CN219652684U - 一种传感器封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种传感器封装结构，应用于传感器封装技术领域，包括窗口部件、封装部件和芯片；封装部件装载有芯片，并与窗口部件相互键合；封装部件在传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料飞溅路径的挡壁。在封装部件中设置挡壁，而不用在窗口部件或者是芯片添加额外的结构，便于传感器封装结构的制备；而在封装部件的钎焊连接处内侧焊料的飞溅路径中设置挡壁，通过挡壁阻挡飞溅路径，可以有效避免焊料向整个传感器封装结构内侧飞溅，避免焊料飞溅对窗口部件以及芯片造成污染。

Description

一种传感器封装结构

技术领域

本实用新型涉及传感器封装技术领域，特别是涉及一种传感器封装结构。

背景技术

传感器是光学感知的关键器件，其结构主要由芯片、光学窗口和封装壳体等组成，目前光学传感器行业逐渐向小型化及低成本化发展。

传感器封装领域内封焊工艺应用普遍，尤其是在需要制造真空环境的封装结构上。传感器芯片对于封装内部颗粒杂质的耐受性较差，特别是在非制冷红外陶瓷封装领域，芯片上光敏区为多层MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)结构，封装过程中引入的颗粒会直接导致多个像元被遮挡，出现像元响应下降甚至无响应的情况。

目前行业内焊接区内焊料在镀金区域内融化，焊料制造过程中部分区域可能存在水分子，在蒸发之前水分子会堆积相当的热能，直接爆发汽化活动，即产生飞溅物，焊料向某一区域流动后集聚形成的焊料液滴更加剧了这一现象。焊接过程中不同区域温度的均匀性难以控制，增加了焊料飞溅、虚焊等风险。所以如何提供一种可以避免焊料飞溅对传感器芯片结构造成影响的技术方案是本领域技术人员急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种传感器封装结构，可以防止封装过程中的焊料飞溅。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种传感器封装结构，包括芯片、窗口部件和封装部件；

所述封装部件装载有所述芯片，并与所述窗口部件相互键合；所述封装部件在所述传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料飞溅路径的挡壁。

可选的，所述封装部件为封装管壳，所述封装管壳装载有所述芯片，所述封装管壳的开口处通过焊料与所述窗口部件相互键合；所述封装管壳开口处的内环设有所述挡壁。

可选的，所述挡壁从所述封装管壳开口处的端面向所述窗口部件延伸。

可选的，所述挡壁的端部与所述窗口部件之间设有间隙。

可选的，所述封装部件包括封装管壳和可伐环，所述封装管壳装载有所述芯片，所述封装管壳的开口处通过焊料与所述可伐环相互键合，所述可伐环通过焊料与所述窗口部件相互键合；所述可伐环朝向所述窗口部件一侧表面的内环设置有第一挡壁。

可选的，所述第一挡壁从所述可伐环内侧壁向所述可伐环内侧延伸，所述第一挡壁与所述窗口部件之间设有间隙。

可选的，所述第一挡壁朝向所述可伐环内侧的端部，朝向所述窗口部件一侧表面设置有向所述窗口部件一侧延伸的凸环。

可选的，所述凸环朝向所述窗口部件一侧表面与所述窗口部件之间设有间隙。

可选的，所述可伐环朝向所述封装管壳一侧表面的内环设置有第二挡壁。

可选的，所述第二挡壁沿垂直于所述可伐环朝向所述封装管壳一侧表面的方向，向所述封装管壳延伸。

本实用新型所提供的一种传感器封装结构，包括窗口部件、封装部件和芯片；封装部件装载有芯片，并与窗口部件相互键合；封装部件在传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料飞溅路径的挡壁。在封装部件中设置挡壁，而不用在窗口部件或者是芯片添加额外的结构，便于传感器封装结构的制备；而在封装部件的钎焊连接处内侧的焊料飞溅路径中设置挡壁，通过挡壁阻挡焊料飞溅路径，可以有效避免焊料向整个传感器封装结构内侧飞溅，避免焊料飞溅对窗口部件以及芯片造成污染。

