CN219741153U - 显示装置和电子装置 - Google Patents

Abstract

公开了显示装置和电子装置。显示装置包括基础层、像素限定膜和发光元件层，基础层包括包含第一像素区和第二像素区的多个像素区以及非像素区，像素限定膜布置在基础层的非像素区上并且包括布置为与多个像素区中的每个对应的像素开口。在像素限定膜中限定有围绕多个像素区中的每个的一部分的谷图案，并且谷图案包括第一谷图案和第二谷图案。在谷图案不围绕像素区之处限定有开口部分，并且开口部分包括第一开口部分和第二开口部分。第一开口部分和第二开口部分彼此不面对。

Description

显示装置和电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年4月25日和2022年11月28日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2022-0050527和第10-2022-0161709号韩国专利申请的优先权以及权益，这些韩国专利申请的全部内容通过引用并入在本文中。

技术领域

在本文中本公开涉及具有改善的亮度并且防止颜色混合的显示装置和包括显示装置的电子装置。

背景技术

将图像提供到用户的诸如智能电话、平板、数码相机、笔记本计算机、导航系统和电视的电子装置包括配置为显示图像的显示装置。

在显示装置中，像素可划分为用于彩色显示的红色、绿色和蓝色的像素，并且可针对每个像素形成与每个颜色对应的发光层。通常，使用荫罩的沉积方法用于发光层，但可能出现诸如该罩下陷的缺陷。因此，已开发了通过使用开放掩模在所有像素中公共地形成发光层和附加有机层的工艺。

然而，当公共地形成有机层时，侧面电流泄漏可能由于相邻的像素之间公共地提供的有机层而出现，并且由于此，在相邻的像素之间可能出现颜色混合和亮度缺陷。

实用新型内容

本公开提供了能够在防止相邻的像素之间的颜色混合和亮度下降的同时防止驱动电压的过度增加的显示装置以及包括显示装置的电子装置。

本公开的实施方式提供了显示装置，显示装置可包括基础层、像素限定膜和发光元件层，基础层包括包含第一像素区和与第一像素区相邻的第二像素区的多个像素区以及布置为与多个像素区相邻的非像素区，像素限定膜布置在基础层的非像素区上并且包括布置为与多个像素区中的每个对应的像素开口，发光元件层至少部分地布置在像素开口中。在像素限定膜中可限定有围绕多个像素区中的每个的一部分的谷图案。谷图案可包括围绕第一像素区的一部分的第一谷图案和围绕第二像素区的一部分的第二谷图案。可在谷图案不围绕多个像素区之处限定有开口部分。开口部分可包括对应于第一谷图案的第一开口部分和对应于第二谷图案的第二开口部分。第一开口部分和第二开口部分可彼此不面对。

在实施方式中，谷图案可具有在像素限定膜的厚度方向上从像素限定膜上表面凹陷的形状。

在实施方式中，谷图案的深度可在约100nm至约500nm的范围内。

在实施方式中，谷图案可包括与像素限定膜的上表面平行的下表面和将谷图案的下表面与像素限定膜的上表面彼此连接并且从谷图案的下表面倾斜一角度的侧表面。侧表面的角度可在约70度至约90度的范围内。

在实施方式中，发光元件层可包括布置在基础层上的第一电极、布置在第一电极和像素限定膜上并且包括发光层的有机层以及布置在有机层上的第二电极。有机层的一部分和第二电极的一部分可布置在谷图案中。

在实施方式中，有机层可包括布置在像素限定膜的上表面上的第一部分和布置在侧表面上的第二部分。第二部分在其厚度方向上的厚度可小于第一部分在其厚度方向上的厚度。

在实施方式中，第二部分的厚度可在第一部分的厚度的约10％至约20％的范围内。

在实施方式中，第二电极可包括布置在像素限定膜的上表面上的第一电极部分和布置在侧表面上的第二电极部分。第二电极部分在其厚度方向上的厚度可小于第一电极部分在其厚度方向上的厚度。

在本公开的实施方式中，显示装置还可包括布置在像素限定膜上并且在平面视图中与谷图案部分地重叠的虚设部分。有机层可包括布置在虚设部分上的第三部分和布置在谷图案的下表面上的第四部分。第三部分和第四部分可彼此不连接。

在实施方式中，虚设部分可包括从谷图案的侧表面突出的突出部分。在剖视图中，突出部分的长度可在约0.05微米至约0.1微米的范围内。

在实施方式中，有机层可包括布置在第一电极和像素限定膜上的空穴控制层、布置在空穴控制层上的发光层以及布置在发光层与第二电极之间的电子控制层。

在实施方式中，有机层可包括布置在第一电极和像素限定膜上并且包括第一发光层的第一发光堆叠体、布置在第一发光堆叠体上的第一电荷生成层以及布置在第一电荷生成层与第二电极之间并且包括第二发光层的第二发光堆叠体。

在实施方式中，第一像素区的至少一部分和第二像素区的至少一部分可布置为在第一方向上彼此相邻。第一像素区可包括在与第一方向相交的第二方向上延伸的第一侧边和在第一方向上从第一侧边延伸的第二侧边，并且第二像素区可包括在第二方向上延伸并且面对第一侧边的第三侧边和在第一方向上从第三侧边延伸的第四侧边。第一开口部分可限定为与第一侧边相邻，并且第二开口部分可限定为与第四侧边相邻。

在实施方式中，第一像素区的至少一部分和第二像素区的至少一部分可布置为在第一方向上彼此相邻。第一像素区可包括在为在第一方向和与第一方向相交的第二方向之间的方向的第四方向上延伸的第一侧边以及在与第四方向相交的第五方向上从第一侧边延伸的第二侧边，并且第二像素区可包括在第四方向上延伸的第三侧边和在第五方向上从第三侧边延伸的第四侧边。第一开口部分可限定为与第一侧边和第二侧边彼此相交并且在第一方向上彼此间隔开的两个顶点相邻，并且第二开口部分可限定为与第三侧边和第四侧边彼此相交并且在第二方向上彼此间隔开的两个顶点相邻。

在实施方式中，多个像素区还可包括与第二像素区相邻的第三像素区。谷图案还可包括围绕第三像素区的一部分的第三谷图案。显示装置还可包括布置在第三谷图案不围绕第三像素区之处的第三开口部分。第三开口部分可不面对第二开口部分。

在实施方式中，第一像素区可发射第一光，第二像素区可发射具有与第一光的波长不同的波长的第二光，并且第三像素区可发射具有与第一光和第二光的波长不同的波长的第三光。

在实施方式中，第一开口部分与第一谷图案的比率可在约10％至约50％的范围内，并且第二开口部分与第二谷图案的比率可在约10％至约50％的范围内。

在本公开的实施方式中，显示装置可包括基础层和像素限定膜，基础层包括多个像素区和布置为与多个像素区相邻的非像素区，多个像素区包括发射第一光的第一像素区和与第一像素区相邻并发射具有与第一光的波长不同的波长的第二光的第二像素区，像素限定膜布置在基础层的非像素区上并且包括布置为与多个像素区中的每个对应的像素开口。在像素限定膜中可限定有围绕多个像素区中的每个的一部分的谷图案。谷图案可包括围绕第一像素区的一部分的第一谷图案和围绕第二像素区的一部分的第二谷图案。在第一谷图案不围绕第一像素区之处可限定有第一开口部分，并且在第二谷图案不围绕第二像素区之处可限定有第二开口部分。第一像素区和第二像素区中的每个可包括在第一方向和与第一方向相交的第二方向上延伸的边。第一开口部分可限定为与在第二方向上延伸的边相邻，并且第二开口部分可限定为与在第一方向上延伸的边相邻。

在实施方式中，第一像素区的至少一部分和第二像素区的至少一部分可布置为在第一方向上彼此相邻。第一像素区可包括在第二方向上延伸的第一侧边和在第一方向上从第一侧边延伸的第二侧边。第二像素区可包括在第二方向上延伸并且面对第一侧边的第三侧边和在第一方向上从第三侧边延伸的第四侧边。第一开口部分可限定为与第一侧边相邻，并且第二开口部分可限定为与第四侧边相邻。

本公开的实施方式提供了显示装置，显示装置可包括：基础层，基础层包括多个像素区和布置为与多个像素区相邻的非像素区，多个像素区包括第一像素区和与第一像素区相邻的第二像素区；以及像素限定膜，像素限定膜布置在基础层的非像素区上。在像素限定膜中限定有围绕多个像素区中的每个的一部分的谷图案。谷图案包括：第一谷图案，第一谷图案围绕第一像素区的一部分；以及第二谷图案，第二谷图案围绕第二像素区的一部分。在谷图案不围绕多个像素区之处限定有开口部分。开口部分包括：第一开口部分，第一开口部分对应于第一谷图案；以及第二开口部分，第二开口部分对应于第二谷图案。第一开口部分和第二开口部分彼此不面对。

