CN219519813U - 一种砷化镓晶片清洗装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及晶片清洗技术领域，尤其为一种砷化镓晶片清洗装置，包括导腔壳，所述导腔壳左右两端内侧固定设置有超声波发生器，所述导腔壳顶侧支板顶部固定设置有直线气缸，所述梯形台右端固定设置有置板，所述导腔壳底部设置有清洗池，所述清洗池顶端固定设置有斜承架，所述斜承架顶端内侧固定设置有电机，所述清洗池顶部右侧固定设置有烘干器，所述清洗池内部设置有碱性清洗液、去离子水清洗液以及纯水清洗液，本实用新型通过聚乙烯隔网板、晶片腔壳、隔板、硅胶夹垫、超声波发生器、置板、清洗池、斜承架、电机、烘干器、碱性清洗液、去离子水清洗液以及纯水清洗液起到对砷化镓晶片的多次浸液清洗烘干一体化的功能。

Description

一种砷化镓晶片清洗装置

技术领域

本实用新型涉及晶片清洗技术领域，具体为一种砷化镓晶片清洗装置。

背景技术

在对砷化镓晶片进行切割加工时常采用金刚线表面镀金刚砂及其他高硬度材质，利用油基切割液冷却以及消泡，使得砷化镓晶体由圆柱体切成圆片状晶片，但在切片完成后，晶片表面会附着油性切割冷却液及其他颗粒物质，需要进行清洗工序处理。

现有的砷化镓晶片的清理装置进行清洗时，常采取将砷化镓晶片卡装放置在清洗夹具内，在清洗池内超声波发生器的作用下，对砷化镓晶片进行多种溶剂清洗池的工装清洗，人员重复操作导致清洗效率低，且后续对工装器具的烘干效果较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种砷化镓晶片清洗装置，以解决上述背景技术中提出的常采取将砷化镓晶片卡装放置在清洗夹具内，在清洗池内超声波发生器的作用下，对砷化镓晶片进行多种溶剂清洗池的工装清洗，人员重复操作导致清洗效率低，且后续对工装器具的烘干效果较差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种砷化镓晶片清洗装置，包括导腔壳，所述导腔壳前后两端内部固定设置有聚乙烯隔网板，所述导腔壳内部放置有晶片腔壳，所述晶片腔壳内部固定设置有隔板，所述隔板前后两端内侧之间固定设置有硅胶夹垫，所述导腔壳左右两端内侧固定设置有超声波发生器，所述导腔壳顶侧支板顶部固定设置有直线气缸，所述直线气缸顶端固定设置有梯形台，所述梯形台右端固定设置有置板，所述导腔壳底部设置有清洗池，所述清洗池顶端固定设置有斜承架，所述斜承架顶端内侧固定设置有电机，所述清洗池顶部右侧固定设置有烘干器，所述清洗池内部设置有碱性清洗液、去离子水清洗液以及纯水清洗液。

优选的，所述导腔壳底端内部、晶片腔壳底端内部以及隔板内部均开设有通孔，所述隔板与晶片腔壳前后端面呈垂向设置。

优选的，所述聚乙烯隔网板的内置聚乙烯滤网是筛孔尺寸为0.075mm，标准目数为200目。

优选的，所述导腔壳以及清洗池分别与梯形台以及置板呈水平平行设置。

优选的，所述聚乙烯隔网板以及超声波发生器均有两个，所述导腔壳横向中轴线为对称分布位置的两侧。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型中，通过设置的导腔壳、聚乙烯隔网板、晶片腔壳、隔板、硅胶夹垫、超声波发生器、直线气缸、梯形台、置板、清洗池、斜承架、电机、烘干器、碱性清洗液、去离子水清洗液以及纯水清洗液，在对砷化镓晶片进行清洗前，通过镊子将砷化镓晶片填充放置在晶片腔壳内置隔板的硅胶夹垫内侧，将晶片腔壳整体放置在导腔壳内部，电机带动置板以及梯形台依次转动至碱性清洗液、去离子水清洗液以及纯水清洗液顶部区域，导腔壳以及梯形台内侧固定设置的直线气缸将导腔壳推压，超声波发生器起到对晶片腔壳内部放置的砷化镓晶片进行超声波清洗，电机带动置板以及梯形台来到烘干器区域，通过烘干器产生热压气流对导腔壳以及晶片腔壳的外部以及底部水渍进行烘干，便于后续对待清洗晶片的重复使用，以解决上述提出的常采取将砷化镓晶片卡装放置在清洗夹具内，在清洗池内超声波发生器的作用下，对砷化镓晶片进行多种溶剂清洗池的工装清洗，人员重复操作导致清洗效率低，且后续对工装器具的烘干效果较差的问题。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型整体安装结构示意图；

图3为本实用新型清洗池俯视结构示意图；

图4为本实用新型斜承架结构示意图；

图5为本实用新型硅胶夹垫分布结构示意图；

图6为本实用新型导腔壳俯视结构示意图。

图中：1-导腔壳、2-聚乙烯隔网板、3-晶片腔壳、4-隔板、5-硅胶夹垫、6-超声波发生器、7-直线气缸、8-梯形台、9-置板、10-清洗池、11-斜承架、12-电机、13-烘干器、14-碱性清洗液、15-去离子水清洗液、16-纯水清洗液。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-6，本实用新型提供一种技术方案：

