CN219660307U - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及显示装置。该显示装置包括：基板，包括中心区域和包括多个延伸区域的拐角区域，多个延伸区域中的每一个具有在远离中心区域的方向上延伸的形状；和多个铁磁层，设置在多个延伸区域中，并且具有在远离中心区域的方向上延伸的形状。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求2022年5月26日提交的第10-2022-0064778号韩国专利申请的优先权以及从该申请产生的所有权益，该申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示装置和制造该显示装置的方法，并且更具体地，涉及可以减少在显示装置的制造工艺期间的缺陷发生率的显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
通常，显示装置包括多个像素。显示装置可以是移动电子装置，并且例如可以是诸如移动电话和平板个人计算机(PC)的小型电子设备。
随着用于驱动移动电子装置的各种部件变得紧凑，显示单元在移动电子装置中占据的比例逐渐增加，并且开发出其中显示单元的一部分弯曲的结构。
实用新型内容
然而，在现有技术中，在其一部分弯曲的显示装置中，在显示装置的制造工艺中发生缺陷的可能性是高的。
一个或多个实施例包括一种可以减少在显示装置的制造工艺期间的缺陷发生率的显示装置以及制造该显示装置的方法。然而，一个或多个实施例仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
根据实施例，显示装置包括：基板，包括中心区域和拐角区域，其中，拐角区域包括多个延伸区域，多个延伸区域中的每一个具有在远离中心区域的方向上延伸的形状；和多个铁磁层，设置在多个延伸区域中，并且具有在远离中心区域的方向上延伸的形状。
在实施例中，基板可以进一步包括放置在中心区域外部并且与多个延伸区域的一侧邻近的第一邻近拐角区域，并且显示装置可以进一步包括在第一邻近拐角区域中的第一邻近铁磁层。
在实施例中，第一邻近铁磁层可以具有在远离中心区域的方向上延伸的形状。
在实施例中，第一邻近铁磁层的面积可以在多个铁磁层中的一个铁磁层的面积的约80％至约120％的范围内。
在实施例中，第一邻近铁磁层的面积可以在是多个铁磁层的面积的平均值的平均面积的约80％至约120％的范围内。
在实施例中，基板可以进一步包括放置在中心区域外部并且与多个延伸区域的另一侧邻近的第二邻近拐角区域，并且显示装置可以进一步包括在第二邻近拐角区域中的第二邻近铁磁层。
在实施例中，第一邻近铁磁层和第二邻近铁磁层中的每一个可以具有在远离中心区域的方向上延伸的形状。
在实施例中，第一邻近铁磁层和第二邻近铁磁层中的每一个的面积可以在多个铁磁层中的一个铁磁层的面积的约80％至约120％的范围内。
在实施例中，第一邻近铁磁层和第二邻近铁磁层中的每一个的面积可以在是多个铁磁层的面积的平均值的平均面积的约80％至约120％的范围内。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：多个绝缘层，在多个延伸区域中的每一个中，其中，多个绝缘层可以设置在基板上，并且多个铁磁层中的每一个可以设置在多个绝缘层当中的两个邻近的绝缘层之间。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：薄膜晶体管，在多个延伸区域中的每一个中，薄膜晶体管设置在基板上，其中，多个铁磁层中的每一个设置在基板的下表面上。
在实施例中，多个铁磁层和多个延伸区域可以以一对一的方式彼此对应。
在实施例中，多个铁磁层中的每一个可以设置在多个延伸区域中的对应的延伸区域中。
在实施例中，多个铁磁层的在朝向中心区域的方向上的端可以彼此连接。
在实施例中，多个铁磁层可以一体地形成为单个的单一主体。
在实施例中，多个铁磁层可以包括铁(Fe)、镍(Ni)或钴(Co)。
在实施例中，基板可以进一步包括：第一区域，在第一方向上与中心区域邻近；和第二区域，在与第一方向交叉的第二方向上与中心区域邻近，其中，拐角区域至少部分地围绕第一区域、中心区域和第二区域。
在实施例中，基板可以在拐角区域、第一区域和第二区域中弯曲。
根据实施例，一种制造显示装置的方法包括：准备包括基板和多个铁磁层的显示面板，其中，基板包括中心区域和拐角区域，拐角区域包括多个延伸区域，多个延伸区域中的每一个具有在远离中心区域的方向上延伸的形状，并且其中，多个铁磁层设置在多个延伸区域中，并且多个铁磁层中的每一个具有在远离中心区域的方向上延伸的形状；以使得多个铁磁层中的每一个在远离中心区域的方向上的端具有彼此相同的磁性的方式来磁化多个铁磁层；并且将覆盖窗结合到显示面板。
在实施例中，该方法可以进一步包括：将显示面板设置在具有包括曲线部分的表面的模具上，其中，将覆盖窗结合到显示面板可以包括将覆盖窗结合到设置在模具上的显示面板。
根据下面的实施例的描述、权利要求和附图，实施例的这些和/或其他特征将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
根据下面结合附图的描述，本公开的某些实施例的以上和其他特征将更显而易见，在附图中：
图1是示意性地图示根据实施例的显示装置的一部分的透视图；
图2A是示意性地图示显示装置的沿图1中的线A-A’截取的截面的截面图；
图2B是示意性地图示显示装置的沿图1中的线B-B’截取的截面的截面图；
图2C是示意性地图示显示装置的沿图1中的线C-C’截取的截面的截面图；
图3是示意性地图示图1中的显示装置的一部分的平面图；
图4是图示在图1中的显示装置中包括的像素电路的实施例的等效电路图；
图5是示意性地图示在图1中的显示装置中包括的像素电路的实施例的平面图；
图6是示意性地图示显示装置的沿图5中的线E-E’、F-F’、G-G’和H-H’截取的截面的截面图；
图7是图3中的圈出区D的放大概念图；
图8是图7中的圈出区I的放大概念图；
图9是示意性地图示图7的一部分的概念图；
图10是示意性地图示显示装置的沿图8中的线J-J’截取的截面的截面图；
图11是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置的一部分的截面图；
图12是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的概念图；
图13是示意性地图示根据实施例的在制造显示装置的方法中使用的引导膜的透视图；
图14至图17是用于描述根据实施例的制造显示装置的方法的概念图；以及
图18是示意性图示根据可替代的实施例的显示装置的一部分的概念图。
具体实施方式
现在将在下文中参照其中示出各种实施例的附图更充分地描述本实用新型。然而，本实用新型可以以许多不同的形式被体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的范围。相同的附图标记始终指相同的元件。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并且不旨在进行限制。如本文中使用的，除非上下文另外明确指示，否则“一”、“该(所述)”和“至少一个”不指代数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指示，否则“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个”不应被解释为限于“一”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”或“选自a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其任何变体。
将理解，当诸如层、膜、区或板的元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接在该另一元件上，或者在该元件和该另一元件之间可以存在居间元件。为了便于说明，附图中的元件的尺寸可以被夸大或缩小。换句话说，由于为了便于说明而任意地图示附图中的元件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，以下讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分，而不脱离本文中的教导。
将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”指明所陈述的特征、区、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、区、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如附图中图示的一个元件相对于另一元件的关系。将理解，除了附图中描绘的方位之外，相对术语旨在涵盖设备的不同方位。例如，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将随之被定向为在其他元件的“上”侧。因此，取决于附图的具体方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果附图中的一个附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件将随之被定向为在其他元件“上方”。因此，术语“下方”或“下面”可以涵盖上方和下方两种方位。
在下面的实施例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上被解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
考虑到讨论中的测量和与具体量的测量相关联的误差(即测量系统的限制)，如本文中使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用词典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中特意地如此定义。
本文中，参考是理想化的实施例的示意性图示的截面图示描述实施例。这样，由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化应被预期。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于本文中图示的区的具体形状，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，被图示或被描述为平坦的区通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，图示的尖角可以是被倒圆的。因此，附图中图示的区实际上是示意性的，并且附图中图示的区的形状不旨在图示区的精确的形状并且不旨在限制本实用新型的范围。
在下文中，将参照附图详细描述本实用新型的实施例。
图1是示意性地图示根据实施例的显示装置1的一部分的透视图，图2A是示意性地图示显示装置1的沿图1中的线A-A’截取的截面的截面图，图2B是示意性地图示显示装置1的沿图1中的线B-B’截取的截面的截面图，并且图2C是示意性地图示显示装置1的沿图1中的线C-C’截取的截面的截面图。
在实施例中，是被配置成显示移动图像或静止图像的装置的显示装置1可以是诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备或超移动PC(UMPC)的便携式电子装置。另外，显示装置1可以是诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IoT)设备的电子装置。可替代地，显示装置1可以是诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备。可替代地，显示装置1可以是另一装置的一部分。例如，显示装置1可以是任何电子装置的显示单元。可替代地，显示装置1可以是用于车辆的仪表板或者布置在车辆的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的后视镜的车内后视镜显示器或者布置在前座的后表面上作为车辆的后座的娱乐的显示单元。