本公开的实施方式提供了电子装置，电子装置可包括：显示模块；窗，窗布置在显示模块上；以及外壳，外壳布置在显示模块下面。显示模块包括如以上所述的显示装置中的任一项。

在本公开的实施方式中，电子装置可包括显示模块、布置在显示模块上的窗和布置在显示模块下面的外壳，显示模块包括多个像素区和布置为与多个像素区相邻的非像素区，多个像素区包括发射第一光的第一像素区和与第一像素区相邻并发射具有与第一光的波长不同的波长的第二光的第二像素区。显示模块可包括基础层、在非像素区中布置在基础层上并且包括布置为与多个像素区中的每个对应的像素开口的像素限定膜以及至少部分地布置在像素开口中的发光元件层。在像素限定膜中可限定有围绕多个像素区中的每个的一部分的谷图案。谷图案可包括围绕第一像素区的一部分的第一谷图案和围绕第二像素区的一部分的第二谷图案。在第一谷图案不围绕第一像素区之处可限定有第一开口部分，并且在第二谷图案不围绕第二像素区之处可限定有第二开口部分。第一开口部分和第二开口部分可彼此不面对。

附图说明

附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图；

图2是根据本公开的实施方式的电子装置的分解透视图；

图3A至图3C中的每个是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图；

图4是根据本公开的实施方式的电子装置的分解透视图；

图5是根据本公开的实施方式的电子装置的框图；

图6A是根据本公开的实施方式的显示模块的示意性剖视图；

图6B是根据本公开的实施方式的显示模块中包括的显示面板的一部分的示意性剖视图；

图6C是根据本公开的另一实施方式的显示面板的一部分的示意性剖视图；

图7A至图7C是根据本公开的实施方式的显示面板的一部分的放大平面视图；

图8是根据本公开的实施方式的显示面板的示意性剖视图；

图9A和图9B是根据本公开的实施方式的显示面板的部分的放大示意性剖视图；

图10是根据本公开的另一实施方式的显示面板的一部分的放大示意性剖视图；并且

图11是示出根据本实用新型概念的实施方式和参照例的显示面板的显示质量结果的坐标图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对本公开的实施方式进行描述。

当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可存在有居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可是指在有或没有居间元件的情况下的物理、电和/或流体的连接。

相同的附图标记或符号是指相同的元件。此外，在附图中，为了技术内容的有效描述，部件的厚度、比率和尺寸被夸大。出于其含义和解释的目的，在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可理解为意味着“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以结合或分离的方式使用，并且可理解为等同于“和/或”。

尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件能够被称作第二元件。除非上下文另有清楚指示，否则单数表述包括复数表述。

空间相对术语(诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下面(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)和类似词)可在本文中出于描述性目的使用，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被取向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”例如能够涵盖上方和下方的取向两者。此外，设备可以其它方式取向(例如，旋转90度或以其它取向)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。

本文中所使用的专业用语出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。

考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(例如，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约(about)”或者“近似(approximately)”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约(about)”可意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

在说明书中，“直接布置”可意味着在诸如层、膜、区或板的部分与另一部分之间不添加层、膜、区、板等。例如，“直接布置”可意味着在其间不使用诸如粘合构件的附加构件的情况下放置两层或两个构件。

出于其含义和解释的目的，在说明书和权利要求书中，短语“......中的至少一个”旨在包括“选自......的集群中的至少一个”。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意味着“A、B、或者A和B”。

除非另有限定，否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非这里明确限定，否则术语(诸如常用词典中限定的那些)应解释为具有与在相关领域的上下文中具有的含义一致的含义，并且不应解释为过于理想化或过于正式。

在下文中，将参照附图对根据本公开的实施方式的显示装置进行描述。

图1是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图。图2是根据本公开的实施方式的电子装置的分解透视图。

参照图1，电子装置ED可根据电信号被激活。电子装置ED可显示图像IM并且感测外部输入。电子装置ED可包括各种实施方式。例如，电子装置ED可包括平板计算机、笔记本计算机、计算机、智能电话、电视和类似物。在本实施方式中，电子装置ED示出为平板。然而，本公开的实施方式不限于此，并且根据本公开的实施方式的电子装置可为如图3A至图3C和图4中所示的智能电话。在另一实施方式中，根据本公开的实施方式的电子装置可为大型显示装置，诸如笔记本计算机、监视器或电视。

电子装置ED可在平行于第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2中的每个的显示表面DS上朝向第三方向DR3显示图像IM。显示图像IM的显示表面DS不仅可对应于电子装置ED的前表面，而且对应于窗WM(图2中示出)的前表面。在下文中，相同的附图标记将用于电子装置ED的显示表面、电子装置ED的前表面和窗WM的前表面。图像IM可包括静止图像和动态图像。图1示出了作为图像IM的实例的多个图标。

在本实施方式中，基于显示图像IM的方向来限定每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面可在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可平行于第三方向DR3。在第三方向DR3上的前表面与后表面之间的分离距离可对应于电子装置ED的在第三方向DR3上的厚度。由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向为相对概念，并且可转换为其它方向。在下文中，第一方向至第三方向分别是指由附图标记DR1、DR2和DR3指示的方向。此外，本说明书中的表述“在平面上”可意味着在由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面上观看的状态。

根据本公开的实施方式的电子装置ED可感测从外部施加的用户的输入。用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热或压力。用户的输入可以各种形式提供，并且根据电子装置ED的结构，电子装置ED可感测施加到电子装置ED的侧表面或后表面的用户的输入，但本公开不限于任何一个实施方式。

如图2中所示，电子装置ED可包括窗WM、显示模块DM和外壳EDC。在本实施方式中，窗WM和外壳EDC可彼此联接以形成电子装置ED的外观。在本实施方式中，外壳EDC、显示模块DM和窗WM可沿第三方向DR3顺序地堆叠。

窗WM可包括光学透明材料。窗WM可包括绝缘面板。例如，窗WM可由玻璃、塑料或其组合构成。

如上所述，窗WM的前表面可限定电子装置ED的前表面。

窗WM可包括边框区和透射区。透射区可为光学透明区。例如，透射区可为具有大于或等于约90％的可见光透射率的区。

边框区可为与透射区相比具有相对低的透光率的区。边框区可限定透射区的形状。边框区可布置为与透射区相邻和/或围绕透射区。边框区可具有预定(或可选)颜色。边框区可与稍后将描述的显示面板DP的非显示区DP-NDA重叠。边框区可覆盖显示面板DP的非显示区DP-NDA，以阻挡非显示区DP-NDA从外部被观看。然而，本公开不限于此，并且在根据本公开的实施方式的窗WM中，可省略边框区。

显示模块DM可至少包括显示面板DP。图2仅示出了显示模块DM的堆叠结构之中的显示面板DP，但实质上，显示模块DM也可包括布置在显示面板DP上方和下方的多个元件。稍后将给出显示模块DM的堆叠结构的详细描述。

显示面板DP可包括与电子装置ED的显示区DA(参照图1)和非显示区NDA(参照图1)对应的显示区DP-DA以及非显示区DP-NDA。在本说明书中，表述“与另一区/部分对应的区/部分”可意味着它们彼此重叠，但该表述可不限于具有相同面积。显示模块DM可包括布置在非显示区DP-NDA上的驱动芯片DIC。显示模块DM也可包括联接到非显示区DP-NDA的印刷电路板PCB。印刷电路板PCB可通过各向异性导电粘合层电连接到布置在显示面板DP的非显示区DP-NDA中的焊盘。

驱动芯片DIC可包括配置为驱动显示面板DP的像素的驱动元件，例如，数据驱动电路。尽管图2示出了驱动芯片DIC安装在显示面板DP上的结构，但本公开的实施方式不限于此。例如，驱动芯片DIC可安装在印刷电路板PCB上。

外壳EDC可容纳显示模块DM并且联接到窗WM。外壳EDC可保护容纳在其中的诸如显示模块DM的元件。

图3A至图3C中的每个是根据本公开的另一实施方式的电子装置的透视图。图4是根据本公开的另一实施方式的电子装置的分解透视图。图3A示出了电子装置ED-1的展开状态，并且图3B和图3C示出了电子装置ED-1的折叠状态。

参照图3A至图3C，根据本公开的实施方式的电子装置ED-1可包括由第一方向DR1和与第一方向DR1相交的第二方向DR2限定的显示表面DS。电子装置ED-1可通过显示表面DS向用户提供图像IM。

显示表面DS可包括显示区DA和与显示区DA相邻的非显示区NDA。显示区DA可显示图像IM，并且非显示区NDA可不显示图像IM。非显示区NDA可围绕显示区DA。然而，本公开的实施方式不限于此，并且可改变显示区DA的形状和非显示区NDA的形状。