附图说明

为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种现有技术中无可伐形式封装结构的剖视图；

图2为一种现有技术中有可伐形式封装结构的剖视图；

图3为焊料溅射剖视图；

图4为焊料堆积示意图；

图5为本实用新型实施例所提供的第一种具体的传感器封装结构的剖视示意图；

图6为图5的俯视结构示意图；

图7为图5所对应的一种局部示意图；

图8为金属化处理后图5所对应的一种局部示意图；

图9为图5所对应的焊接示意图；

图10为本实用新型实施例所提供的第二种具体的传感器封装结构的剖视示意图；

图11为未设置第一挡壁时焊料飞溅路径示意图；

图12为设置第一挡壁后焊料飞溅路径示意图；

图13为图11中可伐环的仰视结构示意图；

图14为图10的第二种具体的局部示意图；

图15为未设置第二挡壁时焊料飞溅路径示意图；

图16为设置第二挡壁后焊料飞溅路径示意图；

图17为图10所对应的一种具体结构示意图；

图18为图10所对应的另一种具体结构示意图；

图19为图10所对应的焊接示意图。

图中：1.芯片、2.窗口部件、3.封装管壳、30.挡壁、4.焊料、41.飞溅路径、5.可伐环、51.第一挡壁、52.第二挡壁、53.凸环、54.缺口、6.固定夹具、7.热源。

具体实施方式

本实用新型的核心是提供一种传感器封装结构。请参考图1以及图2，图1为一种现有技术中无可伐形式封装结构的剖视图；图2为一种现有技术中有可伐形式封装结构的剖视图。

参见图1，该传感器封装结构由芯片1、窗口部件2、封装管壳3组成；参见图2，该传感器封装结构由芯片1、窗口部件2、可伐环5、封装管壳3组成。在现有技术中，目前行业内焊接区内焊料4在镀金区域内融化，焊料4制造过程中部分区域可能存在水分子，在蒸发之前水分子会堆积相当的热能，直接爆发汽化活动，即产生飞溅物，焊料4向某一区域流动后集聚形成的焊料4液滴更加剧了这一现象。焊接过程中不同区域温度的均匀性难以控制，增加了焊料飞溅、虚焊等风险。

而本实用新型所提供的一种传感器封装结构，包括窗口部件2、封装部件和芯片1；封装部件装载有芯片1，并与窗口部件2相互键合；封装部件在传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料4飞溅路径41(图中虚线)的挡壁。在封装部件中设置挡壁，而不用在窗口部件2或者是芯片1添加额外的结构，便于传感器封装结构的制备；而在封装部件的钎焊连接处内侧焊料4的飞溅路径41中设置挡壁，通过挡壁阻挡飞溅路径41，可以有效避免焊料4向整个传感器封装结构内侧飞溅，避免焊料飞溅对窗口部件以及芯片造成污染。

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参考图3以及图4，图3为焊料溅射剖视图；图4为焊料堆积示意图。

在本实用新型实施例中，所述传感器封装结构包括芯片1、窗口部件2和封装部件；所述封装部件装载有所述芯片1，并与所述窗口部件2相互键合；所述封装部件在所述传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料4飞溅路径41的挡壁。

上述芯片1即传感器的功能结构，以红外传感器为例，该芯片1主要用于实现红外传感功能。通常情况下上述芯片1表面会设置有MEMS结构，起到对应的功能。而在芯片1表面MEMS结构的外侧通常还会设置有芯片电路功能区，以通过该芯片电路功能区实现芯片1与其他部件的电连接。有关芯片1的具体功能视具体情况而定，在此不做具体限定。具体的，在本实施例中上述芯片1按应用分类包括：长波红外探测芯片1，中波红外探测芯片1，短波红外探测芯片1，COMS(Comp l ementary Meta l Ox i de Semi conductor)，APD(Ava lanche Photo D i ode)芯片1，S i PM(S i l i con Photomu l t i p l i er)以及发光元件LD(Laser D i ode)和LED(L i ght Em i tt i ng D i ode)等。

