CN117639700A - 一种射频器件、电子设备及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种射频器件、电子设备及其制作方法，射频器件的制作方法包括：提供第一衬底，在第一衬底的第一表面上形成第一绝缘层，第一绝缘层具有第一部分和第二部分；提供第二衬底，在第二衬底中形成空腔；在形成空腔的第二衬底上形成第二绝缘层，使得第二绝缘层的第一部分形成在第二衬底的第一表面上，第二绝缘层的第二部分形成在空腔的侧壁和底部；将第一衬底的第一表面和第二衬底的第一表面相对设置，通过键合工艺，将第一绝缘层的第一部分和第二绝缘层的第一部分键合在一起，第一绝缘层的第二部分密封空腔的开口，使得空腔形成具有真空度的密闭空腔；去除第一衬底，继续形成射频器件的组件部分、电连接组件和封盖部分。

Description

一种射频器件、电子设备及其制作方法

技术领域

本公开涉及电子领域，更具体而言，涉及一种射频器件、电子设备及其制作方法。

背景技术

衬底上可以形成各种各样的电子器件。随着电子器件物理结构复杂性的增加，现有技术中经常使用具有空腔的射频器件。

以薄膜体声波谐振器构成的滤波器为例，图1为现有滤波器中薄膜体声波谐振器的一种结构示意图。如图1中所示，薄膜体声波谐振器包括衬底100、空腔101、下电极102、压电层103以及上电极104，其中下电极102、上电极104和压电层103形成“三明治”结构。在制备薄膜体声波谐振器的过程中，该“三明治”结构先覆盖在填充有牺牲材料的空腔101中，在完成后续制造工序后，再去除牺牲材料，以释放空腔101，空腔101用作薄膜体声波谐振器的声反射区域。在填充牺牲材料时，通常牺牲材料共形沉积在衬底100的上表面上，因此需要对衬底100的上表面进行诸如化学机械抛光的平坦化工序，以去除空腔101以外的牺牲材料。从而具有空腔的器件在制造中需要增加多道复杂的工艺步骤，而且在化学机械抛光工序中由于牺牲材料和衬底材料的不同，以及研磨液和研磨压力的选择设定，导致在化学机械抛光工序中，牺牲材料与衬底材料的研磨速率不一致，进而使得研磨后空腔101中牺牲材料的上表面凸出衬底100上表面或者低于衬底100上表面，产生凸起或凹陷。这种结构的缺陷会在不同层中逐层累积，进而不利于后续结构层的生长以及后期的器件工作。此外释放牺牲材料以形成空腔101的工序常常导致工艺难度增加，且存在牺牲材料释放不干净的可能。

可见，现有的滤波器的制备工艺存在流程复杂、工艺难度高、器件结构稳定性差、制备成本高昂，产量和良率低等技术问题。

发明内容

本公开针对上述技术问题，改进具有空腔的射频器件的工艺流程，其能克服现有技术中存在的上述技术问题。

在下文中将给出关于本公开的简要概述，以便提供关于本公开某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本公开的穷举性概述。它并不是意图确定本公开的关键或重要部分，也不是意图限定本公开的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本公开提供一种射频器件的制作方法，包括：提供第一衬底，在第一衬底的第一表面上形成第一绝缘层，第一绝缘层具有第一部分和第二部分；提供第二衬底，在第二衬底中形成空腔；在形成空腔的第二衬底上形成第二绝缘层，使得第二绝缘层的第一部分形成在第二衬底的第一表面上，第二绝缘层的第二部分形成在空腔的侧壁和底部；将第一衬底的第一表面和第二衬底的第一表面相对设置，通过键合工艺，将第一绝缘层的第一部分和第二绝缘层的第一部分键合在一起，第一绝缘层的第二部分密封空腔的开口，使得空腔形成具有真空度的密闭空腔；去除第一衬底，继续形成射频器件的组件部分、电连接组件和封盖部分。