在根据本公开的实施方式的电子装置ED-1中，显示表面DS还可包括信号传输区TA。信号传输区TA可为显示区DA的部分区或非显示区NDA的部分区。如图3A中所示，信号传输区TA可为显示区DA的一部分。信号传输区TA可具有比显示区DA和非显示区NDA高的透光率。自然光、可见光和/或红外光可进入信号传输区TA。电子装置ED-1还可包括配置为通过穿过信号传输区TA的可见光拍摄外部图像的相机模块、或者配置为通过红外光确定外部物体的可接近性的传感器模块。

不像图3A中所示的那样，根据本公开的实施方式的信号传输区TA可在不与非显示区NDA间隔开的情况下从非显示区NDA延伸。此外，可提供有多个信号传输区TA。例如，如图3A中所示，可提供有第一信号传输区TA1和第二信号传输区TA2。

电子装置ED-1可包括折叠区FA以及多个非折叠区NFA1和NFA2。非折叠区NFA1和NFA2可包括第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2。在第二方向DR2上，折叠区FA可布置在第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间。

如图3B中所示，折叠区FA可相对于与第一方向DR1平行的折叠轴线FX折叠。折叠区FA可具有预定(或可选)曲率和预定(或可选)曲率半径R1。在实施方式中，在电子装置ED-1折叠的情况下，第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2可彼此面对，并且电子装置ED-1可内折以使得显示表面DS不暴露于外部。

在本公开的另一实施方式中，电子装置ED-1可外折以使得显示表面DS暴露于外部。在本公开的实施方式中，电子装置ED-1可从展开操作执行内折操作和外折操作两者，但本公开的实施方式不限于此。在本公开的实施方式中，电子装置ED-1可配置为选择展开操作、内折操作和外折操作中的任何一种。

如图3B中所示，第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间的距离可基本上等于曲率半径R1的二倍，但如图3C中所示，第一非折叠区NFA1与第二非折叠区NFA2之间的距离可小于曲率半径R1的二倍。图3B和图3C基于显示表面DS示出，并且形成电子装置ED-1的外观的外壳EDC(参照图4)可在第一非折叠区NFA1和第二非折叠区NFA2的端部区处彼此接触。

图3A至图3C示出了电子装置ED-1包括两个非折叠区NFA1和NFA2以及排列在其间的一个折叠区FA。然而，在不限于此的情况下，电子装置ED-1可包括多个折叠区，以便在多个区处折叠。

如图4中所示，电子装置ED-1可包括显示装置DD、控制模块EM、电源模块PSM、电子模块ELM和外壳EDC。尽管未单独示出，但外壳EDC还可包括配置为控制显示装置DD的折叠操作的机械结构，诸如铰接结构。

显示装置DD可生成图像并且感测外部输入。显示装置DD可包括窗WM和显示模块DM。窗WM可提供电子装置ED-1的前表面。以上参照图2所述的内容可等同地应用于显示模块DM和窗WM的描述。

在根据本公开的实施方式的电子装置ED-1中，显示面板DP还可包括信号传输区DP-TA。信号传输区DP-TA可为开口或具有比显示区DP-DA低的分辨率的区。因此，信号传输区DP-TA可具有比显示区DP-DA和非显示区DP-NDA高的透射率。显示面板DP的信号传输区DP-TA可对应于上述电子装置ED-1的信号传输区TA(参照图3A)。信号传输区DP-TA可包括与相机模块CM对应的第一信号传输区DP-TA1和与传感器模块SM对应的第二信号传输区DP-TA2。

外壳EDC可容纳显示模块DM、控制模块EM、电源模块PSM和电子模块ELM。外壳EDC示出为包括彼此分离的两个壳体EDC1和EDC2，但本公开的实施方式不限于此。尽管未示出，但电子装置ED-1还可包括配置为将两个壳体EDC1和EDC2彼此连接的铰接结构。外壳EDC可联接到窗WM。外壳EDC可保护容纳在其中的元件，诸如显示模块DM、控制模块EM、电源模块PSM和电子模块ELM。

电子模块ELM可为配置为输出或接收光信号的电子部件。电子模块ELM可通过电子装置ED-1的与信号传输区DP-TA对应的部分区发送或接收光信号。在本实施方式中，电子模块ELM可包括相机模块CM。相机模块CM可凭借通过第一信号传输区DP-TA1接收自然光信号来拍摄外部图像的图片。电子模块ELM可包括传感器模块SM(诸如接近传感器或紫外光发射传感器)。传感器模块SM可通过第二信号传输区DP-TA2识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或面部)或者测量物体与电子装置ED-1之间的距离。

电子模块ELM可布置在显示装置DD下方。电子模块ELM可布置为对应于电子装置ED-1的信号传输区DP-TA。例如，电子模块ELM可在第三方向DR3上与显示面板DP的信号传输区DP-TA重叠。显示面板DP的信号传输区DP-TA可具有比显示面板DP的其它区高的透光率。

电源模块PSM可供给电子装置ED的整体操作所需的电力。电源模块PSM可包括常规电池装置。

图5是根据本公开的实施方式的电子装置的框图。在图5中，上述电子装置ED和ED-1中包括的元件由框图简要地示出，并且相同的附图标记将赋予到前述元件，并且其详细描述将被省略。

控制模块EM可包括至少一个主控制器10。控制模块EM可包括主控制器10、无线通信模块20、图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50、存储器60、外部接口模块70和类似物。模块可安装在电路板上或通过柔性电路板电连接。控制模块EM可电连接到电源模块PSM。

主控制器10可控制电子装置ED和ED-1的整体操作。例如，主控制器10可根据用户输入来激活或禁用显示装置DD。主控制器10可根据用户输入来控制图像输入模块30、声音输入模块40、声音输出模块50和类似物。主控制器10可包括至少一个微处理器。

无线通信模块20可通过使用蓝牙或Wi-Fi将无线信号发送到另一终端和/或从另一终端接收无线信号。无线通信模块20可通过使用常规通信线路来发送或接收语音信号。无线通信模块20可包括调制待发送的信号并且发送经调制的信号的发送电路22以及解调接收的信号的接收电路24。

图像输入模块30可处理图像信号以将它们转换为可在显示装置DD上显示的图像数据。声音输入模块40可在记录模式、语音识别模式或类似模式中通过麦克风接收外部声音信号，并且可将它们转换为电语音数据。声音输出模块50可转换从无线通信模块20接收的声音数据或存储在存储器60中的声音数据，并且将它们输出到外部。

外部接口模块70可用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口、卡插槽(例如，存储器卡插槽、SIM/UIM卡插槽)和类似物的接口。

图6A是根据本公开的实施方式的显示模块的示意性剖视图。图6B是根据本公开的实施方式的显示模块中包括的显示面板的一部分的示意性剖视图。图6C是根据本公开的另一实施方式的显示面板的一部分的示意性剖视图。图6B和图6C示出了包括在于根据本公开的实施方式的显示面板中包括的像素中的发光元件和晶体管。

参照图6A，显示模块DM可包括显示面板DP和输入感测单元ISU。显示面板DP可配置为基本上生成图像IM(参照图1和图3A)。由显示面板DP生成的图像IM(参照图1和图3A)可由用户通过显示区DP-DA(参照图2和图4)从外部识别。

显示面板DP可为发光显示面板，但不特别限于此。例如，显示面板DP可为有机发光显示面板或无机发光显示面板。有机发光显示面板可为发光层包括有机发光材料的显示面板。无机发光显示面板可为发光层包括量子点、量子棒或微LED的显示面板。在下文中，显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。

输入感测单元ISU可布置在显示面板DP上。输入感测单元ISU可感测从外部施加的外部输入。外部输入可包括从电子装置ED(参照图1)的外部提供的各种类型的输入。从外部施加的外部输入可以各种形式提供。例如，外部输入可包括通过身体的一部分(诸如用户的手)的触摸，并且也包括在靠近电子装置ED的地点或在预定(或可选)的距电子装置ED邻近的距离处施加的外部输入(例如，悬停)。外部输入也可包括诸如力、压力、温度和光的各种形式的输入，并且不限于任何一个实施方式。

输入感测单元ISU可通过连续工艺形成在显示面板DP上。输入感测单元ISU可直接布置在显示面板DP上。在本说明书中，表述“元件B直接布置在元件A上”可意味着第三元件不布置在元件A与元件B之间。例如，粘合层可不布置在输入感测单元ISU与显示面板DP之间。

显示面板DP可包括基础层BL、布置在基础层BL上的电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL。

基础层BL可提供布置有电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL的基础表面。基础层BL可为刚性衬底或能够弯折、折叠、卷曲等的柔性衬底。基础层BL可为玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底或类似物。然而，本公开的实施方式不限于此，并且基础层BL可包括无机层、有机层或复合材料层。

基础层BL可具有多层结构。例如，基础层BL可包括第一合成树脂层、多层或单层的无机层以及布置在多层或单层的无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可包括聚酰亚胺基树脂，但本公开的实施方式不特别限于此。