一种砷化镓晶片清洗装置，包括导腔壳1，导腔壳1前后两端内部固定设置有聚乙烯隔网板2，导腔壳1内部放置有晶片腔壳3，晶片腔壳3内部固定设置有隔板4，隔板4前后两端内侧之间固定设置有硅胶夹垫5，导腔壳1左右两端内侧固定设置有超声波发生器6，导腔壳1顶侧支板顶部固定设置有直线气缸7，直线气缸7顶端固定设置有梯形台8，梯形台8右端固定设置有置板9，导腔壳1底部设置有清洗池10，清洗池10顶端固定设置有斜承架11，斜承架11顶端内侧固定设置有电机12，清洗池10顶部右侧固定设置有烘干器13，清洗池10内部设置有碱性清洗液14、去离子水清洗液15以及纯水清洗液16。

如图1、2、3以及5所示，通过设置的导腔壳1、聚乙烯隔网板2、晶片腔壳3、隔板4、硅胶夹垫5、超声波发生器6、直线气缸7、梯形台8、置板9、清洗池10、斜承架11、电机12、烘干器13、碱性清洗液14、去离子水清洗液15以及纯水清洗液16，在对砷化镓晶片进行清洗前，通过镊子将砷化镓晶片填充放置在晶片腔壳3内置隔板4的硅胶夹垫5内侧，将晶片腔壳3整体放置在导腔壳1内部，电机12带动置板9以及梯形台8依次转动至碱性清洗液14、去离子水清洗液15以及纯水清洗液16顶部区域，导腔壳1以及梯形台8内侧固定设置的直线气缸7将导腔壳1推压，超声波发生器6起到对晶片腔壳3内部放置的砷化镓晶片进行超声波清洗，电机12带动置板9以及梯形台8来到烘干器13的区域，通过烘干器13产生热压气流对导腔壳1以及晶片腔壳3的外部以及底部水渍进行烘干，其中导腔壳1底端内部、晶片腔壳3底端内部以及隔板4内部均开设有通孔，隔板4与晶片腔壳3前后端面呈垂向设置；聚乙烯隔网板2的内置聚乙烯滤网是筛孔尺寸为0.075mm，标准目数为200目；导腔壳1以及清洗池10分别与梯形台8以及置板9呈水平平行设置；聚乙烯隔网板2以及超声波发生器6均有两个，导腔壳1横向中轴线为对称分布位置的两侧。

工作流程：本实用新型在对砷化镓晶片进行清洗前，通过镊子将砷化镓晶片填充放置在晶片腔壳3内置隔板4的硅胶夹垫5内侧，将晶片腔壳3整体放置在导腔壳1内部，其中清洗池10内部通过隔架分为碱性清洗液14、去离子水清洗液15以及纯水清洗液16三种清洗区域，通过电机12带动置板9以及梯形台8依次转动至碱性清洗液14、去离子水清洗液15以及纯水清洗液16顶部区域，通过导腔壳1以及梯形台8内侧固定设置的直线气缸7将导腔壳1推压，直至清洗液浸没导腔壳1，超声波发生器6起到对晶片腔壳3内部放置的砷化镓晶片进行超声波清洗，直线气缸7复位内部清洗液通过导腔壳1以及晶片腔壳3内开设的通孔流出，经碱性清洗液14、去离子水清洗液15以及纯水清洗液16三次清洗后，电机12带动置板9以及梯形台8来到烘干器13的区域，通过烘干器13产生热压气流对导腔壳1以及晶片腔壳3的外部以及底部水渍进行烘干，便于后续对待清洗晶片的重复使用。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种砷化镓晶片清洗装置，包括导腔壳(1)，其特征在于：所述导腔壳(1)前后两端内部固定设置有聚乙烯隔网板(2)，所述导腔壳(1)内部放置有晶片腔壳(3)，所述晶片腔壳(3)内部固定设置有隔板(4)，所述隔板(4)前后两端内侧之间固定设置有硅胶夹垫(5)，所述导腔壳(1)左右两端内侧固定设置有超声波发生器(6)，所述导腔壳(1)顶侧支板顶部固定设置有直线气缸(7)，所述直线气缸(7)顶端固定设置有梯形台(8)，所述梯形台(8)右端固定设置有置板(9)，所述导腔壳(1)底部设置有清洗池(10)，所述清洗池(10)顶端固定设置有斜承架(11)，所述斜承架(11)顶端内侧固定设置有电机(12)，所述清洗池(10)顶部右侧固定设置有烘干器(13)，所述清洗池(10)内部设置有碱性清洗液(14)、去离子水清洗液(15)以及纯水清洗液(16)。

2.根据权利要求1所述一种砷化镓晶片清洗装置，其特征在于：所述导腔壳(1)底端内部、晶片腔壳(3)底端内部以及隔板(4)内部均开设有通孔，所述隔板(4)与晶片腔壳(3)前后端面呈垂向设置。

3.根据权利要求1所述一种砷化镓晶片清洗装置，其特征在于：所述聚乙烯隔网板(2)的内置聚乙烯滤网是筛孔尺寸为0.075mm，标准目数为200目。

4.根据权利要求1所述一种砷化镓晶片清洗装置，其特征在于：所述导腔壳(1)以及清洗池(10)分别与梯形台(8)以及置板(9)呈水平平行设置。

5.根据权利要求1所述一种砷化镓晶片清洗装置，其特征在于：所述聚乙烯隔网板(2)以及超声波发生器(6)均有两个，所述导腔壳(1)横向中轴线为对称分布位置的两侧。