CN219644497U - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及显示技术领域，针对弯折区域发生裂纹的问题，提供一种显示面板，包括：衬底、多条弯折连接线以及辅助结构。衬底包括显示区域、沿第一方向位于显示区域一侧的弯折区域。弯折区域包括弯折走线区以及沿第二方向位于弯折走线区相对两侧的弯折边缘区。第一方向与第二方向交叉。多条弯折连接线位于弯折走线区。辅助结构位于弯折边缘区，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓的至少一部分和显示面板切割边的至少一部分形状一致，从而提高弯折区域的强度，减少裂纹的发生概率。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光器件、由薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。

实用新型内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

针对显示面板的弯折区域容易发生裂纹的问题，本公开实施例提供一种显示面板及显示装置。

一方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括：衬底、多条弯折连接线以及辅助结构。衬底包括显示区域、沿第一方向位于显示区域一侧的弯折区域。弯折区域包括弯折走线区以及沿第二方向位于弯折走线区相对两侧的弯折边缘区。多条弯折连接线位于弯折走线区。辅助结构位于弯折边缘区，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓的至少一部分和显示面板切割边的至少一部分形状一致。第一方向与第二方向交叉。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓和所述显示面板切割边之间的最短距离为30微米至300微米。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓和所述显示面板切割边之间的最短距离为40微米至200微米。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓和所述显示面板切割边之间的最短距离为50微米至100微米。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构包括以下至少一项：至少一条无效走线、至少一个辅助坝。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构包括多条无效走线，所述多条无效走线沿第一方向或第二方向延伸。

在一些示例性实施方式中，所述至少一条无效走线的边缘为波浪形。

在一些示例性实施方式中，所述至少一条无效走线具有多个镂空部。

在一些示例性实施方式中，所述至少一条无效走线与所述多条弯折连接线中的至少一条为同层结构。

在一些示例性实施方式中，所述至少一条无效走线包括相互连接的第一走线和第二走线，所述第二走线位于所述第一走线远离所述衬底的一侧，所述第二走线在所述衬底的正投影与所述第一走线在所述衬底的正投影至少部分交叠。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构包括多个辅助坝，所述多个辅助坝的延伸方向相同，且所述多个辅助坝的延伸方向与所述多条弯折连接线的延伸方向相同。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个辅助坝包括至少一个有机坝基。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个辅助坝包括叠设的第一有机坝基和第二有机坝基，所述第一有机坝基与所述显示区域的像素定义层为同层结构，所述第二有机坝基与所述显示区域的隔离柱层为同层结构。

在一些示例性实施方式中，所述辅助结构包括：至少一条无效走线和至少一个辅助坝，所述至少一条无效走线位于所述至少一个辅助坝靠近所述衬底的一侧。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个辅助坝在所述衬底的正投影与所述至少一条无效走线在所述衬底的正投影没有交叠，或者，所述至少一个辅助坝在所述衬底的正投影覆盖所述至少一条无效走线在所述衬底的正投影。

在一些示例性实施方式中，所述显示区域包括：设置在所述衬底上的显示结构层和触控结构层，所述触控结构层包括：至少一个触控导电层。所述至少一条无效走线与所述至少一个触控导电层为同层结构。

在一些示例性实施方式中，所述显示区域包括：设置在所述衬底的电路结构层，所述电路结构层至少包括：设置在所述衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层，或者至少包括：设置在所述衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层。所述至少一条无效走线与所述第一源漏金属层或第二源漏金属层为同层结构。

另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。

本实施例提供的显示面板，通过在弯折区域的弯折边缘区设置辅助结构，可以提高弯折边缘区的强度，减少弯折边缘区和弯折走线区的强度差异，减少弯折区域的应力集中，从而提高显示面板的抗应力能力。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为本公开至少一实施例的显示面板的示意图；

图2为图1中区域S1的局部平面示意图；

图3为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的一种局部俯视图；

图4为本公开至少一实施例的显示面板的显示区域的触控电极的排布示意图；

图5为本公开至少一实施例的显示面板的局部剖面示意图；

图6为图2中沿R-R’方向的局部剖面示意图；

图7为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图；

图8为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图；

图9为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图；

图10为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图；

图11为图10中沿P-P’方向的局部剖面示意图；

图12为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图；

图13为本公开至少一实施例的显示面板的触控结构层的另一局部平面示意图；

图14为本公开至少一实施例的显示面板的另一局部剖面示意图；

图15为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图；

图16为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图；

图17为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图；

图18为本公开至少一实施例的弯折边缘区的另一局部俯视图；

图19为图18中沿U-U’方向的局部剖面示意图；

图20为本公开至少一实施例的弯折边缘区的另一局部俯视图；

图21为图20中沿V-V’方向的局部剖面示意图；

图22为本公开至少一实施例的弯折边缘区的另一局部俯视图；

图23为图22中沿W-W’方向的局部剖面示意图；

图24为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。

随着显示技术的发展，柔性显示产品的需求不断增加。柔性显示产品的显示面板可以具有弯折区域，通过设置弯折区域将显示面板的下边框的部分弯折到显示区域的背面，以减少显示面板的下边框。然而，显示面板在弯折时，必然要承受较大的应力，尤其是可穿戴产品，由于弯折区域较窄，更容易产生应力集中，导致在生产或弯折过程中，发生裂纹(Crack)。随着市场对窄边框的可穿戴产品的需求，弯折区域会越来越窄，更容易发生裂纹。

本实施例提供一种显示面板和显示装置，可以有效提高弯折区域的强度，从而减少裂纹的发生概率。

本实施例提供一种显示面板，包括：衬底、多条弯折连接线以及辅助结构。衬底包括显示区域、沿第一方向位于显示区域一侧的弯折区域。弯折区域包括弯折走线区以及沿第二方向位于弯折走线区相对两侧的弯折边缘区。多条弯折连接线位于弯折走线区。辅助结构位于弯折边缘区，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓的至少一部分和显示面板切割边的至少一部分形状一致。第一方向与第二方向交叉。例如，第一方向与第二方向可以相互垂直。

在一些示例中，辅助结构远离弯折连接线的外边缘轮廓可以为辅助结构靠近显示面板切割边一侧的边缘轮廓。例如，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓的至少一部分和显示面板切割边的至少一部分形状一致可以包括：辅助结构的所述外边缘轮廓的至少一部分的形状与显示面板切割边的至少一部分的形状可以大致相同。

在一些示例中，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓和显示面板切割边的至少一部分可以形状一致。例如，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓的形状和显示面板切割边的至少一部分的形状可以大致相同。在一些示例中，辅助结构可以包括以下至少一项：至少一条无效走线、至少一个辅助坝。例如，辅助结构可以包括多条无效走线，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓可以由多条无效走线靠近显示面板切割边的端部或中间部分确定。又如，辅助结构可以包括多个辅助坝，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓可以由多个辅助坝靠近显示面板切割边的端部或中间部分确定。又如，辅助结构可以包括多条无效走线和多个辅助坝，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓可以由靠近显示面板切割边的无效走线和辅助坝的端部或中间部分确定。

本实施例提供的显示面板，通过在弯折区域的弯折边缘区设置辅助结构，可以提高弯折边缘区的强度，减少弯折边缘区和弯折走线区的强度差异，减少弯折区域的应力集中，从而提高显示面板的抗应力能力。