进一步的，第一绝缘层和第二绝缘层中的一者为二氧化硅，另一者选自二氧化硅、硅或氮化硅。

进一步的，第一绝缘层的厚度设置为确保在后续的工艺制造中不破坏密封空腔的真空度。

进一步的，在第一绝缘层上形成电连接组件的引出电极和组件部分的下电极，在引出电极和下电极上形成组件部分的压电层、上电极和钝化层，下电极、压电层、上电极和钝化层构成结构功能层。

进一步的，刻蚀压电层，在对应于引出电极的位置形成通孔，在通孔处形成电连接组件的非金的第一导电柱。

进一步的，提供封盖部分的第三衬底，第三衬底的第一表面上形成键合结构，通过键合结构将第三衬底与第二衬底结合在一起，第一导电柱上表面和结构功能层的上表面在键合结构中露出。

进一步的，在第三衬底中形成贯通孔，贯通孔处形成电连接组件的非金的第二导电柱，以及在第三衬底的第二表面上形成电连接组件的重布线结构，在重布线结构上形成电连接组件保护层，在电连接组件保护层中形成与重布线结构连接的电连接组件的第三导电柱。

进一步的，提供封盖部分的第三衬底，第三衬底的第一表面上形成键合结构，通过键合结构将第三衬底与第二衬底结合在一起，结构功能层的上表面在键合结构中露出。

进一步的，在第二衬底中形成贯通孔，贯通孔处形成电连接组件非金的第二导电柱，以及在第二衬底的第二表面上形成电连接组件的重布线结构，在重布线结构上形成电连接组件保护层，在电连接组件保护层中形成与重布线结构连接的电连接组件的第三导电柱。

进一步的，键合结构的材料选自苯并环丁烯、干膜、玻璃浆料中的一种。

进一步的，电连接组件保护层包括干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层中的一种；第三衬底包括玻璃。

本公开的另一方面提供一种射频器件，所述射频器件通过前述任一制作方法制作而成。

本公开的另一方面提供一种电子设备：所述电子设备包括前述的射频器件。

本公开提供的射频器件及其制备工艺具有如下优点：简化器件的工艺流程，降低工艺难度和制造成本，提升产量和良率，便于工业大规模生产应用。

附图说明

参照附图下面说明本公开的具体内容，这将有助于更加容易地理解本公开的以上和其他目的、特点和优点。附图只是为了示出本公开的原理。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。

图1为现有滤波器中的薄膜体声波谐振器的一种结构示意图；

图2-图3示出了本公开提供的具有空腔结构的射频器件的结构示意图；

图4-图13示出了根据本公开提供的具有空腔结构的射频器件的制备工艺流程的示意图。

具体实施方式

在下文中将结合附图对本公开的示例性公开内容进行描述。为了清楚和简明起见，在说明书中并未描述实现本公开的所有特征。然而，应该了解，在开发任何这种实现本公开的过程中可以做出很多特定于本公开的决定，以便实现开发人员的具体目标，并且这些决定可能会随着本公开的不同而有所改变。

在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本公开，在附图中仅仅示出了与根据本公开的方案密切相关的器件结构，而省略了与本公开关系不大的其他细节。

一般来说，应理解，图式及其中所描绘的各种元件未按比例绘制。此外，使用相对术语(例如“上面”、“下面”、“顶部”、“底部”、“上部”及“下部”)来描述各种元件彼此的关系应理解，这些相对术语除图式中所描绘的定向之外还涵盖装置和/或元件的不同定向。

应理解的是，本公开并不会由于如下参照附图的描述而只限于所描述的实施形式。本文中，在可行的情况下，不同实施方案之间的特征可替换或借用、以及在一个实施方案中可省略一个或多个特征，其中相同的附图标记表示相同的部件。应理解的是，本公开的制造步骤在实施例中为示例性的，其顺序步骤可调。

本公开适用于包括下空腔的射频器件，本实施方案中虽然以包括下空腔的薄膜体身波谐振器构成的滤波器为例进行说明，但本领域技术人员可以理解的是，本公开的方案不囿于薄膜体身波滤波器滤波器，也可适用于具有包括下空腔的薄膜体身波谐振器构成的双工器、多工器等。

