CN219886176U - 一种炉管设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种炉管设备，包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道。多个进气管路均匀设置在待成膜结构周围并且沿着多个待成膜结构的排列方向延伸。每个进气管路包括多个进气口，多个进气口沿着第一方向间隔设置且每个进气口的开口方向朝向待成膜结构，出气通道位于反应腔室内壁与进气管路之间，通过进气管路包括的多个进气口通入反应腔室内的气体通过出气通道排出，实现反应气体在反应腔室内的均匀循环。通过设置多个和待成膜结构的排列方向平行的进气管路，通过进气管路上的多个进气口在平行于待成膜结构表面的方向上均匀进气，提高处于不同反应腔室位置处的待成膜结构周围的气体浓度均匀性，进而提高制造得到的膜层厚度均匀性。

Description

一种炉管设备

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种炉管设备。

背景技术

随着半导体相关领域的技术发展，半导体器件的制造工艺也在不断提升。在制造半导体器件时，经常会利用成膜工艺，即向反应腔室内通入反应气体，从而在待成膜结构上形成膜层的工艺。

成膜工艺可以利用炉管设备，从炉管设备的下方向反应腔室内通入反应气体，气流方向自下而上，反应气体从反应腔室的上方流入出气通道，通过出气通道排出反应腔室。但是反应气体在从下至上流过反应腔室的过程中，存在气体浓度分布不均匀的现象，即反应腔室内气体氛围不均匀，从而导致在待成膜结构上形成的膜层厚度不均匀。

因此，当前存在炉管设备中气体浓度不均匀导致的膜层厚度不均匀的情况。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种炉管设备，能够提高炉管设备中气体浓度的均匀性，进而提高利用炉管设备形成的膜层的厚度均匀性。

