CN2200648Y - 电镀装置 - Google Patents

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Abstract

一种电镀电子元件的装置,此装置由一旋转座及 多个实质上与该旋转座的旋转轴呈切线方向排列的 电子元件盛装容器构成,盛装容器可嵌入旋转座的滑 槽内定位,活动杆可带动旋转座在电镀池槽内进行电 镀,盛装容器的扁盒内被分隔成若干置放槽,槽壁两 端可导电的棘墙供电子元件置放时,其排列方向一致 且无挤压现象,并可防止电子元件的导脚折弯,以提 高电镀厚度分布的均一性,尤其在低电流密度区,此 优点更为明显。

Description

本实用新型涉及一种电镀电子元件的盛装结构,尤指一种盛装电子元件以供电镀的装置,该装置在电镀过程中可以防止电子元件的导脚折弯,并使电子元件电镀厚度较为均匀,而且该装置又可编列入自动化生产行列中心提高工作效率并防止人为操作所产生的危险性。
图1所示为现有一般电镀电子元件的电镀装置,该装置设有若干个电镀池槽A,且具有金属片B做为电镀阳极(例如锡、铅、铜、银等),欲电镀的电子元件乃先置入如图2所示的滚筒C内,再置入图1的电解装置中电镀,如图所示,此现有的滚筒C中心穿设有一导电心轴D,滚筒C外围的网板C1恰可嵌接于滚筒C上,电子元件即大量填置入此滚筒C内,以便电镀,滚筒C两端分别连接一悬臂E,悬臂E并与其上之活动杆F结合,如此活动杆F便可带动滚筒C在电镀槽A内移动,活动杆F同时也可带动滚筒C上下移动并且转动;由于以上现有的电镀装置为将电子元件全部塞入滚筒C内,故于电镀过程中,易使电子元件互相挤压而造成导脚弯折的现象,为防止此缺点,该导电心轴D上尚可围绕以数个导电环D’,以减少电子元件互相碰撞的机会,然而尽管如此,仍不能有效解决电子元件导脚弯折的问题,这是因为在此种装置中,电子元件是以毫无方向、秩序的方式地置入滚筒C内,且滚筒内空间甚大,故在电镀期间电子元件相互碰接的机会仍然很大,常致使电子元件两端的导脚弯折,需再加工使其变直,造成人力资源的浪费。
除了上述缺点以外,现有的装置还具有下述诸项缺点:
(一)、欲镀物距阳极的距离很远,以致造成欲镀物的厚度差距很大,特别对低电流区(即重要工作区)的厚度差异造成极不利的影响。
请参考图3所示的电子元件示意图,符号3所标示的部分为电子元件(如电阻、电容等)的本体,两导脚31各自其纵长方向伸出。因为电镀的特性,该导脚31由本体向外,依序分为低电流密度区(L.C.D),中电流密度区(M.C.D)以及高电流密度区(H.C.D)。
一般而言,当电子元件电镀完成后,在真正使用时必须将高电区(H.C.D)剪掉,只剩下低电流区和/或部分中电流区。因此,低电流密度区的电镀品质为影响电子元件品质的重要因素。
利用现有的电镀装置电镀电子元件的实验结果如下表所示:对每筒含8K个电子元件而言,电镀时间:10分,电流密度:25ASF
厚 度 合金比例
高电流区 平均:552.5μ英寸 83.5%
STD.DEV:191.9英寸 0.9
最大值:882.6μ英寸 85.1%
最小值:305.9μ英寸 82.3%
范围:576.7μ英寸 2.8
厚 度 合金比例
低电流区 平均:262.2μ英寸 86.6%
STD.DEV:135.0μ英寸 3.4
最大值:518.9μ英寸 94.3%
最小值:32.6μ英寸 82.8%
范围:486.3μ英寸 11.5
厚 度 合金比例
中电流区 平均:410.0μ英寸 82.3%
STD.DEV:119.0μ英寸 1.0
最大值:579.2μ英寸 83.5%
最小值:258.2μ英寸 88.9%
范围:321.0μ英寸 2.6
上述数据显示出在低电流密度区中,最大电镀值与最小电镀值相差最大,亦即品质最不稳定,而在高电流密度区中,则最大电镀值与最小电镀值之差最小,表示此处的品质较为稳定,然而在真正使用时,此高电流密度区已被剪掉对整个元件的品质并无助益。
如何使低电流密度区的电镀厚度均匀,亦为本实用新型考虑的主要目的。
(二)、电解液在渗入滚筒C内之后,液体的流动率不高,即滚筒C内的电解液与框体外的电解液替换频率不高,造成电镀效果不良。
(三)、在电镀完成之后,必须将网板C1取下,再利用人工将滚筒C搬动,使电子元件从滚筒C内倒出。由于滚筒与其下部的盛装容器有一段距离,故而在进行倒入动作时,会因重力加速度的影响,使得电子元件(特别是在滚筒下缘的电子元件)的导脚弯折。
本实用新型的主要目的乃在于提供一种电镀用的装置,该装置由多个与一滚动轴大致呈切线排列的盛装盒组成,该盛装盒中具有由壳体分隔的置放槽,槽壁两端设有棘墙以供电子元件置放时,提高电子元件与阴极接触的机率,并可避免电子元件的导脚折弯,使弯脚率降至最低,以节省再加工的必要性。
此外,该盛装容器以大致与滚动轴呈切线的方式排列,因此在滚动轴滚动时,可增加电镀液于该盛装容器间流动的机会,增加电镀的均匀性。
本实用新型的另一目的在于提供一种电镀电子元件的装置,此装置的盛装结构使得置于其中的电子元件间无挤压情形,故电镀较完整,品质较优良。
本实用新型的再一目的在于提供一种电镀电子元件的装置,该装置由多个盛装容器置入一旋转座内定位而成,该盛装容器以滚动轴呈实质上切线的方向排列,较易造成电解液内外流动,电镀厚度较为均匀。