第一实施例

参见图2，图2示出了本公开提供的滤波器的一种器件结构，该滤波器的器件结构包括衬底部分、功能组件部分、封盖部分和电连接组件。

具体的，衬底部分包括第二衬底2000、空腔2100、第一绝缘层3100和第二绝缘层3200。其中，第二衬底2000可以是例如高阻硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝_、SiC等与半导体工艺兼容的材料形成。尤其应当指出的是，当第二衬底2000采用玻璃材料时，其介电常数较低，电阻效率高，在高频性能中更加有优势。

在第二衬底2000中形成的空腔2100构成薄膜体声波谐振器的声波反射区域，第二衬底2000的上表面、空腔2100的侧壁、空腔2100的下表面上覆盖有第二绝缘层3200，第二绝缘层3200可以为氧化硅(SiO)、硅、氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)等既能用于绝缘以及又能适配于与第一绝缘层熔融键合的材料。第二衬底2000上进一步形成有第一绝缘层3100，第一绝缘层3100的第一部分直接覆盖在第二衬底2000第一表面的第二绝缘层3200上，第一绝缘层3100的第二部分密封空腔2100开口处，以使得空腔2100形成为具有真空度的密闭空腔。其中第一绝缘层3100的第一部分和第二部分一体成型，具有平整的上下表面。进一步的，第一绝缘层3100的材料可以为氧化硅(SiO)、硅、氮氧化硅(SiON)或氮化硅(SiN)等既能用于绝缘以及又能适配于与第二绝缘层熔融键合的材料。第一绝缘层3100的厚度设置确保为在后续的工艺制造中不破坏密封空腔2100的真空度即可。

在第一绝缘层3100的上表面上形成有电连接组件中的引出电极5100和构成滤波器的薄膜体声波谐振器元件的功能组件部分，该功能组件部分至少包括上电极4300、下电极4100和压电层4200。

在一实施方式中，下电极4100可以为单层或多层，下电极4100可以全部或部分覆盖第一衬底。下电极4100可以由一种或多种导电材料形成，例如与包括钨、钼、铱、铝、铂、钌、铌或铪等半导体工艺兼容的各种金属。

在下电极4100上形成压电层4200，压电层4200可以由例如氮化铝、掺杂氮化铝或锆酸钛酸盐(PZT)等与半导体工艺兼容的任何压电材料形成。

在压电层4200上形成上电极4300，上电极4300可以由一种或多种导电材料形成，例如包括钨、钼、铱、铝、铂、钌、铌或铪等半导体工艺兼容的各种金属。上电极4300与下电极4100的材料可以相同或不同。

进一步的，功能组件部分还可以包括在下电极4100和/或上电极4300上形成的质量负载层、框架结构等结构。或者，功能组件部分也可以包括在上电极4300上形成的钝化层4400。质量负载层与下电极4100和/或上电极4300可以一体形成或分立形成。质量负载层的材料可以与下电极4100和/或上电极4300的材料相同。钝化层4400覆盖在上电极4300上，钝化层4400的材料可以与压电层4200的材料相同。

在压电层4200中对应于引出电极5100的位置处形成有通孔，在通孔中上进一步形成有与引出电极5100相连的第一导电柱5200，需要指出的是，在本公开中由于工艺流程的改进，第一导电柱5200可以不采用现有工艺流程中不得不采用的金材料，转而采用由价格更为低廉导电材料，例如铝制备。