本申请实施例提供了一种炉管设备，所述炉管设备包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道；

多个所述进气管路设置于所述反应腔室中，所述进气管路沿着第一方向延伸，所述第一方向为多个待成膜结构的排列方向，多个所述进气管路围绕所述待成膜结构均匀设置；

每个所述进气管路包括多个进气口，多个所述进气口沿着所述第一方向间隔设置，且每个所述进气口的开口方向朝向所述待成膜结构；

所述出气通道位于所述反应腔室内壁与所述进气管路之间，利用所述进气管路通入所述反应腔室内的气体通过所述出气通道排出。

可选地，所述炉管设备包括三个所述进气管路。

三个所述进气管路在垂直于所述第一方向的平面上的投影构成等腰三角形。

可选地，多个所述进气管路的进气口处于不同平面上。

可选地，所述进气口的形状为圆形、椭圆、半圆环形或多边形。

可选地，所述进气口的形状为圆形，沿着进气至出气方向，多个所述进气口的直径逐渐增加。

可选地，所述进气管路的尺寸沿着气体流动方向逐渐增加。

可选地，所述炉管设备还包括加热装置，所述加热装置沿着第一方向将所述反应腔室分为多个温区，

每个温区设置有至少一个所述进气口。

可选地，所述出气通道为环绕多个所述进气管路设置的环形通道，且所述环形通道沿着所述反应腔室的内壁设置。

可选地，所述环形通道的进气口位于所述反应腔室的顶部，所述环形通道的出气口位于所述炉管设备的底部。

可选地，所述炉管设备还包括真空泵，所述真空泵和所述出气通道的出气口连接。

本申请实施例提供的炉管设备，包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道。反应腔室中进气管路设置为多个，多个进气管路均匀设置在待成膜结构周围并且沿着多个待成膜结构的排列方向，即第一方向进行延伸，即实现进气管路和多个待成膜结构的排列方向的平行设置。每个进气管路包括多个进气口，多个进气口沿着第一方向间隔设置，每个进气口的开口方向朝向待成膜结构，也就是说，通过多个沿着第一方向排列且朝向待成膜结构的进气口，实现反应气体从平行于待成膜结构表面的方向通入反应腔室，并且由于进气管路均匀设置在待成膜结构周围以及进气口沿着第一方向排列，这样就使得每个待成膜结构表面的气体浓度均匀性较高，不会出现反应气体统一从反应腔室底部通入从而导致位于反应腔室底部的气体浓度大于位于反应腔室顶部的气体浓度的情况。出气通道位于反应腔室内壁与进气管路之间，通过进气管路包括的多个进气口通入反应腔室内的气体通过出气通道排出，实现反应气体在反应腔室内的均匀循环。由此可见，本申请实施例通过设置多个和待成膜结构的排列方向平行的进气管路，并且通过进气管路上的多个进气口在平行于待成膜结构表面的方向上均匀进气，提高处于不同反应腔室位置处的待成膜结构周围的气体浓度均匀性，进而提高同一炉管设备中不同位置制造得到的膜层厚度均匀性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1示出了一种炉管结构的结构示意图；

图2示出了一种利用炉管结构制造得到的膜层的结构示意图；

图3示出了本申请实施例提供的一种炉管结构的结构示意图；

图4示出了本申请实施例提供的一种设置进气管路的结构示意图；

图5示出了本申请实施例提供的另一种炉管结构的结构示意图；

图6示出了本申请实施例提供的一种设置进气口的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

随着半导体相关领域的技术发展，半导体器件的制造工艺也在不断提升。在制造半导体器件时，经常会利用成膜工艺，即向反应腔室内通入反应气体，从而在待成膜结构，例如硅(Si)片上形成膜层(film)的工艺。反应腔室内气体浓度均匀性是影响膜层厚度均匀性的因素之一，因此如何实现在半导体器件的制造过程中反应腔室气体浓度均匀性至关重要。

成膜工艺可以利用炉管设备，参考图1所示，为一种炉管设备的结构示意图。炉管设备中尤其是低压炉管设备，其排气采用反应腔室与出气通道直连的方式，从炉管设备的下方向反应腔室内通入反应气体，气流方向自下而上，反应气体从反应腔室的上方流入出气通道，通过出气通道排出反应腔室。这种单一方向从下至上的进气方式会导致位于反应腔室底部的气体浓度大于位于反应腔室顶部的气体浓度，进而导致位于反应腔室底部的膜层厚度大于位于反应腔室顶部的膜层厚度，参考图2所示。

并且，对于同一个待成膜结构，由于边缘区域相较于中心区域接触反应气体的时间更早，边缘区域的气体浓度比中心区域的气体浓度更高，从而导致边缘区域形成的膜层厚度相较于中心区域形成的膜层厚度更厚，最终导致整个待成膜结构上形成的膜层厚度呈“凹”字型分布，参考图2所示。

此外，当存在特殊工艺需求时，例如通入反应气体成膜时，待成膜结构不能在进行旋转，则当前从底部向反应腔室内通入气体的炉管设备就更无法实现气体浓度均匀性。

也就是说，当前通过反应腔室底部向反应腔室内通入反应气体，反应气体在从下至上流过反应腔室的过程中，存在气体浓度分布不均匀的现象，即反应腔室内气体氛围不均匀，从而导致在待成膜结构上形成的膜层厚度不均匀。

因此，当前存在炉管设备中气体浓度不均匀导致的膜层厚度不均匀的情况。

基于此，本申请实施例提供一种炉管设备，包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道。反应腔室中进气管路设置为多个，多个进气管路均匀设置在待成膜结构周围并且沿着多个待成膜结构的排列方向，即第一方向进行延伸，即实现进气管路和多个待成膜结构的排列方向的平行设置。每个进气管路包括多个进气口，多个进气口沿着第一方向间隔设置，每个进气口的开口方向朝向待成膜结构，也就是说，通过多个沿着第一方向排列且朝向待成膜结构的进气口，实现反应气体从平行于待成膜结构表面的方向通入反应腔室，并且由于进气管路均匀设置在待成膜结构周围以及进气口沿着第一方向排列，这样就使得每个待成膜结构表面的气体浓度均匀性较高，不会出现反应气体统一从反应腔室底部通入从而导致位于反应腔室底部的气体浓度大于位于反应腔室顶部的气体浓度的情况。出气通道位于反应腔室内壁与进气管路之间，通过进气管路包括的多个进气口通入反应腔室内的气体通过出气通道排出，实现反应气体在反应腔室内的均匀循环。由此可见，本申请实施例通过设置多个和待成膜结构的排列方向平行的进气管路，并且通过进气管路上的多个进气口在平行于待成膜结构表面的方向上均匀进气，提高处于不同反应腔室位置处的待成膜结构周围的气体浓度均匀性，进而提高同一炉管设备中不同位置制造得到的膜层厚度均匀性。

