CN217590590U - 一种防止上电瞬间误输出的igbt驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，逻辑+5V受控监测电路与施密特触发器整形滤波电路连接；施密特触发器整形滤波电路与隔离驱动光耦电路连接；隔离驱动光耦电路与IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接；IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与增强型PWM信号推挽电路连接；增强型PWM信号推挽电路与门极信号阻容滤波输出电路连接。如上，本实用新型的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，保证上电瞬间，不会因为上电时序不确定及毛刺干扰的存在导致IGBT误导通。
Description
技术领域
本实用新型涉及变频器IGBT驱动电路技术领域，特别是涉及一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路。
背景技术
IGBT作为一种新型的电力电子器件，具有开关速度快、通态压降低，在变频器、逆变器等领域被广泛应用。IGBT驱动电路作为变频器硬件设计的关键技术之一，其稳定可靠性对变频器质量有着举足轻重的作用。目前低压变频器中，IGBT驱动主要采用隔离光耦驱动，由于变频器上电瞬间，驱动电源与控制电源上电时序不确定以及上电瞬间毛刺干扰的存在，可能导致IGBT驱动电路误触发，从而造成IGBT上下桥直通，引起变频器故障甚至炸机等风险。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，用于解决IGBT驱动电路误触发的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，包括：逻辑+5V受控监测电路、施密特触发器整形滤波电路、隔离驱动光耦电路、IGBT抗饱和检测及过流侦测电路、增强型PWM信号推挽电路和门极信号阻容滤波输出电路，
所述逻辑+5V受控监测电路与所述施密特触发器整形滤波电路连接；
所述施密特触发器整形滤波电路与所述隔离驱动光耦电路连接；
所述隔离驱动光耦电路与所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接；
所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与所述增强型PWM信号推挽电路连接；
所述增强型PWM信号推挽电路与所述门极信号阻容滤波输出电路连接。
作为优选的技术方案，所述逻辑+5V受控监测电路包括稳压二极管Z1和三极管Q1，所述稳压二极管Z1一端接地，所述稳压二极管Z1另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端与电阻R1一端、电容C2一端和所述三极管Q1的基极连接，所述R1另一端、所述电容C2另一端和所述三极管Q1的发射极与+5V电源连接，所述三极管Q1的集电极与电阻R3一端、电容C3一端和所述施密特触发器整形滤波电路连接，所述电阻R3另一端、电容C3另一端接地。
作为优选的技术方案，所述稳压二极管Z1为4.3V稳压二极管Z1。
作为优选的技术方案，所述三极管Q1为PNP三极管Q1。
作为优选的技术方案，所述隔离驱动光耦电路包括331J隔离驱动光耦及其外围电路。
作为优选的技术方案，所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路包括隔离二极管、限流电阻及其外围电路。
作为优选的技术方案，所述增强型PWM信号推挽电路包括PNP三极管、NPN三极管及其外围电路。
如上所述，本实用新型一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，具有以下有益效果：逻辑+5V受控监测电路用于监测控制逻辑+5V电压，施密特触发器整形滤波电路用于将电平转换、整形及滤波，隔离驱动光耦电路，用于PWM信号隔离、监控及故障状态反馈，IGBT抗饱和检测及过流侦测电路用于侦测IGBT过流信号，增强型PWM信号推挽电路用于提高PWM信号的驱动能力，门极信号阻容滤波输出电路用于给IGBT模块提供合适的驱动电阻并滤除PWM信号的高频噪声，保证上电瞬间，不会因为上电时序不确定及毛刺干扰的存在导致IGBT误导通。
附图说明
图1显示为本实用新型实施例中公开的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路的电路图。
其中：1.逻辑+5V受控监测电路；2.施密特触发器整形滤波电路；3.隔离驱动光耦电路；4.IGBT抗饱和检测及过流侦测电路；5.增强型PWM信号推挽电路；6.门极信号阻容滤波输出电路。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
请参阅图1，本实用新型提供一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，包括：逻辑+5V受控监测电路1、施密特触发器整形滤波电路2、隔离驱动光耦电路3、IGBT抗饱和检测及过流侦测电路4、增强型PWM信号推挽电路5和门极信号阻容滤波输出电路6，逻辑+5V受控监测电路1与施密特触发器整形滤波电路2连接；施密特触发器整形滤波电路2与隔离驱动光耦电路3连接；隔离驱动光耦电路3与IGBT抗饱和检测及过流侦测电路4连接；IGBT抗饱和检测及过流侦测电路4与增强型PWM信号推挽电路5连接；增强型PWM信号推挽电路5与门极信号阻容滤波输出电路6连接。
本实施例提供的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，逻辑+5V受控监测电路1包括稳压二极管Z1和三极管Q1，稳压二极管Z1一端接地，稳压二极管Z1另一端与电阻R2一端连接，电阻R2另一端与电阻R1一端、电容C2一端和三极管Q1的基极连接，R1另一端、电容C2另一端和三极管Q1的发射极与+5V电源连接，三极管Q1的集电极与电阻R3一端、电容C3一端和施密特触发器整形滤波电路2连接，电阻R3另一端、电容C3另一端接地，通过稳压二极管Z1、三极管Q1及其外围电路配合监测控制逻辑+5V电压。