本实用新型提出这样一种电镀装置,其由一旋转座和多个电子元件的盛装容器组合而成,其中,所述旋转座设于一活动杆上,并是在电镀过程中由该活动杆带动而可在一电镀池A内以旋转方式移动的,其上设有数组与该旋转座的旋转轴呈实质上切线方向排列的连接座,每一连接座内设有一导电片;所述电子元件盛装容器设置于此连接座上,且其与连接座相连接的两端各设有一可与该连接座内的导电片导通的导电片,可嵌置于该旋转座中并可被连结旋转座之活动杆带动在电镀池槽A内移动的所述容器由一扁盒及其上设有网板的罩盖所组成,该扁盒内藉隔板分隔成数组置放槽,槽壁两端分别设有可导电的棘墙,棘墙与壳体两端的导电铜片连接,扁盒底层亦为网板结构。
而且,在所述的装置中,所述旋转座上设有数组可供容器滑入的滑槽,滑槽口处设有旋钮,滑槽槽面上设有可与容器之导电铜片触接的导电铜片。
而且,在所述的装置中,所述棘墙由一种排列起来并彼此留有空隙的方锥形突尖构成。
为了对本实用新型做更进一步的了解,以下参照附图对本实用新型的结构、特征详细说明如下。
图1 是现有传统电子元件的电镀流程槽的示意图;
图2 是现有传统电镀滚筒的结构图;
图3 所示为一电子元件的平面视图;
图4 是本实用新型的电镀装置的立体外观图;
图5 是本实用新型的电子元件盛装容器的立体外观图;
图6 是本实用新型的电子元件盛装容器一部分的俯视图;
图7 是本实用新型的电子元件盛装容器盛装电子元件后的剖面示意图,为沿图6中的7-7线剖得。
请参阅图4至6所示,本实用新型的电镀装置1主要由一旋转座4以及多个电子元件盛装容器2组合而成,该旋转座4上分别设有数组方向与旋转轴(虚线41’所示)呈大致切线方向排列的连接座,每一连接座上设有一滑槽45和一扣装元件43,以供该电子元件盛装容器2与该旋转座4连接,并使得该盛装容器大致呈平行方式排列,该连接座42上尚设有导电铜片44,可与该盛装容器2两端的导电铜片24相触接,以提供电镀时的电流路径。在电镀时,该旋转座4结合在与现有技术相同的活动杆F上,以在电镀池槽A内移动。
如图5所示,该电子元件盛装容器2由一呈矩形的扁盒20和一罩盖25构成,该扁盒20内设有数组置放槽21,该槽与槽之间分别藉隔板22而分隔,置放槽22两端槽壁上分别设有由导电材料构成的棘墙23,该棘墙23与扁盒2两端壁面上的导电铜片24相连接。罩盖25设于该扁盒20顶端,当电子元件被置放于扁盒壳体20的置放槽21内时,该罩盖25盖合于该扁盒20上。该罩盖25本身基本上由透水的网板26构成,而扁盒20底层也为透水的网板25,以便电解液容易穿透流通。
如图7所示,依据本实用新型的原理,电子元件3以其导脚方向与置放槽21的两棘墙23的相对方向平行的方式设置于每一置放槽21中,使得每一电子元件的导脚31均有机会接触在两面棘墙23上,由于每一电子元件的排列方向皆一致,并无挤压现象发生,故在电镀过程中电子元件3的导脚31较不易折弯;并且可大幅提高电子元件与阴极的接触率。
综合以上所述,利用本实用新型的电镀装置电镀电子元件可实现如下若干优点:
(一)、电子元件3弯折率降至最低,由于电子元件3的导脚31为排列方向一致地置于电子元件置放容器2的棘墙23之间,故无扭挤及重压发生,导脚更不易折损。
(二)、电镀完整,由于电流分布得更均匀,尤其在传统电镀所不能控制的低电流密度区,本装置能提供更均匀且更大的电流密度,并能藉由棘墙的遮蔽性以降低高电流密度区的厚度,以使整只导线的厚度更均匀,尤其是低电流区,故可使其在实际的应用上成为有效的焊接区域,而大幅提高电子元件的可焊性(根据MIL-STD-208F method 202F方法测试)。
(三)、扁盒20置入旋转座4内是采用大致切线方向的方式排列,故较易造成电解液的内外对流,相对地也使扁盒20内的电解液交流良好,故使电度厚度以及均一性的控制效果较好。
(四)、由于壳体1成固定规格,形成标准化,利于自动化生产的装填、输送与出料。
为说明本实用新型确能改善电镀品质的优点,发明人现提供以本实用新型的电镀装置电镀后的电子元件的厚度实验数值,此实验与前述的现有电镀实验的条件完全相同,唯其电镀元件的数量为4K/每简,得到的数据如下:
厚 度 合金比例
高电流区 平均值:450μ英寸 88.6%
STD.DEV:275英寸 3.3
最大值:1200μ英寸 93.8%
最小值:200μ英寸 80.9%
范围:980英寸 12.9
厚 度 合金比例
中电流密度区 平均478μ英寸 84.2%
STD.DEV:170英寸 1.1
最大值:920μ英寸 86.4%
最小值:225μ英寸 82.2%
范围:700μ英寸 4.2
厚 度 合金比例
低电流密度区 平均405μ英寸 86.4%
STD.DEV:1.50英寸 1.5
最大值:740μ英寸 90.01%
最小值:150μ英寸 83.2%
范围:600μ英寸 6.8
由此数据可知,根据本实用新型的装置,所镀得的元件的低电流密度区与高电流密度区的平均厚度已十分接近,故而实际使用时电子元件的品质可因为低电流密度区的厚度较好而得到有效地改善。
综上所述,本实用新型电镀电子元件的装置,确较现有传统产品优良,并具有增进的功效。