为了更好地理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。

参考图3所示，为本申请实施例提供的一种炉管设备的结构示意图，该炉管设备包括：反应腔室110、多个进气管路120和至少一个出气通道130。

在本申请的实施例中，反应腔室110是用于膜层生长的腔室，通过向反应腔室内通入反应气体，反应气体在待成膜结构上生长成膜。待成膜结构可以是半导体器件在制造过程中的部分结构。例如待成膜结构可以是晶圆。

具体的，待成膜结构可以放置于晶舟140上，即利用晶舟140承载待成膜结构，晶舟140也位于反应腔室110。

在进行膜层生长时，首先是设定反应腔室110内的反应条件，例如反应气体通入速率、反应温度、反应压力或反应时间等，而后在晶舟140上放置待成膜结构，接着向反应腔室110内通入反应气体，待反应腔室110内的反应条件都趋于稳定之后，即向反应腔室100内开始通入反应气体经过一段时间之后，利用反应气体在待成膜结构上进行生长成膜。

在本申请的实施例中，可以利用进气管路120向反应腔室110内通入反应气体。可以在反应腔室110内设置多个进气管路120。进气管路120沿着第一方向延伸，其中，第一方向为多个待成膜结构的排列方向。也就是说，由于在实际制造过程中，可能同时对多个待成膜结构同时进行制造工艺，此时多个待成膜结构会进行逐一排列，则进气管路120可以也沿着待成膜结构的排列方向延伸，即进气管路120和待成膜结构的排列方向平行。

在实际应用中，多个待成膜结构的排列方向为沿着反应腔室110的底部向反应腔室110的顶部，即第一方向为反应腔室110的底部朝向反应腔室110的顶部的方向，此时进气管路120平行于第一方向设置，进气管路120也沿着反应腔室110的底部朝向反应腔室110的顶部的方向设置。

在本申请的实施例中，反应腔室110的底部可以设置一个环形的进气通道，多个进气管路120均与环形的进气通道连通，利用环形的进气通道实现对多个进气管路120的同步供气。另外，根据实际需要，每个进气管路120也可以设置单独的进气通道。

在实际应用中，晶舟140可以包括多个承载结构(slot)，每个承载结构都可以放置待成膜结构，多个承载结构可以沿着第一方向排列设置，这样就可以在多个承载结构上分别放置多个待成膜结构，实现利用晶舟140对多个待成膜结构共同进行成膜工艺。

多个进气管路120围绕待成膜结构均匀设置，实现在待成膜结构周围设置进气管路120，以便后续利用进气管路120实现对待成膜结构的均匀通气。

在本申请的实施例中，每个进气管路120包括多个进气口121，多个进气口121可以沿着第一方向间隔设置，即每个进气管路120的多个进气口121的排列方向和多个待成膜结构的排列方向相同。

多个进气口121中每个进气口121的开口方向都朝向待成膜结构设置，也就是说，无论进气管路120设置在待成膜结构的哪个方位，进气口121的开口方向都朝向待成膜结构的方向。

由此可见，利用多个沿着第一方向排列且朝向待成膜结构的进气口121，实现反应气体从平行于待成膜结构表面的方向通入反应腔室110，并且由于进气管路120均匀设置在待成膜结构周围以及进气口121沿着第一方向排列，这样就使得每个待成膜结构表面的气体浓度均匀性较高，不会出现反应气体统一从反应腔室110底部通入从而导致位于反应腔室110底部的气体浓度大于位于反应腔室110顶部的气体浓度的情况。