电路元件层DP-CL可布置在基础层BL上。电路元件层DP-CL可包括多个绝缘层、多个导电层和半导体层。电路元件层DP-CL的导电层可构成信号线或像素的控制电路。

显示元件层DP-OLED可布置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OLED可包括发光元件。发光元件可包括在显示元件层DP-OLED的发光元件层中(显示元件层DP-OLED可包括发光元件层和像素限定膜PDL)。显示元件层DP-OLED可包括例如有机发光元件。然而，本公开不限于此，并且根据本公开的实施方式的显示元件层DP-OLED可包括无机发光元件、有机-无机发光元件或液晶层。

上绝缘层TFL可包括稍后将描述的覆盖层和薄膜封装层。上绝缘层TFL可包括有机层和配置为密封有机层的多个无机层。

上绝缘层TFL可布置在显示元件层DP-OLED上，以保护显示元件层DP-OLED免受湿气、氧气和诸如灰尘颗粒的异物的影响。上绝缘层TFL可密封显示元件层DP-OLED，以便阻挡湿气和氧气进入显示元件层DP-OLED中。上绝缘层TFL可包括至少一个无机层。上绝缘层TFL可包括有机层和配置为密封有机层的多个无机层。上绝缘层TFL可包括按无机层、有机层和无机层的次序堆叠的结构。

输入感测单元ISU可布置在上绝缘层TFL上。输入感测单元ISU可通过连续工艺形成在上绝缘层TFL上。输入感测单元ISU可直接布置在显示面板DP上。例如，在输入感测单元ISU与显示面板DP之间可不布置单独的粘合构件。输入感测单元ISU可布置为接触布置在上绝缘层TFL的最顶部处的无机层。

尽管未单独示出，但根据本公开的实施方式的显示模块DM还可包括布置在显示面板DP的下表面上的保护构件和布置在输入感测单元ISU的上表面上的抗反射构件。抗反射构件可减小外部光的反射率。抗反射构件可通过连续工艺直接布置在输入感测单元ISU上。

抗反射构件可包括与布置在抗反射构件下方的反射结构重叠的阻光图案。抗反射构件还可包括滤色器。滤色器可布置在阻光图案之间，并且包括分别与第一颜色像素、第二颜色像素和第三颜色像素对应的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。

如图6A中所示，显示面板DP可在平面上划分为显示区DP-DA和非显示区DP-NDA。显示面板DP的显示区DP-DA可为显示图像的区，并且非显示区DP-NDA可为布置有驱动电路或驱动线的区。像素中的每个的发光元件可布置在显示区DP-DA中。显示区DP-DA可与显示模块DM的透射区(图4的信号传输区DP-TA)的至少一部分重叠，并且非显示区DP-NDA可由窗WM的边框区覆盖。显示面板DP的显示区DP-DA和非显示区DP-NDA可分别对应于图1中所示的电子装置ED的显示区DA和非显示区NDA。

参照图6A和图6B，在根据本公开的实施方式的显示面板DP中，电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL可顺序地布置在基础层BL上方。将参照图6B详细地描述电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED和上绝缘层TFL的配置。

电路元件层DP-CL可包括至少一个绝缘层和一个电路元件。电路元件可包括信号线、像素的驱动电路和类似物。电路元件层DP-CL可通过凭借涂覆、沉积或类似方法形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及凭借光刻工艺图案化绝缘层、半导体层和导电层的工艺来形成。

缓冲层BFL可包括至少一个无机层。在缓冲层BFL上可布置有半导体图案。缓冲层BFL可改善基础层BL与半导体图案之间的接合力。

半导体图案可包括多晶硅。然而，本公开的实施方式不限于此，并且半导体图案可包括非晶硅或金属氧化物。图6B仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案还可在平面上布置在像素的另一区中。半导体图案可跨多个像素以特定图案排列。

半导体图案可根据其是否掺杂而具有不同的电性质。半导体图案可包括具有低的掺杂浓度和导电性的第一区A1以及具有相对高的掺杂浓度和导电性的第二区S1和D1。第二区S1和D1中的一个第二区S1可布置在第一区A1的一侧上，并且另一第二区D1可布置在第一区A1的另一侧上。第二区S1和D1可掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管可包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区。第一区A1可为非掺杂区，或者可以比第二区S1和D1的浓度低的浓度掺杂。

第二区S1和D1可基本上用作电极或信号线。第二区S1和D1中的一个第二区S1可对应于晶体管的源极，并且另一第二区D1可为漏极。图6B示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。尽管未单独示出，但连接信号线SCL可连接到晶体管TR的漏极。

在缓冲层BFL上可布置有第一绝缘层I10。第一绝缘层I10可与布置在显示区DP-DA中的多个像素公共地重叠，并且可覆盖半导体图案。第一绝缘层I10可为无机层和/或有机层，并且具有单层结构或多层结构。第一绝缘层I10可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。不仅第一绝缘层I10，而且稍后将描述的电路元件层DP-CL的绝缘层可为无机层和/或有机层，并且具有单层结构或多层结构。

在第一绝缘层I10上可布置有栅极G1。栅极G1可为金属图案的一部分。栅极G1可在第三方向DR3上与第一区A1重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极G1可用作掩模。

第二绝缘层I20可布置在第一绝缘层I10上并且覆盖栅极G1。第二绝缘层I20可与多个像素公共地重叠。在第二绝缘层I20上可布置有上电极UE。上电极UE可与栅极G1重叠。上电极UE可包括多层金属层。在本公开的实施方式中，可省略上电极UE。

第三绝缘层I30可布置在第二绝缘层I20上并且覆盖上电极UE。在第三绝缘层I30上可布置有第一连接电极CNE1。第一连接电极CNE1可通过穿过第一绝缘层I10至第三绝缘层I30的接触孔CNT-1连接到连接信号线SCL。

在第三绝缘层I30上可布置有第四绝缘层I40，并且在第四绝缘层I40上可布置有第五绝缘层I50。第四绝缘层I40可为有机层。在第四绝缘层I40上可布置有第二连接电极CNE2。第二连接电极CNE2可通过穿过第四绝缘层I40的接触孔CNT-2连接到第一连接电极CNE1。

第五绝缘层I50可布置在第四绝缘层I40上并且覆盖第二连接电极CNE2。第五绝缘层I50可为有机层。

在第五绝缘层I50上可布置有发光元件OLED。在第五绝缘层I50上可布置有第一电极AE。第一电极AE可通过穿过第五绝缘层I50的接触孔CNT-3连接到第二连接电极CNE2。在像素限定膜PDL中可限定有像素开口OP，并且像素限定膜PDL可暴露第一电极AE的至少一部分。像素限定膜PDL可为有机层。

如图6B中所示，显示区DP-DA可包括像素区PXA和与像素区PXA相邻的非像素区NPXA。非像素区NPXA可围绕像素区PXA。在本实施方式中，像素区PXA可限定为与由像素开口OP暴露的第一电极AE的部分区对应。

在像素区PXA和非像素区NPXA中可公共地布置有空穴控制层HCL。空穴控制层HCL可包括空穴传输层和空穴注入层。在空穴控制层HCL上可布置有发光层EML。

在发光层EML上可布置有电子控制层ECL。电子控制层ECL可包括电子传输层和电子注入层。空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL可通过使用开放掩模公共地形成在多个像素中。然而，本公开的实施方式不限于此，并且空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL中的至少一个可凭借通过掩模工艺进行图案化来形成。例如，发光层EML可布置在与像素开口OP对应的区中。例如，发光层EML可单独地形成在像素中的每个中。

在电子控制层ECL上可布置有第二电极CE。第二电极CE可具有一体形状，并且公共地布置在多个像素中。

上绝缘层TFL可布置在显示元件层DP-OLED上，并且包括多个薄膜。根据本公开的实施方式，上绝缘层TFL可包括覆盖层CPL和布置在覆盖层CPL上的封装层TFE。覆盖层CPL可布置在第二电极CE上并且与第二电极CE接触。覆盖层CPL可包括有机材料。

封装层TFE可包括第一无机封装层TIOL1、布置在第一无机封装层TIOL1上的有机封装层TOL和布置在有机封装层TOL上的第二无机封装层TIOL2。第一无机封装层TIOL1和第二无机封装层TIOL2可保护显示元件层DP-OLED免受湿气和/或氧气的影响，并且有机封装层TOL可保护显示元件层DP-OLED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。

图6C示出了与图6B中所示的实施方式不同的包括发光元件OLED-1的显示面板DP的一部分。在下文中，在参照图6C描述根据本公开的另一实施方式的显示面板DP中，相同的附图标记将赋予到先前参照图6B描述的元件，并且其详细描述将被省略。