封盖部分包括第三衬底6000和键合结构6100。具体的，第三衬底6000可以为硅片或者第三衬底6000也可以为玻璃片。键合结构6100包括苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料中的一种构成的键合材料。第三衬底6000的第一表面上形成有图案化的键合结构6100，第三衬底6000的第一表面与第二衬底2000的第一表面面对面相对设置。图案化的键合结构6100设置在第三衬底6000的第一表面和第二衬底2000的第一表面之间。第一导电柱5200上表面和功能组件部分的上表面可在图案化的键合结构6100中可露出。第三衬底6000中形成有通孔，通孔处形成有电连接组件的第二导电柱5300，第二导电柱5300的一端与第一导电柱5200的上表面直接相连，第二导电柱5300的另一端与设置在第三衬底6000第二表面上的电连接组件的重布线层5400直接相连。在第三衬底6000第二表面上还形成有电连接组件保护层7000，电连接组件保护层7000的材料可选自干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层。在电连接组件保护层7000中形成有通孔，在通孔中形成有连接到重布线层5400的电连接组件的第三导电柱5500，第三导电柱5500上形成有凸块5700，第三导电柱5500和凸块5700之间还可以形成有间隔层5600。第一导电柱5200和第三导电柱5500优选导电性能优异的金属，例如铜，以更好的进行电信号传递，凸块5700可以选取熔点较低的金属材料，例如锡、铅(Pb)或铝等，以便易于熔融成型，间隔层5600根据第三导电柱5500材料和凸块5700材料选自起到间隔保护作用的金属，例如镍。

引出电极5100、第一导电柱5200、第二导电柱5300、重布线层5400、第三导电柱5500、间隔层5600和凸块5700构成的电连接组件用于将滤波器的输入信号和输出信号引出。

第二实施例

本公开提供的第二实施例中，滤波器的组件部分的结构和设置都相同，电连接组件中引出电极5100和第一导电柱5200的结构和设置也相同。

与第一实施例不同的是，封盖部分中键合结构6100的图案不同。键合结构6100的材料与第一实施方式中相同，在此不再赘述。具体的，第三衬底6000的第一表面上形成有图案化的键合结构6100，第三衬底6000的第一表面与第二衬底2000的第一表面面对面相对设置。图案化的键合结构6100设置在第三衬底6000的第一表面和第二衬底2000的第一表面之间，覆盖住第一导电柱5200。功能组件部分的上表面可在图案化的键合结构6100中露出。

在第二衬底2000中形成有贯穿第二衬底2000的通孔，通孔还贯穿第一绝缘层3100和第二绝缘层3200直至引出电极5100的下表面，通孔中形成有电连接组件的第二导电柱5300，第二导电柱5300的一端与引出电极5100的下表面直接相连。第二导电柱5300的另一端与设置在第二衬底2000第二表面上的电连接组件的重布线层5400相连。在第二衬底2000第二表面上还形成有电连接组件保护层7000，电连接组件保护层7000的材料选择如第一实施例所述，在此不再赘述。在电连接组件保护层7000中形成有通孔，在通孔中形成有连接到重布线层5400的电连接组件的第三导电柱5500，第三导电柱5500上形成有凸块5700，第三导电柱5500和凸块5700之间还可以形成有间隔层5600。第一和第三导电柱5500优选导电性能优异的金属，例如铜，以更好的进行电信号传递，凸块5700可以选取熔点较低的金属材料，例如锡、铅(Pb)或铝等，以便易于熔融成型，间隔层5600根据第三导电柱5500材料和凸块5700材料选自起到间隔保护作用的金属，例如镍。

本公开提供的下空腔型滤波器结构相比现有的空腔型滤波器结构而言具有极大的优点。

首先，本公开提供的下空腔型滤波器，通过第一和第二绝缘层的提供，无需形成牺牲层从而可以避免凸起或凹陷结构的缺陷会在不同层中逐层累积，进而不利于后续结构层平整性以及最终的器件工作性能。

其次，本公开采用苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料等构成键合层，从而使得引出电极和第一导电柱和第二导电柱可以采用价格更为低廉的导电金属，避免了金金键合工艺，并且在键合时无需光刻工艺，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构，进一步降低制造成本。