相较于当前的炉管设备，本申请实施例将单个进气管路转换为多个进气管路120，利用多个进气口121将从下至上向反应腔室内通气转换为平行进气，使得反应气体在空间上环绕待成膜结构，从而实现不同待成膜结构的气体浓度均匀性，也能够实现同一待成膜结构不同区域的气体浓度均匀性。

本申请实施例通过设置多个和待成膜结构的排列方向平行的进气管路120，并且通过进气管路120上的多个进气口121在平行于待成膜结构表面的方向上均匀进气，提高处于不同反应腔室110位置处的待成膜结构周围的气体浓度均匀性，进而提高同一炉管设备中不同位置制造得到的膜层厚度均匀性。

在本申请的实施例中，出气通道130位于反应腔室110内壁与进气管路120之间，通过进气管路120包括的多个进气口121通入反应腔室110内的气体可以通过出气通道130排出，实现反应气体在反应腔室110内的均匀循环。

具体的，出气通道130的数量可以是至少一个，出气通道130数量越多，同一时间内的出气量可能越高，出气效率可能越高。出气通道130的第一端设置于反应腔室110的顶部，出气通道130的第二端可以和炉管设备包括的真空泵150连接，实现利用真空泵150将反应腔室110内的反应气体抽出的目的。

作为一种示例，出气通道130的第一端为出气通道130的进气口，出气通道130的第二端为出气通道130的出气口，真空泵150和出气通道130的出气口连接。

在本申请的实施例中，进气管路120的数量可以是至少2个，由于进气管路120是在待成膜结构周围均匀设置的，这样对于待成膜结构而言，在进气管路120向反应腔室110内通入反应气体时，反应气体能够涉及待成膜结构的不同方向，实现在空间上环绕待成膜结构。

进气管路120的数量较少，例如1个时，会导致待成膜结构周围的气体浓度存在差异，气体浓度均匀性较差。进气管路120的数量越多，多个进气管路120在空间上围绕待成膜结构的密度越大，反应气体在空间上环绕待成膜结构时的均匀性也有提高。但是在实际应用中，考虑到进气管路120的制造工艺以及在反应腔室110中的进气管路120设置情况，进气管路120数量过多可能存在待成膜结构或晶舟140和进气管路120碰撞的情况，即增大晶舟140和进气管路120碰撞风险。并且进气管路120数量过多也不利于后续进行设备维护。进气管路的数量可以为3个，这样既能够实现待成膜结构周围的气体均匀性，也能够实现降低待成膜结构和进气管路120的碰撞风险，便于保养维护。

在本申请的实施例中，3个进气管路120可以在垂直于第一方向的平面上的投影构成等腰三角形，参考图4所示，也就是说，3个进气管路120在待成膜结构周围设置时，其中相邻2个进气管路120以待成膜结构为圆心，呈120°角设置，即3个进气管路120在空间上呈120°排布，实现在待成膜结构周围三个方向进气。例如，进气管路120包括A管路、B管路和C管路，A管路和B管路以及C管路分别呈120°排布，B管路和C管路也呈120°排布。尤其针对于不能旋转待成膜结构的成膜工艺，3个进气管路120能够有效包围待成膜结构，从而提高待成膜结构周围的气体浓度均匀性。

在实际应用中，3个呈120°排布的进气管路120在形成待成膜结构上的膜层时，膜层的厚度均匀性和质量均较好。

参考图5所示，当3个进气管路120在垂直于第一方向的平面上的投影构成等腰三角形时，在平行于待成膜结构表面的方向上，即水平方向上，3个进气管路120的进气口121同时向待成膜结构的中心通入反应气体，使得反应气体快速充盈整个反应腔室110，尤其对于不能旋转的待成膜结构的成膜工艺，结合出气通道130以及真空泵150，反应气体自水平方向充盈整个反应腔室110而后从反应腔室110的顶部抽走排出，实现整个反应腔室110的气体浓度均匀性。

在实际应用中，出气口121可以是喷嘴，喷嘴在进行进气时不是单一方向的出气，而是呈放射状进行出气，实现对于多个方向出气，这样结合3个不同位置设置的进气管路120，就能够实现对于待成膜结构周围的全方位气体围绕，从而提高反应腔室110内气体浓度均匀性。