在一些示例性实施方式中，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓和显示面板切割边之间的最短距离可以为30微米至300微米。在一些示例中，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓和显示面板切割边之间的最短距离可以为40微米至200微米。在一些示例中，辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓和显示面板切割边之间的最短距离可以为50微米至100微米。本示例的辅助结构的外边缘轮廓和显示面板切割边之间的最短距离设置可以在保证弯折边缘区强度的基础上，保证切割工艺中的激光切割精度，并减少切割过程中的热影响。

在一些示例性实施方式中，辅助结构可以包括多条无效走线，多条无效走线可以沿第一方向延伸，或者可以沿第二方向延伸。例如，多条无效走线的延伸方向与多条弯折连接线的延伸方向可以大致相同，例如均沿第一方向延伸；或者，多条无效走线的延伸方向与多条弯折连接线的延伸方向可以相互交叉，比如，多条弯折连接线可以沿第一方向延伸，多条无效走线可以沿第二方向延伸。本示例通过在弯折边缘区设置无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，使得弯折区域受到垂向应力时，可以具有较高的力学强度，不容易发生形变，从而减少裂纹的产生，提高显示面板的抗应力能力。

在一些示例性实施方式中，辅助结构可以包括多个辅助坝。多个辅助坝的延伸方向可以与多条弯折连接线的延伸方向大致相同，例如可以均沿第一方向延伸。本示例通过在弯折边缘区设置辅助坝，可以减少裂纹发生概率，阻断切割过程产生的裂纹扩展。

在一些示例性实施方式中，辅助结构可以包括至少一条无效走线和至少一个辅助坝。至少一条无效走线可以位于至少一个辅助坝靠近衬底的一侧。本示例通过在弯折边缘区设置无效走线和辅助坝，可以增加弯折边缘区的力学强度，而且可以减少裂纹发生概率，阻断切割过程产生的裂纹扩展。

在一些示例性实施方式中，显示面板可以集成触控结构。显示面板可以包括液晶显示(LCD)基板，或者可以是有机发光二极管(OLED)显示基板，或者可以是等离子体显示装置(PDP)显示基板，或者可以是电泳显示(EPD)显示基板。例如，显示面板可以包括OLED显示基板和触控结构。触控结构可以设置在显示基板的封装层上，形成触控结构在薄膜封装上(Touch on Thin Film Encapsulation，简称Touch on TFE)的结构，显示结构和触控结构集成在一起，具有轻薄、可折叠等优点，可以满足柔性折叠、窄边框等产品需求。

Touch on TFE结构主要包括柔性多层覆盖表面式(Flexible Multi-Layer OnCell，简称FMLOC)结构和柔性单层覆盖表面式(Flexible Single-Layer On Cell，简称FSLOC)结构。FMLOC结构是基于互容检测的工作原理，一般采用两层金属形成驱动(Tx)电极和感应(Rx)电极，集成电路(IC)通过检测驱动电极和感应电极间的互容来实现触控动作。FSLOC结构是基于自容(或电压)检测的工作原理，一般采用单层金属形成触控电极，集成电路通过检测触控电极自容(或电压)来实现触控动作。

下面通过多个示例对本实施例的方案进行举例说明。

图1为本公开至少一实施例的显示面板的示意图。在一些示例中，如图1所示，显示面板可以包括：显示区域AA、围绕显示区域的第二边框区域B2、位于显示区域AA一侧的第一边框区域B1。第一边框区域B1可以与第二边框区域B2连通，并位于第二边框区域B2远离显示区域AA的一侧。第一边框区域B1可以包括：沿着远离显示区域AA的方向(例如第一方向D1)依次设置的第一走线引出区域B11、弯折区域B12、第二走线引出区域B13、第一信号接入区域B14以及第二信号接入区域B15。第一走线引出区域B11可以与第二边框区域B2连通，并位于第二边框区域B2远离显示区域AA的一侧。

在一些示例中，如图1所示，弯折区域B12可以被配置为使第二走线引出区域B13、第一信号接入区域B14和第二信号接入区域B15弯折到显示区域AA的背面。第一信号接入区域B14可以被配置为设置集成电路(IC，Integrated Circuit)，例如，第一信号接入区域B14设置的集成电路可以是触控与显示驱动器集成电路(TDDI，Touch and Display DriverIntegration)。第二信号接入区域B15可以被配置为设置多个绑定引脚，多个绑定引脚可以绑定柔性电路板(FPC，Flexible Printed Circuit)，使得多条信号引线(例如，驱动引出线、电源线等)通过多个绑定引脚与外部控制装置连接。

在一些示例中，如图1所示，显示区域AA可以为圆形。然而，本实施例对此并不限定。例如，显示区域可以为矩形、或者可以为椭圆形等其它形状。

在一些示例中，如图1所示，显示区域AA可以包括：设置在衬底上的显示结构层，或者可以包括依次设置在衬底上的显示结构层和触控结构层。显示结构层可以包括多个显示单元(即子像素)PX、多条栅线GL和多条数据线DL。多条栅线GL和多条数据线DL在衬底上的正投影可以交叉形成多个子像素区域。一个子像素PX可以设置在一个子像素区域内。多条数据线DL可以与多个子像素PX电连接，多条数据线DL可以被配置为向多个子像素PX提供数据信号。多条栅线GL可以与多个子像素PX电连接，多条栅线GL可以被配置为向多个子像素PX提供栅极驱动信号。例如，栅极驱动信号可以包括扫描信号，或者可以包括扫描信号和发光控制信号，或者可以包括扫描信号、复位控制信号和发光控制信号。

在一些示例中，如图1所示，第二方向D2可以是显示区域AA中栅线GL的延伸方向(行方向)，第一方向D1可以是显示区域AA中数据线DL的延伸方向(列方向)。第一方向D1和第二方向D2可以相互交叉，例如第一方向D1和第二方向D2可以相互垂直。

在一些示例中，显示区域AA的一个像素单元可以包括三个子像素，三个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，一个像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。

在一些示例中，子像素的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形。一个像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列；一个像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形方式排列。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，一个子像素可以包括：像素电路以及与像素电路电连接的发光元件。像素电路可以包括多个晶体管和至少一个电容。例如，像素电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C、7T1C或8T1C结构。其中，上述电路结构中的T指的是薄膜晶体管，C指的是电容，T前面的数字代表电路中薄膜晶体管的数量，C前面的数字代表电路中电容的数量。在一些示例中，像素电路中的多个晶体管可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示基板的工艺难度，提高产品的良率。在另一些示例中，像素电路中的多个晶体管可以包括P型晶体管和N型晶体管。

在一些示例中，像素电路中的多个晶体管可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-Silicon)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，即LTPS+Oxide(简称LTPO)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。

在一些示例中，发光元件可以是发光二极管(LED，Light Emitting Diode)、有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)、量子点发光二极管(QLED，QuantumDot Light Emitting Diode)、微LED(包括：mini-LED或micro-LED)等中的任一者。例如，发光元件可以为OLED，发光元件在其对应的像素电路的驱动下可以发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。发光元件发光的颜色可根据需要而定。在一些示例中，发光元件可以包括：阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层。发光元件的阳极可以与对应的像素电路电连接。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，触控结构层可以包括多个触控单元。至少一个触控单元可以包括至少一个触控电极。至少一个触控电极在衬底的正投影可以包含多个子像素在衬底的正投影。当触控单元包括多个触控电极，多个触控电极可以间隔设置，且相邻的触控电极之间可以通过连接部彼此连接。触控电极和连接部可以为同层结构。在一些示例中，触控电极可以具有菱形状，例如可以是正菱形，或者是横长的菱形，或者是纵长的菱形。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，触控电极可以具有三角形、正方形、梯形、平行四边形、五边形、六边形和其它多边形中的任意一种或多种。

