CN219611751U - 提高mmc子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器、第一MOS管器件，驱动变压器原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器原边的二端连接第一MOS管器件；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件的一端；驱动变压器副边的三端通过第一二极管及第二限流电阻连接支撑电容、门极电阻的一端及晶闸管的第一端，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管的第一端；该驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
Description
技术领域
本申请涉及电力电子器件驱动技术领域，尤其涉及一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路。
背景技术
图1为现有技术单个MMC子模块、旁路开关及其驱动模块组成的系统框图，模块化多电平换流器MMC模块包括多个MMC子模块，当单个MMC子模块出现故障时，为保证系统连续运行，其驱动旁路开关动作，将出现故障的MMC子模块短路；图2为现有技术的旁路开关晶闸管驱动电路模块的电路图，该驱动电路的晶闸管驱动属于电流型驱动，要求驱动电平不能太高，常用1～2V，由于驱动电平较低，在实际的应用中的多数工况下，驱动电路会受到干扰，晶闸管容易发生误触发，当单个MMC子模块出现故障时，无法准确地将出现故障的MMC子模块短路，导致系统无法连续运行，需要停机进行处理。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提出一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，该提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；
所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vcc2，所述上拉电阻R5的二端连接第二MOS管器件S2的一端，所述光耦开关OP1副边的三端连接副边地，所述第二MOS管器件S2的二端连接晶闸管TR1的第一端，所述第二MOS管器件S2的三端连接晶闸管TR1的第三端。
优选地，所述驱动变压器T1原边的一端通过限流电阻R1连接供电电源Vcc。
优选地，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1的二端，所述第一MOS管器件S1的三端接原边地，所述第一MOS管器件S1为N型MOS管器件。
优选地，所述晶闸管驱动信号DRV端通过非门数字逻辑器件U1连接限流电阻R4的一端，所述第二MOS管器件S2为P型MOS管器件。
优选地，所述第二MOS管器件S2为N型MOS管器件。
采用上述结构之后，提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vcc2，所述上拉电阻R5的二端连接第二MOS管器件S2的一端，所述光耦开关OP1副边的三端连接副边地，所述第二MOS管器件S2的二端连接晶闸管TR1的第一端，所述第二MOS管器件S2的三端连接晶闸管TR1的第三端；该提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
附图说明
图1为现有技术单个MMC子模块、旁路开关及其驱动模块组成的系统框图；
图2为现有技术的旁路开关晶闸管驱动电路模块的电路图；
图3为本实用新型实施例一或实施例三的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路的电路图；
图4为本实用新型实施例一或实施例四的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路的电路图。
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语中“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
实施例一
请参阅图3，图3为本实用新型实施例一或实施例三的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路的电路图；
本实施例公开一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；
所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vcc2，所述上拉电阻R5的二端连接第二MOS管器件S2的一端，所述光耦开关OP1副边的三端连接副边地，所述第二MOS管器件S2的二端连接晶闸管TR1的第一端，所述第二MOS管器件S2的三端连接晶闸管TR1的第三端。
实施例二
本实施例以实施例一为基础，在本实施例中，所述驱动变压器T1原边的一端通过限流电阻R1连接供电电源Vcc。
所述驱动变压器T1原边的二端连接MOS管器件S1的二端，所述MOS管器件S1的三端接原边地，所述MOS管器件S1为N型MOS管器件。
实施例三
请参阅图3，本实施例以实施例一为基础，在本实施例中，
所述晶闸管驱动信号DRV端通过非门数字逻辑器件U1连接限流电阻R4的一端，所述第二MOS管器件S2为P型MOS管器件。
实施例四
请参阅图4，本实施例以实施例一为基础，在本实施例中，所述第二MOS管器件S2为N型MOS管器件。
该提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路提高了晶闸管驱动电路的抗干扰能力，避免晶闸管误触发的问题，实施简单，成本低，在模块出现故障时保障了驱动电路的准确动作。
以上参照附图说明了本申请的优选实施例，并非因此局限本申请的权利范围。本领域技术人员不脱离本申请的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进，均应在本申请的权利范围之内。
Claims (5)
1.一种提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，其特征在于，包括晶闸管驱动电路单元和抗干扰模块单元，所述晶闸管驱动电路单元包括驱动变压器T1、第一MOS管器件S1，所述驱动变压器T1原边的一端连接供电电源Vcc，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1；晶闸管驱动信号DRV端连接所述第一MOS管器件S1的一端；所述驱动变压器T1副边的三端通过第一二极管D1及第二限流电阻R2连接支撑电容C1、门极电阻R3的一端及晶闸管TR1的第一端，所述驱动变压器T1副边的四端连接支撑电容C1、门极电阻R3的另一端及晶闸管TR1的第三端，并接到副边地，所述抗干扰模块单元连接晶闸管驱动信号DRV端及晶闸管TR1的第一端；
所述抗干扰模块单元包括限流电阻R4、上拉电阻R5、光耦开关OP1及第二MOS管器件S2，所述晶闸管驱动信号DRV端连接限流电阻R4的一端，所述限流电阻R4的二端连接光耦开关OP1原边的一端，所述光耦开关OP1原边的二端连接原边地，光耦开关OP1副边的四端连接上拉电阻R5的二端，所述上拉电阻R5的一端连接供电电源Vcc2，所述上拉电阻R5的二端连接第二MOS管器件S2的一端，所述光耦开关OP1副边的三端连接副边地，所述第二MOS管器件S2的二端连接晶闸管TR1的第一端，所述第二MOS管器件S2的三端连接晶闸管TR1的第三端。
2.根据权利要求1所述的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，其特征在于，所述驱动变压器T1原边的一端通过限流电阻R1连接供电电源Vcc。
3.根据权利要求1所述的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，其特征在于，所述驱动变压器T1原边的二端连接第一MOS管器件S1的二端，所述第一MOS管器件S1的三端接原边地，所述第一MOS管器件S1为N型MOS管器件。
4.根据权利要求1所述的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，其特征在于，
所述晶闸管驱动信号DRV端通过非门数字逻辑器件U1连接限流电阻R4的一端，所述第二MOS管器件S2为P型MOS管器件。
5.根据权利要求1所述的提高MMC子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路，其特征在于，所述第二MOS管器件S2为N型MOS管器件。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202320562751.7U CN219611751U (zh) | 2023-03-13 | 2023-03-13 | 提高mmc子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路 |
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| CN202320562751.7U Active CN219611751U (zh) | 2023-03-13 | 2023-03-13 | 提高mmc子模块旁路开关抗干扰能力的晶闸管驱动电路 |
Country Status (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN117176121A (zh) * | 2023-11-02 | 2023-12-05 | 成都沃飞天驭科技有限公司 | 电子开关驱动电路、控制方法以及电动飞行器 |
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2023
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