参照图1以及图2A至图2C，可以在其上显示图像的显示装置1的实施例可以具有在第一方向上延伸的边缘和在第二方向上延伸的边缘。这里，第一方向和第二方向可以是彼此交叉的方向。在实施例中，例如，由第一方向和第二方向形成的角度可以是锐角。可替代地，由第一方向和第二方向形成的角度可以是钝角或直角。为了便于说明，以下描述其中第一方向和第二方向彼此垂直的情况。例如，第一方向可以是x方向或-x方向，并且第二方向可以是y方向或-y方向。
在第一方向(x方向或-x方向)上延伸的边缘与在第二方向(y方向或-y方向)上延伸的边缘彼此相交的拐角CN可以具有曲率。
显示装置1可以包括覆盖窗CW和显示面板10。覆盖窗CW可以执行保护显示面板10的功能。在实施例中，覆盖窗CW可以布置在显示面板10上。在实施例中，覆盖窗CW可以是柔性窗。覆盖窗CW可以通过被外力容易地弯曲来保护显示面板10。覆盖窗CW可以包括玻璃、蓝宝石或塑料。覆盖窗CW可以是超薄玻璃。可替代地，覆盖窗CW可以包括无色聚酰亚胺。
显示面板10可以布置在覆盖窗CW之下。在实施例中，例如，显示面板10可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂(未示出)附接到覆盖窗CW。
显示面板10可以被配置成显示图像。显示面板10可以包括基板100和像素PX。显示面板10可以包括中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA、中间区域MA和外围区域PA。在实施例中，例如，在显示面板10中包括的基板100可以包括中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA、中间区域MA和外围区域PA。在这样的实施例中，中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA、中间区域MA和外围区域PA可以限定在基板100上。
中心区域CA可以包括大致平坦的区域。显示装置1可以在中心区域CA中提供大部分的图像。
第一区域A1可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上与中心区域CA邻近。第一区域A1可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。显示面板10可以在第一区域A1中弯曲。在实施例中，与中心区域CA不同，第一区域A1可以被限定为在第一方向上的截面(例如，zx截面)上的弯曲区域。在实施例中，第一区域A1可以被示出为在第二方向上的截面(例如，yz截面)上不弯曲。在这样的实施例中，第一区域A1可以是相对于在第二方向上延伸的轴弯曲的区域。
在实施例中，如图2A中所示，从中心区域CA在x方向上放置的第一区域A1和从中心区域CA在-x方向上放置的第一区域A1具有彼此相同的曲率，但是本公开不限于此。在可替代的实施例中，例如，从中心区域CA在x方向上放置的第一区域A1和从中心区域CA在-x方向上放置的第一区域A1可以具有彼此不同的曲率。
第二区域A2可以在第二方向上与中心区域CA邻近。第二区域A2可以在第一方向上延伸。显示面板10可以在第二区域A2中弯曲。在实施例中，与中心区域CA不同，第二区域A2可以被限定为在第二方向上的截面(例如，yz截面)上的弯曲区域，并且第二区域A2可以被示出为在第一方向上的截面(例如，zx截面)上不弯曲。在这样的实施例中，第二区域A2可以是相对于在第一方向上延伸的轴弯曲的区域。
在实施例中，如图2B中所示，从中心区域CA在y方向上放置的第二区域A2和从中心区域CA在-y方向上放置的第二区域A2具有彼此相同的曲率，但是本公开不限于此。在可替代的实施例中，例如，从中心区域CA在y方向上放置的第二区域A2和从中心区域CA在-y方向上放置的第二区域A2可以具有彼此不同的曲率。
显示面板10可以在拐角区域CNA中弯曲。拐角区域CNA可以是布置在拐角CN处的区域。在实施例中，拐角区域CNA可以是显示装置1的在第一方向上的边缘和显示装置1的在第二方向上的边缘彼此相交的区域。拐角区域CNA可以至少部分地围绕中心区域CA、第一区域A1和第二区域A2。可替代地，拐角区域CNA可以至少部分地围绕中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2和中间区域MA。
在其中第一区域A1在第二方向上延伸并在第一方向上的截面(例如，zx截面)上弯曲并且第二区域A2在第一方向上延伸并在第二方向上的截面(例如，yz截面)上弯曲的实施例中，拐角区域CNA的至少一部分在第一方向上的截面(例如，zx截面)和第二方向上的截面(例如，yz截面)中的全部上弯曲。在这样的实施例中，拐角区域CNA的至少一部分可以是其中在多个方向上的多个曲率彼此重叠的双弯折区域。显示装置1可以包括多个拐角区域CNA。
中间区域MA可以放置在中心区域CA与拐角区域CNA之间。中间区域MA可以在第一区域A1与拐角区域CNA之间在第一区域A1的延伸方向上延伸。另外，中间区域MA可以在第二区域A2与拐角区域CNA之间在第二区域A2的延伸方向上延伸。中间区域MA可以是弯曲的。另外，在中间区域MA中，被配置成将电信号提供到像素PX的驱动电路和被配置成将电力提供到像素PX的电力线可以被布置。在实施例中，布置在中间区域MA中的像素PX可以与驱动电路和/或电力线重叠。
外围区域PA可以放置在中心区域CA外部。在实施例中，例如，外围区域PA可以放置在第一区域A1和第二区域A2外部。像素PX可以不布置在外围区域PA中。在这样的实施例中，外围区域PA可以是其中不显示图像的非显示区域。在外围区域PA中，被配置成将电信号提供到像素PX的驱动电路或被配置成将电力提供到像素PX的电力线可以被布置。
在实施例中，如图2A中所示，拐角区域CNA的一部分、第一区域A1和中间区域MA可以以第一曲率半径R1弯曲。在实施例中，如图2B中所示，拐角区域CNA的另一部分、第二区域A2和中间区域MA可以以第二曲率半径R2弯曲。在实施例中，如图2C中所示，拐角区域CNA的又一部分和中间区域MA可以以第三曲率半径R3弯曲。
像素PX可以设置在基板100上。在实施例中，像素PX可以由显示元件DPE(参见图4和图6)实现。每个像素PX可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可替代地，每个像素PX可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
像素PX可以布置在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2和拐角区域CNA中的至少一个中。在实施例中，例如，多个像素PX可以布置在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中。相应地，显示装置1可以在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中显示图像。在实施例中，显示装置1可以分别在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中提供独立的图像。可替代地，显示装置1可以分别在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中提供任意一个图像的一部分。
在实施例中，如以上描述的，显示装置1不仅可以在中心区域CA中显示图像，而且可以在第一区域A1、第二区域A2、中间区域MA和拐角区域CNA中显示图像。因此，可以显著增加显示装置1中的显示区域的面积，其中显示区域是其中显示图像的区域。在这样的实施例中，显示装置1甚至可以在是弯曲的拐角CN处显示图像，并且因此，可以提高显示装置1的美感。
图3是示意性地图示是图1中的显示装置1的一部分的显示面板10的平面图。在图3中，为了便于描述，示意性地示出其中显示面板10在展开状态中而没有弯曲部分的实施例。
在实施例中，如以上描述的，外围区域PA可以布置在中心区域CA外部。外围区域PA可以包括第一邻近区域AA1、第二邻近区域AA2、第三邻近区域AA3、弯曲区域BA和焊盘区域PADA。
第一邻近区域AA1可以放置在第一区域A1外部。在实施例中，第一区域A1可以放置在第一邻近区域AA1与中心区域CA之间。相应地，第一邻近区域AA1可以从第一区域A1在第一方向上放置，并且可以与第一区域A1类似地在第二方向上延伸。驱动电路DC和/或电力线可以布置在第一邻近区域AA1中。
第二邻近区域AA2和第三邻近区域AA3可以放置在第二区域A2外部。在实施例中，第二区域A2可以放置在第二邻近区域AA2与中心区域CA之间以及第三邻近区域AA3与中心区域CA之间。与第二区域A2类似地，第二邻近区域AA2和第三邻近区域AA3中的每一个可以在第一方向上延伸。第二区域A2和中心区域CA可以在第二邻近区域AA2与第三邻近区域AA3之间。
弯曲区域BA可以放置在第三邻近区域AA3外部。在实施例中，第三邻近区域AA3可以放置在弯曲区域BA与第二区域A2之间。另外，焊盘区域PADA可以布置在弯曲区域BA外部。在这样的实施例中，弯曲区域BA可以放置在第三邻近区域AA3与焊盘区域PADA之间。显示面板10可以在弯曲区域BA中弯曲。在这样的实施例中，焊盘区域PADA可以与显示面板10的另一部分重叠。因此，外围区域PA的对用户可见的区域可以被最小化。焊盘(未示出)可以布置在焊盘区域PADA中。显示面板10可以经由焊盘接收电信号和/或电力电压。
在图3中，显示面板10被示出为在展开状态中而未弯曲。然而，如以上描述的，显示面板10可以在显示面板10的一部分中弯曲。在这样的实施例中，第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中的至少一个是可弯曲的。
在实施例中，例如，第一区域A1可以相对于在第二方向上延伸的轴弯曲，并且可以被示出为在第一方向上的截面(例如，zx截面)上弯曲并且在第二方向上的截面(例如，yz截面)上不弯曲。第二区域A2可以相对于在第一方向上延伸的轴弯曲，并且可以被示出为在第二方向上的截面(例如，yz截面)上弯曲并且在第一方向上的截面(例如，zx截面)上不弯曲。拐角区域CNA的至少一部分在第一方向上的截面(例如，zx截面)和第二方向上的截面(例如，yz截面)中的全部上弯曲，并且因此，拐角区域CNA的至少一部分可以是其中在多个方向上的多个曲率彼此重叠的双弯折区域。
在拐角区域CNA如以上描述地弯曲的情况中，大于拉伸应变的压缩应变可能发生在拐角区域CNA中。相应地，在实施例中，在拐角区域CNA的至少一部分中，基板100可以是可收缩的。作为结果，显示面板10的在拐角区域CNA中的结构可以不同于显示面板10的在中心区域CA中的结构。
如以上描述的，可以布置在选自中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中的至少一个中的像素PX可以包括显示元件。显示元件可以是包括有机发射层的有机发光二极管。可替代地，显示元件可以是包括无机发射层的发光二极管(LED)。LED的尺寸可以是微米级或纳米级。在实施例中，例如，LED可以是微型LED。可替代地，LED可以是纳米棒LED。纳米棒LED可以包括氮化镓(GaN)。在实施例中，颜色转换层可以设置在显示元件上。在这样的实施例中，颜色转换层可以包括量子点。可替代地，显示元件可以是包括量子点发射层的量子点发光二极管。在下文中，为了便于描述，描述其中显示元件包括有机发光二极管的实施例。
像素PX可以包括多个子像素，并且多个子像素中的每一个可以通过使用显示元件发射一种颜色的光。是用于实现图像的最小单元的子像素指的是发射区域。在有机发光二极管用作显示元件的实施例中，发射区域可以由像素限定层的开口限定。这将在后面描述。
驱动电路DC可以将信号提供到像素PX。在实施例中，例如，驱动电路DC可以是被配置成经由扫描线SL将扫描信号提供到像素电路的扫描驱动电路，其中像素电路电连接到像素PX中包括的子像素。可替代地，驱动电路DC可以是被配置成经由发射控制线(未示出)将发射控制信号提供到电连接到子像素的像素电路的发射控制驱动电路。可替代地，驱动电路DC可以是被配置成经由数据线DL将数据信号提供到电连接到子像素的像素电路的数据驱动电路。尽管未示出，但是数据驱动电路可以布置在第三邻近区域AA3或焊盘区域PADA中。可替代地，数据驱动电路可以设置在经由焊盘连接到显示面板10的显示电路板上。