在本申请的实施例中，每个进气管路120都包括多个进气口121，多个进气管路120的进气口121处于不同平面上，也就是说，沿着第一方向上，每个进气口121所在的水平面都和其他的进气口121的水平面不重叠，实现多个进气口121的穿插分布，这样能够进一步实现反应腔室110的气体浓度均匀性。

参考图6所示，进气管路120的数量为3个且呈等腰三角形排布，每个进气管路120上包括5个进气口，每个进气口121都和其他的进气口120处于不同平面，这15个进气口121将反应腔室110在竖直方向上分割为15个区域，使得每个区域都设置有至少一个进气口121，实现对于反应腔室110内待成膜结构的全方位围绕，使得反应腔室110内每个位置的气体浓度均匀性保持一致，气体浓度均匀性进一步增强。

在本申请的实施例中，进气口121的形状可以为圆形、椭圆形、半圆环形或多边形。多边形例如矩形或五边形。具体形状可以根据实际情况进行确定。

当进气口121的形状为圆形时，沿着进气至出气方向，多个进气口121的直径逐渐增加，参考图6所示。当进气管路130的气体流动方向为从反应腔室110的底部流入反应腔室110的顶部时，进气至出气方向可以为第一方向，此时沿着第一方向，多个进气口121的直径逐渐增加。这是由于反应腔室110的顶部靠近出气通道130，即反应腔室110的顶部靠近真空泵150，反应气体被首先抽走的概率大于反应腔室110的底部的反应气体，因此为了实现反应腔室110的顶部附近的进气口121的气体浓度和反应腔室110的底部附近的进气口121的气体浓度保持一致，可以沿着第一方向，将进气口121的直径依次增大，实现待成膜结构周围的气体浓度均匀。

进气口121的直径增大程度可以根据进气口121的设置密度以及实际反应气体在反应腔室110顶部和反应腔室110底部的气体浓度差异进行确定。例如当每个进气管路120包括5个进气口121时，沿着第一方向，进气口121的直径可以分别为30至35毫米、35至40毫米、40至45毫米、45至50毫米和50至55毫米。

在实际应用中，当进气口121的形状为多边形时，进气口121的尺寸也可以沿着第一方向逐渐增加，也就是说，进气口121的形状不影响沿着第一方向进行尺寸变化的趋势。

本申请另一种实施例中，从反应腔室110的底部向顶部的方向上，即第一方向上，进气管路120的尺寸和多个进气口121的尺寸都逐渐变化，例如，进气管路120的尺寸可以逐渐增加，且每个进气管路120上的多个进气口121的尺寸也逐渐增加，以更好的保证反应腔室110底部和顶部反应气体浓度的均匀性。

在本申请的实施例中，炉管设备可以包括加热装置160，加热装置160可以沿着第一方向将反应腔室110分为多个温区，不同温区的温度可以不同。参考图3或图5所示，加热装置160将反应腔室110分为5个温区。具体的，每个温区设置有至少一个进气口121，也就是说，可以在每个温区都设置进气口121，这样就能够实现每个温区的气体浓度均匀，进而实现每个温区的膜层厚度均匀。

在本申请的实施例中，出气通道130可以为环绕多个进气管路120设置的环形通道，该环形通道可以沿着反应腔室110的内壁设置。环形通道是沿着反应腔室110的内壁设置，因此不会额外占据设置进气管路120的空间，不会影响进气管路120向反应腔室110内通气，并且利用环形通道能够实现更加快速的排出反应腔室110内的反应气体，实现反应腔室110内部反应气体的顺畅循环。