参照图6C，根据本公开的实施方式的显示面板DP中包括的发光元件OLED-1可包括多个发光堆叠体ST1、ST2和ST3以及布置在发光堆叠体ST1、ST2和ST3之间的电荷生成层CGL1和CGL2。根据本公开的实施方式的发光元件OLED-1可包括顺序地堆叠的第一电极AE、第一发光堆叠体ST1(在本文中可被称为发光堆叠体ST1)、第一电荷生成层CGL1(在本文中可被称为电荷生成层CGL1)、第二发光堆叠体ST2(在本文中可被称为发光堆叠体ST2)、第二电荷生成层CGL2(在本文中可被称为电荷生成层CGL2)、第三发光堆叠体ST3(在本文中可被称为发光堆叠体ST3)和第二电极CE。尽管图6C示出了发光元件OLED-1包括三个发光堆叠体ST1、ST2和ST3以及布置在发光堆叠体ST1、ST2和ST3之间的两个电荷生成层CGL1和CGL2，但本公开不限于此，并且发光元件OLED-1可包括两个发光堆叠体，或者四个或更多个发光堆叠体。

发光堆叠体ST1、ST2和ST3中的每个可包括发光层EML(参照图6B)以及布置为发光层EML(参照图6B)介于其间的空穴控制层HCL(参照图6B)和电子控制层ECL(参照图6B)。在本公开的实施方式中，第一发光堆叠体ST1可包括第一发光层，第二发光堆叠体ST2可包括第二发光层，并且第三发光堆叠体ST3可包括第三发光层。例如，发光元件OLED-1可具有包括包含发光层的多个发光堆叠体的串联结构。

在图6C中所示的实施方式中，从发光堆叠体ST1、ST2和ST3发射的光的所有可为具有相同波长的光。例如，从发光堆叠体ST1、ST2和ST3中的每个发射的光可为蓝色光。然而，本公开的实施方式不限于此，并且从发光堆叠体ST1、ST2和ST3发射的光的波长范围可彼此不同。例如，发光堆叠体ST1、ST2和ST3中的至少一个可发射蓝色光，并且其它堆叠体可发射绿色光。包括配置为发射具有不同波长范围的光的发光堆叠体ST1、ST2和ST3的发光元件OLED-1可发射白色光。

电荷生成层CGL1和CGL2可各自布置在发光堆叠体ST1、ST2和ST3之中的相邻的发光堆叠体之间。电荷生成层CGL1和CGL2中的每个可包括p型电荷生成层和/或n型电荷生成层。n型电荷生成层可为配置为将电子提供到相邻堆叠体的电荷生成层。n型电荷生成层可为基础材料掺杂有n型掺杂剂的层。p型电荷生成层可为配置为将空穴提供到相邻堆叠体的电荷生成层。在n型电荷生成层与p型电荷生成之间还可布置有缓冲层。

在电压施加到电荷生成层CGL1和CGL2的情况下，络合物通过氧化还原反应形成，以使得可生成电荷(电子和空穴)。电荷生成层CGL1和CGL2可分别将生成的电荷提供到发光堆叠体ST1、ST2和ST3之中的相邻发光堆叠体。电荷生成层CGL1和CGL2可使在发光堆叠体ST1、ST2和ST3之中的相邻发光堆叠体中的每个中生成的光的效率加倍，并且在控制发光堆叠体ST1、ST2和ST3之中的相邻的发光堆叠体之间的电荷的平衡上起作用。

图7A至图7C是根据本公开的实施方式的显示面板的一部分的放大平面视图。图7A至图7C示出了图2中所示的区AA'中的像素的排列和限定为与其相邻的谷图案的放大视图。图7A至图7C中的每个示出了具有不同排列的像素区和限定为与其相邻的谷图案的形状。

一起参照图2和图7A，在根据本公开的实施方式的显示面板DP中，显示区DP-DA可包括多个像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G以及围绕像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G的非像素区NPXA。像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G可包括第一像素区PXA-B、第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G。第一像素区PXA-B、第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G中的每个可显示具有不同波长的光。第一像素区PXA-B可显示具有蓝色光波长的第一光，第二像素区PXA-R可显示具有红色光波长的第二光，并且第三像素区PXA-G可显示具有绿色光波长的第三光。

像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G中的每个可由前述像素限定膜PDL(参照图6B)划分。非像素区NPXA可为像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G之中的相邻的像素区之间的区，并且对应于像素限定膜PDL(参照图6B)。在本说明书中，像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G中的每个可对应于“像素”。像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G可划分为与像素限定膜PDL(参照图6B)中限定的像素开口OP(参照图6B)对应。

如图7A中所示，沿第二方向DR2排列的第一像素区PXA-B可构成第一像素组，并且沿第二方向DR2交替地排列的第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G可构成第二像素组。包括第一像素区PXA-B的第一像素组以及包括第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G的第二像素组中的每个可沿第一方向DR1彼此间隔开。第一像素组和第二像素组中的每个可沿第一方向DR1交替地排列。

像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G可根据发射的光的波长而具有不同的面积。例如，如图7A中所示，发射第一光的第一像素区PXA-B可具有最大的面积，并且发射第二光的第二像素区PXA-R可具有最小的面积。然而，本公开的实施方式不限于此，并且像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G可具有相同面积或限定为具有与图7A的面积比不同的面积比。像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G可发射除了上述的蓝色波长光、红色波长光和绿色波长光以外的颜色的光。

像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G中的每个可在平面视图中具有带有倒圆角的矩形形状。在本公开的实施方式中，第一像素区PXA-B和第三像素区PXA-G中的每个可具有带有倒圆角的矩形形状，该带有倒圆角的矩形形状具有在第二方向DR2上延伸的长边和在第一方向DR1上延伸的短边。在本公开的实施方式中，第二像素区PXA-R可具有带有倒圆角的矩形形状，该带有倒圆角的矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边。

在根据本公开的实施方式的显示面板DP中，各自与非像素区NPXA重叠并且围绕像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G中的对应的一个的一部分的谷图案VP1、VP2和VP3可限定为与像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G中的对应的一个相邻。谷图案VP1、VP2和VP3中的每个可围绕像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G中的对应的一个的一部分，但可不围绕其剩余部分。在本说明书中，谷图案VP1、VP2和VP3的不围绕像素区PXA-B、PXA-R和PXA-G的部分可限定为“开口部分”。开口部分与谷图案VP1、VP2和VP3中的对应的一个的比率可为约10％至约50％。在开口部分与谷图案VP1、VP2和VP3中的对应的一个的比率小于10％的情况下，驱动电压可能过度增加，以使得显示装置的效率可能下降。在开口部分与谷图案VP1、VP2和VP3中的对应的一个的比率大于50％的情况下，过度的侧面电流泄漏可能导致相邻的像素之间的颜色混合，并且相应地，显示装置的光学特性可能劣化。开口部分与谷图案VP1、VP2和VP3中的对应的一个的比率可被称为“第二电极(例如，参照图6A中的第二电极CE)的开口比例”。

以下表1示出了根据上述第二电极的开口比例的灰碎(gray crushing)测量值。以下表2示出了根据上述第二电极的开口比例的驱动电压降低的值和第二电极的电阻的值。在表1中的第二电极的开口比例为100％的情况下，这可意味着未限定根据本公开的实施方式的谷图案。在表2中，“比较例(20)”不包括沿如本公开中的厚度方向凹陷的谷图案，而是包括形成在像素限定膜上的具有突出形状的间隔件图案，并且在像素区的周边中未布置间隔件图案的部分的比例为约20％。

【表1】

第二电极的开口比例(％)	灰碎(％)
		20	91.4
30	88.7
		40	88.7
100	64.2

【表2】

查看表1和表2的结果，在根据本公开的实施方式的显示面板中，由于开口部分与谷图案的比率限于约10％至约50％，因此灰碎比例保持为高达约85％或更大。可看出，第二电极的电阻没有过度增加，或者驱动电压没有显著降低。通过此，可看出，在没有所需驱动电压过度增加的情况下，可确保优异的光学特性。在具有突出形状的间隔件图案形成的情况下，可看出，与如在根据本公开的实施方式的显示面板中具有在厚度方向上凹陷的形状的谷图案的情况相比，驱动电压极大地降低，并且第二电极的电阻极大地增加。

谷图案VP1、VP2和VP3可限定在前述像素限定膜PDL(参照图6B)中。在剖视图中，谷图案VP1、VP2和VP3可具有在像素限定膜PDL(参照图6B)的上表面上沿像素限定膜PDL(参照图6B)的厚度方向凹陷的形状。稍后谷图案VP1、VP2和VP3的剖面形状的详细描述将被描述。

谷图案VP1、VP2和VP3可包括围绕第一像素区PXA-B的一部分的第一谷图案VP1、围绕第二像素区PXA-R的一部分的第二谷图案VP2和围绕第三像素区PXA-G的一部分的第三谷图案VP3。第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3中的每个可围绕第一像素区PXA-B、第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G中的对应的一个的一部分，并且可不围绕其剩余部分。

