连接结构1401与薄膜体声波谐振器的上电极1200电连接，后续通过金属连接层使外部电连接结构1401与上电极1200电连接。

下电极1100和外部电连接结构1401和1402可以为单层或多层；然后再在下电极1100和外部电连接结构1401和1402上形成压电层1300，在压电层1300上依次形成上电极材料和钝化层材料，对钝化层材料、上电极材料和压电层1300进行图形化形成上电极1200、第一凹槽1410和第二凹槽1420的第一子槽1421。第一凹槽1410暴露出外部电连接结构1401的第一表面，第二凹槽1420第一子槽1421的底面可以与第一凹槽1410的底面齐平。上电极1200、压电层1300和下电极1100在第一衬底1000上表面上的投影重合的位置定义为有源区。下电极1100、压电层1300和上电极1200构成谐振器的结构功能层。

可以理解的是，第二凹槽1420还包括第二子槽1422，第二子槽1422可以与第一子槽1421同步形成，或者第二子槽1422与第一子槽1421分步形成。第二子槽1422从第一子槽1421的底面延伸到第一衬底1000的第一表面以暴露出第一衬底1000的第一表面。其中第二凹槽1420环绕在结构功能层的周围。

后续刻蚀形成凹陷1800时，第二子槽1422与凹陷1800连通，这样可以在刻蚀第一衬底1000以形成凹陷1800时使得蚀刻气体通过第二子槽1422释放出去，从而避免凹陷1800的侧壁发生钻蚀，确保凹陷侧壁垂直。优选地，参见附图13所示，第二子槽1422可以有多个，第二子槽1422在第一衬底1000第一表面上的投影可以形成落在结构功能层在第一衬底1000第一表面上的投影的至少一侧。示例性的，结构功能层在第一衬底1000第一表面上的投影为多边形时，第二子槽1422可以形成在至少一个侧边，也可以形成在多个侧变或所有侧边，图13中左图示意性的示出了第二子槽1422形成在五边形的结构功能层的一个侧边，右图示意性的示出了第二子槽1422形成在五边形的结构功能层的四个侧边。可以理解的是，对第二子槽1422的形状并不做具体限定，可以是圆孔、半圆孔或其他形状的孔，进一步，第二子槽1422的投影位于后续形成的凹陷1800的内部，便于与凹陷1800连通。

参见图4，可以通过剥离(lift off)工艺形成金属连接层1430使电连接结构1401与上电极1200电连接。具体地，先进行光刻，然后通过蒸发或溅射来形成金属层，然后再剥离光刻胶，形成金属连接层1430。

进一步的，可以在第一衬底1000上形成一缓冲层。

进一步的，还可以在下电极1100上进一步形成质量负载层、框架层等结构。然后再在其上形成压电层1300和上电极1200。

进一步的，也可以在形成上电极1200后，再形成质量负载层、框架层、保护层等结构。此时下电极1100、压电层1300、上电极1200和质量负载层、框架层、保护层等构成结构功能层。本实用新型由于后续通过刻蚀第一衬底1000来形成背腔，因此不需要沉积牺牲层以及释放空腔的工序，可以大大降低平面工艺的难度。

步骤3：提供支撑载体。

参考图5，提供第二衬底2000，第二衬底2000的材料选择如前所述，在此不再赘述。第二衬底用于为整个器件提供结构支撑，确保整个器件的机械强度，并且也可以降低整体的制造成本。

步骤4：键合结构的制作。

参考图5，在第二衬底2000上进一步沉积键合材料，通过钢网印刷等工艺形成键合结构1510，键合结构1510可以设置在第二衬底2000上表面的靠近边缘的位置处。进一步的，考虑到第二衬底2000的翘曲因素，可以将第二衬底2000的划片道区域的键合材料去除。

键合结构1510在第二衬底2000表面的投影可以为闭合形状，示例性的，如环状、框状投影；键合结构1510在第二衬底2000表面的投影也可以为外围闭合形状和内部非闭合形状的组合模式，如环状结合点状的投影。

优选的，键合结构1510包括苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料中的一种构成的键合层，并且在键合时无需光刻工艺，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构，进一步降低制造成本。

可替代的，键合结构1510也可以形成在第一衬底1000的结构功能层上。

步骤5：第一衬底1000和第二衬底2000间的键合连接。

参考图5，将第二衬底2000和第一衬底1000在第一衬底1000的厚度方向上进行叠放，并通过键合结构1510将第一衬底1000和第二衬底2000连接在一起。

步骤6：减薄第一衬底。

参考图6，在完成键合后，通过背面研磨(back grinding)工艺将第一衬底1000的厚度减薄，例如减薄至40-60微米，便于后续刻蚀形成作为背腔的凹陷。

步骤7：制作引出端子。

参考图7，将图6中完成减薄的器件翻转后，在第一衬底1000的第二表面中通过图形化形成露出电连接结构1401和1402的开口，在开口中分别引出端子1610和1620，引出端子1610和1620分别与电连接结构1402和1401连接，作为I/O端口。参考图8，在引出端子1610和1620上可进一步形成焊垫1710和1720，引出端子1610和1620优选导电性能优异的金属，例如铜，焊垫优选铝。图7中的引出端子1610和1620为形成在通孔中的过孔插塞，可替代的，引出端子1610和1620也可以形成为如图14中所示由过孔插塞和重布线的复合结构形成。