图4是图示在图1中的显示装置1中包括的像素电路PC的实施例的等效电路图。具体地，图4是电连接到有机发光二极管的像素电路PC的等效电路图，该有机发光二极管是形成在图1中的显示装置1中包括的一个子像素的显示元件DPE。电连接到单个子像素的像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7以及存储电容器Cst。薄膜晶体管T1至T7以及存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2以及电力电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括被配置成传送扫描信号Sn的扫描线SL、被配置成将先前扫描信号Sn-1传送到初始化薄膜晶体管T4的先前扫描线SL-1、被配置成将扫描信号Sn+1传送到第二初始化薄膜晶体管T7的下一扫描线SL+1、被配置成将发射控制信号En传送到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL以及与扫描线SL交叉并且被配置成传送数据信号Dm的数据线DL。电力电压线PL可以被配置成将驱动电压ELVDD传送到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以被配置成将初始化电压Vint传送到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以被配置成将初始化电压Vint传送到第二初始化薄膜晶体管T7。
作为是第一晶体管的驱动薄膜晶体管T1的第一栅电极的驱动栅电极G1(参见图5)可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源区S1(参见图5)可以经由操作控制薄膜晶体管T5连接到电力电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区D1(参见图5)可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到是显示元件DPE的有机发光二极管的像素电极。在这样的实施例中，响应于施加到第一节点N1的电压(即，施加到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压)，驱动薄膜晶体管T1可以控制从连接到电力电压线PL的第二节点N2流到作为显示元件DPE的有机发光二极管的电流的量。相应地，驱动薄膜晶体管T1可以响应于开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且将驱动电流提供到作为显示元件DPE的有机发光二极管。操作控制薄膜晶体管T5可以放置在第二节点N2与电力电压线PL之间。
作为是第二晶体管的开关薄膜晶体管T2的第二栅电极的开关栅电极G2(参见图5)可以连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源区S2(参见图5)可以连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏区D2(参见图5)可以通过连接到第二节点N2和驱动薄膜晶体管T1的驱动源区S1而经由操作控制薄膜晶体管T5连接到电力电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以响应于经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且执行用于将经由数据线DL接收的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源区S1的开关操作。
作为第三晶体管连接在第三节点N3与第一节点N1之间的补偿薄膜晶体管T3可以响应于施加到是第三栅电极的补偿栅电极G3(参见图5)的电压而将驱动薄膜晶体管T1二极管连接，其中第三节点N3在驱动薄膜晶体管T1与作为显示元件DPE的有机发光二极管之间。在这样的实施例中，补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3可以连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏区D3(参见图5)可以通过连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区D1而经由发射控制薄膜晶体管T6连接到作为显示元件DPE的有机发光二极管的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿源区S3(参见图5)可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏区D4(参见图5)和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。
补偿薄膜晶体管T3可以响应于经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且将驱动栅电极G1电连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区D1，从而将驱动薄膜晶体管T1二极管连接。相应地，即使在多个像素电路PC的驱动薄膜晶体管T1的阈值电压彼此不同的情况下，通过将相同的数据信号Dm施加到多个像素电路PC，流过有机发光二极管的驱动电流可以具有彼此基本相同的幅度。在实施例中，以上描述的补偿薄膜晶体管T3可以包括双栅电极。
作为第四晶体管的第一初始化薄膜晶体管T4可以连接在第一节点N1与第一初始化电压线VL1之间，并且响应于施加到是第四栅电极的第一初始化栅电极G4(参见图5)的电压而对驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压进行初始化。在这样的实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4可以连接到先前扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源区S4(参见图5)可以连接到第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏区D4可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿源区S3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于经由先前扫描线SL-1接收的先前扫描信号Sn-1而导通，并且执行用于将初始化电压Vint传送到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1并对驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压进行初始化的初始化操作。
作为第五晶体管的操作控制薄膜晶体管T5可以连接在第二节点N2与电力电压线PL之间，并且响应于施加到是第五栅电极的操作控制栅电极G5(参见图5)的电压而导通。在这样的实施例中，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5可以连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源区S5(参见图5)可以连接到电力电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏区D5(参见图5)可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源区S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏区D2。
作为第六晶体管的发射控制薄膜晶体管T6可以连接在第三节点N3与显示元件DPE之间，并且响应于经由发射控制线EL施加到是第六栅电极的发射控制栅电极G6(参见图5)的电压而导通。在这样的实施例中，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6可以连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源区S6(参见图5)可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏区D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿漏区D3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏区D6(参见图5)可以电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源区S7(参见图5)和显示元件DPE。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以响应于经由发射控制线EL接收的发射控制信号En而彼此同时导通，使得驱动电压ELVDD被传送到作为显示元件DPE的有机发光二极管并且驱动电流流过有机发光二极管。
作为是第七晶体管的第二初始化薄膜晶体管T7的第七栅电极的第二初始化栅电极G7(参见图5)可以连接到下一扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源区S7可以连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏区D6和显示元件DPE，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏区D7(参见图5)可以连接到第二初始化电压线VL2。
当扫描线SL和下一扫描线SL+1彼此电连接时，同一扫描信号Sn可以施加到扫描线SL和下一扫描线SL+1。在这种情况下，第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于经由下一扫描线SL+1接收的扫描信号Sn而导通，并且执行用于对是显示元件DPE的有机发光二极管的像素电极进行初始化的操作。在可替代的实施例中，第二初始化薄膜晶体管T7可以被省略。
存储电容器Cst的上电极CE2可以连接到电力电压线PL，并且作为显示元件DPE的有机发光二极管的公共电极可以连接到被配置为传送公共电压ELVSS的线。相应地，有机发光二极管可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流，发光并且显示图像。
如以上描述的，补偿薄膜晶体管T3可以包括双栅电极。换句话说，补偿薄膜晶体管T3可以包括两个补偿栅电极G3。在可替代的实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4也可以包括双栅电极。
图5是示意性地图示在图1中的显示装置1中包括的显示面板10的中心区域CA中布置的像素电路PC的实施例的平面图，其中示意性地示出了多个薄膜晶体管、电容器等的位置。图6是示意性地图示显示装置1的沿图5中的线E-E’、F-F’、G-G’和H-H’截取的截面的截面图。在对应的截面图中，为了便于说明，夸大和/或缩小了元件中的每一个的尺寸。这也适用于稍后描述的截面图。
驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7可以沿半导体层1130布置。半导体层1130的一些区域可以构成驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层。在这样的实施例中，半导体层1130的一些区域可以构成薄膜晶体管的有源区、源区或漏区。
半导体层1130可以限定或形成在基板100上。另外，缓冲层111可以限定或形成在基板100上，并且半导体层1130可以限定或形成在缓冲层111上。