在第一谷图案VP1中可限定有不围绕第一像素区PXA-B的一部分的第一开口部分OPP1，在第二谷图案VP2中可限定有不围绕第二像素区PXA-R的一部分的第二开口部分OPP2，并且在第三谷图案VP3中可限定有不围绕第三像素区PXA-G的一部分的第三开口部分OPP3。

在分别限定在第一像素区PXA-B、第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G之中的相邻的像素区之间的区中的第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3中，分别限定在第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3中的第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3可限定为在平面上彼此不面对。在本说明书中，表述“开口部分限定为在平面上彼此不面对”意味着限定为围绕各自的像素区的谷图案的开口部分在限定有谷图案之间的最短距离的部分中在第一方向或第二方向上彼此不重叠，如图7A等中所示。例如，在于第一像素区PXA-B周围限定的第一谷图案VP1中可限定有第一开口部分OPP1，并且在最接近限定有第一开口部分OPP1的部分的、第二谷图案VP2的一部分和第三谷图案VP3的一部分中的每个中可不限定有开口部分。类似地，在最接近限定有第二开口部分OPP2的部分的、第一谷图案VP1的一部分和第三谷图案VP3的一部分中的每个中可不限定有开口部分，并且在最接近限定有第三开口部分OPP3的部分的、第一谷图案VP1的一部分和第二谷图案VP2的一部分中的每个中可不限定有开口部分。

第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3中的每个可限定在第一像素区PXA-B、第二像素区PXA-R和第三像素区PXA-G中的对应的一个的一边上。例如，如图7A中所示，第一开口部分OPP1可限定为与第一像素区PXA-B的在第二方向DR2上延伸的长边相邻，第二开口部分OPP2可限定为与第二像素区PXA-R的在第一方向DR1上延伸的长边相邻，并且第三开口部分OPP3可限定为与第三像素区PXA-G的在第二方向DR2上延伸的长边相邻。如图7A中所示，第一开口部分OPP1可限定为在第一方向DR1上与第一像素区PXA-B的长边的端部相邻，第二开口部分OPP2可限定为在第二方向DR2上与第二像素区PXA-R的长边的端部相邻，并且第三开口部分OPP3可限定为在第一方向DR1上与第三像素区PXA-G的长边的端部相邻。

在本公开的实施方式中，在第一像素区PXA-B中，在第二方向DR2上延伸的长边限定为第一侧边并且在第一方向DR1上延伸的短边限定为第二侧边的情况下，第一开口部分OPP1可限定在第一侧边上。在第二像素区PXA-R中，在第二方向DR2上延伸的短边限定为第三侧边并且在第一方向DR1上延伸的长边限定为第四侧边的情况下，第二开口部分OPP2可限定在第四侧边上。例如，在布置为彼此相邻的第一像素区PXA-B和第二像素区PXA-R中，分别在限定在布置为与第一像素区PXA-B和第二像素区PXA-R中的每个相邻的第一谷图案VP1和第二谷图案VP2中的第一开口部分OPP1和第二开口部分OPP2可限定为在不同的方向上延伸。

在根据本公开的实施方式的显示装置中，为了防止在相邻的像素之间出现侧面电流泄漏，可限定有各自部分地围绕像素区的第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3。在本说明书中，“侧面电流泄漏”意味着在与为发光元件的堆叠方向的第三方向DR3(例如，显示图像的方向)相交的方向上流动的电流。侧面电流泄漏可意味着在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的方向上流动的电流。由于在根据本公开的实施方式的显示装置中限定有在像素限定膜的厚度方向上凹陷的第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3，因此可防止侧面电流泄漏出现，从而防止亮度下降以及相邻的像素区之间的颜色混合。

在根据本公开的实施方式的显示装置中，第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3可分别形成在第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3中，以防止驱动电压的过度增加。在根据本公开的实施方式的显示装置中，在分别限定在相邻的像素区之间的第一谷图案VP1、第二谷图案VP2和第三谷图案VP3中，第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3可限定为彼此不面对。在第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3限定为彼此面对的情况下，在相邻的像素之间的限定有彼此面对的第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3的区中可能出现侧面电流泄漏。通过在根据本公开的实施方式的显示装置中将第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3限定为彼此不面对，防止电流在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的方向上流动是可能的。相应地，由于在防止相邻的像素之间的颜色混合和亮度下降的同时防止了显示装置的驱动电压的增加，因此可改善显示装置的显示效率。

图7B和图7C中的每个示出了与图7A中所示的实施方式不同的像素的排列和限定为与其相邻的谷图案的形状。在下文中，将参照图7B和图7C描述与图7A中所示的实施方式不同的像素的排列和谷图案的形状。

参照图7B，像素区PXA-B1、PXA-R1和PXA-G1可包括第一像素区PXA-B1、第二像素区PXA-R1和第三像素区PXA-G1，并且第一像素区PXA-B1、第二像素区PXA-R1和第三像素区PXA-G1中的每个可显示具有不同波长的光。

如图7B中所示，第一像素区PXA-B1可具有它们沿第一方向DR1与第二方向DR2之间的第四方向DR4彼此间隔开并且沿与第四方向DR4相交的第五方向DR5彼此间隔开的排列。第二像素区PXA-R1和第三像素区PXA-G1可布置在彼此间隔开的第一像素区PXA-B1之间。在平面视图中，发射第一光的第一像素区PXA-B1可具有最大的面积，并且发射第二光的第二像素区PXA-R1可具有最小的面积。

第一像素区PXA-B1、第二像素区PXA-R1和第三像素区PXA-G1中的每个可在平面视图中具有带有倒圆角的矩形形状。在本公开的实施方式中，第一像素区PXA-B1可具有正方形形状，该正方形形状带有倒圆角以及具有相同长度并在第四方向DR4和第五方向DR5中的每个上延伸的边。第二像素区PXA-R1和第三像素区PXA-G1中的每个可具有带有倒圆角的矩形形状，该带有倒圆角的矩形形状具有在第四方向DR4和第五方向DR5中的一个上延伸的长边以及在第四方向DR4和第五方向DR5中的另一个方向上延伸的短边。

在分别限定在第一像素区PXA-B1、第二像素区PXA-R1和第三像素区PXA-G1之中的相邻的像素区之间的区中的第一谷图案VP1-1、第二谷图案VP2-1和第三谷图案VP3-1中，分别限定在第一谷图案VP1-1、第二谷图案VP2-1和第三谷图案VP3-1中的第一开口部分OPP1-1、第二开口部分OPP2-1和第三开口部分OPP3-1可限定为在平面上彼此不面对。在于第一像素区PXA-B1周围限定的第一谷图案VP1-1中可限定有第一开口部分OPP1-1，并且在最接近限定有第一开口部分OPP1-1的部分的、第二谷图案VP2-1的一部分和第三谷图案VP3-1的一部分中的每个中可不限定有开口部分。类似地，在最接近限定有第二开口部分OPP2-1的部分的、第一谷图案VP1-1的一部分和第三谷图案VP3-1的一部分中的每个中可不限定有开口部分，并且在最接近限定有第三开口部分OPP3-1的部分的、第一谷图案VP1-1的一部分和第二谷图案VP2-1的一部分中的每个中可不限定有开口部分。

参照图7C，像素区PXA-B2、PXA-R2和PXA-G2可包括第一像素区PXA-B2、第二像素区PXA-R2和第三像素区PXA-G2，并且第一像素区PXA-B2、第二像素区PXA-R2和第三像素区PXA-G2中的每个可显示具有不同波长的光。

如图7C中所示，沿第一方向DR1交替地排列的第一像素区PXA-B2和第二像素区PXA-R2可构成第一像素组，并且沿第一方向DR1排列的第三像素区PXA-G2可构成第二像素组。由第一像素区PXA-B2和第二像素区PXA-R2构成的第一像素组以及由第三像素区PXA-G2构成的第二像素组可沿第二方向DR2彼此间隔开。第一像素组和第二像素组可沿第二方向DR2交替地排列。在平面视图中，发射第一光的第一像素区PXA-B2可具有最大的面积，并且发射第三光的第三像素区PXA-G2可具有最小的面积。在单位面积内，第三像素区PXA-G2可布置为第一像素区PXA-B2和第二像素区PXA-R2中的每个的两倍。

第一像素区PXA-B2、第二像素区PXA-R2和第三像素区PXA-G2中的每个可在平面视图中具有带有倒圆角的多边形形状。在本公开的实施方式中，第一像素区PXA-B2和第二像素区PXA-R2中的每个可具有正方形形状，该正方形形状带有倒圆角以及具有相同长度并在第四方向DR4和第五方向DR5中的每个上延伸的边。第三像素区PXA-G2可具有在第四方向DR4和第五方向DR5中的任何一个上延伸的边，并且其剩余部分可具有倒圆形状。