第三实施例

基于本公开第一实施例的滤波器结构，请参阅图4-图13，图4-图13为根据本公开提供的具有空腔结构的射频器件的制备工艺流程的示意图。在制作方法部分，本公开以滤波器为例进行说明。本领域技术人员可以根据本公开中披露的制作方法的精神和原理，用于制造其他背腔型器件。

步骤1：提供第一衬底1000。第一衬底1000可以为例如高阻硅、砷化镓、磷化铟、玻璃、蓝宝石、氧化铝_、SiC等与半导体工艺兼容的材料形成。更优的，第一衬底可以选取容易去除的、价格低廉的硅材料。

步骤2：在第一衬底1000的第一表面上形成第一绝缘层3100，第一绝缘层3100的材料如第一实施例中所述，在此不再赘述。

步骤3：提供第二衬底2000，第二衬底2000能在制作时起到对滤波器器件支撑的作用，保证滤波器在加工过程中坚固可靠。第二衬底2000的材质如前所述，在此不再赘述。

步骤4：在第二衬底2000的第一表面上形成图案化的光刻胶，以图案化的光刻胶为掩膜刻蚀第二衬底2000，在第二衬底2000中形成空腔2100。

步骤5：在形成了空腔2100的第二衬底2000上形成第二绝缘层3200。以第二绝缘层3200为二氧化硅为例，可以理解的是，第二绝缘层3200可以通过氧化工艺或沉积工艺形成。使得第二绝缘层3200的第一部分形成在第二衬底2000的第一表面上，第二绝缘层3200的第二部分形成在空腔2100的侧壁和底部。

步骤6：将第二衬底2000的第一表面和第一衬底的第一表面相对设置，通过熔融键合工艺，将第一绝缘层3100和第二绝缘层3200键合在一起。然后去除第一衬底1000。从而使得第一绝缘层3100的第一部分直接覆盖在第二衬底2000第一表面的第二绝缘层3200的第一部分上，第一绝缘层3100的第二部分密封空腔2100的开口，以使得空腔2100形成具有真空度的密闭空腔2100。

步骤7：在第一绝缘层3100上沉积用来形成下电极4100和电连接结构中引出电极5100的导电材料，并对导电材料进行图形化形成下电极4100和引出电极5100，引出电极5100和与下电极4100位于同一层。下电极4100和引出电极5100可以为单层或多层。

步骤8：然后再在下电极4100和引出电极5100上形成压电层4200，压电层4200的材料如前所述。

步骤9：在压电层4200上依次形成上电极4300材料和钝化层4400材料，对钝化层4400材料、上电极4300材料分别进行图形化形成上电极4300和钝化层4400。下电极4100、压电层4200和上电极4300构成薄膜体声波谐振器的功能组件部分。

可以理解的是，在对导电材料进行图形化形成下电极4100和引出电极5100时，可以在下电极4100上形成框架结构等附加结构。在对上电极4300材料进行图形化形成上电极4300时，可以在下电极4100上形成框架结构、质量负载层等附加结构。当具有附加结构时，下电极4100、压电层4200、上电极4300和附加结构构成薄膜体声波谐振器的功能组件部分。

步骤10：刻蚀压电层4200，在对应于引出电极5100的位置形成通孔，以在通孔中形成非金的第一导电柱5200，示例性的，第一导电柱5200可通过剥离工艺沉积铝材料形成。

步骤11：提供第三衬底6000，第三衬底6000的第一表面上形成键合材料，键合材料的选择如前所述。通过图形化键合材料以形成键合结构6100。示例性的，可通过钢网印刷等工艺形成键合结构6100。进一步的，考虑到第三衬底6000的翘曲因素，可以将第三衬底6000的划片区域的键合材料去除。可替代的，键合结构6100也可以形成在第二衬底2000的压电层4200上。

步骤12：将第三衬底6000的第一表面和第二衬底2000的第一表面面对面相对设置。进行键合工艺，通过键合结构6100使得第三衬底6000和第二衬底2000结合在一起。第一导电柱5200上表面和功能组件部分可在图案化的键合结构6100中露出。本公开中选用的键合材料避免了金属键合工艺，并且在键合时无需光刻工艺，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构6100，可以进一步降低制造成本。