参考图8，在引出端子1610和1620上进一步形成焊垫1710和1720。

步骤8：制作背腔。

参考图9，从第一衬底1000的第二表面通过图形化形成贯穿第一衬底的凹陷1800，凹陷1800位于与有源区对应的位置，用来作为结构功能层的背腔，通过刻蚀在第一衬底1000中形成背腔，避免了填充牺牲层，释放空腔等复杂工艺，同时由于在第一衬底与第二衬底2000结合在一起，确保了足够的机械强度。

在刻蚀第一衬底时，由于第二凹槽1420的第二子槽1422已经形成，第二子槽1422会与凹陷1800连通，刻蚀气体通过第二子槽1422被释放，这样在刻蚀凹陷1800时可以避免凹陷1800的侧壁发生横向钻蚀，确保凹陷1800侧壁保持垂直。在对比例中，在没有形成第二子槽1422的情况下，参见图10所示，在刻蚀凹陷1800时，侧壁发生横向钻蚀，导致凹陷侧面不垂直，严重影响谐振器的性能。

步骤9：制作封盖层。

参考图11，在第一衬底1000的下表面上形成封盖层1900，优选的，封盖层1900包括干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层中的一种，优选由干膜构成，封盖层1900用于对滤波器进行密封对，刻蚀封盖层1900暴露焊垫1710和1720。

步骤10：滤波器输入/输出端引出。

参考图12，将滤波器放入电镀槽中，以图案化的封盖层为掩膜依次电镀所需要的第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层。然后进行回流工艺，回流后形成导电柱1711和导电柱1721、焊接凸块1713和1723，从而完成滤波器的输入/输出端的电性引出。具体地，第一层金属层优选导电性能优异的金属，例如铜，构成导电柱1711和1721以更好的进行电信号传递。第二金属层选择能在第一层金属层和第三层金属层之间起到间隔保护作用的金属，例如镍以形成间隔层1712和1722。第三层金属层可以选取熔点较低的金属材料，例如锡、铅或铝等，以在后续制作焊接凸块1713和1723。

可以理解的是，第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层可以通过例如无电电镀来制备以提供更均匀的覆盖范围。

可替代的，第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层也可以采用其他的电镀方法来进行制备，在此本实用新型不对其进行具体限定。

本实用新型中通过对滤波器新制作工艺的设计，具有如下的先进之处：

首先，本实用新型中声波反射区通过刻蚀衬底形成背腔，不必通过牺牲层来制作空腔，无需执行沉积牺牲材料以及释放空腔的步骤，降低了平面薄膜工艺制造难度，且减少空腔材料释放不干净的可能性。

其次，本实用新型的背腔结构由于设计了释放刻蚀气体的通道，在刻蚀构成背腔的凹陷时不会造成边缘钻蚀，使背腔侧面保持垂直，保证了薄膜震荡的振幅，避免薄膜高频振荡碎裂。

再次，本实用新型采用苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料等构成键合层，从而避免了金属键合，避免了金属键合工艺，并且在键合时无需光刻，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构，进一步降低制造成本。

最后，本实用新型中的背腔结构由于键合了第二衬底作为支撑，其机械强度远远强于传统的体硅刻蚀结构，增强了结构可靠性，可以实现工业上大规模应用。

进一步的，本实用新型的背腔结构和制备方法可以应用于各种半导体装置和微机电系统装置中。

以上结合具体的实施方案对本实用新型进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本实用新型的保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本实用新型的精神和原理对本实用新型做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本实用新型的范围内。

Claims (10)

1.一种电子器件，其特征在于，包括：第一载体、第一组件、第二载体以及封盖层；

所述第一组件设置在所述第一载体的第一表面上；

所述第一组件和所述第二载体之间具有键合结构；

在所述第一载体的第二表面上具有封盖层；

在所述第一载体中具有与所述第一组件对应的凹陷；

在第一组件的周围具有延伸到所述第一载体的第一表面的至少一个子槽，所述子槽的投影位于所述凹陷内部并与所述凹陷连通。

2.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述至少一个子槽形成在所述第一组件的至少一侧面。

3.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于：还包括外部电连接结构，从所述第一载体的第二表面处形成直至具有露出所述外部电连接结构的开口，在所述开口中形成有引出端子。

4.如权利要求3所述的电子器件，其特征在于：所述第一组件包括上电极和下电极，所述外部电连接结构包括与所述下电极同时形成的第一电连接结构和第二电连接结构。

5.如权利要求4所述的电子器件，其特征在于：所述第一电连接结构同时作为所述下电极，所述第二电连接结构与所述上电极通过金属连接层电连接。

6.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述键合结构包括苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料中的一种构成的键合层。

7.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述凹陷贯穿所述第一载体。

8.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述封盖层包括干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层中的一种，所述第二载体包括玻璃。

9.如权利要求3所述的电子器件，其特征在于：所述引出端子包括过孔插塞或重布线。

10.如权利要求1所述的电子器件，其特征在于：所述第一组件选自：谐振器、发射滤波器或接收滤波器。