本实施例提供的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，稳压二极管Z1为4.3V稳压二极管Z1，4.3V稳压二极管Z1将电压稳定在4.3V。
本实施例提供的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，三极管Q1为PNP三极管Q1。
本实施例提供的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，隔离驱动光耦电路3包括331J隔离驱动光耦及其外围电路，331J隔离驱动光耦及其外围电路PWM信号隔离、监控及故障状态反馈。
本实施例提供的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，IGBT抗饱和检测及过流侦测电路4包括隔离二极管、限流电阻及其外围电路，隔离二极管、限流电阻及其外围电路配合侦测IGBT过流信号。
本实施例提供的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，增强型PWM信号推挽电路5包括PNP三极管、NPN三极管及其外围电路，PNP三极管、NPN三极管及其外围电路配合提高PWM信号的驱动能力。
在具体使用中：变频器上电后，逻辑+5V受控监测电路1通过一个4.2V稳压二极管及一个PNP三极管构成的控制电路控制逻辑+5V电平，该输出经过施密特触发器整形滤波电路2整形滤波后，输入给隔离驱动光耦电路3的331J隔离驱动光耦一次侧信号端正极，来自主控板PWM信号输入给隔离驱动光耦电路3的331J隔离驱动光耦一次侧信号端负极；隔离驱动光耦电路3与IGBT抗饱和检测及过流侦测电路4及增强型PWM信号推挽电路5电性连接，其中IGBT抗饱和检测及过流侦测电路4用于侦测IGBT模块过流信号，当模块过流时PWM信号封锁，增强型PWM信号推挽电路5采样NPN和PNP三极管用于提高PWM信号的驱动能力；增强型PWM信号推挽电路5的输出与门极信号阻容滤波输出电路6电性连接，门极信号阻容滤波输出电路66用于给IGBT模块提供合适的驱动电阻并滤除PWM信号的高频噪声。
另外，上电瞬间有逻辑+5V受控监测电路1的控制及施密特触发器整形滤波电路2的整形滤波，在逻辑+5V未达到4.3V时或者毛刺干扰时候，隔离驱动光耦电路3中的芯片331J隔离驱动光耦一次侧信号端正极被拉至低电平，PWM信号封锁，331J隔离驱动光耦无输出，只有在逻辑+5V达到4.3V且稳定后，331J隔离驱动光耦一次侧信号端正极被拉至高电平才允许PWM信号输出。保证上电瞬间，不会因为上电时序不确定及毛刺干扰的存在导致IGBT误导通。
综上所述，本实用新型一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，解决IGBT驱动电路误触发的问题，设计合理，适于生产和推广应用。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，包括：逻辑+5V受控监测电路、施密特触发器整形滤波电路、隔离驱动光耦电路、IGBT抗饱和检测及过流侦测电路、增强型PWM信号推挽电路和门极信号阻容滤波输出电路，
所述逻辑+5V受控监测电路与所述施密特触发器整形滤波电路连接；
所述施密特触发器整形滤波电路与所述隔离驱动光耦电路连接；
所述隔离驱动光耦电路与所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路连接；
所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路与所述增强型PWM信号推挽电路连接；
所述增强型PWM信号推挽电路与所述门极信号阻容滤波输出电路连接。
2.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述逻辑+5V受控监测电路包括稳压二极管Z1和三极管Q1，所述稳压二极管Z1一端接地，所述稳压二极管Z1另一端与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端与电阻R1一端、电容C2一端和所述三极管Q1的基极连接，所述R1另一端、所述电容C2另一端和所述三极管Q1的发射极与+5V电源连接，所述三极管Q1的集电极与电阻R3一端、电容C3一端和所述施密特触发器整形滤波电路连接，所述电阻R3另一端、电容C3另一端接地。
3.如权利要求2所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述稳压二极管Z1为4.3V稳压二极管Z1。
4.如权利要求3所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述三极管Q1为PNP三极管Q1。
5.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述隔离驱动光耦电路包括331J隔离驱动光耦及其外围电路。
6.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述IGBT抗饱和检测及过流侦测电路包括隔离二极管、限流电阻及其外围电路。
7.如权利要求1所述的一种防止上电瞬间误输出的IGBT驱动电路，其特征在于，所述增强型PWM信号推挽电路包括PNP三极管、NPN三极管及其外围电路。
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2021
- 2021-12-31 CN CN202123454863.0U patent/CN217590590U/zh active Active
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