基板100可以包括诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。可替代地，基板100可以包括两层和放置在该两层之间的阻挡层，其中该两层包括以上描述的聚合物树脂。在这样的实施例中，阻挡层可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氧氮化硅(SiOxNy)的无机材料。可替代地，基板100可以包括玻璃或金属。
缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基板100下方的渗透，并且在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机无机化合物，并且可以具有无机材料和/或有机材料的单层或多层结构。在实施例中，例如，缓冲层111可以具有第一缓冲层111a和第二缓冲层111b的堆叠结构，并且在这样的实施例中，第一缓冲层111a和第二缓冲层111b可以包括彼此不同的材料。在实施例中，例如，第一缓冲层111a可以包括SiNx，并且第二缓冲层111b可以包括SiO2。
如以上描述的，在第一缓冲层111a包括SiNx的实施例中，当形成SiNx时，在SiNx中可以包括氢。相应地，可以改进设置或形成在缓冲层111上的半导体层1130的载流子迁移率，并且可以改进薄膜晶体管的电特性。另外，半导体层1130可以包括硅材料，使得半导体层1130与第二缓冲层111b之间的界面结合特性被改进，其中半导体层1130包括硅，第二缓冲层111b包括SiO2，并且薄膜晶体管的电特性可以被改进。
半导体层1130可以包括低温多晶硅(LTPS)。多晶硅材料具有高电子迁移率(100cm2/Vs或更高)、低能耗和高可靠性。在可替代的实施例中，例如，半导体层1130也可以包括非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体。可替代地，在多个薄膜晶体管当中，一些半导体层可以包括LTPS，并且其他半导体层可以包括a-Si和/或氧化物半导体。
半导体层1130的源区和漏区可以掺杂有杂质，并且杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区可以分别对应于源电极和漏电极。根据薄膜晶体管的性质，源区和漏区可以颠倒。在下文中，使用术语“源区”和“漏区”代替“源电极”或“漏电极”。在图4的等效电路图中，示出了半导体层1130的特定部分被掺杂有P型杂质，并且薄膜晶体管被实现为P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET；PMOS)。另外，半导体层1130的其他部分也可以被掺杂有杂质，并且用作将薄膜晶体管和/或电容器彼此电连接的线。
第一栅绝缘层112设置在半导体层1130上，并且驱动栅电极G1、扫描线SL、先前扫描线SL-1、下一扫描线SL+1和发射控制线EL可以设置在第一栅绝缘层112上。这类设置在第一栅绝缘层112上的元件可以统称为第一栅层。第一栅绝缘层112可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO或ZnO2)。
半导体层1130的与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1重叠的部分可以是驱动薄膜晶体管T1的有源区域AT1(参见图6)。扫描线SL的与半导体层1130重叠的部分可以是开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2和补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3，先前扫描线SL-1的与半导体层1130重叠的部分可以是第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4，下一扫描线SL+1的与半导体层1130重叠的部分可以是第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7，并且发射控制线EL的与半导体层1130重叠的部分可以是操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6。如图6中所示，在其中第一初始化薄膜晶体管T4包括双栅电极的实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以包括两个有源区AT4以及在两个有源区AT4之间的区域A4a。如图6中所示，在其中补偿薄膜晶体管T3包括双栅电极的实施例中，补偿薄膜晶体管T3可以具有两个有源区AT3(参见图6)以及在两个有源区AT3之间的区域A3a。如图6中所示，作为参考，发射控制薄膜晶体管T6包括一个发射控制栅电极G6，并且因此，可以具有一个有源区AT6。
驱动栅电极G1、扫描线SL、先前扫描线SL-1、下一扫描线SL+1和发射控制线EL中的每一个可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括该材料的多层或单层结构。在实施例中，例如，驱动栅电极G1、扫描线SL、先前扫描线SL-1、下一扫描线SL+1和发射控制线EL中的每一个可以具有Mo层和Al层的多层结构，或者可以具有Mo层、Al层和另一Mo层的多层结构。
第二栅绝缘层113可以设置或提供在驱动栅电极G1、扫描线SL、先前扫描线SL-1、下一扫描线SL+1和发射控制线EL上。第二栅绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。
水平电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以设置在第二栅绝缘层113上。这类设置在第二栅绝缘层113上的元件可以统称为第二栅层。水平电压线HL可以与驱动栅电极G1的至少一部分重叠并且与驱动栅电极G1一起形成存储电容器Cst。
存储电容器Cst的下电极CE1可以与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1一体地形成为单个的单一且不可分割的主体。在实施例中，例如，驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。水平电压线HL的与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1重叠的区域可以是存储电容器Cst的上电极CE2。相应地，第二栅绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。
水平电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2中的每一个可以包括包含Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)或Cu的导电材料，并且可以具有包括该材料的多层或单层结构。在实施例中，例如，水平电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2中的每一个可以具有Mo层和Al层的多层结构，或者可以具有Mo层、Al层和另一Mo层的多层结构。
层间绝缘层115可以设置在水平电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2上。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。
数据线DL、电力电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175可以设置在层间绝缘层115上。这类设置在层间绝缘层115上的元件可以统称为第一源漏层。数据线DL、电力电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175中的每一个可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以具有包括该材料的多层或单层结构。在实施例中，例如，数据线DL、电力电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175中的每一个可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的多层结构。
数据线DL可以经由接触孔1154连接到开关薄膜晶体管T2的开关源区S2。在实施例中，数据线DL的一部分可以限定开关源电极。
电力电压线PL可以经由层间绝缘层115中限定的接触孔1158连接到电容器Cst的上电极CE2。相应地，水平电压线HL可以具有与电力电压线PL的电压电平相同的电压电平(恒定电压)。另外，电力电压线PL可以经由接触孔1155连接到操作控制源区S5。
第一初始化电压线VL1可以经由第一初始化连接线1173a连接到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以经由第二初始化连接线1173b以及接触孔1151和1152连接到第二初始化薄膜晶体管T7。在实施例中，第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以具有彼此相同的恒定电压(例如，-2V等)。
节点连接线1174的一端可以经由接触孔1156连接到补偿源区S3，并且另一端可以经由接触孔1157连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。
连接金属1175可以经由穿过层间绝缘层115、第二栅绝缘层113和第一栅绝缘层112的接触孔1153而连接到发射控制薄膜晶体管T6的半导体层。
第一平坦化层116可以设置在数据线DL、电力电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175上。第一平坦化层116可以包括近似平坦的上表面。第一平坦化层116可以包括有机材料。在实施例中，例如，第一平坦化层116可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PXMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其任何共混物。在可替代的实施例中，第一平坦化层116可以包括无机材料。在这样的实施例中，第一平坦化层116可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。在其中第一平坦化层116包括无机材料的实施例中，可以选择性地执行化学平坦化抛光。可替代地，第一平坦化层116可以包括有机材料和无机材料两者。
连接线1181可以设置在第一平坦化层116上。设置在第一平坦化层116上的元件可以统称为第二源漏层。连接线1181可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以具有包括该材料的多层或单层结构。在实施例中，例如，连接线1181可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的多层结构。连接线1181可以经由穿过第一平坦化层116的接触孔1163而连接到连接金属1175，从而电连接到发射控制薄膜晶体管T6。作为参考，在图5的平面图中，为了方便，仅示出半导体层1130和放置在第一平坦层116之下的导电层，并且未示出放置在第一平坦层116之上的连接线1181等。
第二平坦化层117可以设置在连接线1181上。第二平坦化层117可以包括近似平坦的上表面。第二平坦化层117可以包括有机材料。在实施例中，例如，第二平坦化层117可以包括诸如BCB、聚酰亚胺、HMDSO、PXMMA或PS的通用聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其任何共混物。在可替代的实施例中，第二平坦化层117可以包括无机材料。在这样的实施例中，第二平坦化层117可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。在其中第二平坦化层117包括无机材料的实施例中，可以选择性地执行化学平坦化抛光。另外，第二平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。