具体的，环形通道的第一端设置于反应腔室110的顶部，环形通道的第二端设置于反应腔室110的底部。

作为一种示例，环形通道的第一端为环形通道的的进气口，环形通道的的第二端为环形通道的出气口。

由此可见，本申请实施例提供的炉管设备，通过改变成膜工艺时的进气方式，由垂直进气改变为水平方向上多角度多方向进气，通过增加竖直方向上的进气管路，设置多个不同尺寸的进气口，在竖直方向上的空间上穿插分布，达到反应气体能够迅速充盈整个反应腔室并且气体浓度均匀的目的，从而使待成膜结构上生长的膜层厚度均匀性得到提高。并且三个竖直方向的进气管路设计，既能在晶舟旋转时提高反应腔室内反应气体的均匀性，又不会增加设备保养维护的难度，同时，对于特殊制程的设备，当晶舟不能旋转时，能够更好的保障气体浓度的均匀性，最终使膜层质量整体得到提高。

本申请实施例提供一种炉管设备，包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道。反应腔室中进气管路设置为多个，多个进气管路均匀设置在待成膜结构周围并且沿着多个待成膜结构的排列方向，即第一方向进行延伸，即实现进气管路和多个待成膜结构的排列方向的平行设置。每个进气管路包括多个进气口，多个进气口沿着第一方向间隔设置，每个进气口的开口方向朝向待成膜结构，也就是说，通过多个沿着第一方向排列且朝向待成膜结构的进气口，实现反应气体从平行于待成膜结构表面的方向通入反应腔室，并且由于进气管路均匀设置在待成膜结构周围以及进气口沿着第一方向排列，这样就使得每个待成膜结构表面的气体浓度均匀性较高，不会出现反应气体统一从反应腔室底部通入从而导致位于反应腔室底部的气体浓度大于位于反应腔室顶部的气体浓度的情况。出气通道位于反应腔室内壁与进气管路之间，通过进气管路包括的多个进气口通入反应腔室内的气体通过出气通道排出，实现反应气体在反应腔室内的均匀循环。由此可见，本申请实施例通过设置多个和待成膜结构的排列方向平行的进气管路，并且通过进气管路上的多个进气口在平行于待成膜结构表面的方向上均匀进气，提高处于不同反应腔室位置处的待成膜结构周围的气体浓度均匀性，进而提高同一炉管设备中不同位置制造得到的膜层厚度均匀性。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种炉管设备，其特征在于，所述炉管设备包括：反应腔室、多个进气管路和至少一个出气通道；

多个所述进气管路设置于所述反应腔室中，所述进气管路沿着第一方向延伸，所述第一方向为多个待成膜结构的排列方向，多个所述进气管路围绕所述待成膜结构均匀设置；

每个所述进气管路包括多个进气口，多个所述进气口沿着所述第一方向间隔设置，且每个所述进气口的开口方向朝向所述待成膜结构；

所述出气通道位于所述反应腔室内壁与所述进气管路之间，利用所述进气管路通入所述反应腔室内的气体通过所述出气通道排出。

2.根据权利要求1所述的炉管设备，其特征在于，所述炉管设备包括三个所述进气管路，三个所述进气管路在垂直于所述第一方向的平面上的投影构成等腰三角形。

3.根据权利要求1所述的炉管设备，其特征在于，多个所述进气管路的进气口处于垂直于所述第一方向的不同平面上。

4.根据权利要求1所述的炉管设备，其特征在于，所述进气口的形状为圆形、椭圆、半圆环形或多边形。

5.根据权利要求4所述的炉管设备，其特征在于，所述进气口的形状为圆形，沿着进气至出气方向，多个所述进气口的直径逐渐增加。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的炉管设备，其特征在于，所述进气管路的尺寸沿着气体流动方向逐渐增加。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的炉管设备，其特征在于，所述炉管设备还包括加热装置，所述加热装置沿着第一方向将所述反应腔室分为多个温区，每个温区设置有至少一个所述进气口。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的炉管设备，其特征在于，所述出气通道为环绕多个所述进气管路设置的环形通道，且所述环形通道沿着所述反应腔室的内壁设置。

9.根据权利要求8所述的炉管设备，其特征在于，所述环形通道的进气口位于所述反应腔室的顶部，所述环形通道的出气口位于所述炉管设备的底部。

10.根据权利要求9所述的炉管设备，其特征在于，所述炉管设备还包括真空泵，所述真空泵和所述出气通道的出气口连接。