图2为图1中区域S1的局部平面示意图。图2中主要示意了弯折区域B12内的走线以及第一电源线和第二电源线，省略示意了其余区域的走线。

在一些示例中，如图2所示，第二边框区域B2可以设置有多个显示控制电路36，例如可以包括：栅极驱动电路(GOA)、多路复用电路(MUX)、静电释放(ESD)电路。在一些示例中，栅极驱动电路可以包括多个级联的移位寄存器单元，每个移位寄存器单元可以连接显示区域AA的至少一条栅线，被配置为给显示区域AA的至少一条栅线提供栅极驱动信号。多个复用电路可以包括多个复用单元，每个复用单元可以连接显示区域AA的多条数据线，被配置为使用一个信号源为多条数据线提供数据信号。例如，移位寄存器单元可以与复用单元间隔设置。然而，本实施例对此并不限定。静电释放电路可以包括多个静电释放单元，例如，每个静电释放单元可以连接驱动引出线或数据引出线，以便消除信号线上的静电。

在一些示例中，如图2所示，弯折区域B12可以位于第一走线引出区域B11和第二走线引出区域B13之间。第一走线引出区域B11可以位于第二边框区域B2远离显示区域AA的一侧。第一边框区域B1内可以设置有多条显示信号线，多条显示信号线可以包括：多条数据引出线33a和33b、多条驱动引出线(图未示)。第一边框区域B1内还可以设置有多条触控引出线(图未示)，多条触控引出线可以位于多条显示信号线远离衬底的一侧。第一边框区域B1的弯折区域B12可以设置有多条弯折连接线，例如可以包括：多条数据连接线333a和333b、多条驱动连接线343a和343b、多条触控连接线353a和353b、第一电源连接线313、第二电源连接线323a和323b。本示例对多条数据引出线、多条驱动引出线、多条数据连接线、多条驱动连接线和多条触控连接线分别进行整体示意，对于走线的数目并不限定。

在一些示例中，如图2所示，第一边框区域B1的走线可以相对于第一中心线O1对称设置。第一中心线O1可以为沿着第一方向D1延伸且均分第一边框区域B1的中心线。

在一些示例中，如图2所示，第一边框区域B1内的数据引出线33a可以包括：位于第一走线引出区域B11内的第一数据引出线331a、以及位于第二走线引出区域B13内的第二数据引出线(图未示)。例如，第一数据引出线331a可以延伸至第二边框区域B2，并与第二边框区域B2内的多路复用电路电连接。第二数据引出线可以沿第一方向D1延伸至第一信号接入区域B14，例如可以与位于第一信号接入区域内的TDDI电路或IC电路电连接。数据引出线33a的第一数据引出线331a和第二数据引出线可以通过弯折区域B12内的数据连接线333a电连接。数据引出线33b的第一数据引出线331b和对应的第二数据引出线可以通过弯折区域B12内的数据连接线333b电连接。第一数据引出线和第二数据引出线可以为同层结构，且位于数据连接线333a和333b靠近衬底的一侧。

在一些示例中，如图2所示，第一边框区域B1内的驱动引出线可以包括：位于第一走线引出区域B11内的第一驱动引出线、以及位于第二走线引出区域B13的第二驱动引出线。例如，第一驱动引出线可以延伸至第二边框区域B2，并与第二边框区域B2内的栅极驱动电路电连接。第二驱动引出线可以延伸至第一信号接入区域，例如可以与位于第一信号接入区域内的TDDI电路或IC电路电连接。第一驱动引出线和第二驱动引出线可以通过弯折区域B12内的驱动连接线343a或343b电连接。第一驱动引出线和第二驱动引出线可以为同层结构，且位于驱动连接线343a和343b靠近衬底的一侧。

在一些示例中，如图2所示，第一边框区域B1内的触控引出线可以包括位于第一走线引出区域B11内的第一触控引出线和位于第二走线引出区域B13内的第二触控引出线。第一触控引出线和第二触控引出线可以通过弯折区域B12内的触控连接线353a或353b电连接。例如，第一触控引出线和第二触控引出线可以为同层，且位于触控连接线353a和353b远离衬底的一侧。在另一些示例中，显示面板没有集成触控结构时，弯折区域B12可以不设置触控连接线。

在一些示例中，如图2所示，第一边框区域B1还可以包括：第一电源线31和第二电源线32a和32b。第一电源线31可以包括：位于第一走线引出区域B11的第一子电源线311和位于第二走线引出区域B13的第二子电源线312。第一子电源线311可以延伸至第二边框区域B2，并与显示区域AA内的高电位电源线电连接，例如可以为一体结构。第二子电源线312可以延伸至第二信号接入区域，例如与第二信号接入区域的电源引脚电连接。第一子电源线311和第二子电源线312可以通过位于弯折区域B12的第一电源连接线313电连接。例如，第一子电源线311、第二子电源线312和第一电源连接线313可以为一体结构。

在一些示例中，如图2所示，第二电源线32a可以包括：位于第一走线引出区域B11的第三子电源线321a和位于第二走线引出区域B13的第四子电源线322a。第三子电源线321a可以延伸至第二边框区域B2。第四子电源线322a可以延伸至第二信号接入区域，例如与第二信号接入区域的电源引脚电连接。第三子电源线321a和第四子电源线322a可以通过位于弯折区域B12的第二电源连接线323a电连接。例如，第三子电源线321a、第四子电源线322a和第二电源连接线323a可以为一体结构。第二电源线32b可以包括：位于第一走线引出区域B11的第三子电源线321b和位于第二走线引出区域B13的第四子电源线322b。第三子电源线321b和第四子电源线322b可以通过位于弯折区域B12的第二电源连接线323b电连接。例如，第三子电源线321b、第四子电源线322b和第二电源连接线323b可以为一体结构。本示例中，第一边框区域B1内的第二电源线32a和32b可以位于第一电源线31沿第二方向D2的相对两侧。

在一些示例中，如图2所示，弯折区域B12可以包括：弯折走线区B121以及沿第二方向D2位于弯折走线区B121相对两侧的弯折边缘区B122。每个弯折边缘区B122的一侧与显示面板切割边C1相邻，另一侧与弯折走线区B121相邻。显示面板切割边C1的与弯折边缘区B122相邻的部分可以为弧形边。通过设置弯折边缘区B122可以保证显示面板切割边C1与弯折走线区B121之间的距离，避免由于两者的距离过近，增加在切割和弯折时发生裂纹的风险。

在一些示例中，如图2所示，弯折走线区B121的多条弯折连接线可以至少包括：沿第二方向D2依次设置有第二电源连接线323a、多条触控连接线353a、多条数据连接线333a、多条驱动连接线343a、第一电源连接线313、多条驱动连接线343b、多条数据连接线333b、多条触控连接线353b以及第二电源连接线323b。弯折走线区B121内的多条弯折连接线的延伸方向可以相同，例如可以均沿第一方向D1延伸。弯折走线区B121内的多条弯折连接线可以为同层结构。