上述窗口部件2主要用于提供传感器获取外界物理参数的窗口，以红外传感器为例，外界的红外线会通过该窗口部件2照射至芯片1进行成像或测量。上述窗口部件2的窗口基体材料包括但不限于锗、硅、蓝宝石、石英、硫系玻璃等晶体材料，该窗口基体的厚度通常在50μm以上且3000μm以下，该窗口基体可以存在倒角。上述窗口部件2的外侧，即窗口部件2在封装后背向芯片1一侧表面通常设置有镀膜，其镀膜材料包括但不限于氧化钆、氟化钙、锆钛混合物、硫化锌、氟化钇、氧化钇、硅、锗、三氧化二铝、氧化铪、二氧化硅等材料，该镀膜的厚度通常爱0.1μm以上且100μm以下，该镀膜可以存在圆角。相应的，在窗口部件2的内侧，即窗口部件2在封装后朝向芯片1一侧表面通常也设置有镀膜，其镀膜材料包括但不限于氧化钆、氟化钙、锆钛混合物、硫化锌、氟化钇、氧化钇、硅、锗、三氧化二铝、氧化铪、二氧化硅等材料，该镀膜的厚度通常在0.1μm以上且50μm以下，该镀膜同样镀膜可以存在圆角。

上述窗口部件2可以形成有窗口深腔，而通常单芯封装窗口中会出现该窗口深腔结构，该窗口深腔主要用于在封装口形成容纳芯片1的腔体，制备窗口深腔的方法包括但不限于蚀刻。该窗口深腔的厚度通常在50μm以上且300μm以下，所述窗口深腔边壁包括但不限于斜面与垂直面。上述窗口部件2的边缘可以设置有多层金属化层，其具体由黏附层、阻挡层和浸润层等多层金属膜组成，金属膜材料包括但不限于钛、镍、铜、银、铂、金等金属材料，其采用的制备方式包括但不限于溅射、蒸发、电镀等方法。

上述封装部件主要用于容纳装载芯片1，同时其需要与窗口部件2相互键合连接，从而完成传感器的封装。上述封装部件具体可以分为无可伐封装部件以及有可伐封装部件，无可伐封装部件通常仅包括一封装管壳3，上述芯片1设置在封装管壳3内，而窗口部件2与封装管壳3直接焊接，而窗口部件2与封装管壳3的焊接位置即钎焊连接处；而有可伐封装部件通常包括有封装管壳3以及可伐环5，上述芯片1设置在封装管壳3内，可伐环5具体会与封装管壳3的开口相互焊接键合，而窗口部件2具体与可伐环5焊接键合。此时可伐环5与窗口部件2之间的焊接位置，以及可伐环5与封装管壳3之间的焊接位置均为钎焊连接处。

无论是无可伐封装部件还是有可伐封装部件，其均具有钎焊连接处，而对于设置在钎焊连接处的焊料4来说其具有飞溅路径41。而在本实施例中具体会在钎焊连接处内侧设置挡壁，该挡壁会阻挡焊料4的飞溅路径41，从而通过挡壁阻止焊料4飞溅对窗口部件2以及芯片1造成污染。有关上述封装部件的具体结构将在下述实用新型实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

参见图3，对于焊料4溅射作用的路径，传感器封装在倒装焊的过程易受飞溅焊料4的影响。融化后的焊料4可能会沿窗口部件2表面设置的金属化膜层流动，焊料4内出现气泡爆裂现象时，焊料4小液滴可能的飞溅路线如图3所示轨迹，可能会受到飞溅焊料4损害的区域有芯片1表面MEMS结构区域、芯片1表面的电路功能区、陶瓷管壳的电学区域等，而飞溅的焊料4如溅射到芯片1表面MEMS结构区域会造成成像上的曲线，溅射到芯片1表面的电路功能区可能会造成电学失效。

参见图4，对于焊料4爆发溅射的位置，由于焊接过程传感器不可能处于绝对水平状态，融化后的焊料4会向传感器封装结构中水平高度较低处流动，在局部区域出现焊料4集聚现象，集聚的焊料4内如有水分子或焊料4氧化物等杂质，易在该区域出现焊料4气泡爆裂现象，从而引起焊料4飞溅。

本实用新型所提供的一种传感器封装结构，包括窗口部件2、封装部件和芯片1；封装部件装载有芯片1，并与窗口部件2相互键合；封装部件在传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料4飞溅路径41的挡壁。在封装部件中设置挡壁，而不用在窗口部件2或者是芯片1添加额外的结构，便于传感器封装结构的制备；而在封装部件的钎焊连接处内侧焊料4的飞溅路径41中设置挡壁，通过挡壁阻挡飞溅路径41，可以有效避免焊料4向整个传感器封装结构内侧飞溅，避免焊料4飞溅对窗口部件2以及芯片1造成污染。