如以上描述的，图4图示单个像素电路PC，并且图5示意性地图示布置于在显示装置1中包括的显示面板10的中心区域CA中的像素电路PC的实施例。这样的像素电路PC可以在中心区域CA中在第一方向(x方向或-x方向)和第二方向(y方向或-y方向)上布置。在这种情况下，第一初始化电压线VL1、先前扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和下一扫描线SL+1可以由在第二方向上彼此邻近布置的两个像素电路PC共享。
在这样的实施例中，第一初始化电压线VL1和先前扫描线SL-1可以电连接到在图5中所示的像素电路PC的向上方向(+y方向)上布置的另一像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管。因此，施加到先前扫描线SL-1的先前扫描信号可以作为下一扫描信号被传送到该另一像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管。类似地，第二初始化电压线VL2和下一扫描线SL+1可以电连接到在图5中所示的像素电路PC的向下方向(-y方向)上邻近布置的另一像素电路PC的第一初始化薄膜晶体管，并且传送先前扫描信号和初始化电压。在此意义上，先前扫描线SL-1与下一扫描线SL+1可以由同一线限定。另外，第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以是同一初始化电压线VL(参见图4)。
作为显示元件DPE的有机发光二极管可以包括像素电极210、公共电极230和放置在像素电极210与公共电极230之间的中间层220，中间层220包括发射层。
如图6中所示，像素电极210可以设置在具有平坦的上表面的第二平坦化层117上。像素电极210可以经由限定在第二平坦化层117中的接触孔连接到连接线1181并且电连接到发射控制漏区D6。另外，如图6中所示，在中心区域CA中，作为显示元件DPE的有机发光二极管可以与电连接到有机发光二极管的像素电路PC重叠。
像素电极210可以是(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以包括反射层和设置在该反射层上的透明或半透明电极层，其中反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何化合物。透明或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO或ZnO2、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在一些实施例中，像素电极210可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的堆叠结构。
像素限定层119可以设置在第二平坦化层117上，并且暴露像素电极210的中心部分的开口可以通过像素限定层119被限定，从而限定像素的发射区域。另外，像素限定层119可以通过增加像素电极210的边缘与像素电极210之上的公共电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘处发生电弧等。包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料的像素限定层119可以通过诸如旋涂的方法被形成。
中间层220可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料的有机材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以可选地进一步布置在有机发射层之下和之上。中间层220可以被布置成与多个像素电极210中的每一个相对应。然而，本公开不限于此，并且在中间层220中包括的层当中的诸如HTL、HIL、ETL和EIL的层可以跨多个像素电极210一体地形成为单个的单一且不可分割的主体。
公共电极230可以是透射电极或反射电极。在一些实施例中，公共电极230可以是透明或半透明电极，并且可以包括具有小功函数的金属薄膜，在该金属薄膜中包括Li、Ca、氟化锂(LiF)、Al、Ag、Mg或其任何化合物。除了金属薄膜之外，诸如ITO层、IZO层、ZnO层、ZnO2层或In2O3层的透明导电氧化物(TCO)层可以进一步被包括在公共电极230中。以上描述的公共电极230可以一体地形成为单个的单一且不可分割的主体，以与多个像素电极210相对应。
封装层300可以设置在公共电极230上，其中封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层320以及在第一无机封装层310与第二无机封装层320之间的有机封装层330。
在这种情况下，第一无机封装层310和第二无机封装层320中的每一个可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。有机封装层330可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、HMDSO、丙烯酸树脂(例如，PXMMA、聚丙烯酸等)或其任意组合。
图7是图示图3中的圈出区D的放大概念图，并且图8是图7中的圈出区I的放大概念图。
如图7和图8中所示，在实施例中，在显示装置1中包括的显示面板10可以包括基板100、像素电路PC、显示元件DPE和驱动电路DC。基板100可以包括中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA。
第一区域A1可以在第一方向(x方向或-x方向)上与中心区域CA邻近。第一区域A1可以在第二方向(y方向或-y方向)上延伸。第二区域A2可以在第二方向上与中心区域CA邻近。第二区域A2可以在第一方向上延伸。
拐角区域CNA可以是布置在拐角CN处的区域。在实施例中，拐角区域CNA可以是显示面板10的在第一方向上的边缘和显示面板10的在第二方向上的边缘彼此相交的区域。拐角区域CNA可以至少部分地围绕中心区域CA、第一区域A1和第二区域A2。可替代地，拐角区域CNA可以至少部分地围绕中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2和中间区域MA。如以上描述的拐角区域CNA可以包括中心拐角区域CCA、第一邻近拐角区域ACA1和第二邻近拐角区域ACA2。
中心拐角区域CCA可以包括延伸区域EA。延伸区域EA可以在远离中心区域CA的方向上延伸。显示面板10可以包括多个延伸区域EA。多个延伸区域EA中的每一个可以在远离中心区域CA的方向上延伸。在实施例中，例如，多个延伸区域EA中的每一个可以在与第一方向(x方向或-x方向)和第二方向(y方向或-y方向)交叉的方向上延伸。
分隔区域SA可以限定在彼此邻近的延伸区域EA之间。分隔区域SA可以是其中不布置显示面板10的元件的区域。当中心拐角区域CCA在拐角CN处弯曲时，在中心拐角区域CCA中可能发生比拉伸应变更大的压缩应变。在显示装置1的实施例中，分隔区域SA限定在彼此邻近的延伸区域EA之间，并且因此，显示面板10可以在中心拐角区域CCA中弯曲而不被损坏。
第一邻近拐角区域ACA1可以与中心拐角区域CCA邻近。第一区域A1的至少一部分和第一邻近拐角区域ACA1可以在第一方向(x方向或-x方向)上放置。第一邻近拐角区域ACA1的在朝向中心拐角区域CCA的方向上的一端和中心拐角区域CCA的在朝向第一邻近拐角区域ACA1的方向上的一端可以彼此分开。第一邻近拐角区域ACA1可以被示出为在第一方向上的截面(zx截面)上弯曲并且在第二方向上的截面(yz截面)上不弯曲。分隔区域SA可以不限定在以上描述的第一邻近拐角区域ACA1中。
第二邻近拐角区域ACA2也可以与中心拐角区域CCA邻近。第二区域A2的至少一部分和第二邻近拐角区域ACA2可以在第二方向(y方向或-y方向)上放置。第二邻近拐角区域ACA2的在朝向中心拐角区域CCA的方向上的一端和中心拐角区域CCA的在朝向第二邻近拐角区域ACA2的方向上的一端可以彼此分开。第二邻近拐角区域ACA2可以被示出为在第一方向上的截面(zx截面)上不弯曲并且可以被示出为在第二方向上的截面(yz截面)上弯曲。分隔区域SA可以不限定在以上描述的第二邻近拐角区域ACA2中。
中间区域MA可以放置在中心区域CA与拐角区域CNA之间。中间区域MA可以在中心区域CA与第一邻近拐角区域ACA1之间延伸。另外，中间区域MA可以在中心区域CA与第二邻近拐角区域ACA2之间延伸。中间区域MA可以至少部分地围绕中心区域CA、第一区域A1和第二区域A2。
如图7中所示，多个像素PX可以布置在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中。相应地，显示面板10可以被配置成在中心区域CA、第一区域A1、第二区域A2、拐角区域CNA和中间区域MA中显示图像。像素PX中的每一个可以包括显示元件DPE。
如图8中所示，多个延伸区域EA中的每一个可以包括像素区域PXA和端区域ENDA，并且在中心拐角区域CCA内的像素PX中包括的显示元件DPE可以布置在像素区域PXA中。在多个延伸区域EA中的每一个中，显示元件DPE可以布置在延伸区域EA的延伸方向EDR上。
如图8中所示，电力电压线PL可以布置在中间区域MA中。电力电压线PL可以在与延伸区域EA的延伸方向EDR交叉的垂直方向VDR上延伸。电力电压线PL可以延伸以围绕中心区域CA、第一区域A1和第二区域A2的至少一部分。电力电压线PL可以是被配置成传送驱动电压ELVDD(参见图4)的驱动电力线。在这样的实施例中，电力电压线PL可以被配置成传送要施加到在显示面板10中包括的像素电路中包括的驱动晶体管的驱动电压ELVDD。如以上描述的电力电压线PL可以被放置成在中间区域MA内偏向中心区域CA、第一区域A1和第二区域A2。
放置在中间区域MA中的电力电压线PL可以是以上描述的第一源漏层的元件。在实施例中，电力电压线PL可以设置在层间绝缘层115(参见图6)上。相应地，电力电压线PL可以与放置在中心区域CA中的数据线DL、电力电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175(参见图5)由相同的材料同时形成，并且放置在中间区域MA中的电力电压线PL可以具有与放置在中心区域CA中的数据线DL、电力电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175的分层结构相同的分层结构。
如图8中所示，第一线WL1可以布置在中间区域MA中。第一线WL1可以在中间区域MA的延伸方向上延伸。在实施例中，例如，第一线WL1可以被布置成与拐角区域CNA邻近并且沿中间区域MA的边缘延伸。第一线WL1可以是被配置成将公共电压ELVSS(参见图4)供给到有机发光二极管的公共电极的电力线。
放置在延伸区域EA中的第二线WL2可以电连接到第一线WL1。第二线WL2和第一线WL1可以设置在彼此不同的层上。在实施例中，例如，第二线WL2可以设置在覆盖设置在层间绝缘层115上的第一线WL1的第一平坦化层116(参见图6)上。在这样的实施例中，第一线WL1可以与放置在中间区域MA的电力电压线PL以及放置在中心区域CA的数据线DL、电力电压线PL、节点连接线1174和连接金属1175由相同的材料同时形成。第二线WL2可以与连接线1181(参见图6)等由相同的材料同时形成。在实施例中，第二线WL2可以是第二源漏层的元件。在这样的实施例中，第二线WL2和第一线WL1可以经由第一平坦化层116的接触孔彼此电连接。相应地，第二线WL2也可以是被配置成供给公共电压ELVSS(参见图4)的电力线。
第二线WL2可以包括第一部分P1和第二部分P2。第一部分P1和第二部分P2中的每一个可以从中间区域MA延伸到延伸区域EA中。第一部分P1和第二部分P2可以在中间区域MA中彼此分开。第一部分P1和第二部分P2中的每一个可以与延伸区域EA的边缘邻近。在实施例中，例如，第一部分P1可以与延伸区域EA的一侧的边缘邻近，并且第二部分P2可以与延伸区域EA的另一侧的边缘邻近。延伸区域EA的一侧的边缘和另一侧的边缘可以限定彼此不同的分隔区域SA。
