CN220023045U - 一种高功率的双声道语音模块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高功率的双声道语音模块，包括语音芯片U14、抗干扰电路、音频输出电路以及左声道放大电路、右声道放大电路。本实用新型双声道语音模块仅用两个MOS管就能提高播放音量，相较于传统的功放芯片，该双声道语音模块受环境影响较小，且MOS管外围器件更少，成本低，实用性强。本实用新型双声道语音模块具有良好的抗干扰能力，在电源不稳定时，依然能正常播报。本实用新型双声道语音模块体积小，便于二次开发，或直接使用。本实用新型双声道语音模块能够降低电路板的制作成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及语音模块，具体的说是涉及一种高功率的双声道语音模块。
背景技术
现在电子产品语音播放的应用越来越广泛，在一些特殊环境下则需要播报的声音很大，现在大多的语音播放模块都是采用增加功放来增加音量。
目前，市场上大多的语音模块为了提高音量都是增加功放芯片，增加了功放芯片就必然要为功放芯片增加外围电路，导致成本提高，且浪费了PCB的空间。而且增加的音量还受限与功放芯片本身，受环境影响较大，在一些较为恶劣的使用场景下，会出现语音播报不清晰的问提。
实用新型内容
针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种高功率的双声道语音模块，设计该双声道语音模块的目的：一是降低电路板的制作成本，二是解决语音播报不清晰的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：本实用新型的一种高功率的双声道语音模块，包括：
语音芯片U14，输入端具有多个信号接口，其中的两个接口分别连接至电阻R108的第一端、电阻R109的第一端，所述电阻R108的第二端接B_BUSY信号线，电阻R109的第二端接B_DATA信号线，所述B_BUSY信号线、B_DATA信号线为电子设备语音控制线，所述语音芯片U14的GND脚接地，其VDD脚接入3.3V电压；
抗干扰电路，包括电容C91、电容C92，所述电容C91的第一端接至所述语音芯片U14的PWM脚，其第二端接地，所述电容C92的第一端接至所述语音芯片U14的VDD脚，其第二端接至所述电容C91的接地端；
音频输出电路，包括电阻R107、NPN型三极管Q9，所述阻R107的第一端接至所述语音芯片U14的PWM+/DAC脚，其第二端接至所述NPN型三极管Q9的基极，所述NPN型三极管Q9发射极接至所述电容C91的接地端，所述NPN型三极管Q9的集电极分别连接有左声道放大电路、右声道放大电路。
所述左声道放大电路包括第一电感器FB15、电阻R110和MOS管Q11；
所述第一电感器FB15的第一端接入5V电压、电阻R110的一端，其第二端接至所述MOS管Q11的源极S，所述电阻R110的第二端接至所述MOS管Q11的栅极G以及所述NPN型三极管Q9的集电极，所述MOS管Q11的漏极D输出电压至左喇叭。
所述右声道放大电路包括第二电感器FB14、电阻R111和MOS管Q10；
所述第二电感器FB14的第一端接入5V电压、电阻R111的一端，其第二端接至所述MOS管Q10的源极S，所述电阻R111的第二端接至所述MOS管Q10的栅极G以及所述NPN型三极管Q9的集电极，所述MOS管Q10的漏极D输出电压至右喇叭。
相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：
1.本实用新型双声道语音模块仅用两个MOS管就能提高播放音量，相较于传统的功放芯片，该双声道语音模块受环境影响较小，且MOS管外围器件更少，成本低，实用性强。
2.本实用新型双声道语音模块具有良好的抗干扰能力，在电源不稳定时，依然能正常播报。
3.本实用新型双声道语音模块体积小，便于二次开发，或直接使用。
4.本实用新型双声道语音模块能够降低电路板的制作成本。
附图说明
图1为本实用新型双声道语音模块的电路总图。
图2为图1的左部分电路放大图。
图3为图2的右部分电路放大图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，本实用新型所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
实施例1：本实用新型的具体结构如下：
请参照附图1-3，本实用新型的一种高功率的双声道语音模块，包括：
语音芯片U14，输入端具有多个信号接口，其中的两个接口分别连接至电阻R108的第一端、电阻R109的第一端，所述电阻R108的第二端接B_BUSY信号线，电阻R109的第二端接B_DATA信号线，所述B_BUSY信号线、B_DATA信号线为电子设备语音控制线，所述语音芯片U14的GND脚接地，其VDD脚接入3.3V电压；