图3为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的一种局部俯视图。在一些示例中，如图2和图3所示，弯折边缘区B122内可以设置有辅助结构，例如，位于弯折走线区B121左侧的弯折边缘区B122内的辅助结构可以包括多条无效走线37a，位于弯折走线区B121右侧的弯折边缘区B122内的辅助结构可以包括多条无效走线37b。多条无效走线37a和多条无效走线37b可以关于第一中心线O1大致对称。下面以多条无效走线37a为例进行说明。多条无效走线37a中的一部分无效走线37a的长度可以大致相同，沿着远离弯折走线区B121的方向依次设置的一部分无效走线37a的长度可以逐渐减小。不同长度的多条无效走线37a可以匹配弯折边缘区B122的形状，以填充弯折边缘区B122。多条无效走线37a的延伸方向可以相同，例如可以均沿第一方向D1延伸。靠近弯折走线区B121的一部分无效走线37a可以延伸至第二走线引出区域B13内，且位于第二电源线32a的第四子电源线322a沿第二方向D2延伸的部分靠近弯折区域B12的一侧。弯折边缘区B122内设置的多条无效走线与弯折走线区B121的弯折连接线之间不存在电连接关系。本示例通过在弯折边缘区B122内设置多条无效走线，可以提供弯折边缘区B122的强度，减少弯折边缘区B122与弯折走线区B121之间的强度差异，可以减少切割和弯折过程中发生裂纹的概率。

在一些示例中，如图2和图3所示，弯折边缘区B122内的多条无效走线37a的线宽可以大致相同，例如可以与弯折走线区B121内的多条数据引出线333a的线宽大致相同。不同的相邻无效走线37a之间的间距可以大致相同。例如，相邻无效走线37a之间的间距可以与弯折走线区B121内的相邻数据引出线333a之间的间距大致相同。通过设置弯折边缘区B122的无效走线与弯折走线区B121内的数据引出线的排布和设置方式保持一致，有利于弯折区域的受力更均匀，不会对弯折工艺产生影响。

在一些示例中，如图2所示，弯折边缘区B122内的辅助结构远离多条弯折连接线的外边缘轮廓可以由远离弯折走线区B121的多条无效走线37a的端部和至少一条无效走线37a的中间部分确定。例如，可以确定端部靠近显示面板切割边C1的多条无效走线37a与显示面板切割边C1之间的最短距离端点，以及靠近显示面板切割边C1的无效走线37a的中间部分，将前述确定的最短距离端点和中间部分依次连接可以形成辅助结构的外边缘轮廓(比如图2中的虚线C2)。辅助结构的外边缘轮廓的形状可以与显示面板切割边C1的至少部分的形状保持一致。例如，显示面板切割边C1的与弯折边缘区B122相邻的部分可以为弧形边，辅助结构的外边缘轮廓可以为与显示面板切割边C1的至少部分一致的弧形边。

在一些示例中，如图2所示，辅助结构的外边缘轮廓与显示面板切割边C1之间的最短距离L可以为30微米至300微米，例如可以为40微米至200微米，比如可以为50微米至100微米。例如，辅助结构的外边缘轮廓与显示面板切割边C1之间的最短距离L可以约为60微米。本示例的距离设置可以保证激光切割精度并减小切割过程中产生的热影响。

下面以显示面板集成自容式触控结构，形成FSLOC结构为例进行说明。

图4为本公开至少一实施例的显示面板的显示区域的触控电极的排布示意图。在一些示例中，以显示区域AA包括24个自容式触控电极为例进行示意。如图4所示，在平行于显示面板的平面内，显示区域AA可以包括24个规则排布的触控电极。在一些示例中，矩形状的第一电极区101可以包括矩阵排布的4行×4列触控电极100，每个触控电极100的形状可以为矩形，16个触控电极100的面积可以相同。圆冠形状的第二电极区102和第三电极区103可以均包括两个触控电极100，两个触控电极100可以沿第二方向D2依次设置，每个电极区中的两个触控电极100的面积可以相同，第二电极区102中触控电极100的面积和第三电极区103中触控电极100的面积可以相同。圆冠形状的第四电极区104和第五电极区105可以均包括两个触控电极100，两个触控电极100可以沿着第一方向D1依次设置，每个电极区中的两个触控电极100的面积可以相同，第四电极区104中触控电极100的面积和第五电极区105中触控电极100的面积可以相同。在一些示例中，显示区域AA中的多个触控电极100可以相对于第二中心线O2对称设置，第二中心线O2可以为沿着第一方向D1延伸且均分显示区域AA的中心线。例如，第二中心线O2与第一边框区域B1的第一中心线O1可以重合。

在一些示例中，显示面板中的触控电极可以是金属网格形式，金属网格由多条金属线交织形成，金属网格包括多个网格图案，网格图案是由多条金属线围成的多边形，金属网格形式的触控电极具有电阻小、厚度小和反应速度快等优点。然而，本实施例对此并不限定。

图5为本公开至少一实施例的显示面板的局部剖面示意图。图5中示意了显示区域AA的局部剖面以及图2中第一边框区域B1内沿Q-Q’方向的局部剖面。图6为图2中沿R-R’方向的局部剖面示意图。

在一些示例中，如图5所示，在垂直于显示面板的方向上，显示区域AA可以包括：衬底41、依次设置在衬底41上的显示结构层以及触控结构层45，显示结构层可以包括设置在衬底41上的电路结构层42和发光元件43。图5中仅以显示区域AA的一个子像素的结构为例进行示意。

在一些示例中，电路结构层42可以包括形成像素电路的多个晶体管和至少一个电容。图5中以一个晶体管和一个电容为例进行示意图。显示区域AA的电路结构层42可以包括：设置在衬底41上的半导体层、覆盖半导体层的第一绝缘层51(还可以称为第一栅绝缘层)、设置在第一绝缘层51上的第一导电层(还可以称为第一栅金属层)、覆盖第一导电层的第二绝缘层52(还可以称为第二栅绝缘层)、设置在第二绝缘层52上的第二导电层(还可以称为第二栅金属层)、覆盖第二导电层的第三绝缘层53(还可以称为层间绝缘层)、设置在第三绝缘层53上的第三导电层(还可以称为第一源漏金属层)。半导体层可以至少包括有源层，第一导电层可以至少包括第一栅电极和第一电容电极，第二导电层可以至少包括第二电容电极，第三导电层可以至少包括第一源电极和第一漏电极。有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极可以组成第一晶体管401，第一电容电极和第二电容电极可以组成第一电容402。第一源漏金属层远离衬底41一侧可以设置有第四绝缘层54(还可以称为钝化层)和第五绝缘层55(还可以称为第一平坦层)。第一绝缘层51至第四绝缘层54可以均为无机绝缘层，第五绝缘层55可以为有机绝缘层。

在一些示例中，如图5所示，发光元件43可以包括：第一电极431、像素定义层434、有机发光层432和第二电极433。第一电极431可以设置在第五绝缘层55上，通过第五绝缘层55和第四绝缘层54上开设的第一过孔与第一晶体管401的第一漏电极连接。像素定义层434可以设置在第一电极431和第五绝缘层55上，像素定义层434上设置有像素开口，像素开口暴露出第一电极431。有机发光层432至少部分设置在像素开口内，有机发光层432与第一电极431连接。第二电极433设置在有机发光层432上，第二电极433与有机发光层432连接。像素定义层434远离衬底41可以设置隔离柱(PS)层46，隔离柱层46可以包括位于显示区域AA边缘的多个隔离柱。