在分别限定在第一像素区PXA-B2、第二像素区PXA-R2和第三像素区PXA-G2之中的相邻的像素区之间的区中的第一谷图案VP1-3、第二谷图案VP2-3和第三谷图案VP3-3中，分别限定在第一谷图案VP1-3、第二谷图案VP2-3和第三谷图案VP3-3中的第一开口部分OPP1-3、第二开口部分OPP2-3和第三开口部分OPP3-3可限定为在平面上彼此不面对。在于第一像素区PXA-B2周围限定的第一谷图案VP1-3中可限定有第一开口部分OPP1-3，并且在最接近限定有第一开口部分OPP1-3的部分的、第二谷图案VP2-3的一部分和第三谷图案VP3-3的一部分中的每个中可不限定有开口部分。类似地，在最接近限定有第二开口部分OPP2-3的部分的、第一谷图案VP1-3的一部分和第三谷图案VP3-3的一部分中的每个中可不限定有开口部分，并且在最接近限定有第三开口部分OPP3-3的部分的、第一谷图案VP1-3的一部分和第二谷图案VP2-3的一部分中的每个中可不限定有开口部分。

如图7C中所示，在本公开的实施方式中，在第一像素区PXA-B2的在第四方向DR4上延伸的边限定为第一侧边并且在第五方向DR5上延伸的边限定为第二侧边的情况下，第一开口部分OPP1-3可限定在第一侧边和第二侧边彼此相交的点(例如，顶点)之中的沿第一方向DR1彼此间隔开的顶点处(例如，第一开口部分OPP1-3可限定为与第一侧边和第二侧边彼此相交的顶点之中的沿第一方向DR1彼此间隔开的顶点相邻)，并且在第二像素区PXA-R2的在第四方向DR4上延伸的边限定为第三侧边并且在第五方向DR5上延伸的边限定为第四侧边的情况下，第二开口部分OPP2-3可限定在第三侧边和第四侧边彼此相交的点(例如，顶点)之中的沿第二方向DR2彼此间隔开的顶点处(例如，第二开口部分OPP2-3可限定为与第三侧边和第四侧边彼此相交的顶点之中的沿第二方向DR2彼此间隔开的顶点相邻)。相应地，在布置为彼此相邻的第一像素区PXA-B2和第二像素区PXA-R2中，分别限定在分别布置为与第一像素区PXA-B2和第二像素区PXA-R2相邻的第一谷图案VP1-3和第二谷图案VP2-3中的第一开口部分OPP1-3和第二开口部分OPP2-3可限定为彼此不面对。

图8是根据本公开的实施方式的显示面板的示意性剖视图。图9A和图9B是根据本公开的实施方式的显示面板的部分的放大示意性剖视图。图10是根据本公开的另一实施方式的显示面板的一部分的放大示意性剖视图。图8示出了沿图7A中所示的线I-I'截取的剖面。图9A示出了沿图7A中所示的线II-II'截取的剖面。图9B示出了沿图7A中所示的线III-III'截取的剖面。图10示出了基于图9A中所示的剖面的根据本公开的另一实施方式的剖面。

一起参照图7A、图8、图9A和图9B，根据本公开的实施方式的显示面板包括基础层BL、布置在基础层BL上的电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED。尽管在图8、图9A、图9B等中未示出，但上绝缘层TFL(参照图6A)还可布置在显示元件层DP-OLED上。

布置在电路元件层DP-CL上的发光元件OLED可包括顺序地堆叠的第一电极AE、有机层OL和第二电极CE。有机层OL可至少包括发光层EML(参照图6B)。例如，有机层OL可包括如以上参照图6B所述的顺序地堆叠的空穴控制层HCL、发光层EML和电子控制层ECL。在另一实例中，有机层OL可包括如以上参照图6C所述的顺序地堆叠的多个发光堆叠体ST1、ST2和ST3以及布置在发光堆叠体ST1、ST2和ST3之间的电荷生成层CGL1和CGL2。

在布置在电路元件层DP-CL上的像素限定膜PDL中可限定有与非像素区NPXA重叠的谷图案VP1、VP2和VP3。如图8、图9A、图9B等中所示，谷图案VP1、VP2和VP3可具有在为厚度方向的第三方向DR3上从像素限定膜PDL的上表面凹陷的形状。在下面的描述中，第二谷图案VP2被称为“谷图案”，并且描述了其深度和锥角，但相同的描述可应用于第一谷图案VP1和第三谷图案VP3。

参照图9A，凹陷的谷图案VP2的凹陷深度d-d可为约100nm至约500nm。在凹陷深度d-d小于约100nm的情况下，减小布置在像素限定膜PDL上的有机层OL和第二电极CE的厚度的程度太小以使得可能降低防止侧面电流泄漏的效果。在凹陷深度d-d大于约500nm的情况下，布置在像素限定膜PDL上的有机层OL和第二电极CE可能损坏。

具有凹陷形状的谷图案VP2可包括下表面和侧表面，并且侧表面可相对于下表面以预定(或可选)角度倾斜。在本公开的实施方式中，侧表面从下表面倾斜的锥角θ1可为约70度至约90度。在锥角θ1小于70度的情况下，减小布置在像素限定膜PDL上的有机层OL和第二电极CE的厚度的程度太小以使得可能降低防止侧面电流泄漏的效果。在锥角θ1大于90度的情况下，谷图案VP2的侧表面可具有反向锥结构，并且因此，在布置在其上的上绝缘层TFL(参照图6A)中可能出现诸如裂纹的损坏。

有机层OL和第二电极CE的部分可布置在谷图案VP2内部。

在本公开的实施方式中，有机层OL可包括布置在像素限定膜PDL的上表面上的第一部分OL-1和布置在谷图案VP2的侧表面上的第二部分OL-2。第二电极CE可包括布置在第一部分OL-1上的第一电极部分CE-1和布置在第二部分OL-2上的第二电极部分CE-2。

在本公开的实施方式中，第二部分OL-2的厚度d2可小于第一部分OL-1的厚度d1。第二部分OL-2的厚度d2可为第一部分OL-1的厚度d1的约10％至约20％。在本公开的实施方式中，第一部分OL-1的厚度d1可为约200nm至约300nm，并且第二部分OL-2的厚度d2可为约30nm至约55nm。

在本公开的实施方式中，第二电极部分CE-2的厚度d2-C可小于第一电极部分CE-1的厚度d1-C。第二电极部分CE-2的厚度d2-C可为第一电极部分CE-1的厚度d1-C的约10％至约20％。在本公开的实施方式中，第一电极部分CE-1的厚度d1-C可为约至约/>并且第二电极部分CE-2的厚度d2-C可为约/>至约/>

由于在根据本公开的实施方式的显示装置中形成有具有在像素限定膜PDL的厚度方向上凹陷的形状的谷图案VP2，因此布置在谷图案VP2的侧表面上的、有机层OL的第二部分OL-2和第二电极CE的第二电极部分CE-2的厚度可形成为小的。随着第二部分OL-2和第二电极部分CE-2中的每个的厚度下降，第二部分OL-2和第二电极部分CE-2的电阻增加。相应地，防止电流泄漏到形成有具有增加的电阻的谷图案VP2的部分是可能的。

一起参照图7A和图9A，形成有第一开口部分OPP1的部分可为像素限定膜PDL的上表面不凹陷并且保持平坦上表面的部分。相应地，在形成有第一开口部分OPP1的部分中，可能无法实现由于谷图案而减小有机层OL和第二电极CE的厚度的效果。

如上所述，由于根据本公开的实施方式的显示面板具有形成为彼此不面对的第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3，因此显示面板不包括在相邻的像素之间的剖面中第一开口部分OPP1、第二开口部分OPP2和第三开口部分OPP3并排地形成的结构，而是具有如图9B中所示的在相邻的像素之间的剖面中两个谷图案VP1和VP2并排地形成的剖面结构、或者在如图9A中所示的在限定有一个谷图案VP2的剖面中限定有一个第一开口部分OPP1的结构。相应地，有效地防止电流在相邻的像素之间在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的方向上流动是可能的。

参照图8和图10，根据本公开的实施方式的显示面板还可包括布置在像素限定膜PDL上并与谷图案VP'部分地重叠的虚设部分DMP。虚设部分DMP可布置在像素限定膜PDL的上表面上，并且有机层OL和第二电极CE可布置在虚设部分DMP上。

在本公开的实施方式中，虚设部分DMP可为在形成谷图案VP'的工艺中使用的掩模的留下部分。在根据本公开的实施方式的显示面板中，无机氧化物膜可被图案化以用作掩模，以便形成谷图案VP'，并且虚设部分DMP可为作为无机氧化物膜掩模的一部分的未被蚀刻的剩余部分，以形成谷图案VP'。在本公开的实施方式中，虚设部分DMP可包括氧化铟镓锌(IGZO)。