抗干扰电路，包括电容C91、电容C92，所述电容C91的第一端接至所述语音芯片U14的PWM脚，其第二端接地，所述电容C92的第一端接至所述语音芯片U14的VDD脚，其第二端接至所述电容C91的接地端；
音频输出电路，包括电阻R107、NPN型三极管Q9，所述阻R107的第一端接至所述语音芯片U14的PWM+/DAC脚，其第二端接至所述NPN型三极管Q9的基极，所述NPN型三极管Q9发射极接至所述电容C91的接地端，所述NPN型三极管Q9的集电极分别连接有左声道放大电路、右声道放大电路。
所述左声道放大电路包括第一电感器FB15、电阻R110和MOS管Q11；
所述第一电感器FB15的第一端接入5V电压、电阻R110的一端，其第二端接至所述MOS管Q11的源极S，所述电阻R110的第二端接至所述MOS管Q11的栅极G以及所述NPN型三极管Q9的集电极，所述MOS管Q11的漏极D输出电压至左喇叭。
所述右声道放大电路包括第二电感器FB14、电阻R111和MOS管Q10；
所述第二电感器FB14的第一端接入5V电压、电阻R111的一端，其第二端接至所述MOS管Q10的源极S，所述电阻R111的第二端接至所述MOS管Q10的栅极G以及所述NPN型三极管Q9的集电极，所述MOS管Q10的漏极D输出电压至右喇叭。
实施例2：
如图1所示，MOS管Q11和MOS管Q10的型号均采用AO4441_C693380。
如图1所示，电容C91的电容值为1nF，电容C92的电容值为100nF，电阻R110和电阻R111均采用10K的电阻，电阻R107的阻值为1K。
实施例3：
以下是本实用新型双声道语音模块的工作原理：
如图1所示，所述B_BUSY信号线、B_DATA信号线用于控制语音播报的内容。抗干扰电路分另和语音芯片U14的VDD脚、语音芯片U14的PWM脚连接，增加语音芯片U14的抗干扰能力。音频输出电路与语音芯片U14的PWM+/DAC脚连接，用于控制语音的输出。
本实用新型的左声道放大电路、右声道放大电路与音频输出电路连接，用于增加功率，提高播放质量。
语音芯片U14的PWM+/DAC脚输出给电阻R107后，控制NPN型三极管Q9的B极，NPN型三极管Q9再控制MOS管10、MOS管11。MOS管10、MOS管11分别控制输出5V电压给右喇叭、左喇叭。
综上所述，本实用新型双声道语音模块仅用两个MOS管就能提高播放音量，相较于传统的功放芯片，该双声道语音模块受环境影响较小，且MOS管外围器件更少，成本低，实用性强。本实用新型双声道语音模块具有良好的抗干扰能力，在电源不稳定时，依然能正常播报。本实用新型双声道语音模块体积小，便于二次开发，或直接使用。本实用新型双声道语音模块能够降低电路板的制作成本。
本发明仅仅用两个MOS管就能提高播放音量，相较于功放芯片受环境影响较小，且外围器件更少，成本低，实用性强等优点。
以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (1)
1.一种高功率的双声道语音模块，其特征在于，包括：
语音芯片U14，输入端具有多个信号接口，其中的两个接口分别连接至电阻R108的第一端、电阻R109的第一端，所述电阻R108的第二端接B_BUSY信号线，电阻R109的第二端接B_DATA信号线，所述B_BUSY信号线、B_DATA信号线为电子设备语音控制线，所述语音芯片U14的GND脚接地，其VDD脚接入3.3V电压；
抗干扰电路，包括电容C91、电容C92，所述电容C91的第一端接至所述语音芯片U14的PWM脚，其第二端接地，所述电容C92的第一端接至所述语音芯片U14的VDD脚，其第二端接至所述电容C91的接地端；
音频输出电路，包括电阻R107、NPN型三极管Q9，所述阻R107的第一端接至所述语音芯片U14的PWM+/DAC脚，其第二端接至所述NPN型三极管Q9的基极，所述NPN型三极管Q9发射极接至所述电容C91的接地端，所述NPN型三极管Q9的集电极分别连接有左声道放大电路、右声道放大电路；
所述左声道放大电路包括第一电感器FB15、电阻R110和MOS管Q11；
所述第一电感器FB15的第一端接入5V电压、电阻R110的一端，其第二端接至所述MOS管Q11的源极S，所述电阻R110的第二端接至所述MOS管Q11的栅极G以及所述NPN型三极管Q9的集电极，所述MOS管Q11的漏极D输出电压至左喇叭；
所述右声道放大电路包括第二电感器FB14、电阻R111和MOS管Q10；
所述第二电感器FB14的第一端接入5V电压、电阻R111的一端，其第二端接至所述MOS管Q10的源极S，所述电阻R111的第二端接至所述MOS管Q10的栅极G以及所述NPN型三极管Q9的集电极，所述MOS管Q10的漏极D输出电压至右喇叭。
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2023
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