第一部分P1和第二部分P2可以在延伸区域EA的端区域ENDA中彼此相交。在实施例中，第一部分P1和第二部分P2可以一体地形成为单个的单一且不可分割的主体。相应地，第二线WL2可以具有在一侧带有开口的形状。在这样的实施例中，第二线WL2可以具有在朝向中心区域CA的方向上具有开口的形状。在这类在其中第一部分P1和第二部分P2在端区域ENDA中彼此相交的实施例中，第二线WL2可以维持低电阻。
像素电路PC可以布置在延伸区域EA和中间区域MA中。布置在延伸区域EA和中间区域MA中的像素电路PC可以与参照图5描述的布置在中心区域CA中的像素电路PC相同或相似。布置在延伸区域EA和中间区域MA中的像素电路PC的电力电压线可以经由连接线(未示出)电连接到布置在中间区域MA中的电力电压线PL。
再次参照图7，驱动电路DC可以布置在中间区域MA中。驱动电路DC可以是被配置成经由扫描线SL将扫描信号提供到像素电路的扫描驱动电路，其中像素电路电连接到布置在中心区域CA、中间区域MA、延伸区域EA等中的像素PX中包括的子像素。可替代地，驱动电路DC可以是被配置成经由发射控制线(未示出)将发射控制信号提供到电连接到子像素的像素电路的发射控制驱动电路。驱动电路DC可以布置在中间区域MA的延伸方向上。驱动电路DC可以被布置成至少部分地围绕中心区域CA、第一区域A1和第二区域A2。驱动电路DC可以经由扫描线供给扫描信号并且经由先前扫描线供给先前扫描信号。可替代地，驱动电路DC可以经由发射控制线供给发射控制信号。
如图8中所示，驱动电路DC可以包括第一驱动电路DC1和第二驱动电路DC2。在实施例中，第一驱动电路DC1和第二驱动电路DC2中的一个可以经由扫描线或先前扫描线供给扫描信号或先前扫描信号。第一驱动电路DC1和第二驱动电路DC2中的另一个可以经由发射控制线供给发射控制信号。作为参考，在图8中，仅示意性地示出了布置在中间区域MA的延伸方向上的驱动电路DC的一部分。
像素电路PC5、PC6、PC7和PC8可以放置在中间区域MA中，使得像素电路PC5、PC6、PC7和PC8在驱动电路DC与电力电压线PL之间。电连接到像素电路PC7和PC8的显示元件DPE7和DPE8可以分别放置在像素电路PC7和PC8之上。在实施例中，分别电连接到像素电路PC5和PC6的显示元件DPE5和DPE6可以不放置在像素电路PC5与PC6之上。显示元件DPE5和DPE6可以放置在驱动电路DC之上以与驱动电路DC重叠。在这样的实施例中，显示元件DPE5和DPE6可以被放置成比像素电路PC5和PC6远离电力电压线PL。
在图8中，为了便于说明，显示元件DPE5和DPE6放置在第一驱动电路DC1与第二驱动电路DC2之间。然而，本公开不限于此。在可替代的实施例中，例如，显示元件DPE5和DPE6可以与第一驱动电路DC1或第二驱动电路DC2重叠。显示元件DPE5和DPE6可以经由设置在第一平坦化层116上的像素连接线(未示出)电连接到像素电路PC5和PC6。像素连接线可以是第二源漏层的元件。在实施例中，像素连接线可以设置在第一平坦化层116上。相应地，像素连接线可以与放置在中心区域CA中的连接线1181由相同的材料同时形成，并且像素连接线可以具有与连接线1181的分层结构相同的分层结构。
在显示装置1的实施例中，通过具有以上描述的配置，即使在存在驱动电路DC的地方也可以显示图像，并且因此，可以显著增加显示面板10的其中显示图像的区域。
在实施例中，放置在中间区域MA中的显示元件DPE5、DPE6、DPE7和DPE8中的每一个可以包括红色显示元件DPEr、绿色显示元件DPEg和蓝色显示元件DPEb，并且在这种情况下，像素电路PC5、PC6、PC7和PC8中的每一个可以包括电连接到红色显示元件DPEr的像素电路、电连接到绿色显示元件DPEg的像素电路和电连接到蓝色显示元件DPEb的像素电路。
作为参考，在图8中，为了方便，仅示出中间区域MA中的四个像素电路PC5、PC6、PC7和PC8。然而，本公开不限于此。
在实施例中，如图8中所示，像素电路PC1、PC2、PC3和PC4可以放置在延伸区域EA中，并且显示元件DPE1、DPE2、DPE3及DPE4可以放置在像素电路PC1、PC2、PC3及PC4之上。显示元件DPE1、DPE2、DPE3和DPE4可以电连接到像素电路PC1、PC2、PC3和PC4。然而，放置在延伸区域EA中的像素电路的数量和显示元件的数量可以被修改。另外，显示元件DPE1、DPE2、DPE3和DPE4中的每一个可以包括红色显示元件DPEr、绿色显示元件DPEg和蓝色显示元件DPEb，并且在这种情况下，像素电路PC1、PC2、PC3和PC4中的每一个也可以包括电连接到红色显示元件DPEr的像素电路、电连接到绿色显示元件DPEg的像素电路和电连接到蓝色显示元件DPEb的像素电路。另外，放置在延伸区域EA中的显示元件DPE1、DPE2、DPE3和DPE4的公共电极可以电连接到第二线WL2并且接收公共电压ELVSS。
图9是示意性地图示图7的一部分的概念图。在实施例中，如图9中所示，铁磁层FML可以布置在多个延伸区域EA中。铁磁层FML可以具有在远离中心区域CA的方向上延伸的形状。在这样的实施例中，铁磁层FML中的每一个可以具有与对应的延伸区域EA的形状相似的形状。铁磁层FML可以包括铁(Fe)、Ni或钴(Co)。铁磁层FML中的每一个可以布置在延伸区域EA中的对应的延伸区域EA中。在实施例中，例如，如图9中所示，铁磁层FML和延伸区域EA可以以一对一的方式彼此对应。在实施例中，单个铁磁层FML可以放置在每个延伸区域EA中。
图10是示意性地图示显示装置1的沿图8中的线J-J’截取的截面的截面图。在下文中，将参照图10描述分隔区域SA周围的延伸区域EA的一部分的结构。在图10中，与图6中指示的附图标记相同的附图标记指代相同或对应的构件，并且为了方便将省略其任何重复的详细描述。作为参考，在图10中，像素电路PC3被示出为示例，并且像素电路PC3可以具有与图10中所示的结构不同的结构。
在实施例中，如图10中所示，铁磁层FML可以放置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。可替代地，铁磁层FML可以设置在另一层上。在其中在延伸区域EA中的多个绝缘层设置在基板100上的实施例中，铁磁层FML可以设置在绝缘层当中的两个邻近的绝缘层之间。
连接电极CML可以设置在覆盖层间绝缘层115的第一平坦化层116上，使得连接电极CML可以设置在与以上参照图6描述的连接线1181设置在其中的层相同的层中，也就是说，连接电极CML可以直接设置在与以上参照图6描述的连接线1181直接设置在其上的层相同的层上，并且可以与连接线1181由相同的材料同时形成。连接电极CML可以用于将放置在连接电极CML下方的像素电路PC3电连接到放置在连接电极CML上方的像素电极210。
与连接电极CML类似地，在第二线WL2中包括的第二部分P2可以设置在第一平坦化层116上，并且可以与连接电极CML由相同的材料同时形成，其中第二线WL2是电连接到是显示元件DPE3的有机发光二极管中包括的公共电极230的电力线，并且被配置成将公共电压ELVSS(参见图4)供给到公共电极230。
第二平坦化层117可以覆盖第二部分P2(即，第二线WL2)和连接电极CML，并且如图10中所示，第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2可以通过第二平坦化层117限定。在实施例中，接触孔可以进一步通过第二平坦化层117限定，使得设置在第二平坦化层117上的像素电极210经由接触孔连接到连接电极CML。第一拐角孔CH1、第二拐角孔CH2和接触孔可以彼此同时形成。
第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2可以与第二线WL2的第二部分P2重叠，并且设置在第二线WL2的第二部分P2上的下拐角无机图案LCIP可以防止或最小化在形成第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2的工艺中对第二线WL2的第二部分P2的损坏。在实施例中，例如，下拐角无机图案LCIP可以包括第一下拐角无机图案LCIP1和第二下拐角无机图案LCIP2，并且在这样的实施例中，第一下拐角无机图案LCIP1可以与第一拐角孔CH1重叠，并且第二下拐角无机图案LCIP2可以与第二拐角孔CH2重叠。相应地，第二线WL2可以在形成第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2的工艺中不暴露，或者第二线WL2的暴露的区域可以被减少，使得可以防止或减少对第二线WL2的损坏。以上描述的下拐角无机图案LCIP可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。
重叠无机图案COP、拐角无机图案CIP和无机图案线IPL可以设置在第二平坦化层117上。重叠无机图案COP、拐角无机图案CIP和无机图案线IPL可以由相同材料同时形成。重叠无机图案COP、拐角无机图案CIP和无机图案线IPL中的每一个可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。
重叠无机图案COP可以设置在第二平坦化层117上并且可以放置在接触孔周围。另外，如图10中所示，重叠无机图案COP也可以设置在接触孔的内侧表面上。在实施例中，设置在第二平坦化层117上的像素电极210可以设置在重叠无机图案COP上并且经由接触孔连接到连接电极CML。
拐角无机图案CIP可以通过第一拐角孔CH1与重叠无机图案COP分开，但是可以在平面图中具有至少部分地围绕重叠无机图案COP的形状。无机图案线IPL可以通过第二拐角孔CH2与拐角无机图案CIP分开，但是可以在平面图中具有至少部分地围绕拐角无机图案CIP的形状。
拐角无机图案CIP可以包括在朝向第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2中的至少一个的中心的方向上的拐角突出尖端CPT。在实施例中，如图10中所示，拐角无机图案CIP可以在朝向第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2的中心的两个方向上突出。无机图案线IPL可以包括在朝向第二拐角孔CH2的中心的方向上的中间突出尖端MPT。另外，无机图案线IPL可以包括在朝向分隔区域SA的方向上的外拐角突出尖端OCPT。另外，如图10中所示，重叠无机图案COP也可以包括在朝向第一拐角孔CH1的中心的方向上的突出尖端。
如在中心区域CA中，像素限定层119在延伸区域EA中也可以覆盖像素电极210的边缘。在实施例中，第一图案119P可以在形成像素限定层119时同时形成，并且可以与像素限定层119包括相同的材料。第一图案119P可以设置在无机图案线IPL上。第一图案119P可以与无机图案线IPL一起形成第一拐角坝CDAM1。在实施例中，设置在第一图案119P上的第二图案121P可以在间隔物(未示出)形成在像素限定层119上时同时形成，并且与像素限定层119包括相同的材料。在这样的实施例中，第一图案119P和第二图案121P可以与无机图案线IPL一起形成第一拐角坝CDAM1。另外，第二拐角坝CDAM2可以在形成像素限定层119时同时形成，并且与像素限定层119包括相同的材料，其中，第二拐角坝CDAM2与第一拐角坝CDAM1分开，并且设置在拐角无机图案CIP上。
中间层220可以设置在像素限定层119上。中间层220可以布置在像素限定层119的开口中并且包括与像素电极210重叠的发射层220b。中间层220可以进一步包括选自第一功能层220a和第二功能层220c中的至少一个，其中，第一功能层220a在像素电极210与发射层220b之间，并且第二功能层220c在发射层220b上。在实施例中，例如，第一功能层220a可以包括HTL或者可以包括HTL和HIL。第二功能层220c可以包括ETL和/或EIL。第一功能层220a和/或第二功能层220c可以一体地形成为单个的单一且不可分割的主体，以与多个像素电极210相对应。在实施例中，布置在中心区域CA中的中间层220也可以一体地形成为单个的单一且不可分割的主体，以与多个像素电极210相对应。