虚设部分DMP可包括从谷图案VP'的侧表面突出预定(或可选)长度的部分。例如，从谷图案VP'的侧表面突出的、虚设部分DMP的突出长度d-UC可为约0.05微米至约0.1微米。

在本公开的实施方式中，在有机层OL的布置在虚设部分DMP上的一部分被称为第三部分OL-3并且有机层OL的布置在谷图案VP'中的一部分被称为第四部分OL-4的情况下，第三部分OL-3和第四部分OL-4可彼此分离而彼此不连接。在第二电极CE的布置在第三部分OL-3上的一部分被称为第三电极部分CE-3并且布置在第四部分OL-4上的部分被称为第四电极部分CE-4的情况下，第三电极部分CE-3和第四电极部分CE-4可彼此分离而彼此不连接。第三部分OL-3的厚度d3和第四部分OL-4的厚度d4可彼此基本上相同。第三电极部分CE-3的厚度d3-C和第四电极部分CE-4的厚度d4-C可彼此基本上相同。

由于根据本公开的实施方式的显示面板包括从谷图案VP'的侧表面突出预定(或可选)长度的虚设部分DMP，因此显示面板中包括的有机层OL和第二电极CE可具有它们因谷图案VP'而分离的形状。相应地，防止电流在相邻的像素之间在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的方向上流动是可能的。

图11是示出根据本实用新型概念的实施方式和参照例的显示面板的显示质量结果的坐标图。图11示出了根据实施方式和参照例的显示面板中的配置为显示蓝色光的第一像素区、配置为显示红色光的第二像素区和配置为显示绿色光的第三像素区中的每个的测量的灰碎值。在图11中，第一像素区的测量值指示为“B”，第二像素区的测量值指示为“R”，并且第三像素区的测量值指示“G”，并且在每个像素区中测量了测量值10次。在这种情况下，实施方式1的显示面板对应于具有以上在图7C中所述的像素排列结构和第一谷图案至第三谷图案的显示面板，其中谷图案的侧锥角形成为约70度至约90度。实施方式2的显示面板对应于具有与实施方式1中所述的相同的像素排列结构和第一谷图案至第三谷图案的显示面板，其中谷图案的侧锥角形成为约20度至约30度。参照例的显示面板对应于具有与实施方式1中所述的相同的像素排列结构但没有形成第一谷图案至第三谷图案的显示面板。

参照图11，由于根据本实用新型概念的实施方式的显示面板包括形成为与像素区相邻的谷图案，因此能够看出，在第一像素区至第三像素区中的所有中，所有的灰碎值得到改善。同时，在参照例、实施方式1和实施方式2中的每个的像素区中测量的灰碎值的平均值计算为以下表3中所示。

【表3】

分类	第一像素区(B)	第二像素区(R)	第三像素区(G)
				参照例	93.7％	64.6％	53.4％
实施方式2	96.1％	77.0％	69.4％
				实施方式1	99.6％	92.3％	96.8％

一起参照图11和表3，由于根据本实用新型概念的实施方式的显示面板包括形成为与像素区相邻的谷图案，因此能够看出，在第一像素区至第三像素区中的所有中，所有的灰碎值得到改善。特别地，当谷图案的侧锥角如实施方式1中形成为大到约70度至约90度时，能够看出，与当谷图案的侧锥角如实施方式2中形成为小到约20度至约30度时相比，第二像素区和第三像素区具有高的灰碎值。由于实施方式1的显示面板包括具有约70度至约90度的侧锥角的谷图案，因此能够看出，在第一像素区至第三像素区中的所有中，灰碎值保持高达约90％或更大。由此，能够看出，根据本实用新型概念的实施方式的显示面板可由于显示面板包括形成为与像素区相邻的谷图案而具有优异的光学特性，并且特别是，当谷图案的锥角形成为大到约70度至约90度时，进一步增大了改善光学特性的效果。

根据依照本公开的实施方式的显示装置和包括显示装置的电子装置，开口部分可以预定(或可选)比率形成在谷图案中，然而侧面电流泄漏可通过在相邻的像素之间限定的谷图案被防止。在根据本公开的实施方式的显示装置和电子装置中，可形成开口部分以防止驱动电压的过度增加，并且相邻的开口部分可形成为彼此不面对，从而有效地阻挡侧面电流泄漏。

以上的描述为本公开的技术特征的实例，并且本公开所属的领域的技术人员将能够进行各种修改和改变。因此，上述本公开的实施方式可单独地或彼此结合地实现。

因此，本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是旨在描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施方式限制。本公开的保护范围应由所附权利要求书解释，并且应解释为等同范围内的所有技术精神包括在本公开的范围中。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

基础层，所述基础层包括多个像素区和布置为与所述多个像素区相邻的非像素区，所述多个像素区包括第一像素区和与所述第一像素区相邻的第二像素区；以及

像素限定膜，所述像素限定膜布置在所述基础层的所述非像素区上；

其中，在所述像素限定膜中限定有围绕所述多个像素区中的每个的一部分的谷图案，

所述谷图案包括：

第一谷图案，所述第一谷图案围绕所述第一像素区的一部分；以及

第二谷图案，所述第二谷图案围绕所述第二像素区的一部分，

在所述谷图案不围绕所述多个像素区之处限定有开口部分，

所述开口部分包括：

第一开口部分，所述第一开口部分对应于所述第一谷图案；以及

第二开口部分，所述第二开口部分对应于所述第二谷图案，并且

所述第一开口部分和所述第二开口部分彼此不面对。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述谷图案具有在所述像素限定膜的厚度方向上从所述像素限定膜的上表面凹陷的形状。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述谷图案的深度在100nm至500nm的范围内。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述谷图案包括：

下表面，所述下表面与所述像素限定膜的所述上表面平行；以及

侧表面，所述侧表面将所述谷图案的所述下表面和所述像素限定膜的所述上表面彼此连接并且从所述谷图案的所述下表面倾斜一角度，并且

所述侧表面的所述角度在70度至90度的范围内。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

所述像素限定膜包括布置为与所述多个像素区中的每个对应的像素开口，

所述显示装置还包括发光元件层，所述发光元件层至少部分地布置在所述像素开口中，

所述发光元件层包括：

第一电极，所述第一电极布置在所述基础层上；

有机层，所述有机层布置在所述第一电极和所述像素限定膜上并且包括发光层；以及

第二电极，所述第二电极布置在所述有机层上，并且

所述有机层的一部分和所述第二电极的一部分布置在所述谷图案中。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，

所述有机层包括：

第一部分，所述第一部分布置在所述像素限定膜的所述上表面上；以及

第二部分，所述第二部分布置在所述侧表面上，并且

所述第二部分在其厚度方向上的厚度小于所述第一部分在其厚度方向上的厚度。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，还包括：

虚设部分，所述虚设部分布置在所述像素限定膜上并且在平面视图中与所述谷图案部分地重叠，

其中，所述有机层包括：

第三部分，所述第三部分布置在所述虚设部分上；以及

第四部分，所述第四部分布置在所述谷图案的所述下表面上，并且

所述第三部分和所述第四部分彼此不连接。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一像素区的至少一部分和所述第二像素区的至少一部分布置为在第一方向上彼此相邻，

所述第一像素区包括：

第一侧边，所述第一侧边在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；以及

第二侧边，所述第二侧边在所述第一方向上从所述第一侧边延伸，

所述第二像素区包括：

第三侧边，所述第三侧边在所述第二方向上延伸并且面对所述第一侧边；以及

第四侧边，所述第四侧边在所述第一方向上从所述第三侧边延伸，

所述第一开口部分限定为与所述第一侧边相邻，并且

所述第二开口部分限定为与所述第四侧边相邻；

或者，

所述第一像素区的至少一部分和所述第二像素区的至少一部分布置为在第一方向上彼此相邻，

所述第一像素区包括：

第一侧边，所述第一侧边在第四方向上延伸，所述第四方向为在所述第一方向和与所述第一方向相交的第二方向之间的方向；以及

第二侧边，所述第二侧边在与所述第四方向相交的第五方向上从所述第一侧边延伸，

所述第二像素区包括：

第三侧边，所述第三侧边在所述第四方向上延伸；以及

第四侧边，所述第四侧边在所述第五方向上从所述第三侧边延伸，

所述第一开口部分限定为与所述第一侧边和所述第二侧边彼此相交并且在所述第一方向上彼此间隔开的两个顶点相邻，并且

所述第二开口部分限定为与所述第三侧边和所述第四侧边彼此相交并且在所述第二方向上彼此间隔开的两个顶点相邻。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一开口部分与所述第一谷图案的比率在10％至50％的范围内，并且

所述第二开口部分与所述第二谷图案的比率在10％至50％的范围内。

10.一种电子装置，其特征在于，包括：

显示模块；

窗，所述窗布置在所述显示模块上；以及

外壳，所述外壳布置在所述显示模块下面，

其中，所述显示模块包括如权利要求1至9中任一项所述的显示装置。