在一些示例中，发光元件43的有机发光层432可以包括发光层(EML，EmittingLayer)，以及包括空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL，HoleTransport Layer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)、电子阻挡层(EBL，ElectronBlock Layer)、电子注入层(EIL，Electron Injection Layer)、电子传输层(ETL，ElectronTransport Layer)中的一个或多个膜层。在第一电极431和第二电极433的电压驱动下，利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。

在一些示例中，不同颜色的发光元件的发光层可以不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层可以采用共通层，位于发光层另一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层。在一些示例中，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以通过一次工艺(一次蒸镀工艺或一次喷墨打印工艺)制作，并通过形成的膜层表面段差或者通过表面处理等手段实现隔离。例如，相邻子像素对应的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以是隔离的。在一些示例中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(FMM，FineMetal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。

在一些示例中，如图5所示，封装层44可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层。其中，第一封装层和第三封装层可采用无机材料，第二封装层可采用有机材料，第二封装层设置在第一封装层和第三封装层之间，可以保证外界水汽无法进入发光元件43。然而，本实施例对此并不限定。例如，封装层可以采用无机/有机/无机/有机/无机的五层叠设结构。

在一些示例中，如图5所示，触控结构层45可以包括：设置在封装层44远离衬底41一侧的第一触控绝缘层451、设置在第一触控绝缘层451远离衬底41一侧的第一触控导电层452以及设置在第一触控导电层452远离衬底41一侧的触控保护层455。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，显示面板可以没有集成触控结构，则无需在封装层远离衬底一侧设置触控结构层。

在一些示例中，如图5所示，在垂直于显示面板的方向上，第一走线引出区域B11和第二走线引出区域B13可以至少包括：衬底41、依次设置在衬底41上的第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53、第三导电层、第四绝缘层54、第五绝缘层55、像素定义层434、隔离柱层46以及触控保护层455。弯折区域B12可以包括：衬底41、依次设置在衬底41上的第三导电层、第五绝缘层55、像素定义层434、隔离柱层46以及触控保护层455。本示例中，弯折区域B12的弯折连接线可以均位于第三导电层。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第一走线引出区域B11、第二走线引出区域B13和弯折区域B12的触控保护层455可以去掉。

在一些示例中，如图5和图6所示，弯折边缘区B122内的多条无效走线37a与弯折走线区B121内的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以为同层结构，例如均位于第三导电层。

下面参照图2至图6通过显示面板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示面板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”或“B的正投影位于A的正投影范围之内”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在一种示例中，显示面板的制备过程可以包括如下操作。

(1)、在玻璃载板上制备衬底。在一些示例中，衬底41可以为柔性基底，例如包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一柔性材料层、第二柔性材料层的材料采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。第一无机材料层、第二无机材料层的材料采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高衬底基板的抗水氧能力，第一无机材料层、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层。半导体层的材料采用非晶硅(a-si)。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，以叠层结构第一柔性材料层/第一阻挡层/半导体层/第二阻挡层/第二柔性材料层为例，其制备过程包括：先在玻璃载板上涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第一柔性材料层；随后在第一柔性材料层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第一柔性层的第一阻挡层；然后在第一阻挡层上沉积一层非晶硅薄膜，形成覆盖第一阻挡层的半导体层；然后在半导体层上再涂布一层聚酰亚胺，固化成膜后形成第二柔性材料层；然后在第二柔性材料层上沉积一层阻挡薄膜，形成覆盖第二柔性材料层的第二阻挡层，完成柔性衬底41的制备。本次工艺后，显示区域AA、第一走线引出区域B11、弯折区域B12和第二走线引出区域B13可以均包括衬底41。

(2)、在衬底上制备半导体层。在一些示例中，在衬底41上沉积半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化处理，形成半导体层。如图5所示，半导体层可以形成在显示区域AA，至少包括有源层。

(3)、在衬底上制备第一导电层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底41上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行构图，形成覆盖半导体层的第一绝缘层51，以及设置在第一绝缘层51上的第一导电层。如图5所示，第一导电层可以至少包括：位于显示区域AA的第一电容电极、第一栅电极和多条栅线(图未示)、以及位于第一走线引出区域B11的部分第一数据引出线和部分第一驱动引出线、位于第二走线引出区域B12的部分第二数据引出线和部分第二驱动引出线。在本次工艺之后，弯折区域B12可以包括在衬底41上设置的第一绝缘层51。

(4)、在衬底上制备第二导电层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底41上，依次沉积第二绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行构图，形成第二绝缘层52以及第二导电层。如图5所示，第二导电层可以至少包括：位于显示区域AA的第二电容电极、位于第一走线引出区域B11的部分第一数据引出线和部分第一驱动引出线、位于第二走线引出区域B12的部分第二数据引出线和部分第二驱动引出线。在一些示例中，第一走线引出区域B11的多条第一数据引出线可以交叠排布在第一导电层和第二导电层，从而可以减少相邻第一数据引出线之间的串扰，提高信号传输性能，并减少相邻第一数据引出线之间的间距，有利于实现窄边框。同理，第二走线引出区域B13的多条第二数据引出线可以被配置为在第一导电层和第二导电层交替排布。

在本次工艺之后，弯折区域B12可以包括在衬底41上叠设的第一绝缘层51和第二绝缘层52。

(5)、在衬底上制备第三绝缘层。在一些示例中，在形成上述结构的衬底41上，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成第三绝缘层53。如图5所示，显示区域AA的第三绝缘层53上开设有至少两个第一过孔，两个第一过孔内的第三绝缘层53、第二绝缘层52和第一绝缘层51可以被刻蚀掉，暴露出有源层的两端表面。在本次工艺后，弯折区域B12可以包括：在衬底上叠设的第一绝缘层51、第二绝缘层52和第三绝缘层53。

在一些示例中，可以通过两次刻蚀工艺在弯折区域B12形成第一凹槽和第二凹槽。例如，通过第一次掩模(EBA MASK，Etch Bending A MASK)刻蚀弯折区域B12的第三绝缘层53，形成第一凹槽，暴露出第二绝缘层52的表面。通过第二次掩模(EBB MASK，Etch BendingB MASK)刻蚀弯折区域B12中的第一凹槽内的第二绝缘层52和第一绝缘层51，暴露出衬底41的表面。在本示例中，通过EBA MASK和EBB MASK对弯折区域B12进行挖槽，可以减少弯折区域B12的厚度，提高弯折效果。

(6)、在衬底上制备第三导电层。在一些示例中，在形成上述结构的衬底41上，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行构图，形成第三导电层。如图2、图5和图6所示，第三导电层可以至少包括：位于显示区域AA的第一源电极、第一漏电极以及多条数据线、位于弯折区域B12的弯折走线区B121内的多条弯折连接线、位于弯折区域B12的弯折边缘区B122内的多条无效走线37a和37b、位于第一走线引出区域B11和第二走线引出区域B12的第一电源线31以及第二电源线32a和32b。

在一些示例中，如图2和图5所示，第一子电源线311、第一电源连接线313、第二子电源线312可以为一体结构。第三子电源线321a、第二电源连接线323a和第四子电源线322a可以为一体结构，第三子电源线321b、第二电源连接线323b和第四子电源线322b可以为一体结构。