在实施例中，如以上描述的，重叠无机图案COP可以包括在朝向第一拐角孔CH1的中心的方向上的突出尖端。另外，拐角无机图案CIP可以包括在朝向第一拐角孔CH1的中心的方向上的拐角突出尖端CPT。相应地，在形成第一功能层220a和第二功能层220c时，与第一功能层220a和第二功能层220c分离并且放置在第一拐角孔CH1内的功能层图案220P可以由拐角无机图案CIP的拐角突出尖端CPT形成并且放置在第一拐角孔CH1中。在这样的实施例中，如以上描述的，无机图案线IPL可以包括在朝向第二拐角孔CH2的中心的方向上的中间突出尖端MPT。相应地，在形成第一功能层220a和第二功能层220c时，放置在第二拐角孔CH2内的功能层图案220P可以由拐角突出尖端CPT和中间突出尖端MPT形成。
公共电极230可以在像素限定层119和中间层220之上一体地形成为单个的单一且不可分割的主体，以与延伸区域EA中的多个像素电极210相对应。相应地，与形成放置在第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2内的功能层图案220P类似，可以形成放置在第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2内的公共电极图案230P。
在封装层300中包括的第一无机封装层310可以设置在公共电极230上，并且可以与重叠无机图案COP的突出尖端、拐角无机图案CIP的拐角突出尖端CPT和无机图案线IPL的中间突出尖端MPT直接接触。在实施例中，如图10中所示，第一无机封装层310可以与第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2中的公共电极图案230P接触，并且覆盖第一拐角孔CH1和第二拐角孔CH2的内表面。如图10中所示，在封装层300中包括的有机封装层330可以设置在第一无机封装层310上，并且填充第一拐角孔CH1。第二拐角坝CDAM2可以防止用于形成有机封装层330的材料在制造工艺中流到外部或不期望的区域。在封装层300中包括的第二无机封装层320可以设置在有机封装层330上。第二无机封装层320可以与第二拐角坝CDAM2上的第一无机封装层310直接接触。在实施例中，即使在第二拐角孔CH2中，第二无机封装层320也可以与第一无机封装层310直接接触。
在实施例中，如图10中所示，显示装置1可以进一步包括保护层400、触摸感测器层500和抗反射层600。
保护层400可以设置在封装层300上。保护层400可以保护封装层300。保护层400可以包括第一无机保护层410、有机保护层420和第二无机保护层430。第一无机保护层410和第二无机保护层430中的每一个可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或者ZnO或ZnO2。有机保护层420可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或其任意组合。
第一无机保护层410可以设置在封装层300上，并且有机保护层420可以设置在第一无机保护层410上。另外，第二无机保护层430可以设置在有机保护层420上。有机保护层420可以填充第二拐角孔CH2。第二无机保护层430可以与第一拐角坝CDAM1上的第一无机保护层410直接接触。第一无机保护层410可以围绕拐角无机图案CIP的拐角突出尖端CPT。另外，第一无机保护层410和第二无机保护层430可以围绕无机图案线IPL的外拐角突出尖端OCPT。相应地，可以有效地防止由于来自外部的氧气、湿气等对显示装置1造成的损坏，并且，通过增加显示装置1的机械强度，可以防止由于外部冲击造成的损坏。
触摸感测器层500可以设置在保护层400上。触摸感测器层500可以包括第一触摸导电层510、第一触摸绝缘层520、第二触摸导电层530和第二触摸绝缘层540。在实施例中，第二触摸绝缘层540可以与无机图案线IPL的外拐角突出尖端OCPT重叠。
抗反射层600可以设置在触摸感测器层500上。在实施例中，例如，抗反射层600可以包括滤色器610、黑矩阵630和平坦化层650。滤色器610可以与像素电极210重叠。
在实施例中，如图10中所示，在延伸区域EA中，铁磁层FML放置在基板100之上的多个绝缘层之间。然而，本公开不限于此。在可替代的实施例中，例如，如是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置1的一部分的截面图的图11中所示，铁磁层FML可以设置在基板100之下。
图12是用于描述根据实施例的制造显示装置1的方法的概念图。如图12中所示，可以准备覆盖窗CW。准备覆盖窗CW的操作可以包括通过使用包括弯曲部分的夹具30执行变形的操作，使得覆盖窗CW包括曲线。夹具30可以对应于具有最终要被制造的显示装置1的形状的框架。通过将覆盖窗CW紧密粘附到夹具30，覆盖窗CW可以根据夹具30内的形状变形。覆盖窗CW可以由是透射的且通过夹具30可变形的任何材料形成。在实施例中，例如，覆盖窗CW可以包括诸如聚酰亚胺、聚乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚合物树脂。
在实施例中，如图3中所示，可以准备平坦且未处于弯曲状态中的显示面板10。另外，可以准备如图13中所示的引导膜GF。
如图13中所示，引导膜GF可以包括主区域MA和辅助区域AA。辅助区域AA可以连接到主区域MA的边缘ed。辅助区域AA可以是主区域MA的边缘ed的延伸。
辅助区域AA可以包括多个辅助区域。在实施例中，例如，辅助区域AA可以包括第一辅助区域AA1、第二辅助区域AA2、第三辅助区域AA3和第四辅助区域AA4，其中第一辅助区域AA1连接到主区域MA的第一边缘ed1，第二辅助区域AA2连接到主区域MA的第二边缘ed2，第三辅助区域AA3连接到主区域MA的第三边缘ed3，并且第四辅助区域AA4连接到主区域MA的第四边缘ed4。在实施例中，如图13中所示，第二边缘ed2可以与第一边缘ed1交叉，第三边缘ed3可以与第一边缘ed1平行，并且第四边缘ed4可以与第二边缘ed2平行。
多个辅助区域AA可以彼此分开。第一辅助区域AA1可以与第二辅助区域AA2、第三辅助区域AA3和第四辅助区域AA4中的每一个分离。第二辅助区域AA2可以与第一辅助区域AA1、第三辅助区域AA3和第四辅助区域AA4中的每一个分开。第三辅助区域AA3可以与第一辅助区域AA1、第二辅助区域AA2和第四辅助区域AA4中的每一个分开。第四辅助区域AA4可以与第一辅助区域AA1、第二辅助区域AA2和第三辅助区域AA3中的每一个分开。
主区域MA可以包括中心区域MAc和侧区域MAs。
中心区域MAc可以对应于主区域MA的中心部分。如图13中所示，当从垂直于主区域MA的方向(例如，z方向)观看时，中心区域MAc可以具有矩形形状。
侧区域MAs可以放置在中心区域MAc与辅助区域AA之间。侧区域MAs可以包括多个侧区域，并且多个侧区域中的每一个可以放置在中心区域MAc与多个辅助区域AA之间。在实施例中，例如，侧区域MAs可以包括第一侧区域MAs1、第二侧区域MAs2、第三侧区域MAs3和第四侧区域MAs4。第一侧区域MAs1、第二侧区域MAs2、第三侧区域MAs3和第四侧区域MAs4中的每一个可以放置在中心区域MAc与多个辅助区域AA当中的对应辅助区域之间。第一侧区域MAs1可以放置在中心区域MAc与第一辅助区域AA1之间，第二侧区域MAs2可以放置在中心区域MAc与第二辅助区域AA2之间，第三侧区域MAs3可以放置在中心区域MAc与第三辅助区域AA3之间，并且第四侧区域MAs4可以放置在中心区域MAc与第四辅助区域AA4之间。
在下文中，将参照图14至图17描述在如以上描述的准备显示面板10和引导膜GF之后的制造显示装置1的方法的实施例。
首先，第一粘合层20可以附接到显示面板10的前表面(例如，如图14中所示，覆盖窗CW要附接到的表面或在+z方向上的表面)。第一粘合层20可以是诸如OCA膜的透明粘合构件。以上描述的第一粘合层20可以包括基于丙烯酸的OCA膜。
接下来，引导膜GF可以附接到显示面板10的第一粘合层20不附接至其的后表面。第二粘合层21可以在显示面板10的后表面和引导膜GF之间，并且显示面板10的后表面和引导膜GF可以通过第二粘合层21附接。第二粘合层21可以是诸如OCA膜的透明粘合构件。第二粘合层21可以包括基于硅的OCA膜。
当引导膜GF附接到显示面板10的后表面时，可以以使得显示面板10的后表面与引导膜GF的主区域MA(参见图13)相对应的方式执行附接。在实施例中，例如，引导膜GF的主区域MA可以附接到显示面板10的后表面，使得显示面板10的中心区域CA(参见图3)与引导膜GF的中心区域MAc(参见图13)重叠，在显示面板10的相对侧的第一区域A1(参见图3)与引导膜GF的第二侧区域MAs2和第四侧区域MAs4(参见图13)重叠，并且在显示面板10的相对侧的第二区域A2(参见图3)与引导膜GF的第一侧区域MAs1和第三侧区域MAs3(参见图13)重叠。相应地，引导膜GF可以不附接到显示面板10的拐角区域CNA(参见图3)的一部分。在实施例中，例如，显示面板10的延伸区域EA(参见图7)可以不附接到引导膜GF。
接下来，如图14和图15中所示，显示面板10的形状可以通过将外力施加到引导膜GF而变形。首先，可以将显示面板10的引导膜GF附接至其的后表面布置成面对焊盘部分40，并且然后，显示面板10和焊盘部分40可以彼此对准。另外，如图15中所示，附接到显示面板10的后表面的引导膜GF可以被安装在焊盘部分40上。在这样的实施例中，推动构件PM1和PM2可以设置在引导膜GF上。引导膜GF可以通过使用推动构件PM1和PM2粘附到焊盘部分40的侧表面。作为结果，显示面板10可以预先形成为与覆盖窗CW匹配的形状。
在实施例中，例如，推动构件PM1和PM2可以布置在引导膜GF的辅助区域AA中，并且然后，外力可以通过推动构件PM1和PM2施加到安装在焊盘部分40上的引导膜GF的辅助区域AA。引导膜GF可以通过如以上描述的施加到引导膜GF的外力而弯曲。在实施例中，例如，引导膜GF可以变形使得引导膜GF的主区域MA具有曲率。当引导膜GF通过外力而变形时，附接到引导膜GF的主区域MA的显示面板10的形状也可以变形。在实施例中，例如，如图15中所示，显示面板10的第一区域A1和第二区域A2可以变形成具有曲率。如图15和图16中所示，被第一区域A1和第二区域A2围绕的显示面板10的中心区域CA(即，由虚设的边线sd限定的显示面板10的内部)也可以变形成具有曲率，在这样的实施例中，如以上描述的，因为显示面板10的延伸区域EA不附接到引导膜GF，所以延伸区域EA的一部分可以不变形。
如以上描述的，如图16和图17中所示，在预先形成显示面板10之后，执行将覆盖窗CW结合到显示面板10的操作。
在实施例中，如图16中所示，显示面板10的前表面可以被布置成面对覆盖窗CW，并且然后，显示面板10和覆盖窗CW可以彼此对准。接下来，覆盖窗CW和显示面板10可以通过使用焊盘部分40结合在一起。
首先，如图16中所示，作为显示面板10的中心部分的中心区域CA的一部分可以结合到覆盖窗CW。在这样的实施例中，在显示面板10的最终形状中，可以首先将不具有曲率的平坦表面(例如，中心区域CA)结合到覆盖窗CW。
接下来，如图17中所示，覆盖窗CW可以结合到显示面板10的具有曲率的第一区域A1、第二区域A2和拐角区域CNA。可以同时执行将覆盖窗CW结合到第一区域A1、第二区域A2和拐角区域CNA的工艺。在实施例中，例如，当第一区域A1和第二区域A2结合到覆盖窗CW时，拐角区域CNA可以通过外围的外力自然地结合到覆盖窗CW。
焊盘部分40可以包括第一焊盘部分40a和第二焊盘部分40b。第一焊盘部分40a可以是支撑第二焊盘部分40b的夹具。第二焊盘部分40b可以包括气泵或者可以连接到气泵。因为第二焊盘部分40b具有低模量，所以第二焊盘部分40b的形状和体积可以根据通过气泵的空气压力而变化。第二焊盘部分40b可以包括隔膜。在第一粘合层20与覆盖窗CW接触的状态中，可以通过第二焊盘部分40b施加压力，使得覆盖窗CW和显示面板10结合在一起。