有关本实用新型所提供的一种传感器封装结构的具体内容将在下述实用新型实施例中做详细介绍。

请参考图5至图9，图5为本实用新型实施例所提供的第一种具体的传感器封装结构的剖视示意图；图6为图5的俯视结构示意图；

图7为图5所对应的一种局部示意图；图8为金属化处理后图5所对应的一种局部示意图；图9为图5所对应的焊接示意图。

区别于上述实施例，本实施例是在上述实施例的基础上，进一步的对传感器封装结构进行限定。其余内容已在上述实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

参见图5以及图6，在本实用新型实施例中，所述封装部件为封装管壳3，所述封装管壳3装载有所述芯片1，所述封装管壳3的开口处通过焊料4与所述窗口部件2相互键合；所述封装管壳3开口处的内环设有所述挡壁30。

即在本实施例中封装部件具体为无可伐封装部件，其具体仅包括一个封装管壳3，该封装管壳3的材质通常包括但不限于氧化铝，氮化铝，氮化硼，氮化硅等陶瓷材料。上述封装管壳3通常具体呈一槽状，具有一开口处，芯片1具体装载在封装管壳3内，而封装管壳3的开口处通过焊料4与窗口部件2相互键合。

在本实用新型中，封装管壳3开口处的端面即钎焊连接处，在本实施例中封装管壳3开口处的内环即钎焊连接处的内侧，上述挡壁30具体设置在封装管壳3开口处的内环，通过该挡壁30阻挡飞溅的焊料4，避免焊料4飞溅至窗口部件2表面或芯片1表面造成污染。

参见图7，具体的，所述挡壁30从所述封装管壳3开口处的端面向所述窗口部件2延伸。对于在该封装管壳3开口处的焊料4，其飞溅方向通常为水平方向。为了使得挡壁30可以有效阻挡飞溅的焊料4，上述挡壁30具体可以从封装管壳3开口处的端面向窗口部件2延伸，此时该挡壁30轴线方向通常与此处焊料4飞溅方向大体垂直，从而保证该挡壁30可以有效阻挡飞溅的焊料4。此时，上述窗口部件2通常具有朝向封装管壳3延伸的支撑壁，该支撑壁具体会与封装管壳3开口处的端面相对设置，在该支撑壁的端面与封装管壳3开口处的端面之间具体通过焊料4相互键合。上述支撑壁的形成，具体可以通过对窗口部件2的中心位置进行减薄处理的方式形成，减薄的方式包括但不限于深腔刻蚀等工艺。

具体的，在本实用新型实施例中所述挡壁30的端部与所述窗口部件2之间设有间隙。即上述挡壁30不会与窗口部件2相接触，窗口部件2与封装管壳3具体仍然通过上述钎焊连接处的焊料4相互键合固定。即在本实施例中设置在窗口部件2中的支撑壁与焊料4的厚度之和，会大于上述挡壁30的高度，此时可以避免由于挡壁30对窗口部件2的支撑所造成焊接不牢固的问题。上述挡壁30的制备方式包括但不限于增加生瓷片叠层烧结。

请参考图8，当对窗口部件2的表面，具体在上述支撑壁的表面设置金属氧化层时，在焊接过程中焊料4会沿金属氧化层爬升。即在对窗口部件2的侧壁进行金属化处理后，焊接时会形成包角结构，该包角结构会对焊接的可靠性有增强效果。参见图9，在本实用新型中传感器的焊接过程具体为倒装焊接的形式，具体通过固定夹具6固定传感器封装结构，热源7布置在设备底部，传热过程从下至上。

本实用新型实施例所提供的一种传感器封装结构，对于无可伐封装管壳3，在封装管壳3开口处的内环设有挡壁30，可以有效避免飞溅的焊料4对传感器封装内部结构造成损坏。

有关本实用新型所提供的一种传感器封装结构的具体内容将在下述实用新型实施例中做详细介绍。

请参考图10，图10为本实用新型实施例所提供的第二种具体的传感器封装结构的剖视示意图；图11为未设置第一挡壁时焊料飞溅路径示意图；图12为设置第一挡壁后焊料飞溅路径示意图；图13为图11中可伐环的仰视结构示意图；图14为图10的第二种具体的局部示意图；图15为未设置第二挡壁时焊料飞溅路径示意图；图16为设置第二挡壁后焊料飞溅路径示意图；图17为图10所对应的一种具体结构示意图；图18为图10所对应的另一种具体结构示意图；图19为图10所对应的焊接示意图。