至此，在衬底上制备完成显示区域的电路结构层。

在一些示例中，第一绝缘层51、第二绝缘层52和第三绝缘层53可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一导电薄膜、第二导电薄膜和第三导电薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。例如，第一导电薄膜和第二导电薄膜可以采用金属Mo，第三导电薄膜可以采用Ti/Al/Ti。半导体薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等一种或多种材料，即本公开适用于基于氧化物(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。

(7)、在衬底上制备第四绝缘层和第五绝缘层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底上，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成第四绝缘层54。随后，在形成上述结构的衬底上涂覆第五绝缘薄膜，形成覆盖整个衬底41的第五绝缘层55。

在本次工艺之后，弯折区域B12可以包括：衬底41、以及依次设置在衬底41上的第三导电层和第五绝缘层55。

(8)、在衬底上制备发光元件。在一些示例中，在形成前述结构的衬底上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成第一电极431图案。在形成前述结构的衬底41上，涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层(PDL，PixelDefinition Layer)434图案。如图5所示，像素定义层434可以至少形成在显示区域AA、第一走线引出区域B11、弯折区域B12和第二走线引出区域B13。显示区域AA的像素定义层434上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出第一电极431的表面。第一走线引出区域B11、弯折区域B12和第二走线引出区域B13的像素定义层434可以覆盖第五绝缘层55。

随后，在形成前述图案的衬底基板41上依次形成隔离柱层46、有机发光层432和第二电极433。如图5所示，有机发光层432可以包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成在显示区域AA的像素开口内，实现有机发光层432与第一电极431连接。由于第一电极431与第一晶体管401的第一漏电极连接，因而实现了有机发光层432的发光控制。第二电极433的一部分形成在有机发光层432上。第一走线引出区域B11、弯折区域B12和第二走线引出区域B13的隔离柱层46可以覆盖像素定义层434。

(9)、制备封装层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底41上，形成封装层44。如图5所示，封装层44可以形成在显示区域AA，可以采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。有机材料层可以设置在两个无机材料层之间。本次构图工艺之后，弯折区域B12的膜层结构可以没有变化。

(10)、制备触控结构层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底上，沉积第一触控绝材料，通过图案化工艺对第一触控绝缘薄膜进行图案化，形成第一触控绝缘(TLD)层451。在一些示例中，第一触控绝缘层451可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。

随后，沉积触控金属薄膜，通过图案化工艺对触控金属薄膜进行图案化，在第一触控绝缘层451上形成第一触控导电层452。第一触控导电层452可以至少包括位于显示区域AA的触控电极和连接部。在一些示例中，触控电极和连接部可以为金属网络(metal mesh)形式。在一些示例中，触控金属薄膜可以采用单层结构，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或者可以采用叠层结构，如Ti/Al/Ti等。

随后，涂覆保护薄膜，形成覆盖第一触控导电层452的触控保护层455。在一些示例中，触控保护层455可以采用聚酰亚胺(PI)等。弯折区域B12的隔离柱层46上可以覆盖有触控保护层455。

至此，制备完成触控结构层45。

在一些示例中，第五绝缘层55、像素定义层434和隔离柱层46可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。

在制备完成上述膜层结构后，可以通过剥离工艺将显示面板从玻璃载板上剥离。

本示例性实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

本示例性实施例的显示面板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，显示区域可以设置第一源漏金属层和第二源漏金属层，第一源漏金属层可以包括第一晶体管的第一源电极和第一漏电极，第二源漏金属层可以包括连接电极，配置为与第一漏电极和发光元件的第一电极连接。弯折区域的弯折走线区的弯折连接线可以与显示区域的第一源漏金属层或第二源漏金属层为同层结构。弯折区域的弯折边缘区的无效走线可以与显示区域的第一源漏金属层或第二源漏金属层为同层结构。然而，本实施例对此并不限定。

本示例的显示面板通过在弯折区域的弯折边缘区设置沿第一方向延伸的多条无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，提高抗应力能力。而且，通过在弯折边缘区设置无效走线，可以减少弯折边缘区的尺寸，有利于窄边框设计。

图7为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图。在一些示例中，如图7所示，弯折边缘区的无效走线37a可以沿第一方向D1延伸。多条无效走线37a沿第二方向D2依次排布。一条无效走线37a可以具有多个镂空部371，多个镂空部371可以沿第一方向D1对齐排布为一列。多个镂空部371的形状和尺寸可以大致相同。例如，镂空部371在衬底的正投影可以为圆形或椭圆形。然而，本实施例对此并不限定。本示例通过在无效走线上设置镂空部，可以疏导弯折过程中无效走线上积累的应力，有利于在无效走线弯折时释放应力，减少弯折边缘区产生裂纹的风险，从而改善弯折效果。在另一些示例中，设置有镂空部的无效走线可以沿第一方向D1延伸。关于本示例的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

图8为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图。在一些示例中，如图8所示，弯折边缘区的无效走线37a可以沿第一方向D1延伸。多条无效走线37a可以沿第二方向D2依次排布。一条无效走线37a可以具有多个镂空部371，多个镂空部371可以沿第一方向D1排布为两列，且两列镂空部371在第二方向D2上可以存在错位。多个镂空部371的形状和尺寸可以大致相同。例如，镂空部371在衬底的正投影可以为圆形或椭圆形。然而，本实施例对此并不限定。本示例通过在无效走线上设置镂空部，可以疏导弯折过程中无效走线上积累的应力，有利于在无效走线弯折时释放应力，减少弯折边缘区产生裂纹的风险，从而改善弯折效果。

在一些示例中，如图8所示，无效走线37a在第二方向D2上的两侧边缘可以为波浪形。例如，无效走线37a在第二方向D2上的边缘可以由多条弧线段连接形成波浪形。本示例通过设置无效走线的边缘为波浪形，可以分散弯折过程中无效走线受到的弯折应力，可以避免应力集中，减少弯折边缘区发生裂纹的风险，从而改善弯折效果。关于本示例的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

图9为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图。在一些示例中，如图9所示，弯折边缘区的多条无效走线37a可以沿第二方向D2延伸，并沿第一方向D1依次排布。多条无效走线37a的线宽可以大致相同，不同的相邻无效走线37a之间的距离可以大致相同。无效走线37a的线宽可以大于或等于弯折走线区内的数据连接线的线宽。相邻无效走线37a之间的距离可以大于或等于弯折走线区内的相邻数据连接线之间的距离。

本示例通过在弯折边缘区设置沿第二方向延伸的多条无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，提高抗应力能力。关于本示例的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。