步骤13：在第三衬底6000的第二表面进行TSV刻蚀工艺，在第三衬底6000中形成贯通第二表面和第一表面的贯通孔。该贯通孔露出第一导电柱5200的上表面。在贯通孔中可进一步通过电镀工艺形成非金的第二导电柱5300。

步骤14：在第三衬底6000的第二表面上形成重布线结构，然后在重布线结构上沉积电连接组件保护层7000的材料，图形化电连接组件保护层7000的材料形成电连接组件保护层7000。在电连接组件保护层7000中形成第三通孔以暴露出部分的重布线结构。可以理解的是，也可以省略重布线结构的制作。

步骤15：以图案化的电连接组件保护层7000为掩膜依次电镀所需要的第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层。然后进行回流工艺，回流后形成第三导电柱5500、间隔层5600和凸块5700。具体地，第一层金属层优选导电性能优异的金属，例如铜，构成第三导电柱5500以更好的进行电信号传递。第二金属层选择能在第一层金属层和第三层金属层之间起到间隔保护作用的金属，例如镍以形成间隔层5600。第三层金属层可以选取熔点较低的金属材料，例如锡、铅或铝等，以在后续制作焊接凸块5700。可以理解的是，第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层可以通过例如无电电镀来制备以提供更均匀的覆盖范围。可替代的，第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层也可以采用其他的电镀方法来进行制备，在此本公开不对其进行具体限定。

第四实施例

参阅图3-图11，第四实施方式在步骤1-步骤10与第三实施方式中的步骤1-步骤10相同。

步骤11-1中与第三实施方式中的步骤10的区别在于：仅功能组件部分在图案化的键合结构6100中露出。

步骤12-1：将第三衬底6000的第一表面和第二衬底2000的第一表面面对面相对设置。进行键合工艺，通过键合结构6100使得第三衬底6000和第二衬底2000结合在一起。

步骤13-1：在第二衬底2000的第二表面进行诸如TSV的刻蚀工艺，在第二衬底2000中形成贯通第二表面和第一表面的贯通孔。该贯通孔露出引出电极5100的下表面。在贯通孔中可进一步通过电镀工艺形成第二导电柱5300。

步骤14-1：在第二衬底2000的第二表面上形成重布线结构，然后在重布线结构上沉积电连接组件保护层7000的材料，图形化电连接组件保护层7000的材料形成电连接组件保护层7000。在电连接组件保护层7000中形成第三通孔以暴露出部分的重布线结构。可以理解的是，也可以省略重布线结构的制作。

步骤15-1：以图案化的电连接组件保护层7000为掩膜依次电镀所需要的第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层。然后进行回流工艺，回流后形成第三导电柱5500、间隔层5600和凸块5700。第一层金属层、第二层金属层和第三层金属层的材料和制备方法可与第三实施例中相同。

本公开中通过对滤波器新制作方法的设计，具有如下的先进之处：

首先，本公开中声波反射区通过在第二衬底2000中先形成空腔2100，不必通过牺牲层来释放空腔2100，无需执行沉积牺牲材料以及释放空腔2100的步骤，降低了平面薄膜工艺制造难度，且减少空腔2100材料释放不干净的可能性，简化了工艺流程。

其次，本公开通过第一绝缘层3100和第二绝缘层3200的熔融键合，密闭了第二衬底2000上的空腔2100，从而提供了后续器件的制备衬底，从而避免可以空腔2100中填充牺牲层引起凸起或凹陷结构的缺陷会在不同层中逐层累积，进而不利于后续结构层平整性以及最终的器件工作性能。

再次，本公开采用苯并环丁烯(BCB)、干膜、玻璃浆料等构成键合层，从而使得引出电极5100和第一导电柱5200和第二导电柱5300可以采用价格更为低廉的导电金属，避免了金金键合工艺，并且在键合时无需光刻工艺，可以通过钢网印刷工艺来形成键合结构6100，进一步降低制造成本。