Claims (3)

1、一种电镀装置,其特征在于,其由一旋转座(4)和多个电子元件的盛装容器(2)组合而成,其中,所述旋转座(4)设于一活动杆(F)上,并是在电镀过程中由该活动杆(F)带动而可在一电镀池A内以旋转方式移动的,其上设有数组与该旋转座的旋转轴(41’)呈实质上切线方向排列的连接座(42),每一连接座内设有一导电片(44);所述电子元件盛装容器(2)设置于此连接座(42)上,且其与连接座(42)相连接的两端各设有一可与该连接座内的导电片(44)导通的导电片(24),可嵌置于该旋转座(4)中并可被连结旋转座之活动杆(F)带动在电镀池槽A内移动的所述容器(2)由一扁盒(20)及其上设有网板的罩盖(25)所组成,该扁盒(20)内藉隔板(22)分隔成数组置放槽(21),槽壁两端分别设有可导电的棘墙(23),棘墙与壳体两端的导电铜片(24)连接,扁盒底层亦为网板结构。
2、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述旋转座(4)上设有数组可供容器滑入的滑槽(45),滑槽口处设有旋钮(43),滑槽槽面上设有可与容器(2)之导电铜片(24)触接的导电铜片(44)。
3、根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述棘墙(23)由一种排列起来并彼此留有空隙的方锥形突尖构成。
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