图10为本公开至少一实施例的弯折边缘区的无效走线的另一局部俯视图。图11为图10中沿P-P’方向的局部剖面示意图。在一些示例中，如图10和图11所示，弯折边缘区的多条无效走线37a可以沿第二方向D2延伸，并沿第一方向D1依次排布。一条无效走线37a可以包括：叠设的第一走线373和第二走线374。第一走线373和第二走线374可以直接接触。第一走线373可以位于第二走线374靠近衬底41的一侧。第二走线374在衬底41的正投影与第一走线373在衬底41的正投影可以至少部分交叠，例如，第二走线374在衬底41的正投影可以覆盖第一走线373在衬底41的正投影。第二走线374沿第一方向D1的边缘可以覆盖对应的第一走线373沿第一方向D1的边缘。在一些示例中，第一走线373可以位于第一导电层或可以位于第二导电层，第二走线374可以位于第三导电层。本示例通过采用双层走线结构的无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，从而提高弯折区域的抗应力能力。在另一些示例中，采用双层走线结构的无效走线可以沿第一方向D1延伸。关于本示例的其余说明可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图12为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图。在一些示例中，如图12所示，弯折区域B12的弯折边缘区B122内的多条无效走线37a与弯折走线区B121内的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以为异层结构。无效走线37a可以位于弯折连接线远离衬底41的一侧。例如，弯折连接线可以位于第三导电层，无效走线37a可以与显示区域内的第一触控导电层为同层结构。本示例通过在弯折边缘区设置与第一触控导电层为同层结构的无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减少弯折边缘区与弯折走线区之间的强度差异，减小应力集中，从而提高抗应力能力。关于本示例的其余说明可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图13为本公开至少一实施例的显示面板的触控结构层的另一局部平面示意图。本示例性实施方式中，以显示面板集成互容式触控结构，形成FMLOC结构为例进行说明。

在一些示例中，如图13所示，显示区域的触控结构层可以包括：多个第一触控单元210和多个第二触控单元220。第一触控单元210可以具有沿第二方向D2延伸的线形状，多个第一触控单元210可以沿第一方向D1依次排列，第二触控单元220可以具有沿第一方向D1延伸的线形状，多个第二触控单元220可以沿第二方向D2依次排。每个第一触控单元210可以包括沿第二方向D2依次排列的多个第一触控电极211和第一连接部212，第一触控电极211和第一连接部212可以交替设置且依次连接。每个第二触控单元220可以包括沿第一方向D1依次排列的多个第二触控电极221，多个第二触控电极221可以间隔设置，相邻的第二触控电极221可以通过第二连接部222彼此连接。在一些示例中，第二连接部222所在的膜层可以不同于第一触控电极211和第二触控电极221所在的膜层。第一触控电极211和第二触控电极221在第三方向D3上可以交替布置，第三方向D3与第一方向D1和第二方向D2交叉。

在一些示例中，多个第一触控电极211、多个第二触控电极221和多个第一连接部212可以同层设置在第一触控导电层，并且可以通过同一次图案化工艺形成，第一触控电极211和第一连接部212可以为相互连接的一体结构。第二连接部222可以设置在第二触控导电层，通过过孔使相邻的第二触控电极221相互连接，第一触控导电层与第二触控导电层之间可以设置有第二触控绝缘层。在一些可能的实现方式中，多个第一触控电极211、多个第二触控电极221和多个第二连接部222可以同层设置在第一触控导电层，第二触控电极221和第二连接部222可以为相互连接的一体结构，第一连接部212可以设置在第二触控导电层，通过过孔使相邻的第一触控电极211相互连接。在一些示例中，第一触控电极可以是驱动(Tx)电极，第二触控电极可以是感应(Rx)电极。或者，第一触控电极可以是感应(Rx)电极，第二触控电极可以是驱动(Tx)电极。

在一些示例中，第一触控电极211和第二触控电极221可以具有菱形状，例如可以是正菱形，或者是横长的菱形，或者是纵长的菱形。在一些可能的实现方式中，第一触控电极211和第二触控电极221可以具有三角形、正方形、梯形、平行四边形、五边形、六边形和其它多边形中的任意一种或多种，本公开在此不做限定。

在一些示例中，第一触控电极211和第二触控电极221可以是透明导电电极形式。在另一些示例中，第一触控电极211和第二触控电极221可以是金属网格形式，金属网格由多条金属线交织形成，金属网格包括多个网格图案，网格图案是由多条金属线构成的多边形。金属网格式的第一触控电极211和第二触控电极221具有电阻小、厚度小和反应速度快等优点。

图14为本公开至少一实施例的显示面板的另一局部剖面示意图。图14中示意了显示区域AA的局部剖面以及图2中第一边框区域B1内沿Q-Q’方向的局部剖面。

在一些示例中，如图14所示，在垂直于显示面板的方向上，显示区域AA可以包括：衬底41、依次设置在衬底41上的电路结构层42、发光元件43、封装层44以及触控结构层45。其中，电路结构层42可以包括设置在衬底41上的半导体层、第一绝缘层51、第一导电层(还可以称为第一栅金属层)、第二绝缘层52、第二导电层(还可以称为第二栅金属层)、第三绝缘层53、第三导电层(还可以称为第一源漏金属层)、第四绝缘层54、第五绝缘层55、第四导电层(还可以称为第二源漏金属层)、以及第六绝缘层56(还可以称为第二平坦层)。其中，第四导电层可以包括像素电路与发光元件的第一电极431之间的连接电极。触控结构层45可以包括：依次设置在封装层44上的第一触控绝缘层451、第二触控导电层454、第二触控绝缘层453、第一触控导电层452以及触控保护层455。

在一些示例中，如图14所示，在垂直于显示面板的方向上，弯折区域B12可以包括：衬底41、依次设置在衬底41上的第五绝缘层55、第四导电层、第六绝缘层56、像素定义层434、隔离柱层46以及触控保护层455。本示例中，弯折区域B21的弯折走线区的弯折连接线可以位于第四导电层。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，弯折走线区的弯折连接线可以位于第三导电层。在另一些示例中，弯折区域B12的触控保护层455可以去掉。关于本示例的膜层的其余说明可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图15为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图。在一些示例中，如图15所示，弯折区域B12的弯折边缘区B122内的多条无效走线37a与弯折走线区B121内的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以为同层结构，例如可以均位于第四导电层。本示例通过在弯折边缘区设置与弯折连接线为同层结构的无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，提高抗应力能力。而且，弯折边缘区的膜层与弯折走线区的膜层保持一致，可以使得弯折区域的受力更均匀，且不会对弯折工艺产生影响。