区别于上述实施例，本实施例是在上述实施例的基础上，进一步的对传感器封装结构进行限定。其余内容已在上述实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

参见图10，在本实用新型实施例中，所述封装部件包括封装管壳3和可伐环5，所述封装管壳3装载有所述芯片1，所述封装管壳3的开口处通过焊料4与所述可伐环5相互键合，所述可伐环5通过焊料4与所述窗口部件2相互键合；所述可伐环5朝向所述窗口部件2一侧表面的内环设置有第一挡壁51。

即在本实施例中封装部件具体为有可伐封装部件，其具体包括封装管壳3和可伐环5，该封装管壳3的材质通常包括但不限于氧化铝，氮化铝，氮化硼，氮化硅等陶瓷材料。上述封装管壳3通常具体呈一槽状，具有一开口处，芯片1具体装载在封装管壳3内，而封装管壳3的开口处首先会通过焊料4与可伐环5相互键合，可伐环5进一步通过焊料4与窗口部件2相互键合。

在本实用新型中，一共有两处钎焊连接处，一处为可伐环5与窗口部件2的连接处，另一处为可伐环5与封装管壳3的连接处。参见图11，图12以及图13，对于可伐环5与窗口部件2之间的钎焊连接处，可伐环5的内环一侧即钎焊连接处的内侧，上述第一挡壁51具体设置在可伐环5朝向窗口部件2一侧表面的内环，通过该第一挡壁51阻挡飞溅的焊料4，避免焊料4飞溅至窗口部件2表面或芯片1表面造成污染。需要说明的是，上述第一挡壁51具体设置在可伐环5朝向窗口部件2一侧，该位置距离焊料4的位置较近，从而使得第一挡壁51可以有效阻挡飞溅的焊料4。

具体的，所述第一挡壁51从所述可伐环5内侧壁向所述可伐环5内侧延伸，所述第一挡壁51与所述窗口部件2之间设有间隙。对于在可伐环5与窗口晶圆之间设置的焊料4，其飞溅距离较远的方向通常为倾斜飞溅，该飞溅方向通常在竖直方向具有较大的分量。为了使得第一挡壁51可以有效阻挡飞溅的焊料4，上述第一挡壁51具体可以从可伐环5内侧壁向可伐环5内侧延伸，从而在竖直方向阻挡飞溅的焊料4。需要说明的是，此时第一挡壁51与窗口部件2之间需要设有间隙，以避免第一挡壁51于窗口部件2相接触，保证窗口部件2与可伐环5具体仍然通过上述钎焊连接处的焊料4相互键合固定。

参见图14，进一步的，在本实施例中所述第一挡壁51朝向所述可伐环5内侧的端部，朝向所述窗口部件2一侧表面设置有向所述窗口部件2一侧延伸的凸环53。即在第一挡壁51的端部可以进一步设置一个向窗口部件2延伸的凸环53，该凸环53具体设置在第一挡壁51延伸出去的端部，其在第一挡壁51的端部继续向窗口部件2一侧延伸，形成一个“L”型结构。该凸环53可以进一步在水平方向阻挡飞溅的焊料4。通常情况下，上述凸环53朝向所述窗口部件2一侧表面与所述窗口部件2之间需要设有间隙，以避免凸环53于窗口部件2相接触，保证窗口部件2与可伐环5具体仍然通过上述钎焊连接处的焊料4相互键合固定。

参见图15以及图16，对于可伐环5与封装管壳3之间的钎焊连接处，可伐环5的内环一侧即该钎焊连接处的内侧，所述可伐环5朝向所述封装管壳3一侧表面的内环设置有第二挡壁52，即上述第二挡壁52具体设置在可伐环5朝向封装管壳3一侧表面的内环，通过该第二挡壁52阻挡飞溅的焊料4，避免焊料4飞溅至窗口部件2表面或芯片1表面造成污染。需要说明的是，上述第二挡壁52具体设置在可伐环5朝向封装管壳3一侧，该位置距离焊料4的位置较近，从而使得第二挡壁52可以有效阻挡飞溅的焊料4。

具体的，所述第二挡壁52沿垂直于所述可伐环5朝向所述封装管壳3一侧表面的方向，向所述封装管壳3延伸。对于在可伐环5与封装管壳3之间设置的焊料4，其飞溅距离较远的方向通常为水平飞溅。为了使得第二挡壁52可以有效阻挡飞溅的焊料4，上述第二挡壁52具体可以从可伐环5表面向封装管壳3一侧延伸，此时该第二挡壁52轴线方向通常与此处焊料4飞溅方向大体垂直，从而在水平方向阻挡飞溅的焊料4。