如以上描述的，当显示面板10的第一区域A1和第二区域A2结合到覆盖窗CW时，显示面板10的拐角区域CNA(即，延伸区域EA)可以通过外围的外力自然地结合到覆盖窗CW。期望防止在这个工艺处发生缺陷。在实施例中，如以上描述的，分隔区域SA(参见图7)可以在延伸区域EA之间。当显示面板10结合到覆盖窗CW时，延伸区域EA之间的分隔区域SA的面积减小，并且显示面板10结合到覆盖窗CW。在这个工艺中，可能发生诸如延伸区域EA之间的不均匀间隔或者甚至延伸区域EA的重叠的缺陷。
在显示装置1的实施例中，如以上描述的，铁磁层FML(参见图9)放置在延伸区域EA中，可以有效地防止这样的缺陷的发生。在实施例中，例如，在将显示面板10结合到覆盖窗CW之前，以上描述的铁磁层FML可以被磁化。在这样的实施例中，铁磁层FML的在远离中心区域CA的方向上的各端可以具有彼此相同的磁性(或磁极)。在实施例中，例如，铁磁层FML的在朝向中心区域CA的方向上的第一端可以具有S极，并且铁磁层FML的在远离中心区域CA的方向上的第二端可以具有N极。在这种情况下，因为铁磁层FML的在远离中心区域CA的方向上的第二端具有彼此相同的磁性，所以在第二端之间产生排斥力。相应地，在以上描述的状态中，通过将显示面板10结合到覆盖窗CW，可以有效地防止诸如延伸区域EA之间的不均匀间隔或者甚至延伸区域EA的重叠的缺陷的发生。
铁磁层FML的磁化可以通过选自各种方法中的至少一种来执行。在实施例中，例如，铁磁层FML可以通过在磁体与延伸区域EA接触的状态中使磁体在延伸区域EA的延伸方向上移动而被磁化。在这样的实施例中，铁磁层FML的放置在延伸区域EA的与磁体初始接触的部分处的一部分可以具有与磁体的一部分的磁极的磁性相同的磁性，其中磁体的该部分与延伸区域EA接触。另外，铁磁层FML的放置在延伸区域EA的与磁体最终接触的部分处的一部分可以具有与磁体的一部分的磁极的磁性相反的磁性，其中磁体的该部分与延伸区域EA接触。可替代地，通过将磁体的特定磁极放置成在远离中心区域CA的方向上与铁磁层FML的端邻近，铁磁层FML的在远离中心区域CA的方向的端可以具有与磁体的特定磁极的磁性相反的磁性，并且铁磁层FML的在朝向中心区域CA的方向上的端可以具有与磁体的特定磁极相对应的磁性。
通过选自以上描述的各种方法中的至少一种，通过允许位于延伸区域EA中的铁磁层FML的在远离中心区域CA的方向上的端具有彼此相同的磁性，显示面板10和覆盖窗CW可以在排斥力被施加在延伸区域EA的在远离中心区域CA的方向上的端之间的状态中结合在一起。相应地，可以有效地防止在结合工艺中诸如延伸区域EA之间的不均匀间隔或者甚至延伸区域EA的重叠的缺陷的发生。
在实施例中，在如以上描述的将显示面板10结合到覆盖窗CW的操作之后，覆盖窗CW附接至其的显示面板10可以与夹具30和焊盘部分40分离。另外，引导膜GF也可以与显示面板10分离。
作为参考，即使当铁磁层FML被磁化时，当足够的时间过去后铁磁层FML也可以失去其磁性。相应地，当显示装置1的制造完成并且显示装置1操作时，铁磁层FML不在磁化状态中，并且因此，铁磁层FML可以不对高质量图像的显示产生不利影响。
在实施例中，分隔区域SA也可以限定在第一邻近拐角区域ACA1(参见图9)与延伸区域EA的最靠近第一邻近拐角区域ACA1的延伸区域之间。相应地，在实施例中，显示装置1可以进一步包括第一邻近拐角区域ACA1中的第一邻近铁磁层AFML1(参见图9)。在实施例中，例如，第一邻近铁磁层AFML1可以布置在第一邻近拐角区域ACA1的在朝向延伸区域EA的方向上的一端处。第一邻近铁磁层AFML1也可以具有在远离中心区域CA的方向上延伸的形状。相应地，在将显示面板10和覆盖窗CW结合在一起的工艺中，可以有效地防止在第一邻近拐角区域ACA1与延伸区域EA的最靠近第一邻近拐角区域ACA1的延伸区域之间发生缺陷。
以上描述的第一邻近铁磁层AFML1的面积可以在铁磁层FML中的一个铁磁层FML的面积的约80％至约120％的范围内。在实施例中，例如，其中布置在延伸区域EA中的铁磁层FML的面积的平均值被限定为平均面积，第一邻近铁磁层AFML1的面积可以在该平均面积的约80％至约120％的范围内。如果第一邻近铁磁层AFML1的面积小于该平均面积的约80％，则第一邻近铁磁层AFML1与铁磁层FML的最靠近第一邻近铁磁层AFML1的铁磁层之间的排斥力是不充足的，并且因此，当显示面板10和覆盖窗CW结合在一起时可能发生缺陷。如果第一邻近铁磁层AFML1的面积超过该平均面积的约120％，则第一邻近铁磁层AFML1与铁磁层FML的最靠近第一邻近铁磁层AFML1的铁磁层之间的排斥力变得过大，并且因此，当显示面板10和覆盖窗CW结合在一起时，可能发生诸如延伸区域EA之间的间隔没有适当地维持或者延伸区域EA彼此部分重叠的缺陷。
在实施例中，分隔区域SA也可以限定在第二邻近拐角区域ACA2(参见图9)与延伸区域EA的最靠近第二邻近拐角区域ACA2的延伸区域之间。相应地，在实施例中，显示装置1可以进一步包括第二邻近拐角区域ACA2中的第二邻近铁磁层AFML2(参见图9)。在实施例中，例如，第二邻近铁磁层AFML2可以布置在第二邻近拐角区域ACA2的在朝向延伸区域EA的方向上的一端处。第二邻近铁磁层AFML2也可以具有在远离中心区域CA的方向上延伸的形状。相应地，在将显示面板10和覆盖窗CW结合在一起的工艺中，可以有效地防止在第二邻近拐角区域ACA2与延伸区域EA的最靠近第二邻近拐角区域ACA2的延伸区域之间发生缺陷。
第二邻近铁磁层AFML2的面积可以在铁磁层FML中的一个铁磁层FML的面积的约80％至约120％的范围内。在实施例中，例如，其中布置在延伸区域EA中的铁磁层FML的面积的平均值被限定为平均面积，第二邻近铁磁层AFML2的面积可以在该平均面积的约80％至约120％的范围内。如果第二邻近铁磁层AFML2的面积小于该平均面积的约80％，则第二邻近铁磁层AFML2与铁磁层FML的最靠近第二邻近铁磁层AFML2的铁磁层之间的排斥力是不充足的，并且因此，在显示面板10和覆盖窗CW结合在一起时可能发生缺陷。如果第二邻近铁磁层AFML2的面积超过该平均面积的约120％，则第二邻近铁磁层AFML2与铁磁层FML的最靠近第二邻近铁磁层AFML2的铁磁层之间的排斥力变得过大，并且因此，当显示面板10和覆盖窗CW结合在一起时，可能发生诸如延伸区域EA之间的间隔没有适当地维持或者延伸区域EA彼此部分重叠的缺陷。
在实施例中，如图9中所示，铁磁层FML彼此不接触。然而，本公开不限于此。在可替代的实施例中，例如，如是示意性地图示根据可替代的实施例的显示装置1的一部分的概念图的图18中所示，铁磁层FML的在朝向中心区域CA的方向上的各端可以彼此连接。在这样的实施例中，铁磁层FML可以一体地形成为单个的单一且不可分割的主体。在这样的实施例中，因为铁磁层FML的在远离中心区域CA的方向上的各端彼此分开，所以当铁磁层FML可以被磁化使得端具有彼此相同的磁性时，可以显著减少在将显示面板10和覆盖窗CW结合在一起的工艺中发生缺陷的可能性。
在实施例中，如以上描述的，制造显示装置1的方法可以通过在其中放置在延伸区域EA中的铁磁层FML被磁化的状态中将显示面板10和覆盖窗CW结合在一起来执行。
根据如以上描述的本公开的实施例，可以减少显示装置的制造工艺中的缺陷发生率的显示装置以及制造该显示装置的方法可以被实现。
本实用新型不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的构思。
尽管已经参考本实用新型的实施例具体地示出和描述了本实用新型，但是本领域普通技术人员将理解，可以在本实用新型中进行形式和细节上的各种改变，而不脱离由权利要求所限定的本实用新型的精神或范围。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括中心区域和拐角区域，其中，所述拐角区域包括多个延伸区域，所述多个延伸区域中的每一个具有在远离所述中心区域的方向上延伸的形状；和
多个铁磁层，设置在所述多个延伸区域中，并且具有在远离所述中心区域的所述方向上延伸的形状。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述基板进一步包括放置在所述中心区域外部并且与所述多个延伸区域的一侧邻近的第一邻近拐角区域，并且
所述显示装置进一步包括在所述第一邻近拐角区域中的第一邻近铁磁层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一邻近铁磁层具有在远离所述中心区域的所述方向上延伸的形状。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一邻近铁磁层的面积在所述多个铁磁层中的一个铁磁层的面积的80％至120％的范围内。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一邻近铁磁层的面积在是所述多个铁磁层的面积的平均值的平均面积的80％至120％的范围内。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述基板进一步包括放置在所述中心区域外部并且与所述多个延伸区域的另一侧邻近的第二邻近拐角区域，并且
所述显示装置进一步包括在所述第二邻近拐角区域中的第二邻近铁磁层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一邻近铁磁层和所述第二邻近铁磁层中的每一个具有在远离所述中心区域的所述方向上延伸的形状。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一邻近铁磁层和所述第二邻近铁磁层中的每一个的面积在所述多个铁磁层中的一个铁磁层的面积的80％至120％的范围内。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一邻近铁磁层和所述第二邻近铁磁层中的每一个的面积在是所述多个铁磁层的面积的平均值的平均面积的80％至120％的范围内。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
多个绝缘层，在所述多个延伸区域中的每一个中，其中，所述多个绝缘层设置在所述基板上，
其中，所述多个铁磁层中的每一个设置在所述多个绝缘层当中的两个邻近的绝缘层之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
薄膜晶体管，在所述多个延伸区域中的每一个中，其中，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，
其中，所述多个铁磁层中的每一个设置在所述基板的下表面上。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个铁磁层和所述多个延伸区域以一对一的方式彼此对应。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个铁磁层中的每一个设置在所述多个延伸区域中的对应的延伸区域中。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个铁磁层的在朝向所述中心区域的方向上的端彼此连接。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述多个铁磁层一体地形成为单个的单一主体。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的显示装置，其中，所述多个铁磁层包括铁、镍或钴。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括：
第一区域，在第一方向上与所述中心区域邻近；和
第二区域，在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述中心区域邻近，
其中，所述拐角区域至少部分地围绕所述第一区域、所述中心区域和所述第二区域。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述基板在所述拐角区域、所述第一区域和所述第二区域中弯曲。
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