图16为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图。在一些示例中，如图16所示，弯折区域B12的弯折边缘区B122内的多条无效走线37a与弯折走线区B121内的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以为异层结构。无效走线37a可以位于弯折连接线靠近衬底41的一侧。例如，弯折连接线可以位于第四导电层，无效走线可以位于第三导电层。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，无效走线可以与第一触控导电层或第二触控导电层为同层结构。关于本示例的其余说明可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图17为图2中沿R-R’方向的另一局部剖面示意图。在一些示例中，如图17所示，弯折区域的弯折走线区B121的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以位于第四导电层。弯折边缘区B122的无效走线37a可以包括：第一走线373和第二走线374。第二走线374可以位于第四导电层，第一走线373可以位于第三导电层。第二走线374可以通过第五绝缘层55开设的过孔或凹槽，与第一走线373连接。第二走线374在衬底41的正投影可以覆盖第一走线373在衬底的正投影。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第一走线可以位于第一导电层或第二导电层。本示例通过采用双层走线结构的无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，从而提高弯折区域的抗应力能力。关于本示例的其余说明可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图18为本公开至少一实施例的弯折边缘区的另一局部俯视图。图19为图18中沿U-U’方向的局部剖面示意图。在一些示例中，如图18所示，弯折区域的弯折边缘区可以设置有多个辅助坝38。多个辅助坝38的延伸方向可以相同，并与弯折走线区的弯折连接线的延伸方向相同，例如可以均沿第一方向D1延伸。如图19所示，辅助坝38可以包括叠设的第一有机坝基381和第二有机坝基382。第二有机坝基382位于第一有机坝基381远离衬底41的一侧。第一有机坝基381在衬底41的正投影可以覆盖第二有机坝基382在衬底41的正投影。例如，第一有机坝基381与像素定义层可以为同层结构，第二有机坝基382与隔离柱层可以为同层结构。相邻辅助坝38之间设置有隔离槽380。隔离槽380内的像素定义层和隔离柱层可以被去掉，使得相邻辅助坝38之间存在隔离。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，辅助坝可以包括一个有机坝基，该有机坝基可以与隔离柱层为同层结构。在另一些示例中，辅助坝的相邻第一有机坝基可以断开，相邻第二有机坝基可以为一体结构。本示例通过在弯折边缘区设置辅助坝，可以减少裂纹发生概率，而且可以阻挡边缘切割产生的微裂纹的扩展。关于本示例的弯折区域的弯折走线区的结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图20为本公开至少一实施例的弯折边缘区的另一局部俯视图。图21为图20中沿V-V’方向的局部剖面示意图。在一些示例中，如图20和图21所示，弯折区域的弯折边缘区B122可以设置有多个辅助坝38和多条无效走线37a。多个辅助坝38的延伸方向与多条无效走线37a的延伸方向相同，例如可以均沿第一方向D1延伸。辅助坝38可以包括叠设的第一有机坝基381和第二有机坝基382，第二有机坝基382位于第一有机坝基381远离衬底41的一侧。第一有机坝基381在衬底41的正投影可以覆盖第二有机坝基382在衬底41的正投影。弯折区域的弯折走线区B121的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以位于第三导电层。多条无效走线37a和弯折连接线可以为同层结构。辅助坝38在衬底41的正投影可以覆盖无效走线37a在衬底41的正投影。本示例通过在弯折边缘区设置无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，提高抗应力能力；通过在弯折边缘区设置辅助坝，可以减少裂纹发生概率，并可以阻挡边缘切割产生的微裂纹的扩展。本示例以弯折区域没有设置触控保护层为例进行说明，在弯折区域设置触控保护层时，辅助坝的其中一个有机坝基可以与触控保护层为同层结构。关于本示例的弯折区域的弯折走线区的结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图22为本公开至少一实施例的弯折边缘区的另一局部俯视图。图23为图22中沿W-W’方向的局部剖面示意图。在一些示例中，如图22和图23所示，弯折区域的弯折边缘区B122可以设置有多个辅助坝38和多条无效走线37a。多个辅助坝38的延伸方向与多条无效走线37a的延伸方向相同，例如可以均沿第一方向D1延伸。辅助坝38可以包括叠设的第一有机坝基381和第二有机坝基382。第一有机坝基381在衬底41的正投影可以覆盖第二有机坝基382在衬底41的正投影。弯折区域的弯折走线区B121的多条弯折连接线(例如包括第二电源连接线323a、触控连接线353a)可以位于第三导电层。多条无效走线37a和弯折连接线可以为同层结构。辅助坝38在衬底41的正投影可以与无效走线37a在衬底41的正投影可以没有交叠。无效走线37a在衬底41的正投影可以位于相邻辅助坝38之间的隔离槽380在衬底41的正投影范围内。本示例通过在弯折边缘区设置无效走线，可以提高弯折边缘区的强度，减小弯折边缘区与弯折走线区的强度差异，减小应力集中，提高抗应力能力；通过在弯折边缘区设置辅助坝，可以减少裂纹发生概率，并可以阻挡边缘切割产生的微裂纹的扩展。关于本示例的弯折区域的弯折走线区的结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

在另一些示例中，弯折区域的弯折边缘区可以设置辅助坝和无效走线，无效走线可以与弯折走线区的弯折连接线为同层结构，辅助坝可以仅包括一个有机坝基，该有机坝基可以与像素定义层或隔离柱层为同层结构，辅助坝可以覆盖在无效走线上方，或者，可以与无效走线没有交叠。在另一些示例中，辅助坝的至少一个有机坝基可以与触控保护层为同层结构，例如，辅助坝可以包括叠设的第一有机坝基、第二有机坝基和第三有机坝基，第三有机坝基可以与触控保护层为同层结构。

在另一些示例中，上述实施例可以相互组合。例如，弯折边缘区可以设置辅助坝和无效走线，无效走线的结构可以如图7或图8所示。本实施例对比并不限定。

图24为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。如图24所示，本实施例提供一种显示装置91，包括前述实施例的显示面板910。在一些示例中，显示面板910可以为集成触控结构的OLED显示面板。显示装置91可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示和触控功能的产品或部件。

在一些示例中，显示装置91可以为穿戴式显示装置，例如可以通过某些方式佩戴在人体上。比如，显示装置91可以为智能手表、智能手环等。然而，本实施例对此并不限定。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (18)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底，包括显示区域、沿第一方向位于所述显示区域一侧的弯折区域；所述弯折区域包括：弯折走线区以及沿第二方向位于所述弯折走线区相对两侧的弯折边缘区；所述第一方向与所述第二方向交叉；

多条弯折连接线，位于所述弯折走线区；

辅助结构，位于所述弯折边缘区，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓的至少一部分和所述显示面板切割边的至少一部分形状一致。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓和所述显示面板切割边之间的最短距离为30微米至300微米。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓和所述显示面板切割边之间的最短距离为40微米至200微米。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构远离所述多条弯折连接线的外边缘轮廓和所述显示面板切割边之间的最短距离为50微米至100微米。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构包括以下至少一项：至少一条无效走线、至少一个辅助坝。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构包括多条无效走线，所述多条无效走线沿所述第一方向或所述第二方向延伸。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述至少一条无效走线的边缘为波浪形。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述至少一条无效走线具有多个镂空部。

9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述至少一条无效走线与所述多条弯折连接线中的至少一条为同层结构。

10.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述至少一条无效走线包括：相互连接的第一走线和第二走线，所述第二走线位于所述第一走线远离所述衬底的一侧，所述第二走线在所述衬底的正投影与所述第一走线在所述衬底的正投影至少部分交叠。

11.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构包括多个辅助坝，所述多个辅助坝的延伸方向相同，且所述多个辅助坝的延伸方向与所述多条弯折连接线的延伸方向相同。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述至少一个辅助坝包括至少一个有机坝基。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述至少一个辅助坝包括：叠设的第一有机坝基和第二有机坝基，所述第一有机坝基与所述显示区域的像素定义层为同层结构，所述第二有机坝基与所述显示区域的隔离柱层为同层结构。

14.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述辅助结构包括：至少一条无效走线和至少一个辅助坝，所述至少一条无效走线位于所述至少一个辅助坝靠近所述衬底的一侧。

15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述至少一个辅助坝在所述衬底的正投影与所述至少一条无效走线在所述衬底的正投影没有交叠，或者，所述至少一个辅助坝在所述衬底的正投影覆盖所述至少一条无效走线在所述衬底的正投影。

16.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示区域包括：设置在所述衬底上的显示结构层和触控结构层，所述触控结构层包括：至少一个触控导电层；所述至少一条无效走线与所述至少一个触控导电层为同层结构。

17.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示区域包括：设置在所述衬底的电路结构层，所述电路结构层至少包括：设置在所述衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层，或者至少包括：设置在所述衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层；所述至少一条无效走线与所述第一源漏金属层或第二源漏金属层为同层结构。

18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至17中任一项所述的显示面板。