上述可伐环5的材料包括但不限于铁镍合金与铁镍钴合金，制造方式包括但不限于CNC(Computer numer i ca l contro l，数控机床)加工,冲压成型，金属粉末冶金等加工方式。上述可伐环5表面可以设置多层金属化镀层，金属化镀层材料包括但不限于钛、镍、铜、银、铂、金等金属材料，其采用的镀制方式包括但不限于化镀、电镀等方法。上述金属化镀层的厚度通常在0.1μm以上且5μm以下。上述第一挡壁51的高度通常在100μm以上且800μm以下；上述第二挡壁52的高度通常在500μm以上且1500μm以下。上述封装管壳3的材料包括但不限于氧化铝，氮化铝，氮化硼，氮化硅等陶瓷材料。

参见图17以及图18，上述位于第一挡壁51端部的凸环53截面形状包括但不限于矩形，多边形，椭圆形及类似形状。此时，在凸环53与可伐环5本体之间具有一环形缺口54，该缺口54的截面包括但不限于矩形，圆形，多边形，椭圆形及类似形状。实现该种结构的实施方式包括但不限于CNC加工，粉末金属冶金，冲压成型等工艺。上述第二挡壁52的截面包括但不限于矩形，圆形，多边形，椭圆形及类似形状。实现该种结构的实施方式包括但不限于CNC加工，粉末金属冶金，冲压成型等工艺。

参见图19，在本实用新型中传感器的焊接过程具体为倒装焊接的形式，具体通过固定夹具6固定传感器封装结构，热源7布置在设备底部，传热过程从下至上。

本实用新型实施例所提供的一种传感器封装结构，对于有可伐封装管壳3，在可伐环5的两侧设置挡壁，可以有效避免飞溅的焊料4对传感器封装内部结构造成损坏。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本实用新型所提供的一种传感器封装结构进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括芯片(1)、窗口部件(2)和封装部件；

所述封装部件装载有所述芯片(1)，并与所述窗口部件(2)相互键合；所述封装部件在所述传感器封装结构中的钎焊连接处内侧，设置有阻挡焊料(4)飞溅路径(41)的挡壁。

2.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装部件为封装管壳(3)，所述封装管壳(3)装载有所述芯片(1)，所述封装管壳(3)的开口处通过焊料(4)与所述窗口部件(2)相互键合；所述封装管壳(3)开口处的内环设有所述挡壁(30)。

3.根据权利要求2所述的传感器封装结构，其特征在于，所述挡壁(30)从所述封装管壳(3)开口处的端面向所述窗口部件(2)延伸。

4.根据权利要求3所述的传感器封装结构，其特征在于，所述挡壁(30)的端部与所述窗口部件(2)之间设有间隙。

5.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封装部件包括封装管壳(3)和可伐环(5)，所述封装管壳(3)装载有所述芯片(1)，所述封装管壳(3)的开口处通过焊料(4)与所述可伐环(5)相互键合，所述可伐环(5)通过焊料(4)与所述窗口部件(2)相互键合；所述可伐环(5)朝向所述窗口部件(2)一侧表面的内环设置有第一挡壁(51)。

6.根据权利要求5所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一挡壁(51)从所述可伐环(5)内侧壁向所述可伐环(5)内侧延伸，所述第一挡壁(51)与所述窗口部件(2)之间设有间隙。

7.根据权利要求6所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一挡壁(51)朝向所述可伐环(5)内侧的端部，朝向所述窗口部件(2)一侧表面设置有向所述窗口部件(2)一侧延伸的凸环(53)。

8.根据权利要求7所述的传感器封装结构，其特征在于，所述凸环(53)朝向所述窗口部件(2)一侧表面与所述窗口部件(2)之间设有间隙。

9.根据权利要求5所述的传感器封装结构，其特征在于，所述可伐环(5)朝向所述封装管壳(3)一侧表面的内环设置有第二挡壁(52)。

10.根据权利要求9所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第二挡壁(52)沿垂直于所述可伐环(5)朝向所述封装管壳(3)一侧表面的方向，向所述封装管壳(3)延伸。