本公开中公开的滤波器可以制备双工器和多工器等射频器件、进而可以将射频器件用于手机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、个人穿戴设备、电子游戏设备等电子设备领域中。

以上结合具体的实施方案对本公开进行了描述，但本领域技术人员应该清楚，这些描述都是示例性的，并不是对本公开的保护范围的限制。本领域技术人员可以根据本公开的精神和原理对本公开做出各种变型和修改，这些变型和修改也在本公开的范围内。

Claims (13)

1.一种射频器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，在第一衬底的第一表面上形成第一绝缘层，第一绝缘层具有第一部分和第二部分；

提供第二衬底，在第二衬底中形成空腔；在形成空腔的第二衬底上形成第二绝缘层，使得第二绝缘层的第一部分形成在第二衬底的第一表面上，第二绝缘层的第二部分形成在空腔的侧壁和底部；

将第一衬底的第一表面和第二衬底的第一表面相对设置，通过键合工艺，将第一绝缘层的第一部分和第二绝缘层的第一部分键合在一起，第一绝缘层的第二部分密封空腔的开口，使得空腔形成具有真空度的密闭空腔；

去除第一衬底，继续形成射频器件的功能组件部分、电连接组件和封盖部分。

2.如权利要求1所述的射频器件的制作方法，其特征在于：第一绝缘层和第二绝缘层选自氧化硅、硅、氮氧化硅或氮化硅。

3.如权利要求1或2所述的射频器件的制作方法，其特征在于：第一绝缘层的厚度设置为确保在后续的工艺制造中不破坏密封空腔的真空度。

4.如权利要求3所述的射频器件的制作方法，其特征在于：在第一绝缘层上形成电连接组件的引出电极和功能组件部分的下电极，在引出电极和下电极上形成功能组件部分的压电层、上电极和钝化层，下电极、压电层、上电极和钝化层构成功能组件部分。

5.如权利要求4所述的射频器件的制作方法，其特征在于：刻蚀压电层，在对应于引出电极的位置形成通孔，在通孔处形成电连接组件的非金的第一导电柱。

6.如权利要求5所述的射频器件的制作方法，其特征在于：提供封盖部分的第三衬底，第三衬底的第一表面上形成键合结构，通过键合结构将第三衬底与第二衬底结合在一起，第一导电柱上表面和功能组件部分的上表面在键合结构中露出。

7.如权利要求6所述的射频器件的制作方法，其特征在于：在第三衬底中形成贯通孔，贯通孔处形成电连接组件的非金的第二导电柱，以及在第三衬底的第二表面上形成电连接组件的重布线结构，在重布线结构上形成电连接组件保护层，在电连接组件保护层中形成与重布线结构连接的电连接组件的第三导电柱。

8.如权利要求5所述的射频器件的制作方法，其特征在于：提供封盖部分的第三衬底，第三衬底的第一表面上形成键合结构，通过键合结构将第三衬底与第二衬底结合在一起，功能组件部分的上表面在键合结构中露出。

9.如权利要求8所述的射频器件的制作方法，其特征在于：在第二衬底中形成贯通孔，贯通孔处形成电连接组件非金的第二导电柱，以及在第二衬底的第二表面上形成电连接组件的重布线结构，在重布线结构上形成电连接组件保护层，在电连接组件保护层中形成与重布线结构连接的电连接组件的第三导电柱。

10.如权利要求6或8所述的射频器件的制作方法，其特征在于：键合结构的材料选自苯并环丁烯、干膜、玻璃浆料中的一种。

11.如权利要求7或9所述的射频器件的制作方法，其特征在于：电连接组件保护层包括干膜、阻焊层、聚酰亚胺层、玻璃浆料层中的一种；第三衬底包括玻璃。

12.一种射频器件，其特征在于：所述射频器件通过权利要求1-11中任一项制作方法制作而成。

13.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求12中所述的射频器件。